標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 42837-2023 微波半導(dǎo)體集成電路 放大器》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為微波半導(dǎo)體集成電路中的放大器提供規(guī)范性的技術(shù)要求與測(cè)試方法。該標(biāo)準(zhǔn)覆蓋了微波放大器的設(shè)計(jì)、制造、性能評(píng)估等多個(gè)方面，確保產(chǎn)品能夠滿足一定的質(zhì)量和技術(shù)指標(biāo)。

在定義部分，明確了術(shù)語如“增益”、“噪聲系數(shù)”等關(guān)鍵參數(shù)的具體含義及其測(cè)量方式，這有助于行業(yè)內(nèi)對(duì)于相關(guān)概念達(dá)成一致理解。同時(shí)，還規(guī)定了不同類型放大器（例如低噪聲放大器、功率放大器）的基本特性要求，包括工作頻率范圍、輸入輸出阻抗匹配情況以及穩(wěn)定性等。

此外，《GB/T 42837-2023》詳細(xì)描述了針對(duì)這些特性的測(cè)試條件和方法，比如如何設(shè)置測(cè)試環(huán)境、使用哪些儀器設(shè)備來進(jìn)行準(zhǔn)確的性能評(píng)估等。通過遵循統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)流程，可以提高不同廠家或?qū)嶒?yàn)室之間測(cè)試結(jié)果的一致性和可比性。

本標(biāo)準(zhǔn)還強(qiáng)調(diào)了安全性和可靠性的重要性，提出了相應(yīng)的要求以保證放大器在實(shí)際應(yīng)用中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。對(duì)于制造商而言，遵守此標(biāo)準(zhǔn)不僅有利于提升產(chǎn)品質(zhì)量，也有助于其產(chǎn)品在國內(nèi)乃至國際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-08-06 頒布
  • 2023-12-01 實(shí)施
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GB/T 42837-2023微波半導(dǎo)體集成電路放大器_第1頁
GB/T 42837-2023微波半導(dǎo)體集成電路放大器_第2頁
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42837—2023

微波半導(dǎo)體集成電路

放大器

Microwavesemiconductorintegratedcircuits—

Amplifier

2023-08-06發(fā)布2023-12-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42837—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所深圳微步信

:、、

息股份有限公司杭州電子科技大學(xué)中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所廣東省中紹宣標(biāo)準(zhǔn)化技

、、、

術(shù)研究院有限公司成都亞光電子股份有限公司惠州市睿鼎電子科技有限公司青島金匯源電子有限

、、、

公司中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所中國航天科工集團(tuán)第三十五研究所

、、。

本文件主要起草人周俊霍玉柱黃建新邢浩吳維麗尹麗儀楊曉瑜朱鎮(zhèn)忠李德鵬劉芳

:、、、、、、、、、、

汪邦金趙巖

、。

Ⅰ

GB/T42837—2023

微波半導(dǎo)體集成電路

放大器

1范圍

本文件規(guī)定了放大器的分類技術(shù)要求測(cè)試方法和檢驗(yàn)規(guī)則等

、、。

本文件適用于采用半導(dǎo)體集成電路工藝設(shè)計(jì)制造放大器的設(shè)計(jì)制造采購和驗(yàn)收

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.110:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.33:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

GB/T4937.44:(HAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.1111:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鹽霧

GB/T4937.1313:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

GB/T4937.1414:()

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T4937.1515:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測(cè)試

GB/T4937.2626:(ESD)

人體模型

(HBM)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測(cè)試

GB/T4937.2727:(ESD)

機(jī)器模型

(MM)

集成電路術(shù)語

GB/T9178

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T1275011:()

半導(dǎo)體器件集成電路第部分第篇半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢不包

GB/T19403.111:1:(

括混合電路

)

半導(dǎo)體器件第部分微波集成電路放大器

GB/T20870.1—200716-1:

集成電路防靜電包裝管

SJ/T10147

電子產(chǎn)品防靜電包裝技術(shù)要求

SJ/T11587—2016

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫貯存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分密封

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