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第三章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一、存儲(chǔ)器的基本概念二、存儲(chǔ)器的分類三、存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)四、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM五、只讀存儲(chǔ)器ROM六、存儲(chǔ)器的接口特性一、存儲(chǔ)器的基本概念
存儲(chǔ)器是 一種能保存信息的設(shè)備一種具有記憶功能的部件是計(jì)算機(jī)的重要組成部分是CUP最重要的系統(tǒng)資源之一
DSESSSCSIPPSW標(biāo)志寄存器執(zhí)行部件控制電路指令譯碼器4321數(shù)據(jù)暫存器AXBXCXDXAHBHCHDHSIDIBPSPALBLCLDL寄存器組指令隊(duì)列地址總線AB數(shù)據(jù)總線DB總線接口控制電路控制總線CB運(yùn)算器地址加法器地址譯碼器、、、指令1指令2指令3指令4、、、數(shù)據(jù)1數(shù)據(jù)29AH、、、CPU與存儲(chǔ)器的關(guān)系存儲(chǔ)器CPU三級(jí)層次的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)1.按用途分類
按存儲(chǔ)器用途可以分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器。⑴主存儲(chǔ)器(MainMemory)主存又稱內(nèi)存用來存放計(jì)算機(jī)正在執(zhí)行的或經(jīng)常使用的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接對(duì)它進(jìn)行訪問,一般是由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成,通常裝在主板上, 存取速度快,但容量有限,
其大小受地址總線位數(shù)的限制。用來存放系統(tǒng)軟件及當(dāng)前運(yùn)行的應(yīng)用軟件。二、存儲(chǔ)器分類
1.按用途分類2.按存儲(chǔ)器存取方式不同⑵輔助存儲(chǔ)器(ExternalMemory)輔助存儲(chǔ)器又稱外存,是主存的后援,
一般不安裝在主機(jī)板上,屬計(jì)算機(jī)的外部設(shè)備。輔存是為彌補(bǔ)內(nèi)存容量的不足而配置的,
用來存放不經(jīng)常使用的程序和數(shù)據(jù),
需要時(shí)成批調(diào)入主存供CPU使用,CPU不能直接訪問它。最廣泛使用的外存是磁盤、光盤等。 輔存容量大,成本低,所存儲(chǔ)信息既可以修改也可以長期保存,但存取速度慢。外存需要配置專門的驅(qū)動(dòng)設(shè)備才能完成對(duì)它的訪問,如硬盤、軟盤驅(qū)動(dòng)器等。2.按存儲(chǔ)器使用屬性分類
內(nèi)存儲(chǔ)器種類繁多,按使用屬性分為:①
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM(RandomAccessMemory)②只讀存儲(chǔ)器ROM(ReadOnlyMemory)
1、存儲(chǔ)器容量
通常計(jì)算機(jī)編址單元是字節(jié)/字
存儲(chǔ)器的容量是指一個(gè)存儲(chǔ)器中單元總數(shù),與每單元的位數(shù)的乘積 如64K字=64K×16位,
512KB(B表示字節(jié))=512K×8位。 外存為了表示更大的容量,采用MB、GB、TB等。 其中:
1KB=210B,1MB=220B,1GB=230B,1TB=240B三、存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)
存儲(chǔ)器性能指標(biāo)主要有五項(xiàng):
容量、速度、功耗、可靠性、集成度。
2、存取速度
存儲(chǔ)器的存取速度:
是指訪問(讀/寫)一次存儲(chǔ)器所需要的時(shí)間。常用存儲(chǔ)器的存取時(shí)間(MemoryAccessTime)
和存儲(chǔ)周期表示,MOS工藝的存儲(chǔ)器存取周期數(shù)為數(shù)十--數(shù)百nS, 雙極型RAM存取周期最快可達(dá)10nS以下, 一般存儲(chǔ)周期略大于存取時(shí)間, 其差別取決于主存的物理實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)。
3.功耗維持功耗操作功耗
4.可靠性指存儲(chǔ)器對(duì)電磁場及溫度等變化的抗干撓能力
5.集成度指單位立方毫米芯片上集成的存儲(chǔ)電路數(shù)四隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM
(RandomAccessMemory)
SRAM靜態(tài)RAM(staticRAM)
DRAM動(dòng)態(tài)RAM(DynamicRAM)
IRAM組合RAM
NVRAM非易失性隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM(RandomAccessMemory)也稱讀寫存儲(chǔ)器對(duì)該存儲(chǔ)器內(nèi)部的任何一個(gè)存儲(chǔ)單元,
既可以讀出(?。?,也可以寫入(存)。
存取用的時(shí)間與存儲(chǔ)單元所在的物理地址無關(guān),主要用作主存,也可作為高速緩存使用。
通常說的內(nèi)存容量均指RAM容量,一般RAM芯片掉電時(shí)信息將丟失。按制造工藝分成MOS型和雙極型RAM芯片。按集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,RAM又可以分為靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM。
五
只讀存儲(chǔ)器ROM:
ROM中存儲(chǔ)器的信息是在使用之前或制作時(shí)寫入的,作為一種固定存儲(chǔ);運(yùn)行時(shí)只能隨機(jī)讀出,不能寫入;電源關(guān)斷,信息不會(huì)丟失,屬于非易失性存儲(chǔ)器件;常用來存放不需要改變的信息。如操作系統(tǒng)的程序(BIOS)或用戶固化的程序。ROM按集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同可分為五種:
掩膜編程ROM(MaskprogrammedROM)
PROM可編程ROM(ProgramableROM)
EPROM光可擦除PROM(ErasableProgramableROM)
E2PROM電可擦除PROM(ElectricallyErasablePROM)
FlashMemory快速電擦寫存儲(chǔ)器
FlashMemory快速電擦寫存儲(chǔ)器:FlashMemory是80年代末~90年代初推出的新型存儲(chǔ)器。結(jié)構(gòu)與EPROM相同。其特點(diǎn)是:可以整體電擦除(時(shí)間1S)和按字節(jié)重新高速編程。 是完全非易失性的,可以完全代替E2RPOM。能進(jìn)行高速編程。如:28F256芯片,每個(gè)字節(jié)編程需100μs,整個(gè)芯片0.5s;最少可以擦寫一萬次,通常可達(dá)到10萬次;CMOS低功耗,最大工作電流30mA。與E2PROM進(jìn)行比較具有容量大、價(jià)格低、可靠性高等明顯優(yōu)勢(shì)。高速緩沖存儲(chǔ)器介于內(nèi)存與CPU之間的一種快速小容量存儲(chǔ)器使用少量高速SRAM作為高速緩沖存儲(chǔ)器,使用大量高速DRAM作為內(nèi)存。高速緩沖存儲(chǔ)器和內(nèi)存在硬件邏輯控制下,作為一個(gè)存儲(chǔ)器整體面向CPU。高速緩沖存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度為內(nèi)存的幾倍到幾十倍,容量為幾K到幾十KBCPU高速緩存
內(nèi)存
控制邏輯159810頁面地址DATA1DATA20123255MAR0頁
1頁。。。127頁MDRCDR
相等?選擇位失敗命中地址總線CPU數(shù)據(jù)總線單字寬多字寬CPU171616數(shù)據(jù)地址對(duì)AD有效位高速緩沖存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)地址字段數(shù)據(jù)字段CARMM有128頁每頁512個(gè)地址單元共64K高速緩沖存儲(chǔ)器的工作過程高速緩沖存儲(chǔ)器與內(nèi)存不統(tǒng)一編址設(shè)高速緩沖存儲(chǔ)器的容量為256字,每字40位,稱為數(shù)據(jù)地址對(duì)AD,數(shù)據(jù)字段兩個(gè)字DATA1和DATA2,每字16位,地址字段8位,最高位為有效位。設(shè)內(nèi)存有128頁,每頁512個(gè)地址單元,共64K。高速緩存的地址寄存器CAR的位1到位8用來選擇高速緩沖存儲(chǔ)器的256個(gè)雙字,位0=0選DATA2,位0=1選DATA2。位9到位15與內(nèi)存的頁面地址對(duì)應(yīng),共127頁讀操作時(shí),CPU發(fā)16位地址到CAR,確定高速緩存中的一個(gè)字,同時(shí)將地址字段的頁面地址與CAR的高位進(jìn)行比較,若相等稱為命中,CDR開關(guān)打開,數(shù)據(jù)送CPU數(shù)據(jù)總線,若不相等稱為失敗,高速緩存內(nèi)無CPU需要的數(shù)據(jù),此時(shí)CPU將地址送內(nèi)存的地址寄存器MAR,通過MDR送CPU的數(shù)據(jù)總線,同時(shí)將內(nèi)存的該頁面的數(shù)據(jù)調(diào)入高速緩存中(清除緩存中的舊內(nèi)容)。寫操作與讀操作基本相同,若比較失敗,則直接寫內(nèi)存同時(shí)更新辦向緩存,若命中有兩種方式,1。向高速緩存寫的同時(shí),也寫內(nèi)存稱為通寫,2。只寫緩存,不寫內(nèi)存,到需要更新內(nèi)存頁內(nèi)容時(shí),再送內(nèi)存。高速緩沖存儲(chǔ)器的映象方式
高速緩沖存儲(chǔ)器的與內(nèi)存間的地址對(duì)應(yīng)關(guān)系稱為緩存的地址映象,有兩種地址映象方式:直接映象方式和N路相聯(lián)映象方式。1)直接映象方式——內(nèi)存地址空間分成大小相等的若干頁,每頁的容量與緩存相等,內(nèi)存的頁內(nèi)地址與緩存地址對(duì)應(yīng),內(nèi)存地址映象到唯一的緩存單元的方式,即直接映象方式。2)
N路相聯(lián)映象方式——把緩存分成若干體,內(nèi)存的頁與緩存的體大小相等。把相同頁內(nèi)地址的內(nèi)存單元可映象到多個(gè)緩存體中的相應(yīng)單元,構(gòu)成N路相聯(lián)映象方式。存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器地址線位數(shù)n,存儲(chǔ)單元數(shù)為N,他們之間的關(guān)系為N=2n。地址譯碼驅(qū)動(dòng)讀寫放大電路...存儲(chǔ)體時(shí)序控制線路N位地址總線控制信號(hào)線N位數(shù)據(jù)總線六、存儲(chǔ)器芯片接口特性
了解各種常用存儲(chǔ)器芯片接口特性是用戶設(shè)計(jì)微機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的基礎(chǔ),存儲(chǔ)器芯片的接口特性:
實(shí)質(zhì)上就是了解它與CPU總線相關(guān)的信號(hào)線的功能及工作時(shí)序,以便實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片上信號(hào)線與CPU三大總線的連接,構(gòu)成微機(jī)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。因此本節(jié)分二個(gè)層次介紹存儲(chǔ)器芯片:介紹存儲(chǔ)器與CPU總線相關(guān)信號(hào)線存儲(chǔ)器芯片與MPU的連接方式。①ROM控制線ROM芯片提供兩個(gè)控制輸入信號(hào):
芯片允許,輸出允許。
=1使該芯片處于低功耗備用模式; =0該芯片被選中,使O7~
O0處于允許狀態(tài);
=1輸出被禁止,O7~
O0處于高阻;
=0允許O7~
O0正常輸出。由此可見,使ROM能有效地操作必須使==0。②SRAM控制線靜態(tài)RAM(SRAM)提供三個(gè)控制輸入信號(hào):
芯片允許輸出允許寫允許無論對(duì)SRAM進(jìn)行讀或?qū)憯?shù)據(jù)時(shí),必須使=0。向SRAM寫數(shù)據(jù)時(shí),=0、=0、=1,將I/O7
~I/O0
配置為輸入,實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器寫操作。從SRAM讀出數(shù)據(jù)時(shí),=1、=0、=0,
I/O7
~I/O0
為非高阻態(tài),實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器讀操作。注意:==0不能存在。
==1數(shù)據(jù)線處于高阻抗?fàn)顟B(tài), 既不能讀也不能寫。③.DRAM存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)以電荷形式存儲(chǔ)信息的器件。以INTEL2164為例2164為64K×116根地址分為兩組
/RAS(行地址有效)時(shí),
A0—A7有效
/CAS(列地址有效)時(shí),
A8—A15有效DIN為數(shù)據(jù)輸入,DOUT為數(shù)據(jù)輸出2164內(nèi)部有4個(gè)128×128的存貯矩陣DRAM必須再2ms內(nèi)對(duì)所有內(nèi)存刷新/RAS作為刷新的選通信號(hào)刷新時(shí)按行進(jìn)行,且數(shù)據(jù)線不起作用2164A0—A7DINDOUT/WE/RAS/CAS存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接方式存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接方式。是指與CPU總線相關(guān)的信號(hào)線的連接。控制總線由芯片類型決定,只能隨芯片一塊討論。
(1)根據(jù)CPU外部數(shù)據(jù)總線的位數(shù)確定主存結(jié)構(gòu)
(2)根據(jù)CPU外部地址總線的位數(shù)與存儲(chǔ)器的容量 確定主存儲(chǔ)器芯片連接原則
(3)8位數(shù)據(jù)總線CPU與存儲(chǔ)器接口(1)根據(jù)CPU外部數(shù)據(jù)總線的位數(shù)
確定主存結(jié)構(gòu)
讀寫存儲(chǔ)器RAM
只讀存儲(chǔ)器ROM
以EPROM2716(2K
8)為例加以說明。
以靜態(tài)RAM(SRAM)2114芯片(1K
4位/片)和6116芯片(2K
8位/片)為例加以說明。
讀寫存儲(chǔ)器RAM(2114芯片)①2114的引腳和邏輯符號(hào)如下圖示:
A0~A9I/O1~I/O42114寫允許WE片選CS②2114與8088CPU的連接
要求利用2114組成容量為2K
8的存儲(chǔ)器
2114數(shù)據(jù)線位數(shù)為4位,8088CPU數(shù)據(jù)總線是8位的,
2K容量的存儲(chǔ)器用4片2114實(shí)現(xiàn)。地址線要10位,即A0~A9。
2114存儲(chǔ)單元數(shù)為1K(210=1024)單元片選
由A10~A15地址譯碼輸出及某些控制信號(hào)(例IO/M)形成。寫允許信號(hào),注意芯片無信號(hào),非寫即讀。
=0, =0為寫,則=1為讀。2114與三大總線如何接?A0
A9A0
A9A0
A9A0
A9A0
A9CSCSCSCSWEWEWEWED3D0D7D4D7D4D3D02114211421142114D7D0CPUA15
A10IO/M1K1KWRDBABCB片選譯碼?
????地址總線數(shù)據(jù)總線控制總線
讀寫存儲(chǔ)器RAM(
6116芯片)A10~A0I/O0~I/O76116寫使能WE輸出使能OE片選CS6116存儲(chǔ)芯片為2K
8位,8088CPU數(shù)據(jù)總線是8位的,2K容量的存儲(chǔ)器用一片6116實(shí)現(xiàn)。①6116的引腳圖如下A19A18A16A17A15A13A14A12WRIO/MRDCPU&111A11=074LS3074LS24574LS326116WEOECSMEMRMEMWD7~D0ADIRD7~D0BGA10~A0D7~D0???存儲(chǔ)地址為:A0000~A07FFH采用門電路譯碼②6116與8088CPU的連接1010000074LS245存儲(chǔ)器寫DIR=1,A→B存儲(chǔ)器讀DIR=0,B→A
只讀存儲(chǔ)器ROM(2716)
2716存儲(chǔ)芯片為2K
8位的,8088CPU數(shù)據(jù)總線是8位的,2K容量的存儲(chǔ)器用一片2716實(shí)現(xiàn)。①其引腳圖如下:2716A10~A0D7~D0OECE/PGMVCC=5V
VPP{使用5V編程+25V存儲(chǔ)器地址: FC000~FC7FFHFC800~FCFFFH …FF800~FFFFFH111111y0y7編程脈沖PGM{
使用{讀出PGM=0待機(jī)PGM=1編程45
~55MS其中:片選CE,讀出時(shí)CE=0,編程時(shí)CE/PGM=1(2)根據(jù)CPU外部地址總線的位數(shù)與存儲(chǔ)器的容量確定主存儲(chǔ)器芯片連接原則確定好電路結(jié)構(gòu)后,存儲(chǔ)器芯片選擇應(yīng)盡量選用容量相同的芯片。連接原則:芯片的地址線與CPU的低地址總線相連,以確定存儲(chǔ)器片內(nèi)地址,剩下的高位地址通過譯碼產(chǎn)生片選控制信號(hào)。
①根據(jù)系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器分配情況可以選擇不同的譯碼方式:
線選 全譯碼②常用的譯碼器有以下三種
與非門譯碼器
3-8譯碼器(74LS138)
PLD可編程譯碼器①譯碼方式
線選(地址有重疊區(qū)) PC總線A12~A08K8CSCSCSA13A14A15譯碼方式(續(xù))
全譯碼(地址無重疊區(qū)) PC總線A12~A0CSCS譯碼。。。A13A14A15②常用的譯碼器
與非門譯碼A19A18A16A17A15A13A14A12WRIO/MRDCPU&111A11=074LS3074LS24574LS326116WEOECSMEMRMEMWD7~D0ADIRD7~D0BGA10~A0D7~D0???存儲(chǔ)地址為:A0000~A07FFH
3-8譯碼器(74LS138)使能輸入選擇輸入G1G2AG2BCBAY0~Y7輸出100000Y0=0其余為1100001Y1=0其余為1100010Y2=0其余為1100011Y3=0其余為1100100Y4=0其余為1100101Y5=0其余為1100110Y6=0其余為1100111Y7=0其余為13-8譯碼器應(yīng)用舉例存儲(chǔ)器地址為:2000H~23FFH,2400H~27FFHA0
A9A0
A9A0
A9A0
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A9CSCSCSCSWEWEWEWED3D0D7D4D7D4D3D02114211421142114D7D0CPUA15
A10IO/M1K1KWRDBABCB片選譯碼?
????片選譯碼74LS1380800~0FFFH3800~3FFFH0000~07FFH用74LS138全譯碼實(shí)現(xiàn)真值表000000000011111111110000000000111111111100000000001111111111A12A11A1300 000 00100111輸出A10A9~A0地址范圍只Y0=0只Y1=0只Y7=001010100A15A14A12A11A13A14IO/MA1574LS138G1G2AG2BCBAY0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y70000~07FFH0800~0FFFH1000~17FFH1800~1FFFH2000~27FFH2800~0FFFH3000~37FFH3800~3FFFH
用74LS138全譯碼實(shí)現(xiàn)
(每個(gè)輸出均為2K,如何譯出兩個(gè)1K呢?可用A10區(qū)分)11后1K前1K32320000~03FFH000000000000000000000011111111110400~07FFH00000100000000000000011111
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