國開光伏電池材料形考任務(wù)1-4試題及答案

國開光伏電池材料形考任務(wù)1試題及答案題目順序是隨機(jī)的，使用查找功能（Ctrl+F）進(jìn)行搜索單項(xiàng)選擇題題目：多晶硅屬于（）答案：金剛石結(jié)構(gòu)題目：二元相圖通常采用（）的坐標(biāo)系。答案：溫度-濃度（T-x）圖題目：根據(jù)晶胞外形即極邊長度之間的關(guān)系和晶軸之間的夾角情況，而不涉及晶胞中原子的具體排列情況，可將所有晶體分成（）個(gè)晶系，（）種布拉菲點(diǎn)陣。答案：7、14題目：關(guān)于二氧化硅以下說法錯(cuò)誤的是（）答案：石英是地殼中分布很少的礦物題目：關(guān)于硅單質(zhì)說法錯(cuò)誤的是（）。答案：具有類似金屬的塑性題目：關(guān)于硅的化學(xué)性質(zhì)說法錯(cuò)誤的是（）。答案：硅材料的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)就是硅表面很不容易氧化題目：關(guān)于四氯化硅以下說法錯(cuò)誤的是（）答案：不溶于苯、氯仿、石油醚等多數(shù)有機(jī)溶劑題目：關(guān)于位錯(cuò)密度說法錯(cuò)誤的是（）。答案：通常情況下制得位錯(cuò)密度較小的材料題目：觀察晶體中位錯(cuò)最簡單的方法是（）。答案：浸蝕觀察法題目：硅晶體的解理面有（）答案：{111}晶面和{110}晶面題目：面心立方結(jié)構(gòu)晶胞中的原子數(shù)為（）答案：4題目：漂晶現(xiàn)象的原因在于（）。答案：液面上這些位置不能保持正驅(qū)動力題目：室溫一個(gè)大氣壓下，液態(tài)水的自由度為（）。答案：2題目：西門子法作為硅的提純工藝，所用的原料主要是（）:P型硅半導(dǎo)體;99.9999%（6個(gè)9）的為太陽能級硅;99.999999999%（11個(gè)9）的為電子級硅;95%-99%的冶金級硅答案：95%-99%的冶金級硅題目：下列屬于面缺陷的是（）:位錯(cuò);空洞;空位;晶界答案：晶界題目：液態(tài)水、冰、水蒸氣共存時(shí)，獨(dú)立組元數(shù)為（）。答案：1題目：一般熱處理時(shí)的原子擴(kuò)散主要與（）有關(guān):答案：空位題目：以下（）不是自然界中的硅同位素。答案：32Si題目：雜質(zhì)原子與基體原子尺寸相當(dāng)，容易形成（）答案：置換原子題目：正溫度梯度與負(fù)溫度梯度相比，（）。答案：正溫度梯度時(shí)結(jié)晶潛熱只能通過固相而散出，相界面的推移速度受固相傳熱速度所控制多項(xiàng)選擇題題目：不能用于區(qū)分晶體與非晶體的是（）答案：是否具有確定的熔點(diǎn);原子排練是否有序題目：采用適當(dāng)?shù)脑吓浔?，都能得到解決或部分解決是（）。答案：在固液兩相區(qū)內(nèi)生長晶體或是配料偏離同成分點(diǎn)時(shí)溫度波動導(dǎo)致固相成分波動引起生長條紋;晶體冷卻時(shí)越過溶線引起脫溶沉淀;晶體成分偏離理想配比引起點(diǎn)缺陷題目：關(guān)于白炭黑說法準(zhǔn)確的是（）。答案：白碳黑是在特殊設(shè)計(jì)的爐子里在1370K下用四氯化硅在氧氣流經(jīng)過氣相氧化制得的;非常細(xì)小顆粒和極大的表面積;具有化學(xué)惰性不會與硫化而引入的過氧化物反應(yīng);硅氧烷橡膠里的主要增強(qiáng)填料題目：關(guān)于單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)說法正確的是（）。答案：硅原子軌道雜化以后，在sp3軌道上有4個(gè)未成對的價(jià)電子;硅原子所有價(jià)電子都被束縛在共價(jià)鍵上，沒有自由電子，所以不是導(dǎo)體;共價(jià)鍵的飽和性使得硅最多只能形成4個(gè)共價(jià)鍵;共價(jià)鍵的方向性使得每個(gè)硅原子都和周圍4個(gè)最近鄰的原子組成一個(gè)正四面體題目：關(guān)于點(diǎn)缺陷說法錯(cuò)誤的是（）。答案：點(diǎn)缺陷使得滑移更容易進(jìn)行題目：關(guān)于固溶體與中間相說法錯(cuò)誤的是（）。答案：Cu-Ni合金屬于中間相;固熔體一般具有較高的熔點(diǎn)及硬度題目：關(guān)于硅的電阻率說法錯(cuò)誤的是（）。答案：N型半導(dǎo)體中也有自由電子，但數(shù)量很少，稱為少數(shù)載流子題目：關(guān)于硅的鹵化物說法錯(cuò)誤的是（）。答案：一般都是無毒的題目：關(guān)于晶體的宏觀表面說法正確的是（）。答案：表面最活躍的位置是臺階的邊緣處;從原子的尺度來看，十分粗糙而凹凸不平;宏觀表面基本上由一系列平行的原子密排面及相應(yīng)的臺階組成的題目：關(guān)于臨界晶核說法錯(cuò)誤的是（）。答案：臨界半徑與過冷度ΔT無關(guān);均勻形核與非均勻形核的臨界晶核大小不同”題目：關(guān)于三氯氫硅說法正確的是（）。答案：可由硅粉與氯化氫合成而得;可在高溫高壓下用氫還原四氯化硅生成三氯氫硅;熔點(diǎn)-128℃，沸點(diǎn)31.5℃;無色透明液體題目：關(guān)于石英說法錯(cuò)誤的是（）。答案：由一個(gè)個(gè)的簡單SiO2分子組成題目：關(guān)于位錯(cuò)的觀察，說法正確的是（）。答案：石英砂;硅酸鹽題目：解理面通常是晶面間距較大的晶面。在金剛石結(jié)構(gòu)中，下面晶面的晶面間距最大的是（）。答案：{111}題目：金剛石結(jié)構(gòu)的晶胞中原子數(shù)為（），配位數(shù)為（）。答案：8、4題目：兩側(cè)晶粒位向差為1°的晶界屬于（）。答案：小角度晶界題目：熱力學(xué)平衡條件包括（）。答案：相平衡;熱平衡;力學(xué)平衡題目：下列不屬于面缺陷的是（）。答案：長程有序;解理性;各向異性;固定熔點(diǎn)單項(xiàng)選擇題題目：柏氏矢量說明了畸變發(fā)生在什么晶向，是一個(gè)沒有大小的量。答案：錯(cuò)題目：點(diǎn)缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。答案：對題目：硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價(jià)鍵。答案：對題目：硅是通過自由電子導(dǎo)電的，所以載流子就是自由電子。答案：錯(cuò)題目：硅烷就是甲硅烷。答案：錯(cuò)題目：硅在地殼中的豐度為25.90%，僅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。答案：對題目：滑移的方向是與位錯(cuò)線平行的為刃型位錯(cuò)。答案：錯(cuò)題目：甲硅烷的化學(xué)性質(zhì)很活潑，有強(qiáng)的氧化性。答案：錯(cuò)題目：可很方便制備得到位錯(cuò)很少的多晶硅片。答案：錯(cuò)題目：內(nèi)能是隨缺陷增加而增加的，所以空位越多越不穩(wěn)定。答案：錯(cuò)題目：平衡狀態(tài)下，位錯(cuò)密度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。答案：錯(cuò)題目：普通玻璃是無定形二氧化硅。答案：錯(cuò)題目：刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的判斷可以通過晶體發(fā)生局部滑移的方向是與位錯(cuò)線垂直還是平行來區(qū)分。答案：對題目：水晶是石英的單晶體，是一種堅(jiān)硬、脆性、難溶的無色透明的固體。答案：對題目：一氧化硅是硅和二氧化硅的均勻混合物在低壓下加熱到1450K以上生成的揮發(fā)性物質(zhì)答案：對題目：有些雜質(zhì)即使在硅中含量超過1015cm-3，也不會對電池的轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生明顯影響。答案：對題目：在半導(dǎo)體的P-N結(jié)中，濃度梯度形成的擴(kuò)散作用與內(nèi)建電場的電場力的作用達(dá)到平衡。答案：對題目：在常溫下硅對多數(shù)酸是穩(wěn)定的。答案：對題目：在常溫下硅能與稀堿溶液反應(yīng)。答案：對題目：在絕對溫度零度和無外界激發(fā)的條件下，硅晶體沒有自由電子存在，完全不導(dǎo)電。答案：對“題目：將各類晶體缺陷與實(shí)例一一對應(yīng)。（1）點(diǎn)缺陷一一[[2]]（2）線缺陷一一[[1]]（3）面缺陷一一[[3]];[[1]]->{A.位錯(cuò)/B.空位/C.相界}”“題目：將各種硅化合物與描述一一對應(yīng)。（1）二氧化硅一一[[2]]（2）三氯氫硅一一[[1]]（3）四氯化硅一一[[3]];[[1]]->{A.沸點(diǎn)31.5℃，室溫下無色透明液體/B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進(jìn)行篩分得到/C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會產(chǎn)生煙霧}”“題目：將各種硅化合物與熔沸點(diǎn)一一對應(yīng)。（1）四氯化硅一一[[2]]（2）三氯氫硅一一[[3]]（3）甲硅烷一一[[1]];[[1]]->{A.熔點(diǎn)-185℃，沸點(diǎn)-111.8℃/B.熔點(diǎn)-70℃，沸點(diǎn)57.6℃/C.熔點(diǎn)-128℃，沸點(diǎn)31.5℃}”“題目：將各種硅化合物與作用一一對應(yīng)。（1）二氧化硅一一[[2]]（2）三氯氫硅一一[[1]]（3）甲硅烷一一[[3]];[[1]]->{A.可作為西門子法提純硅材料的中間產(chǎn)物/B.制造冶金硅的主要原料之一/C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解}”“題目：將硅材料與描述一一對應(yīng)。（1）電子級硅[[2]]（2）冶金級硅一一[[3]]（3）太陽能級硅一一[[1]];[[1]]->{A.99.9999%/B.99.999999999%/C.95%-99%}”“題目：將硅的用途與性質(zhì)一一對應(yīng)。（1）二極管一一[[3]]（2）集成電路一一[[1]]（3）光電池一一[[2]];[[1]]->{A.通過掩蔽、光刻、擴(kuò)散等工藝，可在一個(gè)或幾個(gè)很小的硅晶片上集結(jié)成一個(gè)或幾個(gè)完整的電路/B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能/C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波}”“題目：將晶體的特性與解釋一一對應(yīng)。（1）各向異性一一[[3]]（2）長程有序一一[[2]]（3）解理性一一[[1]];[[1]]->{A.晶體常具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì)/B.粒子排列具有三維周期性、對稱性/C.在不同方向上，晶體的物理性質(zhì)不同，如電阻率、導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能、介電常數(shù)、光的折射、彈性、硬度等}”“題目：將晶體結(jié)構(gòu)與晶胞中原子數(shù)一一對應(yīng)。（1）簡單立方結(jié)構(gòu)一一[[3]]（2）體心立方結(jié)構(gòu)一一[[2]]（3）面心立方結(jié)構(gòu)一一[[1]];[[1]]->{A.4/B.2/C.1}”“題目：將晶體生長方式與實(shí)例一一對應(yīng)。（1）固相生長一一[[3]]（2）液相生長一一[[2]]（3）汽相生長一一[[1]];[[1]]->{A.水汽凝結(jié)為冰晶/B.鹽水溶液結(jié)晶/C.石墨在高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸瘆”“題目：將相圖與特點(diǎn)一一對應(yīng)。(1)勻晶相圖一一[[1]](2)共晶相圖一一[[2]](3)包晶相圖一一[[3]];[[1]]->{兩組元在液態(tài)、固態(tài)都無限互溶/L→α+β/L+α→β}”配伍題答案：{B.空位}{A.位錯(cuò)}{C.相界}答案：{B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進(jìn)行篩分得到}{A.沸點(diǎn)31.5℃，室溫下無色透明液體}{C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會產(chǎn)生煙霧}答案：{B.熔點(diǎn)-70℃，沸點(diǎn)57.6℃}{C.熔點(diǎn)-128℃，沸點(diǎn)31.5℃}{A.熔點(diǎn)-185℃，沸點(diǎn)-111.8℃}答案：{B.制造冶金硅的主要原料之一}{A.可作為西門子法提純硅材料的中間產(chǎn)物}{C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解}答案：{B.99.999999999%}{C.95%-99%}{A.99.9999%}答案：{C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波}{A.通過掩蔽、光刻、擴(kuò)散等工藝，可在一個(gè)或幾個(gè)很小的硅晶片上集結(jié)成一個(gè)或幾個(gè)完整的電路}{B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能}答案：{C.在不同方向上，晶體的物理性質(zhì)不同，如電阻率、導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能、介電常數(shù)、光的折射、彈性、硬度等}{B.粒子排列具有三維周期性、對稱性}{A.晶體常具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì)}答案：{C.1}{B.2}{A.4}答案：{C.石墨在高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸瘆{B.鹽水溶液結(jié)晶}{A.水汽凝結(jié)為冰晶}答案：{兩組元在液態(tài)、固態(tài)都無限互溶}{L→α+β}{L+α→β}

國開光伏電池材料第2次形考任務(wù)答案題目順序是隨機(jī)的，使用查找功能（Ctrl+F）進(jìn)行搜索單項(xiàng)選擇題題目：（）是生產(chǎn)太陽能級硅材料的主要技術(shù)。答案：改良西門子法題目：代號2205的工業(yè)硅，其中鐵、鋁、鈣三種雜質(zhì)的含量分別是（）。答案：0.20％、0.20％、0.05％題目：對比傳統(tǒng)西門子法，改良西門子法的優(yōu)點(diǎn)，錯(cuò)誤的是（）。答案：節(jié)約時(shí)間題目：改良西門子法所采用的提純工藝是（）。答案：精餾題目：工業(yè)硅加工產(chǎn)品的附加值最高的是（）。答案：生產(chǎn)光纖、多晶硅、單晶硅等通訊、半導(dǎo)體器件和太陽能電池題目：關(guān)于采用區(qū)域提純法去除硅中硼雜的區(qū)域提純雜質(zhì)描述正確的是（）答案：幾乎無法效果去除題目：關(guān)于分子篩說法錯(cuò)誤的是（）。答案：對非極性分子具有較強(qiáng)的親和力題目：硅石和還原劑在低于1500℃時(shí)，發(fā)生的反應(yīng)是（）。答案：無化學(xué)反應(yīng)，僅為預(yù)熱題目：金剛石結(jié)構(gòu)的晶體中位錯(cuò)滑移最容易產(chǎn)生的滑移面是（）。答案：{111}面題目：晶體生長過程中產(chǎn)生的缺陷稱為（）。答案：原生長缺陷題目：區(qū)熔法制備單晶硅時(shí)，需要（）。答案：不需要坩堝題目：生產(chǎn)直拉單晶硅生產(chǎn)時(shí)，單晶爐內(nèi)需要通入（）作為保護(hù)氣體爐體內(nèi)通常是（）。答案：低壓的氬氣題目：太陽電池用直拉單晶硅中的主要缺陷是（）。答案：位錯(cuò)題目：微電子工業(yè)和單晶硅太陽電池的生產(chǎn)的特點(diǎn)在于（）。答案：從高純多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅的步驟都非常重要題目：吸附時(shí)不發(fā)生任何化學(xué)變化，是（）。:物理吸附;以上皆不是;化學(xué)吸附;不可逆過程答案：物理吸附題目：在工業(yè)硅的生產(chǎn)爐中，溫度在2000℃以上的部分，（）答案：底下是SiC，其上面是產(chǎn)品工業(yè)硅題目：占據(jù)晶格間隙位置的雜質(zhì)原子為（）。答案：間隙雜質(zhì)原子題目：CZ法生長單晶硅工藝依次有加料、熔化以及（）。答案：縮頸生長、放肩生長、等徑生長、尾部生長題目：Dash工藝主要解決的是（）。答案：減少缺陷（位錯(cuò)）多項(xiàng)選擇題目：大熱場的石墨坩堝往往被做成兩瓣或三瓣式的原因在于（）。答案：防止石墨坩堝被膨脹的石英坩堝撐破;吸收剩余的熔硅凝固時(shí)體積增大而造成的應(yīng)力，從而減少漏硅的危險(xiǎn)題目：工業(yè)硅生產(chǎn)過程中，要注意的是（）。答案：通過選擇合理的爐子結(jié)構(gòu)參數(shù)和電氣參數(shù)，保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度;及時(shí)搗爐，幫助沉料;保持料層有良好的透氣性，及時(shí)排除反應(yīng)生成的氣體;及時(shí)調(diào)整配料比，保持適宜的SiO2與碳的分子比題目：工業(yè)吸附對于吸附劑的要求包括（）。答案：具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大;具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，抗磨損;有良好的物理及化學(xué)性能，耐熱沖擊，耐腐蝕;選擇性高題目：關(guān)于對czCZ法和fzFZ法說法描述正確的是（）。答案：生長時(shí)都需借助要采用籽晶;都需要采用真空氣氛保護(hù)題目：關(guān)于硅粉與氯化氫合成三氯氫硅的生產(chǎn)工藝說法正確的是（）。答案：放熱反應(yīng);溫度升高后反而將影響產(chǎn)品收率;要加熱到所需溫度才能進(jìn)行題目：關(guān)于晶轉(zhuǎn)說法正確的是（）。答案：過高的晶轉(zhuǎn)會使固液界的形狀太凹;在某些晶轉(zhuǎn)下，棱線或者小平面與直徑的讀取同步，引起直徑的讀值和拉速的大幅度跳動題目：關(guān)于完全互溶的A、B雙組分的溶液與其混合蒸汽所組成的相圖，說法正確的是（）。答案：被兩條曲線分為三個(gè)區(qū)域題目：關(guān)于SiO說法正確的是（）。答案：SiO很容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng);溫度高于1500℃，由SiO2和SiC反應(yīng)得到;能在1500℃與C發(fā)生反應(yīng);能與氧氣發(fā)生反應(yīng)題目：硅烷法的特點(diǎn)是（）。答案：不需用氫還原，甲硅烷可以熱分解為多晶硅;硅烷氣體易于用吸附法提純;易于分解為非晶硅;硅烷易爆炸題目：化學(xué)法提純高純多晶硅的工藝包括（）。答案：中間化合物的分離提純;中間化合物的合成;中間產(chǎn)物被還原或者是分解成高純硅還原成高純硅題目：晶體中點(diǎn)缺陷濃度是（）效應(yīng)共同作用的結(jié)果。答案：點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生;點(diǎn)缺陷的復(fù)合;點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散題目：具有金剛石結(jié)構(gòu)的的晶體中的解理面包括位錯(cuò)線的優(yōu)先方向?yàn)椋ǎ?。答案：?10〉晶向{110}晶面族;{111}晶面族〈111〉晶向”題目：磷在硅中很容易去除，在于。答案：磷在硅中的分配系數(shù)小于1;磷在硅熔液中很快得到蒸發(fā)題目：石墨坩堝的壽命取決于（）。答案：石墨坩堝的形狀;在晶體生長過程中的受熱程度;承受的重量;石墨的材質(zhì)題目：位錯(cuò)影響說法正確的是（）。答案：刃型位錯(cuò)也可能作為一排受主;位錯(cuò)作為一個(gè)線電荷和空間電荷圓柱成為復(fù)合中心;位錯(cuò)能夠改變載流子濃度;刃性位錯(cuò)作為一排施主中心向?qū)峁╇娮宇}目：無坩堝區(qū)域提純（）。答案：也可用于晶體生長;避免了坩堝的污染;熔硅不會流動是由于其很大的表面張力題目：以下對吸附描述正確的是升溫和降壓有助于（）。答案：化學(xué)吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更容易揮發(fā);物理．吸附的進(jìn)行吸附是可逆的題目：由于跟FZ技術(shù)相比，CZ法具有（）。答案：通過晶轉(zhuǎn)和鍋轉(zhuǎn)控制晶體-熔體邊界層能較好的控制徑向摻雜均勻度;熔體穩(wěn)定;晶體直徑大;對多晶形狀要求低題目：直拉單晶爐的主室包括（）。答案：熱絕緣筒和地盤;石墨加熱器;石墨坩堝;石英坩堝題目：CZ法產(chǎn)生位錯(cuò)的環(huán)節(jié)和方式有（）。答案：籽晶中的位錯(cuò)延伸、增殖;晶體表面存在溫度梯度，產(chǎn)生很強(qiáng)的熱應(yīng)力;籽晶表面損傷、機(jī)械磨損裂痕;單晶冷卻時(shí)，晶體表面和中心由于收縮率不同產(chǎn)生很大的應(yīng)力判斷題題目：閉路循環(huán)系統(tǒng)是指生產(chǎn)中的各種物料得到充分的利用，排出的廢料極少。答案：對題目：從安全性的角度考慮，改良西門子法優(yōu)于硅烷法。答案：對題目：單位長度位錯(cuò)線的能量正比于柏格斯矢量長度。答案：錯(cuò)題目：對于一次熔化來說，正常凝固的提純效果不如區(qū)域提純的效果好。答案：錯(cuò)題目：分子篩具有極性，對非極性分子具有較強(qiáng)的親和力。答案：錯(cuò)題目：改良西門子法的原料主要是硅石。答案：錯(cuò)題目：改良西門子法能對產(chǎn)生的氫氣、氯化氫、氯硅烷等副產(chǎn)物進(jìn)行回收利用。答案：對題目：改良西門子法是一個(gè)閉路循環(huán)系統(tǒng)，多晶硅生產(chǎn)中的各種無聊得到充分的利用，排出的廢料極少。答案：對題目：硅是自然界分布最廣泛的元素之一，是介于金屬和非金屬之間的半金屬。答案：對題目：化學(xué)提純時(shí)，中間化合物提純到所需要的純度后，在后續(xù)的還原工藝要求不需要很高。答案：錯(cuò)題目：化學(xué)吸附是放熱過程，而物理吸附是吸熱過程。答案：錯(cuò)題目：甲硅烷常溫下為氣體，室溫下就容易分解。答案：錯(cuò)題目：精餾是實(shí)現(xiàn)多級部分汽化和多級部分冷凝的實(shí)用技術(shù)。答案：對題目：冶金法制備高純多晶硅與改良西門子法相比，前者的成本更低，但是電耗更多。答案：錯(cuò)題目：由于能量的原因，晶體中空位和自間隙原子在一定溫度下的平衡濃度是一定的。答案：對題目：只通過濕法冶金技術(shù)來提純硅材料，是很難將工業(yè)硅提純到滿足制作太陽能電池所需的要求。答案：對題目：CZ和FZ均采用感應(yīng)線圈進(jìn)行加熱。答案：對題目：FZ硅占領(lǐng)了85%以上的硅單晶市場。答案：錯(cuò)題目：MCZ法磁致粘滯性控制了流體的運(yùn)動，也減少了熔體的溫度波動。答案：對題目：SiH4不能采用精餾技術(shù)進(jìn)行提純答案：錯(cuò)“題目：將工業(yè)硅的應(yīng)用與用量一一對應(yīng)。（1）生產(chǎn)合金一一[[3]]（2）有機(jī)硅一一[[2]]（3）半導(dǎo)體器件和太陽能電池一一[[1]];[[1]]->{A.5%/B.40%/C.55%}”“題目：將工業(yè)硅生產(chǎn)過程中的注意事項(xiàng)與作用一一對應(yīng)。（1）保持適宜的SiO2與碳的分子比一一[[3]]（2）保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度一一[[2]]（3）及時(shí)搗爐，幫助沉料一一[[1]];[[1]]->{A.避免爐內(nèi)過熱造成硅的揮發(fā)或再氧化生成SiO/B.分解生成的SiC使反應(yīng)向有利于生成硅的方向進(jìn)行/C.防止過多的SiC生成}”“題目：將工藝與提純方法一一對應(yīng)。（1）硅烷法一一[[2]]（2）改良西門子法一一[[1]]（3）冶金一一[[3]];[[1]]->{A.精餾/B.吸附/C.物理提純}”“題目：將硅中的微小的缺陷與描述一一對應(yīng)。（1）紅外散射缺陷（LSTDs）一一[[3]]（2）流水花樣缺陷（FPDs）一一[[2]]（3）晶體原生顆粒缺陷（COPs）一一[[1]];[[1]]->{A.隨著拉速的增加而增加/B.過飽和空位凝聚而成的空位團(tuán)/C.拉速越慢，LSTDs密度越低}”“題目：將化學(xué)反應(yīng)與作用一一對應(yīng)。（1）SiHCl3+H2→Si+3HCl一一[[3]]（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2一一[[1]]（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑一一[[2]];[[1]]->{A.中間產(chǎn)物的合成/B.工業(yè)硅的合成/C.中間產(chǎn)物的還原}”“題目：將吸附的設(shè)備與工藝一一對應(yīng)。（1）流體和固體吸附劑置于同一容器內(nèi)一一[[3]]（2）固定吸附床一一[[1]]（3）移動吸附器一一[[2]];[[1]]->{A.半連續(xù)操/B.連續(xù)操作/C.間歇操作}”“題目：將氧的存在方式及其描述一一對應(yīng)。（1）熱施主一一[[2]]（2）新施主一一[[1]]（3）氧沉淀一一[[3]];[[1]]->{A.熱處理溫度處于550～850℃/B.處理溫度處于300～500℃/C.適當(dāng)?shù)臏囟认逻M(jìn)行熱處理時(shí)會脫溶}”“題目：將元素及其在硅熔體中的分凝系數(shù)一一對應(yīng)。（1）O一一[[1]]（2）C一一[[2]]（3）B一一[[3]];[[1]]->{A.1.25/B.0.07/C.0.8}”“題目：將Cz法中的工藝與描述一一對應(yīng)。（1）縮頸生長一一[[1]]（2）放肩生長一一[[3]]（3）等徑生長一一[[2]];[[1]]->{A.減少位錯(cuò)/B.硅片取材的部位/C.肩部夾角接近180°，這樣可以提高多晶硅的利用率}”“題目：將Cz法中的設(shè)備與描述一一對應(yīng)。（1）石英坩堝一一[[3]]（2）石墨坩堝一一[[1]]（3）石墨加熱器一一[[2]];[[1]]->{A.底部比較厚，以起到較好的絕熱效果/B.電阻會隨著使用次數(shù)的增加而升高/C.純度和耐熱性能要求很搞}”“題目：將FZ單晶硅中的雜質(zhì)與描述一一對應(yīng)。（1）O一一[[1]]（2）C一一[[2]]（3）N一一[[3]];[[1]]->{A.危害大/B.濃度低，影響小/C.增強(qiáng)機(jī)械性能}”配伍題答案：{C.55%}{B.40%}{A.5%}答案：{C.防止過多的SiC生成}{B.分解生成的SiC使反應(yīng)向有利于生成硅的方向進(jìn)行}{A.避免爐內(nèi)過熱造成硅的揮發(fā)或再氧化生成SiO}答案：{B.吸附}{A.精餾}{C.物理提純}答案：{C.拉速越慢，LSTDs密度越低}{B.過飽和空位凝聚而成的空位團(tuán)}{A.隨著拉速的增加而增加}答案：{C.中間產(chǎn)物的還原}{A.中間產(chǎn)物的合成}{B.工業(yè)硅的合成}答案：{C.間歇操作}{A.半連續(xù)操}{B.連續(xù)操作}答案：{B.處理溫度處于300～500℃}{A.熱處理溫度處于550～850℃}{C.適當(dāng)?shù)臏囟认逻M(jìn)行熱處理時(shí)會脫溶}答案：{A.1.25}{B.0.07}{C.0.8}答案：{A.減少位錯(cuò)}{C.肩部夾角接近180°，這樣可以提高多晶硅的利用率}{B.硅片取材的部位}答案：{C.純度和耐熱性能要求很搞}{A.底部比較厚，以起到較好的絕熱效果}{B.電阻會隨著使用次數(shù)的增加而升高}答案：{A.危害大}{B.濃度低，影響小}{C.增強(qiáng)機(jī)械性能}

國開電大光伏電池材料第3次形考任務(wù)答案題目順序是隨機(jī)的，使用查找功能（Ctrl+F）進(jìn)行搜索單項(xiàng)選擇題題目：單晶硅片的電阻率一般控制在（）。答案：1～3·cm左右題目：電磁鑄錠法說法錯(cuò)誤的是（）答案：較少晶體缺陷題目：硅的熔點(diǎn)約為（）。答案：1420℃題目：硅片切割中的碎料可用于（）。答案：鑄造多晶硅題目：硅片中磷擴(kuò)散進(jìn)行摻雜的原料是（）。答案：POCl3題目：目前常用的多晶硅鑄錠爐單爐產(chǎn)量約為（）。答案：450kg題目：目前最常用的硅片的尺寸為（）。答案：156mm×156mm題目：熱交換法與布里奇曼法的主要區(qū)別在于（）。答案：坩堝與熱源的相互運(yùn)動情況題目：少子壽命的物理意義是（）。答案：非平衡少數(shù)載流子復(fù)合所需要的平均時(shí)間題目：生產(chǎn)1kg鑄造多晶硅所需的能耗是（）kWh。答案：8～15題目：太陽電池用單晶硅片的厚度約為（）。答案：200～300um題目：氧在鑄造多晶硅中的濃度約為（）。答案：1×1017～1×1018cm-3題目：一般制造一個(gè)重量為250～300kg的鑄造多晶硅錠需要（）時(shí)間。答案：35～45h題目：用于測試硅片中少數(shù)載流子類型的測試是（）。答案：整流法題目：鑄造多晶硅的晶粒的大小一般為（）。答案：10mm左右題目：鑄造多晶硅現(xiàn)在通稱為（）。答案：mc-Si題目：鑄造多晶硅制備目前最常用的方法是（）。答案：熱交換法題目：鑄造多晶硅中的晶體摻雜可采用（）。答案：B2O3題目：最常用于測試半導(dǎo)體材料電阻率的方法是（）。答案：四探針法題目：PCD方法可用于測量（）。答案：少子壽命多項(xiàng)選擇題題目：大熱場的石墨坩堝往往被做成兩瓣或三瓣式的原因在于（）。答案：防止石墨坩堝被膨脹的石英坩堝撐破;吸收剩余的熔硅凝固時(shí)體積增大而造成的應(yīng)力，從而減少漏硅的危險(xiǎn)題目：工業(yè)硅生產(chǎn)過程中，要注意的是（）。答案：通過選擇合理的爐子結(jié)構(gòu)參數(shù)和電氣參數(shù)，保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度;及時(shí)搗爐，幫助沉料;及時(shí)調(diào)整配料比，保持適宜的SiO2與碳的分子比;保持料層有良好的透氣性，及時(shí)排除反應(yīng)生成的氣體題目：工業(yè)吸附對于吸附劑的要求包括（）。答案：具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，抗磨損;有良好的物理及化學(xué)性能，耐熱沖擊，耐腐蝕;選擇性高;具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大題目：關(guān)于對czCZ法和fzFZ法說法描述正確的是（）。答案：生長時(shí)都需借助要采用籽晶;都需要采用真空氣氛保護(hù)題目：關(guān)于硅粉與氯化氫合成三氯氫硅的生產(chǎn)工藝說法正確的是（）。答案：放熱反應(yīng);要加熱到所需溫度才能進(jìn)行;溫度升高后反而將影響產(chǎn)品收率題目：關(guān)于晶轉(zhuǎn)說法正確的是（）。答案：在某些晶轉(zhuǎn)下，棱線或者小平面與直徑的讀取同步，引起直徑的讀值和拉速的大幅度跳動;過高的晶轉(zhuǎn)會使固液界的形狀太凹題目：關(guān)于完全互溶的A、B雙組分的溶液與其混合蒸汽所組成的相圖，說法正確的是（）。答案：被兩條曲線分為三個(gè)區(qū)域題目：關(guān)于SiO說法正確的是（）。答案：SiO很容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng);能在1500℃與C發(fā)生反應(yīng);溫度高于1500℃，由SiO2和SiC反應(yīng)得到;能與氧氣發(fā)生反應(yīng)題目：硅烷法的特點(diǎn)是（）。答案：不需用氫還原，甲硅烷可以熱分解為多晶硅;硅烷氣體易于用吸附法提純;硅烷易爆炸;易于分解為非晶硅題目：化學(xué)法提純高純多晶硅的工藝包括（）。答案：中間化合物的合成;中間化合物的分離提純;中間產(chǎn)物被還原或者是分解成高純硅還原成高純硅題目：晶體中點(diǎn)缺陷濃度是（）效應(yīng)共同作用的結(jié)果。答案：點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生;點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散;點(diǎn)缺陷的復(fù)合題目：具有金剛石結(jié)構(gòu)的的晶體中的解理面包括位錯(cuò)線的優(yōu)先方向?yàn)椋ǎ４鸢福骸?10〉晶向{110}晶面族;{111}晶面族〈111〉晶向”題目：磷在硅中很容易去除，在于。答案：磷在硅熔液中很快得到蒸發(fā);磷在硅中的分配系數(shù)小于1題目：石墨坩堝的壽命取決于（）。答案：在晶體生長過程中的受熱程度;石墨坩堝的形狀;承受的重量;石墨的材質(zhì)題目：位錯(cuò)影響說法正確的是（）。答案：刃型位錯(cuò)也可能作為一排受主;刃性位錯(cuò)作為一排施主中心向?qū)峁╇娮?位錯(cuò)能夠改變載流子濃度;位錯(cuò)作為一個(gè)線電荷和空間電荷圓柱成為復(fù)合中心題目：無坩堝區(qū)域提純（）。答案：熔硅不會流動是由于其很大的表面張力;避免了坩堝的污染;也可用于晶體生長題目：以下對吸附描述正確的是升溫和降壓有助于（）。答案：化學(xué)吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更容易揮發(fā);物理．吸附的進(jìn)行吸附是可逆的題目：由于跟FZ技術(shù)相比，CZ法具有（）。答案：通過晶轉(zhuǎn)和鍋轉(zhuǎn)控制晶體-熔體邊界層能較好的控制徑向摻雜均勻度;晶體直徑大;對多晶形狀要求低;熔體穩(wěn)定題目：直拉單晶爐的主室包括（）。答案：熱絕緣筒和地盤;石墨坩堝;石墨加熱器;石英坩堝題目：CZ法產(chǎn)生位錯(cuò)的環(huán)節(jié)和方式有（）。答案：籽晶中的位錯(cuò)延伸、增殖;籽晶表面損傷、機(jī)械磨損裂痕;晶體表面存在溫度梯度，產(chǎn)生很強(qiáng)的熱應(yīng)力;單晶冷卻時(shí)，晶體表面和中心由于收縮率不同產(chǎn)生很大的應(yīng)力判斷題題目：純凈的晶界也具有電活性，會影響多晶硅的電學(xué)性能。答案：錯(cuò)題目：多晶硅的晶向多樣，因此位錯(cuò)腐蝕坑一般顯示為圓形或橢圓形。答案：對題目：多晶硅錠中晶粒越細(xì)小，晶界越少。答案：錯(cuò)題目：硅錠與坩堝壁接觸的底部與四周都是晶粒較大的區(qū)域。答案：錯(cuò)題目：硅片切割得越薄，切割損耗也越多。答案：對題目：國內(nèi)還不能生產(chǎn)鑄造多晶硅的鑄錠爐。答案：錯(cuò)題目：澆鑄法是很有應(yīng)用前景的鑄造多晶硅生產(chǎn)的新技術(shù)。答案：錯(cuò)題目：目前的技術(shù)，大規(guī)模生產(chǎn)制造p型摻硼鑄造多晶硅、摻鎵的p型鑄造多晶硅都是沒有問題的。答案：錯(cuò)題目：熱交換法的鑄錠爐底部不需要水冷。答案：錯(cuò)題目：如果減少多晶硅鑄錠爐的氮化硅噴涂工藝，可以降低成本。答案：錯(cuò)題目：太陽電池用單晶硅片一般利用氫氧化鈉腐蝕液來進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度要超過硅片機(jī)械損傷層的厚度，約為20～30um。答案：對題目：太陽能行業(yè)用的硅片是不需要經(jīng)過拋光的。答案：對題目：通常晶體的生長速率越快，生產(chǎn)效率越高，但其溫度梯度也越大，最終導(dǎo)致熱應(yīng)力越大，而高的熱應(yīng)力會導(dǎo)致高密度的位錯(cuò)，嚴(yán)重影響材料的質(zhì)量。答案：對題目：一般采用的是摻磷的n型多晶硅，而不是摻鎵的p型多晶硅。答案：錯(cuò)題目：影響鑄造多晶硅晶體生長的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、熱應(yīng)力、來自坩堝的污染等。答案：對題目：與高純石英坩堝相比，高純石墨坩堝的成本更低，但更可能引入碳污染和金屬雜質(zhì)污染。答案：對題目：在鑄造多晶硅錠中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。答案：錯(cuò)題目：直流光電導(dǎo)衰退法可用于測量少子壽命，不需要接觸硅片。答案：錯(cuò)題目：鑄造多晶硅晶體生長完成后，硅錠保持在熔點(diǎn)附近2～4h，使硅錠溫度均勻，以減少熱應(yīng)力。答案：對題目：鑄造多晶硅中的金屬沉淀不會影響載流子濃度。答案：對題目：將測試方法與作用一一對應(yīng)。（1）整流法一一[[3]]（2）四探針法一一[[2]]（3）光電導(dǎo)衰退法一一[[1]];[[1]]->{A.少子壽命/B.電阻率/C.導(dǎo)電型號}”“題目：將各工藝與能耗一一對應(yīng)。（1）區(qū)熔單晶硅一一[[3]]（2）直拉單晶硅一一[[2]]（3）鑄造多晶硅一一[[1]];[[1]]->{A.8～15kWh/Kg/B.18～40kWh/Kg/C.30kWh/Kg}”“題目：將各種硅生產(chǎn)工藝與特點(diǎn)一一對應(yīng)。（1）mc-Si一一[[3]]（2）cz-Si一一[[2]]（3）fz-Si一一[[1]];[[1]]->{A.生產(chǎn)成本最高/B.對硅料的要求一般/C.轉(zhuǎn)換效率一般最低}”“題目：將硅片參數(shù)與作用一一對應(yīng)。（1）BOW一一[[1]]（2）TTV一一[[3]]（3）TIR一一[[2]];[[1]]->{A.彎曲度/B.平整度的一種量度/C.總厚度偏差}”“題目：將硅中的各種元素與影響一一對應(yīng)。（1）B一一[[3]]（2）O一一[[1]]（3）H一一[[2]];[[1]]->{A.危害較大/B.有鈍化效果/C.特意加入，形成摻雜}”“題目：將化學(xué)反應(yīng)與作用一一對應(yīng)。（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑一一[[1]]（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O一一[[3]]（3）Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑一一[[2]];[[1]]->{A.去除硅表面的致密保護(hù)膜/B.堿腐蝕/C.酸腐蝕}”“題目：將拋光工藝與描述一一對應(yīng)。（1）機(jī)械拋光法一一[[2]]（2）化學(xué)拋光法一一[[3]]（3）化學(xué)－機(jī)械拋光法一一[[1]];[[1]]->{A.現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中普遍應(yīng)用/B.采用細(xì)磨料顆料/C.硝酸與氫氟酸混合腐蝕液}”“題目：將清洗時(shí)試劑與作用一一對應(yīng)。（1）無機(jī)酸一一[[1]]（2）有機(jī)溶劑一一[[3]]（3）過氧化氫一一[[2]];[[1]]->{A.去除鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì)/B.對一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)/C.相似相溶}”“題目：將吸雜工藝與描述一一對應(yīng)。（1）磷吸雜一一[[1]]（2）鋁吸雜一一[[3]]（3）磷-鋁共吸雜一一[[2]];[[1]]->{A.去除磷硅玻璃，將其中的金屬雜質(zhì)一并去除/B.利用濺射、蒸發(fā)等技術(shù)制備一薄層，熱處理合金化/C.除雜效果最佳}”“題目：將制備方法與描述一一對應(yīng)。（1）布里曼法一一[[1]]（2）熱交換法一一[[2]]（3）澆鑄法一一[[3]];[[1]]->{A.坩堝需升降/B.固液界面比較平穩(wěn)/C.熔化和結(jié)晶在兩個(gè)不同的坩堝中進(jìn)行}”配伍題答案：{C.導(dǎo)電型號}{B.電阻率}{A.少子壽命}答案：{C.30kWh/Kg}{B.18～40kWh/Kg}{A.8～15kWh/Kg}答案：{C.轉(zhuǎn)換效率一般最低}{B.對硅料的要求一般}{A.生產(chǎn)成本最高}答案：{A.彎曲度}{C.總厚度偏差}{B.平整度的一種量度}答案：{C.特意加入，形成摻雜}{A.危害較大}{B.有鈍化效果}答案：{A.去除硅表面的致密保護(hù)膜}{C.酸腐蝕}{B.堿腐蝕}答案：{B.采用細(xì)磨料顆料}{C.硝酸與氫氟酸混合腐蝕液}{A.現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中普遍應(yīng)用}答案：{A.去除鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì)}{C.相似相溶}{B.對一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)}答案：{A.去除磷硅玻璃，將其中的金屬雜質(zhì)一并去除}{C.除雜效果最佳}{B.利用濺射、蒸發(fā)等技術(shù)制備一薄層，熱處理合金化}答案：{A.坩堝需升降}{B.固液界面比較平穩(wěn)}{C.熔化和結(jié)晶在兩個(gè)不同的坩堝中進(jìn)行}

國開光伏電池材料第4次形考任務(wù)答案題目順序是隨機(jī)的，使用查找功能（Ctrl+F）進(jìn)行搜索單項(xiàng)選擇題題目：大π鍵說法正確的是（）。答案：苯環(huán)上6個(gè)碳原子各有1個(gè)未參加雜化的2p軌道，它們垂直于環(huán)的平面，并從側(cè)面相互重迭而形成一個(gè)閉合的π鍵題目：二氧化鈦的幾種晶體結(jié)構(gòu)中最適合用于太陽電池的是（）。答案：銳鈦礦題目：非晶硅薄膜的厚度約為（）。答案：數(shù)百納米題目：非晶硅的沉積溫度為（）。答案：100～300℃題目：非晶硅的禁帶寬度為（）。答案：1.5eV，并且在一定程度上可調(diào)題目：非晶硅的制備需要的冷卻速度至少（）。答案：105℃/s題目：非晶硅的PIN結(jié)構(gòu)的P部分是采用（）形成的。答案：SiH4加B2H6題目：非晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率約為（）。答案：10%題目：非晶硅最常用的生產(chǎn)方法是（）。答案：輝光放電分解氣相沉積題目：關(guān)于染料敏化太陽電池中的納米晶要求錯(cuò)誤的是（）。答案：晶粒越大越好題目：銳鈦礦相二氧化鈦晶體的禁帶寬度為（）。答案：3.2eV題目：通常有機(jī)半導(dǎo)體中的導(dǎo)電電子是指（）。答案：離域π電子題目：銅銦鎵硒薄膜太陽電池的禁帶寬度（）。答案：1.02~l.67eV范圍內(nèi)可調(diào)題目：銅銦鎵硒薄膜太陽電池最高轉(zhuǎn)換效率的記錄（）。答案：19.40%題目：以下太陽電池成本（單位：美元/W）最低的是（）。答案：非晶硅薄膜題目：銦儲量最多的國家是（）。答案：中國題目：與光致衰減效應(yīng)聯(lián)系最緊密的元素是（）。答案：H題目：a-Si指（）。答案：非晶硅題目：PECVD所使用的主要原料是（）答案：SiH4題目：PECVD主要利用的是（）區(qū)域。答案：正離子柱區(qū)多項(xiàng)選擇題題目：常用的多晶硅薄膜的制備方法有（）。答案：非晶硅晶化制備;利用化學(xué)氣相沉積直接制備多晶硅薄膜題目：對多晶硅薄膜的研究重點(diǎn)目前主要有（）。答案：制備電池的工藝和方法，以便選用低價(jià)優(yōu)質(zhì)的襯底材料;如何在廉價(jià)的襯底上，能夠高速、高質(zhì)量地生長多晶硅薄膜題目：二氧化鈦的晶體結(jié)構(gòu)有（）。答案：板鈦礦;銳鈦礦;金紅石題目：非晶硅晶化制備多晶硅薄膜的途徑有（）。答案：快速熱處理晶化;激光熱處理晶化;金屬誘導(dǎo)固相晶化;固相晶化題目：非晶硅太陽電池成本低原因在于（）。答案：非晶硅薄膜僅有數(shù)百納米厚度;制備是在低溫下進(jìn)行;廉價(jià)的襯底材料題目：非晶硅太陽電池的多品種和多用途在于（）。答案：只要改變原材料的氣相成分或者氣體流量，便可使非晶硅薄膜改性題目：非晶硅太陽電池相對與晶體硅太陽電池的優(yōu)點(diǎn)在于（）。答案：材料和制造工藝成本低;易實(shí)現(xiàn)柔性電池;易于形成大規(guī)模生產(chǎn)能力以及大面積化生產(chǎn)題目：關(guān)于光致衰減效應(yīng)說法正確的是（）。答案：鑄造多晶硅沒有光致衰減;在長期輻照下，其光電導(dǎo)和暗電導(dǎo)同時(shí)下降，導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率降低;簡稱S-W效應(yīng);在150～200℃熱處理又可以恢復(fù)原來的狀態(tài)題目：關(guān)于D/A界面說法正確的是（）。答案：D/A界面處D型材料和A型材料存在能級差;類似于無機(jī)太陽電池中的PN結(jié)題目：化學(xué)氣相沉積直接制備多晶硅薄膜的方法有（）。答案：熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅;低壓化學(xué)氣相沉積制備多晶硅;等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積題目：輝光放電系統(tǒng)中的I-V特性曲線可分為（）階段。答案：電弧放電;異常放電;湯森放電;正常放電題目：可用于多孔納米晶薄膜的材料有（）。答案：TiO2;SnO2;ZnO題目：染料敏化太陽電池的基本結(jié)構(gòu)包括（）。答案：電解質(zhì);對電極;染料敏化劑;多孔納米晶薄膜題目：染料敏化太陽電池優(yōu)點(diǎn)有（）。答案：較低的成本;可制得柔性器件;很好的裝飾功能;簡單的制備工藝題目：銅銦鎵硒薄膜的制備方法有（）。答案：電沉積;印刷法;后硒化;多元分步蒸發(fā)題目：旋涂成膜存在的問題有（）。答案：溶解性;溶劑殘留;薄膜的均勻性難以保證;揮發(fā)性題目：有機(jī)半導(dǎo)體薄膜成膜技術(shù)包括（）。答案：絲網(wǎng)印刷技術(shù);有機(jī)氣相沉積法;真空熱蒸發(fā)沉積;旋轉(zhuǎn)涂層法題目：有機(jī)太陽電池產(chǎn)生電流的流程（）。答案：運(yùn)輸?shù)紻/A界面處;電子空穴分離;產(chǎn)生激子;吸收光子題目：有機(jī)太陽電池的層狀三明治迭層結(jié)構(gòu)包括（）。答案：負(fù)電極;透明襯底;正電極;有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層題目：有機(jī)太陽電池基本的結(jié)構(gòu)模型有（）。答案：雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu);單層同異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu);單層混合膜異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)判斷題題目：苝衍生物是一種應(yīng)用較多的光敏劑和A型材料，在450到600nm波段內(nèi)具有較強(qiáng)的吸收，在光照條件下穩(wěn)定性好，成本低。答案：對題目：單晶硅與多晶硅的物理特性是各向異性，而非晶硅的物理特性是各向異性答案：錯(cuò)題目：碲的材料供應(yīng)可能會成為碲化鎘薄膜太陽電池的材料瓶頸。答案：錯(cuò)題目：非晶硅材料與晶體材料不同之處在于它的原子結(jié)構(gòu)排列不是長程有序。答案：錯(cuò)題目：非晶硅的結(jié)構(gòu)決定了它的物理性質(zhì)也是具有各向同性的。答案：對題目：非晶硅是間接帶隙結(jié)構(gòu)。答案：錯(cuò)題目：非晶硅太陽電池生產(chǎn)出來以后，轉(zhuǎn)換效率不會隨時(shí)間發(fā)生改變。答案：錯(cuò)題目：非晶硅太陽電池中也存在晶體硅太陽電池中一樣的pn節(jié)結(jié)構(gòu)。答案：錯(cuò)題目：高純硅原料價(jià)格增加，對薄膜太陽電池的成本影響不大。答案：對題目：晶體硅太陽電池和非晶硅太陽電池都可以做成柔性太陽電池。答案：錯(cuò)題目：晶體硅與非晶硅薄膜太陽電池都是間接帶隙結(jié)構(gòu)，而銅銦鎵硒太陽電池是直接帶隙結(jié)構(gòu)。答案：錯(cuò)題目：隨著非晶硅中氫含量的增加，其能隙寬度從1.5eV可以增加到1.8eV。答案：對題目：酞菁類化合物是典型的D型有機(jī)半導(dǎo)體。答案：對題目：銅銦鎵硒具有高達(dá)6*10cm-l的吸收系數(shù)，這是到目前為止所有半導(dǎo)體材料中的最低值。答案：錯(cuò)題目：一般而言，襯度溫度在200～300℃，功率在300～500W/m2時(shí)，比較適宜制備非晶硅。答案：對題目：用于制備多孔納米晶薄膜的二氧化鈦具體指銳鈦礦相二氧化鈦。答案：對題目：有機(jī)太陽電池中電離電勢（IP）較小的材料被稱為電子施主（Donor，簡稱D型材料），相當(dāng)于無機(jī)半導(dǎo)體中的P型材料。答案：對題目：在150～200℃熱處理，可以使得因?yàn)镾-W效應(yīng)而效率降低的非晶硅太陽電池恢復(fù)原來的狀態(tài)。答案：對題目：在合適的熱處理?xiàng)l件下，非晶硅可以轉(zhuǎn)化為多晶硅、微晶硅和納米硅。答案：對題目：PECVD技術(shù)即可用于非晶硅薄膜太陽電池的制備，也可用于多晶硅薄膜太陽電池的制備。答案：對題目：將太陽電池與其禁帶寬度一一對應(yīng)。（1）非晶硅一一[[1]]（2）銅銦鎵硒一一[[2]]（3）碲化鎘一一[[3]];[[1]]->{A.1.5eV/B.1.04eV/C.1.45eV}”“題目：將太陽電池與轉(zhuǎn)換效率一一對應(yīng)。（1）單晶硅太陽電池一一[[2]]（2）非晶硅薄膜太陽電池一一[[3]]（3）有