什么是CMOS圖像傳感器的量子效率光譜

第第頁什么是CMOS圖像傳感器的量子效率光譜？量子效率光譜是CMOS（圖像傳感器）的關鍵參數(shù)之一，可以反映CMOS圖像傳感器對不同波長下的感光能力，進而影響圖像的成像質量。

什么是CMOS圖像傳感器的量子效率光譜？

CMOS圖像（傳感器）的量子效率光譜是指在不同波長下，傳感器對光的響應效率。物理上，光子的能量與其波長成反比，因此，不同波長的光子對CMOS圖像傳感器產(chǎn)生的響應效率也不同。量子效率光譜可以反映圖像傳感器在不同波長下的響應能力，幫助人們理解圖像傳感器的靈敏度和色彩還原能力等特性。通常，圖像傳感器的量子效率光譜會在可見光波段范圍內呈現(xiàn)出不同的特征，如波峰和波谷，這些特征也直接影響著圖像傳感器的成像質量。

量子效率光譜可以解析CMOS圖像傳感器內部的缺陷，常見的有下四種：

●BSIprocessingdesign

●Op（ti）calC（ros）stalkinspection

●Col（or）fil（te）rqualityandpe（rf）ormance

●Siw（afe）rTHKconditioninBSIprocessing

通過量子效率光譜解析常見的4種工藝缺陷

A.BSIprocessingdesign

（1）BSI的運作方式

BSI全名是B（ac）k-SideIllumination，是指"背照式"圖像傳感器的制造工藝，它相對于傳統(tǒng)的"前照式"(FSI,Front-SideIllumination)圖像傳感器，能夠提高圖像傳感器的（光學）性能，特別是在各波長的感光效率的大幅提升。在BSI工藝中，像素置于硅基板的背面，光通過硅基板進入感光像素，減少了前面的傳輸層和金屬線路的干擾，提高了光的利用率和繞射效應，進而提高了圖像傳感器的解析度和靈敏度。

圖1BSI的工作方式

（2）傳統(tǒng)的"前照式"圖像傳感器的工作方式

FSI是一種傳統(tǒng)的圖像傳感器工藝技術，光線透過透鏡后，從圖像傳感器的正面照射到圖像傳感器的感光面，因此需要在感光面(黃色方筐，Silicon)的上方放置一些電路和金屬線。這些元件會遮擋一部分光線，降低圖像傳感器的光量利用率，影響圖像的品質。相對地，BSI技術是在感光面的背面，也就是基板反面制作出感光元件，讓光線可以直接進入到感光面，這樣就可以最大限度地提高光量利用率，提高圖像的品質。并且，不需要額外的電路和金屬線的遮擋，因此也可以實現(xiàn)更高的像素密度和更快的圖像讀取速度。

（3）為什么BSI工藝重要?

BSI工藝是重要的制造技術之一，可以大幅提升CMOS圖像傳感器的感光度和量子效率，因此對于低光照環(huán)境下的圖像采集有很大的幫助。

BSI工藝還可以提高圖像傳感器的分辨率、動態(tài)范圍和信噪比等性能，使得圖像質量更加優(yōu)良。

由于現(xiàn)今圖像應用日益廣泛，對圖像質量和性能要求也越來越高，因此BSI工藝在現(xiàn)代圖像傳感器的制造中扮演著重要的角色。目前，BSI技術已成為高端圖像傳感器的主流工藝技術之一，被廣泛應用于各種高階圖像產(chǎn)品中。

（4）量子效率光譜如何評估BSI工藝的好壞

如前述，在CMOS圖像傳感器（芯片）的制造過程中，不同波長的光子對于圖像芯片的感光能力有所不同。因此，量子效率光譜是一種可以（檢測）圖像傳感器芯片感光能力的方法。利用量子效率光譜，可以評估BSI工藝的好壞。

案例-1

如圖2，臺積電（TSMC）使用量子效率光譜分析了前照式FSI和背照式BSI兩種工藝對RGB三原色的像素感光表現(xiàn)的差異。結果表明，BSI工藝可以大幅提高像素的感光度，將原本FSI的40%左右提高到將近60%的量子效率。

圖2TSMC利用晶圓級量子效率光譜（WaferLevelQuantumEff（ic）iencySpectrum）分析1.75μm的FSI與BSI兩種工藝對RGB三原色的像素在不同波長下的感光表現(xiàn)差異。量子效率光譜的分析可以幫助（工程師）判斷不同工藝對感光能力的影響，并確定BSI工藝的優(yōu)勢。

（5）利用量子效率光譜分析不同BSI工藝對CMOS圖像傳感器芯片感光能力的影響

案例-2

如圖3。某CMOS圖像傳感器（廠商）采用晶圓級量子效率光譜分析利用TSMC65nm工藝進行量產(chǎn)時，不同工藝對CMOS圖像傳感器芯片感光能力的影響。在1.4um像素尺寸使用BSI-1工藝與BSI-2工藝的量子效率光譜比較下，可以明顯判斷，BSI-2的量子效率較BSI-1有著將近10%的提升。代表著BSI-2工藝可以使CMOS圖像傳感器芯片內部絕對感光能力提升10%((a)表)。

圖3某CMOS圖像傳感器廠商采用晶圓級量子效率光譜，分析TSMC65nm工藝在量產(chǎn)時，不同工藝對CMOS圖像傳感器芯片感光能力的影響。

此外，量子效率光譜是優(yōu)化CMOS圖像傳感器（芯片制造）的重要工具。例如，在將BSI-2用于1.1um像素的工藝中，與1.4um像素的比較表明，在藍光像素方面，BSI-2可以提供更高的感光效率，而在綠光和紅光像素的感光能力方面，BSI-2的效果與1.4um像素相似。

這個結果顯示，BSI-2工藝可以在保持像素尺寸的前提下提高CMOS圖像傳感器芯片的感光能力，進而提高圖像質量。因此，利用量子效率光譜比較不同工藝對CMOS圖像傳感器芯片的影響，可以為CMOS圖像傳感器制造優(yōu)化提供重要參考。

B.OpticalCrosstalkInspection

（1）什么是OpticalCrosstalk?

CMOS圖像傳感器的光學串擾（OpticalCrosstalk）是指光線在圖像芯片中行進時，由于折射、反射等原因，導致相鄰像素之間的光相互干擾而產(chǎn)生的一種影響。

圖4光學串擾（OpticalCrosstalk）

（2）為什么OpticalCrosstalk的檢測重要?

在CMOS圖像傳感器芯片中，OpticalCrosstalk是一個重要的問題，因為它會影響圖像的品質和精度。OpticalCrosstalk是由于像素之間的光學相互作用而產(chǎn)生的，導致相鄰像素的光（信號）互相干擾，進而影響到像素之間的區(qū)別度和對比度。因此，降低OpticalCrosstalk是提高CMOS圖像傳感器芯片品質的重要目標之一。

（3）如何利用量子效率光譜來檢測CMOS圖像傳感器的OpticalCrosstalk?

量子效率光譜可用于檢測CMOS圖像傳感器的串擾問題。當CMOS圖像傳感器中存在串擾問題時，在某些波長下可能會觀察到量子效率異常。在這種情況下，可以采取相應的措施來降低串擾，例如優(yōu)化CMOS圖像傳感器設計或改進工藝。

縮小像素尺寸對于高分辨率成像和量子圖像傳感器是絕對必要的。

如上圖4，TSMC利用45nm先進CMOS工藝來制作0.9um像素堆疊式CMOS圖像傳感器。而OpticalCrosstalk對于信噪比（SNR）和成像品質有著顯著的影響。

因此，TSMC采用了一種像素工藝來改善這種OpticalCrosstalk。結構如下圖5。

圖5像素的橫截面示意圖(a)控制像素；(b)串擾改善像素。

結構(a)是控制像素。光的路徑線為ML(Microlens)、CF(ColorFilter)、PD(Photo（diode），感光層)。而在OpticalCrosstalk影響的示意圖，如綠色線的軌跡。光子由相鄰的像素單元進入后，因為多層結構的折射，入射到中間的PD感光區(qū)，造成串擾訊號。TSMC設計了結構(b)“深溝槽隔離(DTI)”技術，是為了在不犧牲并行暗性能的情況下抑制OpticalCrosstalk。由(b)圖可以發(fā)現(xiàn)，DTI所形成的溝槽可以隔離原本會產(chǎn)生OpticalCrosstalk的光子入射到中間的感光Photodiode區(qū)，抑制了串擾并提高了SNR。

圖6該圖展示了0.9um像素的量子效率光譜，其中虛線代表控制的0.9um像素(a)，實線代表改進的0.9um像素(b)。由于柵格結構的光學孔徑面積略微變小，因此OpticalCrosstalk得到了極大的抑制。OpticalCrosstalk抑制的直接證據(jù)在量子效率光譜上得到體現(xiàn)。圖中三個黃色箭頭指出了R、G、B通道的串擾抑制證據(jù)。藍光通道和紅光通道反應