電子行業(yè)深度報(bào)告：拐點(diǎn)已至存儲(chǔ)先起

正文目錄產(chǎn)復(fù)愈愈烈 6球?qū)兄鸹嘏?6心導(dǎo)企業(yè)環(huán)比善回潮顯心 10偉業(yè)大預(yù)，AI需持強(qiáng)勁 12存：產(chǎn)控成現(xiàn)，NandFlash格趨勢(shì)續(xù)固 16周儲(chǔ)格情 16周儲(chǔ)業(yè)態(tài) 21封：比善先封裝獻(xiàn)能 24塊氣逐回升 24進(jìn)裝場(chǎng)速長(zhǎng) 24臺(tái)電CoWoS供應(yīng)，重先封關(guān)環(huán)供應(yīng)機(jī)遇 28RDL 34TSV 37時(shí)合解合 40Bumping底填混合合 42設(shè)零件國(guó)供商持突破 46消電：游端貨逐企穩(wěn) 48能機(jī)幅窄 48穿設(shè)在興場(chǎng)潛巨大 49PC場(chǎng)和蘇存壓下降 50學(xué)司據(jù)比升，機(jī)始貨 505G與AI融帶新機(jī)遇 51風(fēng)提示 52圖表目錄圖表1:球?qū)г落N售及速?zèng)r 6圖表2:國(guó)導(dǎo)月銷售及速?zèng)r 7圖表3:球?qū)Ч锠I(yíng)收模 8圖表4:球?qū)Ч璩鲐?圖表5:球?qū)Ч杓径蓉浄e 8圖表6:球?qū)Ч杵珹SP 8圖表7:國(guó)灣8"及上12"（含以硅進(jìn)口量增速 9圖表8:國(guó)灣8"及上12"（含以硅進(jìn)口額增速 9圖表9:國(guó)灣12"上硅進(jìn)數(shù)及速 10圖表10:中臺(tái)灣12"以上片口額增速 10圖表11:全球15半體司2023二度情況三度引十美金） 11圖表12:SW子塊公司初來告票購(gòu)明（2023.1.1-2023.8.19） 12圖表13:英達(dá)度及同增速 13圖表14:英達(dá)度率 13圖表15:英達(dá)度分拆 13圖表16:2022至英股價(jià)盤止2023/08/23，元） 15圖表17:NandFlash收盤較周動(dòng)覽美元） 16圖表18:3DTLCNand近2個(gè)現(xiàn)均（元） 16圖表19:SLCNand近5月現(xiàn)均（元） 16圖表20:近部品牌SSD產(chǎn)價(jià)變（元） 17圖表21:eMMC產(chǎn)均美元） 17圖表22:部分UFS產(chǎn)價(jià)（元） 17圖表23:部分DDR產(chǎn)周現(xiàn)均一（元） 18圖表24:DDR34GB現(xiàn)價(jià)（元） 18圖表25:DDR3部產(chǎn)約均（元） 18圖表26:DDR416GB現(xiàn)均價(jià)美） 19圖表27:DDR4中容品現(xiàn)均（元） 19圖表28:DDR416GB合均價(jià)美） 19圖表29:DDR4中容品合均（元） 19圖表30:DDR516GB現(xiàn)均價(jià)美） 20圖表31:DDR5內(nèi)條均價(jià)美） 20圖表32:DDR516GB近3個(gè)月貨價(jià)美） 20圖表33:部分GDDR5&GDDR6近個(gè)現(xiàn)均（元） 21圖表34:LPDDR均（元） 21圖表35:部金頓DDR4產(chǎn)現(xiàn)（民:21圖表36:DDR4RDIMM16GB3200MHz貨價(jià)元） 21圖表37:中臺(tái)存出口自初來動(dòng)不斷長(zhǎng)百新幣） 22圖表38:中臺(tái)存造2023Q2環(huán)增長(zhǎng) 22圖表39:NandFlash表述 23圖表40:臺(tái)封板度營(yíng)及速億臺(tái)） 24圖表41:臺(tái)封廠23Q2經(jīng)情及季展（單：新幣） 24圖表42:全先封場(chǎng)規(guī)集增（美） 25圖表43:2021-2027年球和國(guó)測(cè)先封占比 25圖表44:2021/2027年同先封形占比 25圖表45:2021-2027年同先封式CAGR25圖表46:2020&202626圖表47:202126圖表48:202127圖表49:中國(guó)封測(cè)公司先進(jìn)封裝占比............................................................27圖表50:bumppitch（：um）.........................................28圖表51:2015-2020CoWoSTOP50028圖表52:臺(tái)積電先進(jìn)封裝分類.................................................................29圖表53:臺(tái)積電后端先進(jìn)封裝主要應(yīng)用領(lǐng)域......................................................29圖表54:CoWoS30圖表55:CoWoS30圖表56:CoWoS-S531圖表57:CoWoS-S31圖表58:CoWoS-R32圖表59:RDLC4/UF32圖表60:CoWoS-L32圖表61:2.5D/3DIC）33圖表62:2.5D/3DIC（）.................................................33圖表63:RDL34圖表64:RDL35圖表65:RDL35圖表66:RDL36圖表67:RDL36圖表68:TSV37圖表69:3+237圖表70:TSV338圖表71:TSV38圖表72:TSV38圖表73:TSV39圖表74:SUSS/40圖表75:“MorethanMoore”相關(guān)的鍵合設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模.............................................41圖表76:TSV41圖表77:超薄晶圓支撐與保護(hù)技術(shù)..............................................................41圖表78:Bumping42圖表79:Microbump42圖表80:常見的倒裝芯片組裝方式..............................................................43圖表81:TCB44圖表82:底部填充料分類.....................................................................44圖表83:CUFNCF45圖表84:TSV45圖表85:SoIC45圖表86:異質(zhì)鍵合流程.......................................................................45圖表87:202346圖表88:202347圖表89:202347圖表90:全球智能手機(jī)出貨量預(yù)測(cè)（出貨量：百萬臺(tái)）............................................48圖表91:Q248圖表92:Q249圖表93:全可戴設(shè)備場(chǎng)2023Q1場(chǎng)額 49圖表94:全球PC貨量 50圖表95:臺(tái)光板度營(yíng)及速億臺(tái)） 51圖表96:臺(tái)股CMOS板月度收增（新幣） 51圖表97:小手端AI大模型 51圖表98:智助小備AI大型力 52產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇愈演愈烈球?qū)тN共約1245億金相于2022Q2比降17.3，相較于2023Q1環(huán)增長(zhǎng)4.7其中2023年6月球半體售額約415金，于5月407金環(huán)增約1.9，根據(jù)SIA統(tǒng)數(shù)我現(xiàn)：自2023年3月起，全球半導(dǎo)體銷售額環(huán)比連續(xù)4個(gè)月為正，且環(huán)比增長(zhǎng)幅度也由3月0.3升至6月1.9們?yōu)檫^數(shù)據(jù)映自2023年度圖表1:全球半導(dǎo)體月度銷售額及增速情況SIA，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖速度快于全球。中國(guó)市場(chǎng)方面，根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，中國(guó)市場(chǎng)2023Q2導(dǎo)銷額約356美，比降約28.4環(huán)升5.62023年6月國(guó)導(dǎo)銷售約123美下降24.4環(huán)升3.2。對(duì)比機(jī)測(cè)的球據(jù)，2023Q2中半體場(chǎng)銷額比速5.6全球比速4.7，止2023年6月國(guó)導(dǎo)售額續(xù)4月比，圖表2:中國(guó)半導(dǎo)體月度銷售額及增速情況SIA，20222023Q2SEMI147.13美創(chuàng)高別同長(zhǎng)3.9球片012年的0.3122214.13C5.02019201220221384.7ASP0.94SEMI，2023Q233.3110.12.0SEMI5G812AI圖表3:全球?qū)Ч锠I(yíng)規(guī)模 圖表4:全球?qū)Ч璩雒娣e806040200

35%30%25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%

806040200

20%15%10%5%0%-5%-10%全球半導(dǎo)體硅片營(yíng)收規(guī)模（億美元）YoY（右軸）

全球半導(dǎo)體硅片出貨面積（億平方英寸）YoY（右軸）SEMI SEMI圖表5:全球?qū)Ч杓境雒娣e 圖表6:全球?qū)珹SP3837363534333231302022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2

4%2%0%-2%-4%-6%-8%-10%

1.00.80.60.40.20.0

25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%全球半導(dǎo)體硅片季度出貨面積（億平方英寸）QoQ（右軸）

ASP（美元/平方英寸） YoY（右軸）SEMI SEMI812820237106.463445637245.07211.1寸和12寸硅片的月度進(jìn)口數(shù)據(jù)明顯回暖，表明半導(dǎo)體行業(yè)景氣度正在復(fù)蘇。圖表7812"（不含80604020Jan-19Jan-19Jul-19Jan-20Jul-20Nov-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-23

60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%-50%8"及以上12"（不含）以下硅片進(jìn)口數(shù)量（萬片） MoM（右軸）資料來源：中國(guó)臺(tái)灣海關(guān)，方正證券研究所圖表8:中國(guó)臺(tái)灣8"及以上12"（不含）以下硅片進(jìn)口金額及增速80 60%70 50%60 50 400%30 -10%20 -20%-30%10 -40%Jan-19Jan-19Jul-19Jan-20Jul-20Nov-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-238"及以上12"（不含）以下硅片進(jìn)口金額（百萬美元） MoM（右軸）資料來源：中國(guó)臺(tái)灣海關(guān)，方正證券研究所圖表91250Jan-19Jan-19Jul-19Nov-19Jan-20Jul-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-23

40%30%20%10%0%-10%-20%-30%12"及以上硅片進(jìn)口數(shù)量（萬片） MoM（右軸）資料來源：中國(guó)臺(tái)灣海關(guān)，方正證券研究所圖表10:1250Jan-19Jan-19Jul-19Nov-19Jan-20Jul-20Nov-20Jan-21Jul-21Nov-21Jan-22Jul-22Nov-22Jan-23Jul-23

50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%12"及以上硅片進(jìn)口金額（百萬美元） MoM（右軸）資料來源：中國(guó)臺(tái)灣海關(guān)，方正證券研究所SemiconductorIntelligence152023Q22（高環(huán)滑10,凌環(huán)滑0.7時(shí)據(jù)最指情1592023Q3，比幅由0.4到6.4不。們?yōu)槟壳皵?shù)球?qū)Ч使?2023Q2（十億美金） 2023Q2環(huán)比（） 2023Q3指引（環(huán)比，）圖表11:全球15半體司2023年季收情及季度引十美，）公司 2023Q2（十億美金） 2023Q2環(huán)比（） 2023Q3指引（環(huán)比，）英特爾12.9113.50三星SC11.27.30不適用英偉達(dá)11.0（指引值）53（指引值）不適用博通8.85（指引值）1.30（指引值）不適用高通7.17-100.40SK海力士5.5539不適用AMD5.360.106.40TI4.533.500.40英飛凌4.46-0.70-2.20意法半導(dǎo)體4.331.901.20美光3.751.603.90恩智浦3.305.703.10ADI3.260.40-5.00聯(lián)發(fā)科3.201.704.80瑞薩2.682.500.40數(shù)據(jù)來源：SemiconductorIntelligence，愛集微，方正證券研究所；注：英偉達(dá)、博通二季度業(yè)績(jī)?yōu)橹敢?，SW63238187061000本例為0.6其中2的進(jìn)度到月5106也公告預(yù)計(jì)回購(gòu)462萬股，但最新的回購(gòu)數(shù)量已經(jīng)超過預(yù)計(jì)值來到528萬股，已55.3，TCL，方正證券研究所；注：最新市值的截止收盤日為2023.8.18AIFY24Q2(CY23Q2)業(yè)績(jī)：? 收入13.1FY24Q2（10.-122，oy+01，超彭一期（110.4億元）GAAP61.9yoy+843，qoq+203；Non-GAAP67.4美元，yoy+422，qoq+1482.48，70.1FY242（681-9.yoy26.pctqoq.5pct與博致預(yù)26.6FY24Q2（27.1，oy+0qoq6? 2.70，71.2超出Y2429.5-70.5，oy+5.3ctqoq+44pt18.4FY24Q219.0yoy+5，qoq+5圖表13:英偉季營(yíng)及比速 圖表14:英偉季利率0

120 80100 7080 6060 5040 403020 200 10CY24Q2(20) CY24Q2CY20Q1CY20Q2CY20Q3CY20Q4CY21Q1CY21Q2CY21Q3CY21Q4CY22Q1CY22Q2CY22Q3CY22Q4CY23Q1CY23Q2CY23Q3CY23Q4CY24Q1CY24Q2(40)CY20Q1CY20Q2CY20Q3CY20Q4CY21Q1CY21Q2CY21Q3CY21Q4CY22Q1CY22Q2CY22Q3CY22Q4CY23Q1CY23Q2CY23Q3CY23Q4CY24Q1CY24Q2營(yíng)收（美元） YoY（%）

毛利率(%) 凈利率(%)FY24Q2(CY23Q2)分業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)：? 103.2yoy+171，qoq+14176（80）24.9預(yù)期（24）3.79yoy-24，qoq+282（3）2.53yoy+15，qoq-15（3）OEM&0.66,（1）圖表15:英偉達(dá)季度營(yíng)收分拆100%80%60%40%20%0%CY21Q1CY21Q2CY21Q3CY21Q4CY22Q1CY22Q2CY22Q3CY22Q4CY23Q1CY23Q2CY23Q3CY23Q4CY24Q1CY24Q2游戲 專業(yè)可視化 自動(dòng)駕駛 其他 數(shù)據(jù)中心分業(yè)務(wù)亮點(diǎn)：數(shù)據(jù)中心：AIHPCNVIDIA?GH200Grace?Hopper?超HBM3e2024NVIDIAL40SGPUNVIDIAMGX?AI、HPC100NVIDIASpectrum-X?AINVIDIARTX?AmazonWebServices、MicrosoftAzureNVIDIAH100TensorCoreGPUNVIDIAAIWorkbenchPCAI游戲：GeForceRTX?4060GPU299NVDIAvatrCoudEngin（A模型鑄造服務(wù)，使用AI添加了35款DLSS游戲，包括《DiabloIVRatchet&Clank：RiftApartBaldur'sGate3F123Portal:PreludeRTX》專業(yè)可視化AdaLovelaceRTXGPU（NVIDIARTX5000RTX500和TX00ANVIDIAOmniverse與PixarAdobeApple和AutodeskOpenUSD汽車與自動(dòng)駕駛NVIDIADRIVEOrin?G6CoupeSUVOEMAI和圖形的全新NVIDIAGPU芯片IPFY24Q3(CY23Q3)業(yè)績(jī)指引：56.-13.2160yo+17.2qo+455GAAP利指區(qū)為71.072.NonGAAP毛利指區(qū)為72.-73.0GAP295NonGAAP.0億美。GAP和No-GAP稅指區(qū)為13.-15.5，見證萬億芯片公司，回顧英偉達(dá)近三年發(fā)展歷程：20202020202020209400Arm20212021Omniverse20222022GPU2023OpenAIGPT-3.5GPU202352023202382023績(jī)?cè)俪A(yù)期，2023Q2單季度營(yíng)業(yè)收入實(shí)現(xiàn)135.1億美金，超出上季度指引（107.8~112.2億美金單季度毛利率達(dá)到70.1，超出上季度指引圖表16:2022至今英偉達(dá)股價(jià)復(fù)盤（截止2023/08/23，美元），谷歌財(cái)經(jīng)，英偉達(dá)官網(wǎng)，方正電子繪制，方正證券研究所存儲(chǔ)：減產(chǎn)&控價(jià)成效顯現(xiàn)，NandFlashNandFlash：大宗商品高容量?jī)r(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，中低容量穩(wěn)中有升。TLC3D62.103D7（7.3）0.434.433D710.300.10.48。NandFlash：利基低容量產(chǎn)品價(jià)格跌幅仍在，高容量產(chǎn)品跌幅相對(duì)少。SLCNand4Gb0.011.10；16Gb7.497（7.3）SLCNand1GB/2GB/4GB/8GB/16GB為5.0/1.2，大量SLCNand品格對(duì)加圖表17:NandFlash本周收盤價(jià)較上周變動(dòng)一覽（美元）日期3DTLCSLC256Gb512Gb1Tb1Gb2Gb4Gb8Gb16Gb上周2.104.4310.250.830.801.362.757.49本周2.104.4310.300.820.791.352.757.49漲跌幅0.00%0.05%0.49%-0.73%-0.50%-1.10%-0.33%0.00%DRAMexchange，方正證券研究所（現(xiàn)貨價(jià)格精確至小數(shù)點(diǎn)后兩位）圖表18:3DTLCNand近2月貨均（元） 圖表19:SLCNand近5個(gè)現(xiàn)價(jià)（元）DRAMexchange DRAMexchangeSSDPCIE3.0:970EVO+:1024GB:M.2產(chǎn)品幅對(duì)達(dá)6.6其產(chǎn)近個(gè)跌均控在分SSDSATA3:A400:240GB:2.5inchSSD2023Q3圖表20:近期部分品牌SSD產(chǎn)品價(jià)格變動(dòng)（美元）產(chǎn)品型號(hào)2023-07-142023-07-282023-08-14近半月漲跌幅WD:PCIE3.0:WDBlack:250GB:M.275.4581.1980.71-0.6%WD:PCIE3.0:WDBlack:500GB:M.298.5393.6789.91-4.0%Samsung:PCIE3.0:970EVO+:500GB:M.254.8055.4255.26-0.3%Samsung:PCIE3.0:970EVO+:1024GB:M.283.9878.7373.52-6.6%Samsung:PCIE4.0:980PRO:1024GB:M.2109.5097.3196.91-0.4%Kingston:SATA3:A400:240GB:2.5inch30.4929.5530.603.6%Kingston:SATA3:A400:480GB:2.5inch43.4542.4241.60-1.9%Kingston:SATA3:KC600:512GB:2.5inch95.8570.7868.62-3.1%DRAMexchange，方正證券研究所（注：收盤均價(jià)精確至小數(shù)點(diǎn)后兩位）eMMCUFSeMMCeMMC64Gb128Gb0.05UFS2023620128Gb4.70256Gb9.02023H2UFS4.0，UFS圖表21:eMMC產(chǎn)均（元） 圖表22:部分UFS品價(jià)美）資料來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)，方正證券研究所 資料來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)，方正證券研究所DRAMDDR（8.14-8.18）DDR34Gb512Mx8eTT上收均幅0.8；DDR516G(2Gx8)4800/5600產(chǎn)跌靠較上周盤幅2.6存條品格勢(shì)現(xiàn)其中頓DDR48GB3200型號(hào)產(chǎn)現(xiàn)均較周盤均漲6元漲達(dá)5.8們?yōu)榇鎯r(jià)格圖表23:部分DDR產(chǎn)品本周現(xiàn)貨均價(jià)一覽（美元）產(chǎn)品型號(hào)上周收盤均價(jià)本周收盤均價(jià)漲跌幅DDR32Gb128Mx161600/18660.880.88-0.6%DDR32Gb256Mx81600/18660.950.95-0.2%DDR34Gb256Mx161600/18660.930.930.0%DDR34Gb512Mx8eTT0.240.240.8%DDR34Gb512Mx81600MHz0.970.97-0.5%DDR44Gb512Mx8eTT0.470.46-1.7%DDR48Gb(1Gx8)32001.441.43-1.0%DDR48Gb(1Gx8)eTT1.021.030.4%DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps1.461.46-0.2%DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps2.942.88-2.0%DDR416Gb(2Gx8)32002.972.92-1.4%DDR416Gb(1Gx16)32002.952.93-0.5%DDR516G(2Gx8)4800/56003.993.88-2.6%內(nèi)存條KingstonDDR34GB160040.0040.000.0%內(nèi)存條KingstonDDR38GB1600132.00132.000.0%內(nèi)存條KingstonDDR48GB3200104.00110.005.8%內(nèi)存條KingstonDDR416GB3200194.00198.002.1%內(nèi)存條KingstonDDR58G4800160.00160.000.0%DRAMexchange，方正證券研究所（注：收盤均價(jià)精確至小數(shù)點(diǎn)后兩位）DDR3：現(xiàn)貨價(jià)格已企穩(wěn)，合約價(jià)格跌幅明顯收斂。DDR34GB現(xiàn)貨均價(jià)8（8.1）4Gb512Mx81600MHz0.97DDR34Gb512Mx8eTT1600/18660.01合約均價(jià)DDR3/4GB/256Mx16產(chǎn)品例023年1-6月跌幅別為10.7/.80/7.69/7.0/.70/2.，跌幅已明顯收斂。圖表24:DDR34GB現(xiàn)均（） 圖表25:DDR3部產(chǎn)合均美元） DRAMexchange DRAMexchangeDDR4中低容量產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)跌幅已收斂，高容量產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)仍有下跌。DDR4DDR416GB（2GB×8）2666Mbps，8188140.05（8.1）0.092.87DDR456DDR416Gb2Gbx8價(jià)4-6月幅為19.20/3.30/2.73。DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps1.46（8.1）0.01DDR46著收斂。以DDR48Gb1Gbx8產(chǎn)品為例，合約均價(jià)4-6月跌幅分別為/2.86DDR4中低容量產(chǎn)品現(xiàn)價(jià)已本企穩(wěn)。圖表26:DDR416GB現(xiàn)均（元） 圖表27:DDR4中容產(chǎn)現(xiàn)價(jià)（元）DRAMexchange DRAMexchange圖表28:DDR416GB合均（元） 圖表29:DDR4中容產(chǎn)合價(jià)（元）DRAMexchange DRAMexchangeDDR5價(jià)格將隨著原廠產(chǎn)能縮減及低價(jià)DDR4庫(kù)存清理逐步企穩(wěn)回升。DDR516GBDDR516G(2Gx8)4800/56000.072.6138.64DDR546已顯著收斂，以DDR58GBU-DIMM內(nèi)存條為例，合約均價(jià)4-6月跌幅分別為/2.24。2023DDRDDRDD4DD5圖表30:DDR516GB現(xiàn)均（元） 圖表31:DDR5內(nèi)條約價(jià)元）DRAMexchange DRAMexchange圖表32:DDR516GB近3個(gè)月現(xiàn)貨均價(jià)（美元）DRAMexchangeGDDRLPDDR2023Q3GDDRGDDR58Gb0.03GDDR68Gb16Gb0.01/0.013GDDR58Gb為例現(xiàn)均漲0.33美元漲達(dá)10.77LPDDR產(chǎn)自7多產(chǎn)現(xiàn)LPDDR4X32Gb6.10美元。圖表33:部分GDDR5&GDDR6三月現(xiàn)均（元） 圖表34:LPDDR均（元）DRAMexchange 資料來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)，方正證券研究所DDR48GB3200（8.11）5.8(8.1)低點(diǎn)格103元漲6.8。金頓DDR416GB3200產(chǎn)亦有2.1的格漲自八初(8.1)低價(jià)格192元上漲3.13服器市內(nèi)條格續(xù)迷，877310.82.17202235美元,跌幅達(dá)49.3。圖表35:部分頓DDR4品（人幣元） 圖表36:DDR4RDIMM16GB3200MHz現(xiàn)均（元） DRAMexchange DRAMexchange2.2本周存儲(chǔ)行業(yè)動(dòng)態(tài)2023Q2臺(tái)灣省存儲(chǔ)進(jìn)出口值2023Q2環(huán)比提升明顯，其中7月份臺(tái)灣省DRAM出口額322.93202312.852023Q2省存器造達(dá)428億元環(huán)比+5.40現(xiàn)自2021Q4來首正；跌較2023Q1顯窄。圖表37:中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)進(jìn)出口值自年初以來波動(dòng)中不斷增長(zhǎng)（百萬新臺(tái)幣）60,00050,00040,00030,00020,00010,0000動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中國(guó)臺(tái)灣:出口金額:新臺(tái)幣:集成電路:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器wind圖表38:2023Q29008007006005004003002001002018-032018-062018-032018-062018-092018-122019-032019-062019-092019-122020-032020-062020-092020-122021-032021-062021-092021-122022-032022-062022-092022-122023-032023-06

806040200產(chǎn)值:IC制造業(yè):存儲(chǔ)器制造:中國(guó)臺(tái)灣:當(dāng)季值（億新臺(tái)幣）產(chǎn)值:IC制造業(yè):存儲(chǔ)器制造:中國(guó)臺(tái)灣:當(dāng)季同比（%）產(chǎn)值:IC制造業(yè):存儲(chǔ)器制造:中國(guó)臺(tái)灣:環(huán)比（%）wind?原廠減產(chǎn)配合控價(jià)，2023H2NandFlash拐點(diǎn)已至。NANDFlashwaferwafer10SK2023Q316NAND22~2320V-NAND1.68NANDNANDFlashWafer我們預(yù)計(jì)隨著2023H2國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌開始陸續(xù)推出新品、PC需求復(fù)蘇以及iPhone15Flash圖表39:NandFlash減產(chǎn)表述廠商表述三星2023H2繼續(xù)削減NANDFlash為核心的存儲(chǔ)產(chǎn)量，同時(shí)三星電子將暫停韓國(guó)平澤園區(qū)第一工廠（P1）部分NANDFlash生產(chǎn)。SK海力士2023H2再減少NANDFlash產(chǎn)量5~10。美光減少NANDFlash晶圓入數(shù)從25擴(kuò)到30。鎧俠2022Q430202350年內(nèi)延期至2024年以后，廠房設(shè)備交付也被推遲。資料來源：閃德資訊，方正電子繪制，方正證券研究所300NAND（double-stack）勢(shì)。20243003DNand1763DNand300mm3DNand3009V-Nand202210“2022Nand2030Nand1000此前，SK20253213DNand，SK（trplesta2011013Dan，SK24GBLPDDR5X。SKLPDDR5X24GB202211LPDDR5X24GBDRAMAce2ProHKMG(High-KMetalGateLPDDR5X24GBF-RAMEDREXCELONF-RAM1Mbit4Mbit儲(chǔ)存容量的新型F-RAM1MbitEXCELONF-RAMSPIQuadSPI50MHz108MHz1.8V8SOICF-RAM100封測(cè)：環(huán)比改善，先進(jìn)封裝貢獻(xiàn)動(dòng)能臺(tái)股封測(cè)板塊月度營(yíng)收連續(xù)3月環(huán)比改善。我們選取了臺(tái)股封測(cè)板塊的日月光、107666.052023年5-6月收比為+5.8經(jīng)續(xù)個(gè)圖表40:臺(tái)股封測(cè)板塊月度營(yíng)收及增速（億新臺(tái)幣）1,0000封測(cè) 封測(cè)mom

20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%23Q223Q2圖表41:臺(tái)股封測(cè)廠23Q2經(jīng)營(yíng)情況及三季度展望（單位：億新臺(tái)幣）23Q2營(yíng)收營(yíng)收QoQ日月光752.56+4.023Q2營(yíng)收營(yíng)收QoQ日月光752.56+4.0+1.1pcts23Q3營(yíng)收QoQ+4-9，毛利率提升0.75-1pct南茂54.44+18.2+4.9pcts營(yíng)收逐季回升，DDIC高端測(cè)試機(jī)臺(tái)稼動(dòng)率持續(xù)上升京元81.67+5.2+0.4pct-力成172.18+9.4+0.7pct23Q3營(yíng)收環(huán)比保持增長(zhǎng)，主要來自存儲(chǔ)急單資料來源：各公司官網(wǎng)，方正證券研究所3.2先進(jìn)封裝市場(chǎng)高速成長(zhǎng)20213212027572CAGR10.11Yole，2022進(jìn)封占球裝場(chǎng)份額為47.20計(jì)2025占將近于50202238，2014圖表42:全球進(jìn)裝場(chǎng)模及增（美） 圖表43:2021-2027年球中封測(cè)先封占比

2014201520162017201820192020202120222023中國(guó)先進(jìn)封裝占比 全球先進(jìn)封裝占比Yole, 資料來源：集微咨詢,倒裝為目前主流，2.5D/3D2021FCBGAFCCSP和19765025D/3D0212052.5D/3D2021-2027年CAGR14.34AI、HPC、HBM圖表44:2021/2027年同進(jìn)裝形占比 圖表45:2021-2027年同進(jìn)裝式CAGR100%80%60%40%20%0%

2021SiP FCCSP2.5D/3D WLCSP

2027FCBGAFO

SiPFOFCCSP

0% 5% 10% 15% 20%Yole, Yole,HPCHPCAI2022只到20的據(jù)心用2.5D裝，在2027年這例503DHBMCPUGPU5G/6G圖表46:2020&2026年先進(jìn)封裝下游應(yīng)用占比100%80%60%40%20%0%2020 2026工業(yè) 汽車 手機(jī) 網(wǎng)絡(luò) 消費(fèi) HPCYole，McKinsey2021ASE26102021CR52016CR548，528圖表47:2021年先進(jìn)封裝市場(chǎng)市占率18%

26%6%8%10%

16%

16%ASE Amkor TSMC JCET Samsung Intel 其他YoleFab/IDMOSATFab/IDM3DOSATFab/IDMSi-interposer2.5D3D3D46InFO33OSATFCBGAFCCSPASE3829282831。圖表48:2021年頭部廠商封裝類型一覽資料來源：各公司官網(wǎng)，方正證券研究所SiP1002.5D/3D圖表49:中國(guó)封測(cè)公司先進(jìn)封裝占比先進(jìn)封裝占比主要封裝技術(shù)甬矽電子100FCCSP,FCBGA,FC,SIP,BGA,QFN,MEMS通富微電75Bumping,WLCSP,FC,BGA,SiP,QFN,QFP,SO,MEMS，2.5D/3D華天科技70DIP,SOP,SIP,CSP,WLP/WLCSP,2.5D/3D(TSV)長(zhǎng)電科技65Wirebonding,QFN到WLP,FCBGA,2.5D/3D智路聯(lián)合體>50Bumping,WLCSP,FC,BGA,SiP,QFN,QFP,SO,MEMS氣派科技25MEMS,FC,CPC,SOP,SOT,LQFP,QFN/DFN,CDFN/CQFN,DIP華宇電子15SOP,DFN/QFN,LQFP,SOT,TO,LGA華潤(rùn)微10FC,PLP,IPM,MEMS利普芯<5DIP,SOP,SOT,TSSOP,QSOP,TSOT,TO,DFN,QFN,HSOL,LQFP藍(lán)箭電子<5SOT,TO,SOP資料來源：集微咨詢，公司公告，方正證券研究所凸點(diǎn)間距（BumpPitch）BumpPitch3DFabric3DSoIC、InFO、CoWoSSoICbumpPitchBumpPitch3DSoICFoverosDirectbumppitchInFO_LSI。圖表50:頭部廠商封裝技術(shù)bumppitch對(duì)比（單位：um）IDTechEXCoWoSHPCCoWoSCoWoS-S/R/L，HBMNECAMDHabanaCoWoS2020CoWoS-S50050圖表51:2015-2020年采用CoWoS方案的TOP500超級(jí)計(jì)算機(jī)占比不斷提升《WaferLevelSystemIntegrationoftheFifthGenerationCoWoS?-SwithHighPerformanceSiInterposerat2500mm2》CoWoS2XHPCAICPU、GPUAIASIC，AI50CoWoS2024年底，CoWoS3DFabric20113DFabricSoICCoWoSInFOSoICCoWoSInFOInFOpolyamidefilmCoWoSCoWoSCoWoSAI/HPC圖表52:臺(tái)積先封分類 圖表53:臺(tái)積后先封主應(yīng)用域資料來源：臺(tái)積電，方正證券研究所 YoleCoWoSCoWoSCoWTSV、Siinterposer（ieubupoSC4CoWS（FTCoWoS圖表54:臺(tái)積電CoWoS工藝流程XilinxCoWoSCoWoSCoWoS-SCoWoS-RCoWoS-LHBMCoWoS-SCoWoS-RInFOCoWoS-LCoWoS-SInFOLSI（RDLNEC、AMDCoWoS圖表55:臺(tái)積電CoWoS技術(shù)Yole，臺(tái)積電，方正證券研究所CoWoS-SChip-on-Wafer-on-SubstratewithSi-interposer基TSV的多芯片集成技術(shù)HPC(AISoCChiplet3D~830mm2)(~1700mm2HPC/AICoWoS-S56CoWoSFPGACoWoS-11200mm2TSMC1,700mm2CoWoS-XL2CoWoS-SHBM33(2500mm2/HBMCoWoS202CoWoS-S2023圖表56:CoWoS-S年經(jīng)了5次迭代 圖表57:CoWoS-S集的體數(shù)量斷升資料來源：臺(tái)積電，方正證券研究所

WaferLevelSystemIntegrationoftheFifthGenerationCoWoS?-SwithHighPerformanceSiInterposerat2500mm2CoWoS-RInFORDLSoCCoWoS-RCoWoS-SCoWoS-RRDLTSVRDLRDL64um2um/間距)的布線，以提供良好的信號(hào)和電氣性能。圖表58:CoWoS-R構(gòu)圖 圖表59:RDL和C4/UF間沖果良好資料來源：臺(tái)積電，方正證券研究所 資料來源：臺(tái)積電，方正證券研究所CoWoS-LCoWoSCoWoS-SInFOLSI(die-to-dieRDL1.5X圖表60:CoWoS-L示意圖資料來源：臺(tái)積電，方正證券研究所distributedSiliconBumping（晶圓RDLXYTSVZ，BumpingRDLTSV圖表61:典型的2.5D/3DIC封裝工藝流程（芯片放在中介層晶圓上，中介層放在封裝基板上）資料來源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，方正證券研究所圖表62:典型的2.5D/3DIC封裝供應(yīng)商（部分）Yole，臺(tái)積電，方正證券研究所RDLRDLRDLI/OI/ORDL圖表63:RDL重布線層資料來源：《集成電路系統(tǒng)級(jí)封裝》，方正證券研究所2.5D/3DRDL2.5DICCoWoS-SRDLTIV（ThroughinterposerVia）3DRDLIO，RDLRDLL/SRDLRDL/（Line/Space，L/S）的需求。圖表64:電鍍法RDL工藝流程RedistributionLayers(RDLsfor2.5D/3DICIntegration圖表65:電鍍法RDL工藝步驟資料來源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，方正證券研究所圖表66:銅大馬士革工藝RDL工藝流程RedistributionLayers(RDLsfor2.5D/3DICIntegration圖表67:銅大馬士革工藝RDL工藝步驟資料來源：《RedistributionLayers(RDLs)for2.5D/3DICIntegration》，方正證券研究所TSVTSV2.5D/3D2.5DDRAMCPUSoC2.5DMicroBump（BumpTSVTSV3D圖表68:芯上TSV示圖 圖表69:硅轉(zhuǎn)板3+2資料來源：電子元件交易網(wǎng)，方正證券研究所 資料來源：電子元件交易網(wǎng)，方正證券研究所依據(jù)TSV通孔生成的階段TSV工藝可以分為：1）Via-First；2）Via-Middle；Via-Last。Via-FirstTSVsFEOLVia-FirstVia-MiddleTSVsFEOL，BEOL（工藝由于晶圓廠在設(shè)備能力方面具備優(yōu)勢(shì)，晶圓廠通常也會(huì)制造，但也有部分OSATVia-MiddleTSVTSVTSVsBEOL晶圓正面）BacksideVia-LastMEMS圖表70:TSV3資料來源：知乎，方正證券研究所TSV工藝主要包括深硅刻蝕形成微孔，再進(jìn)行絕緣層、阻擋層、種子層的沉積，深孔填充，退火，CMP減薄，Pad的制備疊加等工藝技術(shù)。圖表71:TSV藝程 圖表72:TSV要藝程意圖RedistributionLayers(RDLsfor2.5D/3DICIntegration

資料來源：《高密度2.5DTSV轉(zhuǎn)接板關(guān)鍵技術(shù)研究》，方正圖表73:TSV工藝步驟工藝設(shè)備&材料TSV（DeepReactiveIonEtching，DRIE）Bosch（ReactiveIonEtching，RIE）工藝采用物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕，BoschTSV各向異性，保證TSV通孔垂直度。深硅刻蝕需要的設(shè)備是感應(yīng)耦合高密度等離子體干法刻（InductivelyCoupledPlasmaBosch氟基氣體球供應(yīng)商包括法液空、默克、林德等。TSVTSVTSVTSV2.5DTSVTSVTSVTSVTSV面以達(dá)到良好的絕緣性能。TSVPECVD、SACVDALDKL（2019年收購(gòu)Orbotech，Orbotech2014SPTS，SPTSCVD）應(yīng)用材料等供應(yīng)商技術(shù)領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)拓荊科技等公司在這一領(lǐng)域進(jìn)展亮眼。沉積阻擋層/種子層：2.5DTSVTSVTSVTSV/Ti、Ta、TiN、TaNTSVTSVTSV同樣在先PVD北方華創(chuàng)實(shí)力，國(guó)內(nèi)份額不斷提升。3D鍍液的主要作用是為硅通孔的電鍍填充提供充足的銅離子和良好的電鍍環(huán)境，加入添加劑可以改善硅通孔的電鍍質(zhì)量。目前海外主要承科技CMP（TSVCMPTSV/TSVTSV面的電信號(hào)連接。Ebara華海清科CMP2023512Versatile-GP300（集成設(shè)備CMPFujiFilmCMPTSV、FOWLPCMP加，進(jìn)而提高CMP耗材需求。資料來源：《集成電路系統(tǒng)級(jí)封裝》，方正證券研究所晶圓減?。簐iafirstviamiddleTSVlastBoschTSV100μm25μmCMP合（TmpoaryBoning工//臨時(shí)鍵合/解鍵合常見工藝流程：在臨時(shí)載板或功能晶圓上通過壓合、粘貼或旋涂等方法制造一層鍵合黏接劑，然后翻轉(zhuǎn)功能晶圓，使其正面與臨時(shí)載板對(duì)準(zhǔn)，RDLEVGroupSUSSMicroTec國(guó)內(nèi)芯源微臨時(shí)鍵合機(jī)、解鍵合機(jī)產(chǎn)品進(jìn)展順利，已陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了多家下游客戶的導(dǎo)入。圖表74:SUSS標(biāo)準(zhǔn)臨時(shí)鍵合/解鍵合工藝流程示意圖Yole，20201720272820201.13美金計(jì)2027將至1.76美，SUSS全球據(jù)導(dǎo)位。圖表75:“MorethanMoore”的鍵設(shè)市規(guī)模 圖表76:TSV要藝程意圖Yole， SUSSBrewerSciencesWaferBondZoneBond3MLTHCDuPontHD-3000ThinMaterialsT-MATDowCorningWL（TOK）的ZeroNewton系列產(chǎn)品和DowChemical的Cyclotene圖表77:超薄晶圓支撐與保護(hù)技術(shù)BumpingTCBI/O21圖表78:Bumping技術(shù)發(fā)展歷程資料來源：陶氏化學(xué)，方正證券研究所圖表79:典型的Microbump制造流程semiconductorengineeringFC，CTE圖表80:常見的倒裝芯片組裝方式資料來源：《StatusandOutlooksofFlipChipTechnology》，方正證券研究所C4/C250（1（2在C4（C4最小可以做到50微米。C2（）C4C4C225C2TCB：C2C2TCB8C2TCBNCPNCPTCBTCBASMPacific、庫(kù)力索法（K&S）以及Besi等。圖表81:TCB工藝流程資料來源：艾邦半導(dǎo)體，方正證券研究所1）（apilryUnerflCUFMldedUnerfl，MU（NonConuctveast，（Non-ConductiveNCP/NCF圖表82:底部填充料分類資料來源：《集成電路先進(jìn)封裝材料》，方正證券研究所CPHenelNmicNags（HitchihemialPnasnic。NFNttoDen（Smitm圖表83:CUF藝圓級(jí)NCF藝對(duì)比 圖表84:TSV要藝程意圖資料來源《集成電路先進(jìn)封裝材料，方正證券研究所 資料來源《集成電路先進(jìn)封裝材料，方正證券研究所HybridBonding3D10~20umHybridBondingbump10HybridBonding丟失率幾乎可以忽略不計(jì)，在高吞吐量，高性能計(jì)算領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著?；旌湘I合（HybidBonin）DBI（iretondIneconnet，Sony2016CISSamsungGalaxyS7SoICFC圖表85:臺(tái)電SoIC勢(shì) 圖表86:異質(zhì)合Matek， Matek，（W2W）BEOL（SiONSiCNCMPCMP（SAM）H