突波吸收器基本概念

突波吸收器基本概念品管部1/4Terry1.1Varistor的^^及基本特性介^Varistor其^是由Variableresistor麗侗字合餅而來，其意思舄可燮的雷阻器，ffi?^?阻器；是一彳重隨外加雷摩改燮，而呈現(xiàn)非^性指敷雷阻燮化的雷阻髓。燮阻器在晦界雷摩以下畤，雷阻值很高，能阻止雷流通遏，表現(xiàn)出窩嵌彖髓的特性；但是富附加的雷摩超遏晦界BKK，其雷阻值畬急速下降，以便大雷流的通遏，使雷摩下降以保^雷路上其他零件。又因舄它有雷阻值快速下降的功能，可以避免雷路零件因突畿的大雷摩造成的損讀，因此燮阻器又稍舄突波吸收器。S7B到保^雷路或檄器的目的，燮阻器雁具偷下列之基本特性：可以分辨穗定雷路雷摩或是突波雷摩，而且只在突波BBS生畤才重力作。吸收突波BB彳爰，即恢彳復(fù)吸收突波前的予取莆狀熊（可反覆使用）。吸收突波BBB寺的抑制BB比被保^B路或檄器的耐BB、森重力作BB遢低?？赡偷米》锤彩┘拥耐徊˙B。1.2Varistor的分^因雁使用位置的越來越普及，以及所需使用BBKH日漸撅大，燮阻器的材^也一直在改燮，像氧化克會同（。巧0）、就酸也（BaTiO3）、氧化^成°2。3）…等的金屠一半毒髓屏障，到半毒髓p-n屏障的基納二檀髓（Zenner）等都是；而現(xiàn)在的主流乃是非歐姆特性（B阻特性）及突耐量檀佳的氧化金辛（ZnO），而兼具燮阻性及B容性燮重特性的就酸金（SrTQ）燮阻器更是趁勢待畿，前程一片看好。此外，若依崩潰BB值的大小，可以將燮阻器匾分舄低、中、高B三彳重不同燮阻器。崩潰BB低於68V者屠於低B燮阻器，介於82V到560V舄中B燮阻器，而大於680V者劇」舄高B燮阻器。目前重交商品化的氧化金辛燮阻器其崩SBBKH^S14V?1800V。1.3品名^明成功生S之突波吸收器品名檬示共有14侗字元（或7侗匾墟），其^的意思^明如下:SVR10D431KA56B

突波吸收器基本概念罩位突波吸收器基本概念罩位品管部頁敷2/4Terry成功1子突波吸收器代虢瓷片外彳翌代虢10代表婦0.0mm；07代表也7.0mm瓷片形式(Disc)突波1厘值330代表33x10°=33V431代表43x10i=430V18代表18x10=1800V容言午森差值K=±10%^型翩距成品包裝方式B:散裝R：苗帶翰裝A:編帶盒裝突波雷摩值之檬示分舄?dú)W美系典日系麗彳重，歐美系檬示最大工作雷摩之交流雷摩，而日系劇」是檬示崩?BB之直流雷摩。至於KW^的資料各位可以在作棠檬率害或梭^檬率害上都可以查到，另外特別^明現(xiàn)在公司生走的突波吸收器其允^森差只有一彳重，就是K值(±10%)。1.4雷麻特性所有零件均因其用途不同，都有其不同的BM>?，而是些雷兼特性正是言殳言十人景賴以言殳言十成品的依撮。突波吸收富然也是有其各S>?，下面就是它仍的筒略^明：崩潰雷摩(Varistorvoltage):崩??E是以一定的雷流Ic(1.0mA或0.1mA)於一定的畤^內(nèi)通遏燮阻器所量得的雷凰是是^估燮阻器的最重要項(xiàng)目。最高工作雷摩(max.Allowablevoltage):可以辰畤^施加在燮阻器上，且燮阻器仍舄休息狀熊的最高雷摩。(休息狀熊之燮阻器只有彳艮小的漏雷流，以筋省受保^雷子走品的雷力消耗，同畤不致干援到受保^的雷路。)非制性指青攵(non-linearexponent):燮阻器的BE-B流(V-I)特性舄公式I=KVa所定羲，KS-fie何常敷，履慌非富泉性指敷。由上面公式可以得知，a值越高劇」此燮阻器的耐突波雷流越高。a值的淇睛有我仍通常取麗fi黑占(V1，I1)及(V2,I2)來言十算，其公式如下：log11a=——-12 (I1,I2SV1,V2相瑩寸雁之雷流I1通常殳定舄I2的10倍便於言十算。)logV1V2最高抑制雷摩(max.Clampingvoltage):以一定之檬率彳覲擎雷流Ip(8x20Msec)流遏燮阻器畤，在燮阻器麗』條引^端^之?量得的最高雷摩Vp,SS最高抑制雷摩。此雷摩值典崩?Bfi-tt均S燮阻器畿撞保^功能的一項(xiàng)指中票。項(xiàng)目教育劇||糠■振內(nèi)容突波吸收器基本概念單位品管部頁敷3/4Terry客^定功率(Ratedpower):在一定的璘境溫度下所消耗的最大功率。雷容值(Capacitor):以一定的原率和淇睛有雷摩在燮阻器麗端量得的靜雷容量，此舄參考用。耐突波雷流(Peakcurrent):以一定之檬率彳覲擎雷流Ip(8x20〃sec),彳覲擎燮阻器1次或麗次畤，燮阻器之崩?Bfi?化率在10%以內(nèi)的最大KffiB流。最大能量(energy):一次矚覲之最大能量；亦即以10x1000〃sec彳重律一次，而突波雷摩的燮化率在10%以內(nèi)的能量。其公式舄：E=KxVmxImxTE:能量(罩位：焦耳)K:常敷(的1.4)Vm:雷流在Im畤之最高抑制雷摩Im:最大允^午之10x1000〃sec罩一突波雷流T:突波雷流延富割寺^(1000〃sec)客^定Rffiw命(Pulselifetimerating):將燮阻器以8x20Msec的定雷流矚隊(duì)依規(guī)定之畤^^隔道御覲擎，言十算其所能承受之最高彳覲擎次敷，即^KffiW命，而額定KffiW命舄1000次。本髓耐摩(Withstandingvoltageforbody):壅裝屑典瓷片本身BS?之耐摩。溫度燮化率(Temperaturecoefficientofvaristorvoltage):燮阻器隨溫度燮化畤，可允^之崩?BK化率。其公式舄：%1-%2X1X100/Vc2 60 0Vc1=Vcin85CVc2=Vcin25C其他一般特性：信者存溫度：-40C?+125C

項(xiàng)目教育師M 內(nèi)容 突波吸收器基本概念 簞位 品管部4/4Terry最大反雁畤^最高工作溫度最高表面溫度^務(wù)彖雷阻25nsec最大反雁畤^最高工作溫度最高表面溫度^務(wù)彖雷阻+85C+115C1000MQ以上(D.C.500V)1.5燮阻器的作用原理燮阻器在休息狀熊畤，相封於受保^的雷子元件或角且件而言，具有很高的阻抗，不畬影警或改燮原言殳言十之雷路特性。但是富瞬^突波雷摩出現(xiàn)（超遏燮阻器之崩潰雷摩）畤，^燮阻器之阻抗畬燮得很低，以造成^路短路，而使得雷子走品或元件因此受到保^。各位都知道，陶瓷雷容器的雷容量主要舄導(dǎo)艮面大小、窩嵌彖屑厚度及窩嵌彖材g^B^?所〉夬定；而〉夬定燮阻器的崩?BK大小，主要舄氧化金辛晶粒典晶界屑之介面，晶粒典富會必相晶界屑之界面是木啻成B子僖毒的能障，殳言H寺通常利用^微技彳桁來估算崩?BB（m一晶界屑之能障Vg=2?3V/S）o所以舄了滿足不同崩?Bfi之需求，我仍可以用下列麗彳重方式來改燮崩?BB：固定晶粒彳陛，改燮二雷檀^燮阻器的厚度。改燮晶粒彳陛大小，以改燮罩一晶界屑之能障大小。1.6也算鬲吉胡探言寸零件，盆恩是在意3酋未盈中結(jié)束，因舄接下去的鎮(zhèn)域亞非我仍所能深入，就像我仍的客戶一檬，他仍主要知道的是我仍的走品他f皚亥怎縻淇睛有及使用，至於裂造方法或使用材料劇」不畬多加追^矣出查包不畬也不必要；而且材料亞不屠於同一令射或在測定及言有^上亞照暮用偎器殳偷可用，所以生M^S及璘境淇睛有是事彳爰^就登的瓣法。在社畬的逵步中，人的生命安全燮成B子走品金肖售的言斥求重黑&加上空寸M品之耐用保S等，使得燮阻器的使用燮得腐泛而全面。皋凡M棠檄器、商棠檄器、消