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文檔簡介

WordMOS管的工作原理及特性MOS，是（MOSFET）的縮寫。MOSFET金屬-氧化物（半導(dǎo)體）場效應(yīng)（晶體管），簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無論是在（IC設(shè)計）里，還是板級電路應(yīng)用上，都十分廣泛。

一、MOS管的（工作原理）

以增強型MOS管為例，我們先簡單來看下MOS管的工作原理。

由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到MOS管類似三極管，也是背靠背的兩個PN結(jié)！三極管的原理是在偏置的情況下注入（電流）到很薄的基區(qū)通過（電子）-空穴復(fù)合來控制CE之間的導(dǎo)通，MOS管則利用電場來在柵極形成載流子溝道來溝通DS之間。

如上圖，在開啟電壓不足時，N區(qū)和襯底P之間因為載流子的自然復(fù)合會形成一個中性的耗盡區(qū)。給柵極提供正向電壓后，P區(qū)的少子(電子)會在電場的作用下聚集到柵極氧化硅下，最后會形成一個以電子為多子的區(qū)域，叫反型層，稱為反型因為是在P型襯底區(qū)形成了一個N型溝道區(qū)。這樣DS之間就導(dǎo)通了。

二、MOS管的特性

1、由于MOSFET是電壓驅(qū)動器件(G極加電壓控制電流)，因此無直流電流流入柵極。

2、要開通MOSFET，必須對柵極施加高于額定柵極（閾值電壓）Vth的電壓。

3、處于穩(wěn)態(tài)開啟或關(guān)斷狀態(tài)時，MOSFET柵極驅(qū)動基本無功耗(但是請注意交叉點附近，就是電壓下降與電流上升導(dǎo)致的功耗)。

4、通過驅(qū)動器輸出看到的MOSFET柵源（電容）根據(jù)其內(nèi)部狀態(tài)而有所不同。

5、MOSFET通常被用作頻率范圍從幾kHz到幾百kHz的開關(guān)器件。這點尤其需要注意。

綜合整理自百度

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