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文檔簡介
WordSDRAM的控制命令講解
三、控制命令
SD(RAM)的驅動需要用到一些命令,介紹幾個常見的命令
3.1Active(激活操作)
激活操作,必須在讀寫操作之前被發(fā)送,用于設置所需要的BANK和行地址,BANK地址由BS0,BS1(也可寫作BA0,BA1)指定,行地址由A0~A12指定;列地址將在RE(AD)和WRI(TE)操作中指定;激活操作時,CLK(信號)上升沿采樣到的關鍵信號如下
3.2Read(讀操作)
在發(fā)送完激活命令后,再發(fā)送列地址就可以完成對SDRAM的尋址,并進行讀操作,讀命令和列地址的發(fā)送,是通過一次傳輸完成的,CLK信號上升沿采樣到的關鍵信號如下
數(shù)據(jù)的讀操作,涉及幾個延時參數(shù):
(1)tRCD(RASTOCASdelay即RAS#信號有效后到CAS#信號有效,這之間的延時),在激活指令選定待操作的行之后,需要延時tRCD,才能切換到對列的選擇;因此激活指令(完成行選擇)與READ指令(完成列選擇)之間的延時為tRCD
(2)CL(CALLatency)即CAS潛伏期參數(shù);READ指令發(fā)出后,存儲器根據(jù)采樣得到的行地址和列地址,將對應存儲單元的數(shù)據(jù)放大,以便傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總線上,這個過程所消耗的延時稱為CL;因此,從READ指令發(fā)出到數(shù)據(jù)總線上出現(xiàn)第一個數(shù)據(jù),這之間的延時定義為CL
(3)tRAS,指激活指令到預充電操作(PRECHARGE)指令的延時
(4)tRP,指預充電操作(PRECHARGE)指令到下一次激活指令的延時
(5)tRC,指兩次激活指令之間的時間間隔
以上參數(shù)與SDRAM的存儲性能密切相關,一般而言,延時參數(shù)值越小,存儲器的存儲性能越高,在SDRAM器件(資料)中,以上參數(shù)都以(時鐘)周期為單位,如某SDRAM的CL參數(shù)為2.5,假定其工作的時鐘頻率為100MHz,則該器件的CAS為25ns;、
對讀操作而言,從ACT命令開始,到第一個數(shù)據(jù)出現(xiàn)在總線上,延時為:tRCD+CL
3.3Write(寫操作)
在發(fā)送完激活命令后,再發(fā)送列地址就可以完成對SDRAM的尋址,并進行寫操作,寫命令和列地址的發(fā)送,是通過一次傳輸完成的,CLK信號上升沿采樣到的關鍵信號如下
數(shù)據(jù)寫入時,同樣需滿足tRCD、tRAS、tRC、tRP等參數(shù)的要求,與讀操作不同的是,寫操作不涉及CL參數(shù),但增加了tWR參數(shù);tWR是指SDRAM將數(shù)據(jù)總線上待寫入的數(shù)據(jù)導入內(nèi)部存儲單元所需要的時間;
3.4Precharge(預充電)
預充電指令,用于關閉BANK中所打開的行地址;對SDRAM內(nèi)部某一行的操作完成后,如需繼續(xù)對另一行進行操作,應先關閉當前的工作行,該操作稱為預充電(PRECHARGE);由于預充電操作需要一定的時間,在發(fā)出預充電操作的命令后,需等待tRP時間才能發(fā)起對另一行的操作;關鍵信號如下:
預充電命令可以通過獨立的命令發(fā)送,也可以在每次發(fā)送讀寫命令的時候,使用地址線A10來設置自動預充電;在發(fā)送讀寫命令的時候,當A10=1,則使能所有BANK的預充電,在讀寫操作完成后,自動進行預充電,這樣,下次讀寫操作之前,就不需要再發(fā)預充電命令,從而提高讀寫速度;
3.5Refresh(刷新)
刷新命令,SDRAM需要不斷刷新才能保持內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)信息;刷新有兩種:自動刷新(AutoRefresh)和自我刷新(SelfRefresh),在發(fā)送Refresh命令時,如果CKE有效(高電平),則使用自動刷新模式,否則使用自我刷新模式;不論何種刷新模式,都不需要外部提供行地址信息,因為這是一個內(nèi)部的自動操作;
SDRAM存儲單元能可靠保存數(shù)據(jù)的時間約為64ms,因此每個存儲單元的刷新周期是64ms,SDRAM每次針對一行進行刷新,以8192行的SDRAM為例,刷新操作應每7.8125us執(zhí)行一次
刷新操作的時間用參數(shù)tRFC定義,該參數(shù)的值較大,以工作時鐘頻率為133MHz的SDRAM為例,刷新操作最少需消耗9個時鐘周期,在此期間,SDRAM不響應任何外部命令;
3.6ModeRegisterSet(模式(寄存器)配置)
SDRAM(芯片)內(nèi)部有一個邏輯控制單元,在每次SDRAM進行初始化的時候進行設置,通過地址線來傳輸;
Bu(rs)tLength:突發(fā)長度,是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)
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