![第5章 場(chǎng)效應(yīng)管_第1頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd7/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd71.gif)
![第5章 場(chǎng)效應(yīng)管_第2頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd7/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd72.gif)
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![第5章 場(chǎng)效應(yīng)管_第4頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd7/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd74.gif)
![第5章 場(chǎng)效應(yīng)管_第5頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd7/5c6892cb76798a084c3e8a77cb8a0dd75.gif)
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第五章場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路一、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)二、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置方法三、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析四、復(fù)合管P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)耗盡型:場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí),就有導(dǎo)電溝道存在增強(qiáng)型:場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí),沒(méi)有導(dǎo)電溝道場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi):一、場(chǎng)效應(yīng)管(以N溝道為例)
場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)極:源極(s)、柵極(g)、漏極(d), 對(duì)應(yīng)于晶體管的e、b、c;有三個(gè)工作區(qū)域:截止區(qū)(夾斷區(qū))、恒流區(qū)、可變電阻區(qū),
對(duì)應(yīng)于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。1.
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道源極柵極漏極符號(hào)結(jié)構(gòu)示意圖柵-源電壓對(duì)導(dǎo)電溝道寬度的控制作用溝道最寬溝道變窄溝道消失稱(chēng)為夾斷
uGS可以控制導(dǎo)電溝道的寬度。為什么g-s必須加負(fù)電壓?UGS(off)漏-源電壓uDS對(duì)漏極電流的影響uGS>UGS(off)且不變,VDS增大iD增大。預(yù)夾斷uGD=UGS(off)VDS的增大,幾乎全部用來(lái)克服溝道的電阻,iD幾乎不變,進(jìn)入恒流區(qū),iD幾乎僅僅決定于uGS。場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件是什么?uGD>UGS(off)uGD<UGS(off)uGD=uGS-uDSuDS<uGS-uGS(off)uDS=uGS-uGS(off)uDS>uGS-uGS(off)夾斷電壓漏極飽和電流轉(zhuǎn)移特性場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū), 因而uGS>UGS(off);uDS
>
uGS-
UGS(off)。uGS控制d-s間的等效電阻Rds
=uDS/iD輸出特性預(yù)夾斷軌跡,uGD=UGS(off)可變電阻區(qū)恒流區(qū)iD幾乎僅決定于uGS擊穿區(qū)夾斷區(qū)(截止區(qū))夾斷電壓IDSSΔiD不同型號(hào)的管子UGS(off)、IDSS將不同。低頻跨導(dǎo):uDS=uGS-uGS(off)2.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)
uGS增大,反型層(N型導(dǎo)電溝道)將變厚變長(zhǎng)。當(dāng)反型層將兩個(gè)N區(qū)相接時(shí),形成導(dǎo)電溝道。(一).N溝道增強(qiáng)型管SiO2絕緣層襯底耗盡層空穴高摻雜反型層大到一定值才開(kāi)啟增強(qiáng)型耗盡型開(kāi)啟電壓UGS(th)增強(qiáng)型MOS管uDS對(duì)iD的影響N溝道增強(qiáng)型MOS管工作在恒流區(qū)的條件是什么?
uGD>UGS(th)
iD隨uDS的增大而增大.
可變電阻區(qū)
uGD=UGS(th),預(yù)夾斷
uGD<UGS(th)恒流區(qū)iD幾乎僅僅受控于uGS,剛出現(xiàn)夾斷uDS的增大幾乎全部用來(lái)克服夾斷區(qū)的電阻
uGD=uGS-UDS(uGS>UGS(th))(二).N溝道耗盡型MOS管
耗盡型MOS管在
uGS>0、
uGS
<0、
uGS
=0時(shí)均可導(dǎo)通,且與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管不同。由于SiO2絕緣層的存在,在uGS>0時(shí)仍保持g-s間電阻非常大的特點(diǎn)。加正離子小到一定值才夾斷uGS=0時(shí)就存在導(dǎo)電溝道MOS管的特性1)增強(qiáng)型MOS管2)耗盡型MOS管開(kāi)啟電壓夾斷電壓3.場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)
工作在恒流區(qū)時(shí)g-s、d-s間的電壓極性u(píng)GS=0可工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有哪幾種?uGS>0才工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有哪幾種?uGS<0才工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有哪幾種?書(shū)中例二、場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置方法
1.基本共源放大電路(詳見(jiàn)p141)根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件,在g-s、d-s間加極性合適的電源IDO為uGS=2UGS(th))時(shí)的ID,從轉(zhuǎn)移特性讀出.2.自給偏壓電路由正電源獲得負(fù)偏壓稱(chēng)為自給偏壓哪種場(chǎng)效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點(diǎn)?3.分壓式偏置電路為什么加Rg3?其數(shù)值應(yīng)大些小些?哪種場(chǎng)效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點(diǎn)?典型的Q點(diǎn)穩(wěn)定電路由上兩式解得IDQ三、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析
1.場(chǎng)效應(yīng)管的交流等效模型近似分析時(shí)可認(rèn)為其為無(wú)窮大!根據(jù)iD的表達(dá)式或轉(zhuǎn)移特性可求得gm。見(jiàn)書(shū)p144式5.2.9(耗盡型)和5.2.10(增強(qiáng)型)與晶體管的h參數(shù)等效模型類(lèi)比:2.基本共源放大電路的動(dòng)態(tài)分析交流等效模型書(shū)中例p145若Rd=3kΩ,gm=2mS,則Au=?3.基本共漏放大電路的動(dòng)態(tài)分析(靜態(tài)工作點(diǎn)見(jiàn)式5.2.16)若Rs=3kΩ,gm=2mS,則交流等效模型基本共漏放大電路輸出電阻的分析若Rs=3kΩ,gm=2mS,則Ro=?書(shū)中例p148四、復(fù)合管復(fù)合管的組成:多只管子合理連接等效成一只管子。
不同類(lèi)型的管子復(fù)合后,其類(lèi)型決定
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