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半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)

半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)超晶格材料是兩種不同組元以幾個(gè)納米到幾十個(gè)納米的薄層交替生長(zhǎng)并保持嚴(yán)格周期性的多層膜，事實(shí)上就是特定形式的層狀精細(xì)復(fù)合材料?？捎糜谥圃煳⒉ㄆ骷咚倨骷?，光電子器件等。。發(fā)展趨勢(shì)微米-納米（納米電子學(xué)）

微電子超大規(guī)模集成電路的特征尺寸已經(jīng)從亞微米級(jí)發(fā)展到100nm尺度以內(nèi)，隨著電子器件集成度的進(jìn)一步提高，微電子器件物理和工藝面臨新的挑戰(zhàn)，而以量子輸運(yùn)機(jī)制為主導(dǎo)的固態(tài)納電子器件及其納電子學(xué)已經(jīng)在器件物理、工藝和性能方面取得了顯著的成果，并顯示了潛在的應(yīng)用前景。毫無(wú)疑問(wèn)，納電子學(xué)是微電子學(xué)的集成者。以納電子學(xué)為先導(dǎo)的納米科技已經(jīng)滲透到材料、生物、化學(xué)、機(jī)械等學(xué)科領(lǐng)域。發(fā)展趨勢(shì)微米-納米（納米電子學(xué)）除隧道二極管（開(kāi)關(guān)速度達(dá)皮秒級(jí)）之外，已投入實(shí)用的是一種超導(dǎo)量子器件，即約瑟夫遜器件（精密儀器中用）。其他種類的器件還有待進(jìn)一步研究，如利用量子細(xì)線中的高電子遷移率效應(yīng)制備超高速邏輯器件，利用超微細(xì)結(jié)構(gòu)中的隧道效應(yīng)制作多值邏輯器件，利用量子箱結(jié)構(gòu)制作大容量存儲(chǔ)器，利用相干電子波的干涉、衍射和反射現(xiàn)象制作的高速開(kāi)關(guān)器件以及傳感器件，利用

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