NandFlash詳述絕對經(jīng)典

-.z.NandFlash詳述1.硬件特性：【Flash的硬件實現(xiàn)機制】Flash全名叫做FlashMemory，屬于非易失性存儲設備(Non-volatileMemoryDevice)，與此相對應的是易失性存儲設備(VolatileMemoryDevice)。這類設備，除了Flash，還有其他比較常見的如硬盤，ROM等，與此相對的，易失性就是斷電了，數(shù)據(jù)就丟失了，比如大家常用的存，不論是以前的SDRAM，DDRSDRAM，還是現(xiàn)在的DDR2，DDR3等，都是斷電后，數(shù)據(jù)就沒了。Flash的部存儲是MOSFET，里面有個懸浮門(FloatingGate)，是真正存儲數(shù)據(jù)的單元。金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-O*ide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。在Flash之前，紫外線可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已經(jīng)采用用FloatingGate存儲數(shù)據(jù)這一技術了。圖1.典型的Flash存單元的物理結構數(shù)據(jù)在Flash存單元中是的。存儲電荷的多少，取決于圖中的外部門（e*ternalgate）所被施加的電壓，其控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。數(shù)據(jù)的表示，以所存儲的電荷的電壓是否超過一個特定的閾值Vth來表示?！維LC和MLC的實現(xiàn)機制】NandFlash按照部存儲數(shù)據(jù)單元的電壓的不同層次，也就是單個存單元中，是存儲1位數(shù)據(jù)，還是多位數(shù)據(jù)，可以分為SLC和MLC：1.SLC，SingleLevelCell:單個存儲單元，只存儲一位數(shù)據(jù)，表示成1或0.就是上面介紹的，對于數(shù)據(jù)的表示，單個存儲單元中部所存儲電荷的電壓，和*個特定的閾值電壓Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0.對于nandFlash的數(shù)據(jù)的寫入1，就是控制E*ternalGate去充電，使得存儲的電荷夠多，超過閾值Vth，就表示1了。而對于寫入0，就是將其放電，電荷減少到小于Vth，就表示0了。關于為何NandFlash不能從0變成1，我的理解是，物理上來說，是可以實現(xiàn)每一位的，從0變成1的，但是實際上，對于實際的物理實現(xiàn)，出于效率的考慮，如果對于，每一個存儲單元都能單獨控制，即，0變成1就是，對每一個存儲單元單獨去充電，所需要的硬件實現(xiàn)就很復雜和昂貴，同時，所進行對塊擦除的操作，也就無法實現(xiàn)之前的，一閃而過的速度了，也就失去了Flash的眾多特性了。//也就是放電的思路還是容易些。1->02.MLC，MultiLevelCell：與SLC相對應，就是單個存儲單元，可以存儲多個位，比如2位，4位等。其實現(xiàn)機制，說起來比較簡單，就是，通過控制部電荷的多少，分成多個閾值，通過控制里面的電荷多少，而達到我們所需要的存儲成不同的數(shù)據(jù)。比如，假設輸入電壓是Vin＝4V（實際沒有這樣的電壓，此處只是為了舉例方便），則，可以設計出2的2次方＝4個閾值，1/4的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分別表示2位數(shù)據(jù)00，01，10，11，對于寫入數(shù)據(jù)，就是充電，通過控制部的電荷的多少，對應表示不同的數(shù)據(jù)。對于讀取，則是通過對應的部的電流（與Vth成反比），然后通過一系列解碼電路完成讀取，解析出所存儲的數(shù)據(jù)。這些具體的物理實現(xiàn)，都是有足夠精確的設備和技術，才能實現(xiàn)精確的數(shù)據(jù)寫入和讀出的。單個存儲單元可以存儲2位數(shù)據(jù)的，稱作2的2次方＝4LevelCell，而不是2LevelCell；同理，對于新出的單個存儲單元可以存儲4位數(shù)據(jù)的，稱作2的4次方＝16LevelCell?！娟P于如何識別SLC還是MLC】NandFlash設計中，有個命令叫做ReadID，讀取ID，意思是讀取芯片的ID，就像大家的一樣，這里讀取的ID中，是：讀取好幾個字節(jié)，一般最少是4個，新的芯片，支持5個甚至更多，從這些字節(jié)中，可以解析出很多相關的信息，比如：此NandFlash部是幾個芯片（chip）所組成的，每個chip包含了幾片（Plane），每一片中的頁大小，塊大小，等等。在這些信息中，其中有一個，就是識別此flash是SLC還是MLC。下面這個就是最常見的NandFlash的datasheet中所規(guī)定的，第3個字節(jié)，3rdbyte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的識別信息：DescriptionI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0InternalChipNumber12480

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1CellType2LevelCell4LevelCell8LevelCell16LevelCell0

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1NumberofSimultaneouslyProgrammedPages12480

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1InterleaveProgramBetweenmultiplechipsNotSupportSupport01CacheProgramNotSupportSupport01表1.NandFlash第3個ID的含義【NandFlash的物理存儲單元的陣列組織結構】Nandflash的部組織結構，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.NandFlash物理存儲單元的陣列組織結構上圖是K9K8G08U0A的datasheet中的描述。簡單解釋就是:1.一個nandflash由很多個塊（Block）組成，塊的大小一般是->128KB，->256KB，->512KB此處是128KB。2.每個塊里面又包含了很多頁（page）。每個頁的大小，老的nandflash，頁大小是256B，512B，這類的nandflash被稱作smallblock，。地址周期只有4個。對于現(xiàn)在常見的nandflash多數(shù)是2KB，被稱作bigblock，對應的發(fā)讀寫命令地址，一共5個周期(cycle)，更新的nandflash是4KB，塊，也是NandFlash的擦除操作的基本/最小單位。3.每一個頁，對應還有一塊區(qū)域，叫做空閑區(qū)域（sparearea）/冗余區(qū)域（redundantarea），而Linu*系統(tǒng)中，一般叫做OOB（OutOfBand），這個區(qū)域，是最初基于NandFlash的硬件特性：數(shù)據(jù)在讀寫時候相對容易錯誤，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對應的檢測和糾錯機制，此機制被叫做EDC(ErrorDetectionCode)/ECC（ErrorCodeCorrection,或者ErrorCheckingandCorrecting），所以設計了多余的區(qū)域，用于放置數(shù)據(jù)的校驗值。頁,是NandFlash的寫入操作的基本/最小的單位?！綨andFlash數(shù)據(jù)存儲單元的整體架構】簡單說就是，常見的nandflash，部只有一個chip，每個chip只有一個plane。而有些復雜的，容量更大的nandflash，部有多個chip，每個chip有多個plane。這類的nandflash，往往也有更加高級的功能，比如下面要介紹的MultiPlaneProgram和InterleavePageProgram等。比如，型號為K9K8G08U0A這個芯片（chip），部有:K9F4G08U0A(256MB):Plane(1Gb),Plane(1Gb)K9F4G08U0A(256MB):Plane(1Gb),Plane(1Gb)K9WAG08U1A，部包含了2個K9K8G08U0AK9NBG08U5A，部包含了4個K9K8G08U0A【Flash名稱的由來】Flash的擦除操作是以block塊為單位的，與此相對應的是其他很多存儲設備，是以bit位為最小讀取/寫入的單位，F(xiàn)lash是一次性地擦除整個塊：在發(fā)送一個擦除命令后，一次性地將一個block，常見的塊的大小是128KB/256KB。。，全部擦除為1，也就是里面的容全部都是0*FF了，由于是一下子就擦除了，相對來說，擦除用的時間很短，可以用一閃而過來形容，所以，叫做FlashMemory。中文有的翻譯為（快速）閃存。【Flash相對于普通設備的特殊性】1.上面提到過的，F(xiàn)lash最小操作單位，有些特殊。一般設備，比如硬盤/存，讀取和寫入都是以bit位為單位，讀取一個bit的值，將*個值寫入對應的地址的位，都是可以按位操作的。但是Flash由于物理特性，使得部存儲的數(shù)據(jù)，只能從1變成0，這點，可以從前面的部實現(xiàn)機制了解到，只是方便統(tǒng)一充電，不方便單獨的存儲單元去放電，所以才說，只能從1變成0，也就是釋放電荷。所以，總結一下Flash的特殊性如下：普通設備(硬盤/存等)Flash讀取/寫入的叫法讀取/寫入讀取/編程(Program)①讀取/寫入的最小單位Bit/位Page/頁擦除(Erase)操作的最小單位Bit/位Block/塊②擦除操作的含義將數(shù)據(jù)刪除/全部寫入0將整個塊都擦除成全是1，也就是里面的數(shù)據(jù)都是0*FF③對于寫操作直接寫即可在寫數(shù)據(jù)之前，要先擦除，然后再寫表2.Flash和普通設備相比所具有的特殊性注：①之所以將寫操作叫做編程，是因為，flash和之前的EPROM，EEPROM繼承發(fā)展而來，而之前的EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)，往里面寫入數(shù)據(jù)，就叫做編程Program，之所以這么稱呼，是因為其對數(shù)據(jù)的寫入，是需要用電去擦除/寫入的，就叫做編程。②對于目前常見的頁大小是2K/4K的NandFlash，其塊的大小有128KB/256KB/512KB等。而對于NorFlash，常見的塊大小有64K/32K等。③在寫數(shù)據(jù)之前，要先擦除，部就都變成0*FF了，然后才能寫入數(shù)據(jù)，也就是將對應位由1變成0。【NandFlash引腳(Pin)的說明】圖3.NandFlash引腳功能說明上圖是常見的NandFlash所擁有的引腳（Pin）所對應的功能，簡單翻譯如下：1.I/O0~I/O7：用于輸入地址/數(shù)據(jù)/命令，輸出數(shù)據(jù)2.CLE：mandLatchEnable，命令鎖存使能，在輸入命令之前，要先在模式寄存器中，設置CLE使能3.ALE：AddressLatchEnable，地址鎖存使能，在輸入地址之前，要先在模式寄存器中，設置ALE使能4.CE*：ChipEnable，芯片使能，在操作NandFlash之前，要先選中此芯片，才能操作5.RE*：ReadEnable，讀使能，在讀取數(shù)據(jù)之前，要先使CE＃有效。6.WE*：WriteEnable，寫使能,在寫取數(shù)據(jù)之前，要先使WE＃有效。7.WP*：WriteProtect，寫保護8.R/B*:Ready/BusyOutput,就緒/忙,主要用于在發(fā)送完編程/擦除命令后,檢測這些操作是否完成,忙,表示編程/擦除操作仍在進行中,就緒表示操作完成.9.Vcc：Power，電源10.Vss：Ground，接地：Non-Connection,未定義，未連接。[小常識]在數(shù)據(jù)手冊中，你常會看到，對于一個引腳定義，有些字母上面帶一橫杠的，那是說明此引腳/信號是低電平有效，比如你上面看到的RE頭上有個橫線，就是說明，此RE是低電平有效，此外，為了書寫方便，在字母后面加“?！?，也是表示低電平有效，比如我上面寫的CE＃；如果字母頭上啥都沒有，就是默認的高電平有效，比如上面的CLE，就是高電平有效?！緸楹涡枰狝LE和CLE】突然想明白了，NandFlash中,為何設計這么多的命令,把整個系統(tǒng)搞這么復雜的原因了:比如命令鎖存使能(mandLatchEnable,CLE)和地址鎖存使能(AddressLatchEnable，ALE)，那是因為，NandFlash就8個I/O，而且是復用的，也就是，可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址，也可以傳命令，為了區(qū)分你當前傳入的到底是啥，所以，先要用發(fā)一個CLE（或ALE）命令，告訴nandFlash的控制器一聲，我下面要傳的是命令（或地址），這樣，里面才能根據(jù)傳入的容，進行對應的動作。否則,nandflash部,怎么知道你傳入的是數(shù)據(jù),還是地址,還是命令啊,也就無法實現(xiàn)正確的操作了.【NandFlash只有8個I/O引腳的好處】1.減少外圍引腳：相對于并口(Parellel)的NorFlash的48或52個引腳來說，的確是大大減小了引腳數(shù)目，這樣封裝后的芯片體積，就小很多?，F(xiàn)在芯片在向體積更小，功能更強，功耗更低發(fā)展，減小芯片體積，就是很大的優(yōu)勢。同時，減少芯片接口，也意味著使用此芯片的相關的外圍電路會更簡化，避免了繁瑣的硬件連線。2.提高系統(tǒng)的可擴展性，因為沒有像其他設備一樣用物理大小對應的完全數(shù)目的addr引腳，在芯片部換了芯片的大小等的改動，對于用全部的地址addr的引腳，則就會引起這些引腳數(shù)目的增加，比如容量擴大一倍，地址空間/尋址空間擴大一倍，所以，地址線數(shù)目/addr引腳數(shù)目，就要多加一個，而對于統(tǒng)一用8個I/O的引腳的NandFlash，由于對外提供的都是統(tǒng)一的8個引腳，部的芯片大小的變化或者其他的變化，對于外部使用者(比如編寫nandflash驅(qū)動的人)來說，不需要關心，只是保證新的芯片，還是遵循同樣的接口，同樣的時序，同樣的命令，就可以了。這樣就提高了系統(tǒng)的擴展性。【Nandflash的一些典型(typical)特性】1.頁擦除時間是200us，有些慢的有800us。2.塊擦除時間是1.5ms.3.頁數(shù)據(jù)讀取到數(shù)據(jù)寄存器的時間一般是20us。4.串行訪問（Serialaccess）讀取一個數(shù)據(jù)的時間是25ns，而一些舊的nandflash是30ns，甚至是50ns。5.輸入輸出端口是地址和數(shù)據(jù)以及命令一起multiple*復用的。以前老的NandFlash，編程/擦除時間比較短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而后來很多6.nandflash的編程/擦除的壽命，最多允許的次數(shù)，以前的nandflash多數(shù)是10K次，也就是1萬次，而現(xiàn)在很多新的nandflash，技術提高了，比如，Micron的MT29F1G**ABB，Numony*的NAND04G-B2D/NAND08G-B*C，都可以達到100K，也就是10萬次的編程/擦除。和之前常見的NorFlash達到同樣的使用壽命了。7.48引腳的TSOP1封裝或52引腳的ULGA封裝【NandFlash中的特殊硬件結構】由于nandflash相對其他常見設備來說，比較特殊，所以，特殊的設備，也有特殊的設計，所以，有些特殊的硬件特性，就有比較解釋一下：1.頁寄存器（PageRegister）：由于NandFlash讀取和編程操作來說，一般最小單位是頁，所以，nandflash在硬件設計時候，就考慮到這一特性，對于每一片，都有一個對應的區(qū)域，專門用于存放，將要寫入到物理存儲單元中去的或者剛從存儲單元中讀取出來的，一頁的數(shù)據(jù)，這個數(shù)據(jù)緩存區(qū)，本質(zhì)上就是一個buffer，但是只是名字叫法不同，datasheet里面叫做PageRegister，此處翻譯為頁寄存器，實際理解為頁緩存，更為恰當些。注意：只有寫到了這個頁緩存中，只有等你發(fā)了對應的編程第二階段的確認命令0*10之后，實際的編程動作才開始，才開始把頁緩存中的數(shù)據(jù)，一點點寫到物理存儲單元中去。所以，簡單總結一下就是，對于數(shù)據(jù)的流向，實際是經(jīng)過了如下步驟：圖4NandFlash讀寫時的數(shù)據(jù)流向【NandFlash中的壞塊(BadBlock)】NandFlash中，一個塊中含有1個或多個位是壞的，就成為其為壞塊。壞塊的穩(wěn)定性是無法保證的，也就是說，不能保證你寫入的數(shù)據(jù)是對的，或者寫入對了，讀出來也不一定對的。而正常的塊，肯定是寫入讀出都是正常的。壞塊有兩種：（1）一種是出廠的時候，也就是，你買到的新的，還沒用過的NandFlash，就可以包含了壞塊。此類出廠時就有的壞塊，被稱作factory(masked)badblock或initialbad/invalidblock，在出廠之前，就會做對應的標記，標為壞塊。具體標記的地方是，對于現(xiàn)在常見的頁大小為2K的NandFlash，是塊中第一個頁的oob起始位置（關于什么是頁和oob，下面會有詳細解釋）的第1個字節(jié)（舊的小頁面，pagesize是512B甚至256B的nandflash，壞塊標記是第6個字節(jié)），如果不是0*FF，就說明是壞塊。相對應的是，所有正常的塊，好的塊，里面所有數(shù)據(jù)都是0*FF的。（2）第二類叫做在使用過程中產(chǎn)生的，由于使用過程時間長了，在擦塊除的時候，出錯了，說明此塊壞了，也要在程序運行過程中，發(fā)現(xiàn)，并且標記成壞塊的。具體標記的位置，和上面一樣。這類塊叫做worn-outbadblock。對于壞塊的管理，在Linu*系統(tǒng)中，叫做壞塊管理（BBM，BadBlockManagment），對應的會有一個表去記錄好塊，壞塊的信息，以及壞塊是出廠就有的，還是后來使用產(chǎn)生的，這個表叫做壞塊表（BBT，BadBlockTable）。在Linu*核MTD架構下的NandFlash驅(qū)動，和Uboot中NandFlash驅(qū)動中，在加載完驅(qū)動之后，如果你沒有加入?yún)?shù)主動要求跳過壞塊掃描的話，則都會去主動掃描壞塊，建立必要的BBT的，以備后面壞塊管理所使用。而關于好塊和壞塊，NandFlash在出廠的時候，會做出保證：1.關于好的，可以使用的塊的數(shù)目達到一定的數(shù)目，比如三星的K9G8G08U0M，整個flash一共有4096個塊，出廠的時候，保證好的塊至少大于3996個，也就是意思是，你新買到這個型號的nandflash，最壞的可能，有3096－3996＝100個壞塊。不過，事實上，現(xiàn)在出廠時的壞塊，比較少，絕大多數(shù)，都是使用時間長了，在使用過程中出現(xiàn)的。2.保證第一個塊是好的，并且一般相對來說比較耐用。做此保證的主要原因是，很多NandFlash壞塊管理方法中，就是將第一個塊，用來存儲上面提到的BBT，否則，都是出錯幾率一樣的塊，則也就不太好管理了，連放BBT的地方，都不好找了，^_^。一般來說，不同型號的NandFlash的數(shù)據(jù)手冊中，也會提到，自己的這個nandflash，最多允許多少個壞塊。就比如上面提到的，三星的K9G8G08U0M，最多有100個壞塊。對于壞塊的標記，本質(zhì)上，也只是對應的flash上的*些字節(jié)的數(shù)據(jù)是非0*FF而已，所以，只要是數(shù)據(jù)，就是可以讀取和寫入的。也就意味著，可以寫入其他值，也就把這個壞塊標記信息破壞了。對于出廠時的壞塊，一般是不建議將標記好的信息擦除掉的。uboot中有個命令是“nandscrub”就可以將塊中所有的容都擦除了，包括壞塊標記，不論是出廠時的，還是后來使用過程中出現(xiàn)而新標記的。一般來說，不建議用這個。不過，我倒是經(jīng)常用，其實也沒啥大礙，呵呵。最好用“nanderase”只擦除好的塊，對于已經(jīng)標記壞塊的塊，不擦除?！緉andFlash中頁的訪問順序】在一個塊，對每一個頁進行編程的話，必須是順序的，而不能是隨機的。比如，一個塊中有128個頁，則你只能先對page0編程，再對page1編程，。。。。，而不能隨機的，比如先對page3，再page1，page2.，page0，page4，.。。?！酒x無關(CEdon’t-care)技術】很多Nandflash支持一個叫做CEdon’t-care的技術，字面意思就是，不關心是否片選，那有人會問了，如果不片選，那還能對其操作嗎？答案就是，這個技術，主要用在當時是不需要選中芯片卻還可以繼續(xù)操作的這些情況：在*些應用，比如錄音，音頻播放等應用，中，外部使用的微秒（us）級的時鐘周期，此處假設是比較少的2us，在進行讀取一頁或者對頁編程時，是對NandFlash操作，這樣的串行（SerialAccess）訪問的周期都是20/30/50ns，都是納秒（ns）級的，此處假設是50ns，當你已經(jīng)發(fā)了對應的讀或?qū)懙拿钪?，接下來只是需要NandFlash部去自己操作，將數(shù)據(jù)讀取除了或?qū)懭脒M去到部的數(shù)據(jù)寄存器中而已，此處，如果可以把片選取消，CE*是低電平有效，取消片選就是拉高電平，這樣會在下一個外部命令發(fā)送過來之前，即微秒量級的時間里面，即2us－50ns≈2us，這段時間的取消片選，可以降低很少的系統(tǒng)功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整體的功耗了?？偨Y起來簡單解釋就是：由于*些外部應用的頻率比較低，而NandFlash部操作速度比較快，所以具體讀寫操作的大部分時間里面，都是在等待外部命令的輸入，同時卻選中芯片，產(chǎn)生了多余的功耗，此“不關心片選”技術，就是在NandFlash的部的相對快速的操作（讀或?qū)懀┩瓿芍螅腿∠x，以節(jié)省系統(tǒng)功耗。待下次外部命令/數(shù)據(jù)/地址輸入來的時候，再選中芯片，即可正常繼續(xù)操作了。這樣，整體上，就可以大大降低系統(tǒng)功耗了。注:NandFlash的片選與否，功耗差別會有很大。如果數(shù)據(jù)沒有記錯的話，我之前遇到我們系統(tǒng)里面的nandflash的片選，大概有5個mA的電流輸出呢，要知道，整個系統(tǒng)優(yōu)化之后的待機功耗，也才10個mA左右的?！編DC的拷回操作以及Sector的定義（Copy-BackOperationwithEDC&SectorDefinitionforEDC）】Copy-Back功能，簡單的說就是，將一個頁的數(shù)據(jù)，拷貝到另一個頁。如果沒有Copy-Back功能，則正常的做法就是，先要將那個頁的數(shù)據(jù)拷貝出來放到存的數(shù)據(jù)buffer中，讀出來之后，再用寫命令將這頁的數(shù)據(jù)，寫到新的頁里面。而Copy-Back功能的好處在于，不需要用到外部的存儲空間，不需要讀出來放到外部的buffer里面，而是可以直接讀取數(shù)據(jù)到部的頁寄存器（pageregister）然后寫到新的頁里面去。而且，為了保證數(shù)據(jù)的正確，要硬件支持EDC（ErrorDetectionCode）的，否則，在數(shù)據(jù)的拷貝過程中，可能會出現(xiàn)錯誤，并且拷貝次數(shù)多了，可能會累積更多錯誤。而對于錯誤檢測來說，硬件一般支持的是512字節(jié)數(shù)據(jù)，對應有16字節(jié)用來存放校驗產(chǎn)生的ECC數(shù)值，而這512字節(jié)一般叫做一個扇區(qū)。對于2K＋64字節(jié)大小的頁來說，按照512字節(jié)分，分別叫做A，B，C，D區(qū)，而后面的64字節(jié)的oob區(qū)域，按照16字節(jié)一個區(qū)，分別叫做E，F(xiàn)，G，H區(qū)，對應存放A，B，C，D數(shù)據(jù)區(qū)的ECC的值。總結：512+162K+64：ABCD-EFGH區(qū)Copy-Back編程的主要作用在于，去掉了數(shù)據(jù)串行讀取出來，再串行寫入進去的時間，所以，這部分操作，是比較耗時的，所以此技術可以提高編程效率，提高系統(tǒng)整體性能。【多片同時編程(SimultaneouslyProgramMultiPlane)】對于有些新出的NandFlash，支持同時對多個片進行編程，比如上面提到的三星的K9K8G08U0A，部包含4片(Plane)，分別叫做Plane0，Plane1，Plane2，Plane3。.由于硬件上，對于每一個Plane，都有對應的大小是2048+64=2112字節(jié)的頁寄存器（PageRegister），使得同時支持多個Plane編程成為可能。K9K8G08U0A支持同時對2個Plane進行編程。不過要注意的是，只能對Plane0和Plane1或者Plane2和Plane3，同時編程，而不支持Plane0和Plane2同時編程?！窘诲e頁編程（InterleavePageProgram）】多片同時編程，是針對一個chip里面的多個Plane來說的，而此處的交錯頁編程，是指對多個chip而言的。可以先對一個chip，假設叫chip1，里面的一頁進行編程，然后此時，chip1部就開始將數(shù)據(jù)一點點寫到頁里面，就出于忙的狀態(tài)了，而此時可以利用這個時間，對出于就緒狀態(tài)的chip2，也進行頁編程，發(fā)送對應的命令后，chip2部也就開始慢慢的寫數(shù)據(jù)到存儲單元里面去了，也出于忙的狀態(tài)了。此時，再去檢查chip1，如果編程完成了，就可以開始下一頁的編程了，然后發(fā)完命令后，就讓其部慢慢的編程吧，再去檢查chip2，如果也是編程完了，也就可以進行接下來的其他頁的編程了。如此，交互操作chip1和chip2，就可以有效地利用時間，使得整體編程效率提高近2倍，大大提高nandflash的編程/擦寫速度了。【隨機輸出頁數(shù)據(jù)（RandomDataOutputInaPage）】在介紹此特性之前，先要說說，與RandomDataOutputInaPage相對應的是，普通的，正常的，sequentialdataoutputinapage。正常情況下，我們讀取數(shù)據(jù)，都是先發(fā)讀命令，然后等待數(shù)據(jù)從存儲單元到部的頁數(shù)據(jù)寄存器中后，我們通過不斷地將RE*(ReadEnale，低電平有效)置低，然后從我們開始傳入的列的起始地址，一點點讀出我們要的數(shù)據(jù)，直到頁的末尾，當然有可能還沒到頁地址的末尾，就不再讀了。所謂的順序（sequential）讀取也就是，根據(jù)你之前發(fā)送的列地址的起始地址開始，每讀一個字節(jié)的數(shù)據(jù)出來，部的數(shù)據(jù)指針就加1，移到下個字節(jié)的地址，然后你再讀下一個字節(jié)數(shù)據(jù)，就可以讀出來你要的數(shù)據(jù)了，直到讀取全部的數(shù)據(jù)出來為止。而此處的隨機（random）讀取，就是在你正常的順序讀取的過程中，先發(fā)一個隨機讀取的開始命令0*05命令，再傳入你要將部那個數(shù)據(jù)指針定位到具體什么地址，也就是2個cycle的列地址，然后再發(fā)隨機讀取結束命令0*E0，然后，部那個數(shù)據(jù)地址指針，就會移動到你所制定的位置了，你接下來再讀取的數(shù)據(jù)，就是從那個制定地址開始的數(shù)據(jù)了。而nandflash數(shù)據(jù)手冊里面也說了，這樣的隨機讀取，你可以多次操作，沒限制的。請注意，上面你所傳入的地址，都是列地址，也就是頁地址，也就是說，對于頁大小為2K的nandflash來說，所傳入的地址，應該是小于2048+64＝2112的。不過，實際在nandflash的使用中，好像這種用法很少的。絕大多數(shù)，都是順序讀取數(shù)據(jù)。【頁編程（寫操作）】Nandflash的寫操作叫做編程Program，編程，一般情況下，是以頁為單位的。有的NandFlash，比如K9K8G08U0A，支持部分頁編程，但是有一些限制：在同一個頁的，連續(xù)的部分頁的編程，不能超過4次。一般情況下，很少使用到部分頁編程，都是以頁為單位進行編程操作的。一個操作，用兩個命令去實現(xiàn)，看起來是多余，效率不高，但是實際上，有其特殊考慮，至少對于塊擦除來說，開始的命令0*60是擦除設置命令(erasesetupman)，然后傳入要擦除的塊地址，然后再傳入擦除確認命令（eraseconfirmmand）0*D0，以開始擦除的操作。這種，分兩步：開始設置，最后確認的命令方式，是為了避免由于外部由于無意的/未預料而產(chǎn)生的噪音，比如，，此時，即使被nandflash誤認為是擦除操作，但是沒有之后的確認操作0*D0，nandflash就不會去擦除數(shù)據(jù)，這樣使得數(shù)據(jù)更安全，不會由于噪音而誤操作。分類:Flash驅(qū)動【讀（read）操作過程詳解】以最簡單的read操作為例，解釋如何理解時序圖，以及將時序圖中的要求，轉(zhuǎn)化為代碼。解釋時序圖之前，讓我們先要搞清楚，我們要做的事情：那就是，要從nandflash的*個頁里面，讀取我們要的數(shù)據(jù)。要實現(xiàn)此功能，會涉及到幾部分的知識，至少很容易想到的就是：需要用到哪些命令，怎么發(fā)這些命令，怎么計算所需要的地址，怎么讀取我們要的數(shù)據(jù)等等。下面，就一步步的解釋，需要做什么，以及如何去做：1.需要使用何種命令首先，是要了解，對于讀取數(shù)據(jù)，要用什么命令。下面是datasheet中的命令集合：圖5.NandFlashK9K8G08U0A的命令集合很容易看出，我們要讀取數(shù)據(jù)，要用到Read命令，該命令需要2個周期，第一個周期發(fā)0*00，第二個周期發(fā)0*30。2.發(fā)送命令前的準備工作以及時序圖各個信號的具體含義知道了用何命令后，再去了解如何發(fā)送這些命令。[小常識]在開始解釋前，多羅嗦一下”使能”這個詞，以便有些讀者和我以前一樣，在聽這類雖然對于*些專業(yè)人士說是屬于最基本的詞匯了，但是對于初次接觸，或者接觸不多的人來說，聽多了，容易被搞得一頭霧水：使能（Enable），是指使其（*個信號）有效，使其生效的意思，“使其”“能夠”怎么怎么樣。。。。比如，上面圖中的CLE線號，是高電平有效，如果此時將其設為高電平，我們就叫做，將CLE使能，也就是使其生效的意思。圖6.NandFlash數(shù)據(jù)讀取操作的時序圖注：此圖來自三星的型號K9K8G08U0A的nandflash的數(shù)據(jù)手冊(datasheet)。我們來一起看看，我在圖6中的特意標注的①邊上的黃色豎線。黃色豎線所處的時刻，是在發(fā)送讀操作的第一個周期的命令0*00之前的那一刻。讓我們看看，在那一刻，其所穿過好幾行都對應什么值，以及進一步理解，為何要那個值。（1）黃色豎線穿過的第一行，是CLE。還記得前面介紹命令所存使能（CLE）那個引腳吧？CLE，將CLE置1，就說明你將要通過I/O復用端口發(fā)送進入NandFlash的，是命令，而不是地址或者其他類型的數(shù)據(jù)。只有這樣將CLE置1，使其有效，才能去通知了部硬件邏輯，你接下來將收到的是命令，部硬件邏輯，才會將受到的命令，放到命令寄存器中，才能實現(xiàn)后面正確的操作，否則，不去將CLE置1使其有效，硬件會無所適從，不知道你傳入的到底是數(shù)據(jù)還是命令了。（2）而第二行，是CE*，那一刻的值是0。這個道理很簡單，你既然要向NandFlash發(fā)命令，則先要選中它，所以，要保證CE*為低電平，使其有效，也就是片選有效。（3）第三行是WE*，意思是寫使能。因為接下來是往nandFlash里面寫命令，所以，要使得WE*有效，所以設為低電平。（4）第四行，是ALE是低電平，而ALE是高電平有效，此時意思就是使其無效。而對應地，前面介紹的，使CLE有效，因為將要數(shù)據(jù)的是命令，而不是地址。如果在其他*些場合，比如接下來的要輸入地址的時候，就要使其有效，而使CLE無效了。（5）第五行，RE*，此時是高電平，無效。可以看到，知道后面低6階段，才變成低電平，才有效，因為那時候，要發(fā)生讀取命令，去讀取數(shù)據(jù)。（6）第六行，就是我們重點要介紹的，復用的輸入輸出I/O端口了，此刻，還沒有輸入數(shù)據(jù)，接下來，在不同的階段，會輸入或輸出不同的數(shù)據(jù)/地址。（7）第七行，R/B*,高電平，表示R（Ready）/就緒，因為到了后面的第5階段，硬件部，在第四階段，接受了外界的讀取命令后，把該頁的數(shù)據(jù)一點點送到頁寄存器中，這段時間，屬于系統(tǒng)在忙著干活，屬于忙的階段，所以，R/B*才變成低，表示Busy忙的狀態(tài)的。介紹了時刻①的各個信號的值，以及為何是這個值之后，相信，后面的各個時刻，對應的不同信號的各個值，大家就會自己慢慢分析了，也就容易理解具體的操作順序和原理了。3.如何計算出，我們要傳入的地址在介紹具體讀取數(shù)據(jù)的詳細流程之前，還要做一件事，那就是，先要搞懂我們要訪問的地址，以及這些地址，如何分解后，一點點傳入進去，使得硬件能識別才行。此處還是以K9K8G08U0A為例，此nandflash，一共有8192個塊，每個塊有64頁，每個頁是2K+64Bytes，假設，我們要訪問其中的第7000個塊中的第25頁中的1208字節(jié)處的地址，此時，我們就要先把具體的地址算出來：物理地址=塊大小×塊號+頁大小×頁號+頁地址=7000×128K+64×2K+1208=0*36B204B8,接下來，我們就看看，怎么才能把這個實際的物理地址，轉(zhuǎn)化為nandFlash所要求的格式。在解釋地址組成之前，先要來看看其datasheet中關于地址周期的介紹：圖7NandFlash的地址周期組成結合圖7和圖5中的2，3階段，我們可以看出，此nandflash地址周期共有5個，2個列(Column)周期，3個行（Row）周期。而對于對應地，我們可以看出，實際上，列地址A0~A10，就是頁地址，地址圍是從0到2047，而對出的A11，理論上可以表示2048～4095，但是實際上，我們最多也只用到了2048～2112，用于表示頁的oob區(qū)域，其大小是64字節(jié)。A12～A30，稱作頁號，頁的，可以定位到具體是哪一個頁。而其中，A18～A30，表示對應的塊號，即屬于哪個塊。//可見：地址的傳輸順序是是頁地址，頁號，塊號。從小到大。簡單解釋完了地址組成，則就很容易分析上面例子中的地址了：0*36B204B8=00110110101100100000010010111000，分別分配到5個地址周期就是：1st周期，A7～A0：10111000=0*B82nd周期，A11～A8：00000100=0*043rd周期，A19～A12：00100000=0*204th周期，A27～A20：01101011=0*6B5th周期，A30～A28：00000011=0*03注意，與圖7中對應的，*L，意思是低電平，由于未用到那些位，datasheet中強制要求設為0，所以，才有上面的2nd周期中的高4位是0000.其他的A30之后的位也是類似原理，都是0。因此，接下來要介紹的，我們要訪問第7000個塊中的第25頁中的1208字節(jié)處的話，所要傳入的地址就是分5個周期，分別傳入兩個列地址的：0*B8，0*04，然后再傳3個行地址的：0*20，0*6B，0*03，這樣硬件才能識別。4.讀操作過程的解釋準備工作終于完了，下面就可以開始解釋說明，對于讀操作的，上面圖中標出來的，1-6個階段，具體是什么含義。（1）操作準備階段：此處是讀（Read）操作，所以，先發(fā)一個圖5中讀命令的第一個階段的0*00,表示，讓硬件先準備一下，接下來的操作是讀。（2）發(fā)送兩個周期的列地址。也就是頁地址，表示，我要從一個頁的什么位置開始讀取數(shù)據(jù)。（3）接下來再傳入三個行地址。對應的也就是頁號。（4）然后再發(fā)一個讀操作的第二個周期的命令0*30。接下來，就是硬件部自己的事情了。（5）NandFlash部硬件邏輯，負責去按照你的要求，根據(jù)傳入的地址，找到哪個塊中的哪個頁，然后把整個這一頁的數(shù)據(jù)，都一點點搬運到頁緩存中去。而在此期間，你所能做的事，也就只需要去讀取狀態(tài)寄存器，看看對應的位的值，也就是R/B*那一位，是1還是0，0的話，就表示，系統(tǒng)是busy，仍在”忙“（著讀取數(shù)據(jù)），如果是1，就說系統(tǒng)活干完了，忙清了，已經(jīng)把整個頁的數(shù)據(jù)都搬運到頁緩存里去了，你可以接下來讀取你要的數(shù)據(jù)了。對于這里。估計有人會問了，這一個頁一共2048+64字節(jié)，如果我傳入的頁地址，就像上面給的1028一類的值，只是想讀取1028到2011這部分數(shù)據(jù)，而不是頁開始的0地址整個頁的數(shù)據(jù)，則部硬件卻讀取整個頁的數(shù)據(jù)出來，豈不是很浪費嗎？答案是，的確很浪費，效率看起來不高，但是實際就是這么做的，而且本身讀取整個頁的數(shù)據(jù)，相對時間并不長，而且讀出來之后，部數(shù)據(jù)指針會定位到你剛才所制定的1208的那個位置。（6）接下來，就是你“竊取“系統(tǒng)忙了半天之后的勞動成果的時候了，呵呵。通過先去NandFlash的控制器中的數(shù)據(jù)寄存器中寫入你要讀取多少個字節(jié)(byte)/字(word)，然后就可以去NandFlash的控制器的FIFO中，一點點讀取你要的數(shù)據(jù)了。至此，整個NandFlash的讀操作就完成了。對于其他操作，可以根據(jù)我上面的分析，一點點自己去看datasheet，根據(jù)里面的時序圖去分析具體的操作過程，然后對照代碼，會更加清楚具體是如何實現(xiàn)的。【Flash的類型】Flash的類型主要分兩種，nandflash和norflash。除了網(wǎng)上最流行的這個解釋之外：NAND和NOR的比較再多說幾句：1.nor的成本相對高，具體讀寫數(shù)據(jù)時候，不容易出錯?？傮w上，比較適合應用于存儲少量的代碼。2.Nandflash相對成本低。使用中數(shù)據(jù)讀寫容易出錯，所以一般都需要有對應的軟件或者硬件的數(shù)據(jù)校驗算法，統(tǒng)稱為ECC。由于相對來說，容量大，價格便宜，因此適合用來存儲大量的數(shù)據(jù)。其在嵌入式系統(tǒng)中的作用，相當于PC上的硬盤，用于存儲大量數(shù)據(jù)。所以，一個常見的應用組合就是，用小容量的NorFlash存儲啟動代碼，比如uboot，系統(tǒng)啟動后,初始化對應的硬件，包括SDRAM等，然后將NandFlash上的Linu*核讀取到存中，做好該做的事情后，就跳轉(zhuǎn)到SDRAM中去執(zhí)行核了，然后核解壓（如果是壓縮核的話，否則就直接運行了）后，開始運行，在Linu*核啟動最后，去NandFlash上，掛載根文件，比如jffs2，yaffs2等，掛載完成，運行初始化腳本，啟動consle交互，才運行你通過console和核交互。至此完成整個系統(tǒng)啟動過程。而NorFlash存放的是Uboot，NandFlash存放的是Linu*的核鏡像和根文件系統(tǒng)，以及余下的空間分成一個數(shù)據(jù)區(qū)。Norflash，有類似于dram之類的地址總線，因此可以直接和CPU相連，CPU可以直接通過地址總線對norflash進行訪問，而nandflash沒有這類的總線，只有IO接口，只能通過IO接口發(fā)送命令和地址，對nandflash部數(shù)據(jù)進行訪問。相比之下，norflash就像是并行訪問，nandflash就是串行訪問，所以相對來說，前者的速度更快些。但是由于物理制程/制造方面的原因，導致nor和nand在一些具體操作方面的特性不同：表3NandFlash和NorFlash的區(qū)別1.理論上是可以的，而且也是有人驗證過可以的，只不過由于nandflash的物理特性，不能完全保證所讀取的數(shù)據(jù)/代碼是正確的，實際上，很少這么用而已。因為，如果真是要用到nandflash做*IP，則除了讀出速度慢之外，還要保證有數(shù)據(jù)的校驗，以保證讀出來的，將要執(zhí)行的代碼/數(shù)據(jù)，是正確的。否則，系統(tǒng)很容易就跑飛了。。。2.芯片執(zhí)行(*IP,e*ecuteInPlace):hi.baidu./serial_story/blog/item/adb20a2a3f8ffe3c5243c1df.html【NandFlash的種類】具體再分，又可以分為1)BareNANDchips：裸片，單獨的nand芯片2)SmartMediaCards：=裸片+一層薄塑料，常用于數(shù)碼相機和MP3播放器中。之所以稱smart，是由于其軟件smart，而不是硬件本身有啥smart之處。^_^3)DiskOnChip：裸片+gluelogic，gluelogic=硬件ECC產(chǎn)生器+用于靜態(tài)的nand芯片控制的寄存器+直接訪問一小片地址窗口，那塊地址中包含了引導代碼的stub樁，其可以從nandflash中拷貝真正的引導代碼?！緎parearea/oob】Nand由于最初硬件設計時候考慮到，額外的錯誤校驗等需要空間，專門對應每個頁，額外設計了叫做sparearea空區(qū)域，在其他地方，比如jffs2文件系統(tǒng)中，也叫做oob（outofband）數(shù)據(jù)。其具體用途，總結起來有：1.標記是否是壞快2.存儲ECC數(shù)據(jù)3.存儲一些和文件系統(tǒng)相關的數(shù)據(jù)，如jffs2就會用到這些空間存儲一些特定信息，yaffs2文件系統(tǒng)，會在oob中，存放很多和自己文件系統(tǒng)相關的信息?！敬婕夹g設備，MTD（MemoryTechnologyDevice）】MTD，是Linu*的存儲設備中的一個子系統(tǒng)。其設計此系統(tǒng)的目的是，對于存類的設備，提供一個抽象層，一個接口，使得對于硬件驅(qū)動設計者來說，可以盡量少的去關心存儲格式，比如FTL，F(xiàn)FS2等，而只需要去提供最簡單的底層硬件設備的讀/寫/擦除函數(shù)就可以了。而對于數(shù)據(jù)對于上層使用者來說是如何表示的，硬件驅(qū)動設計者可以不關心，而MTD存儲設備子系統(tǒng)都幫你做好了。對于MTD字系統(tǒng)的好處，簡單解釋就是，他幫助你實現(xiàn)了，很多對于以前或者其他系統(tǒng)來說，本來也是你驅(qū)動設計者要去實現(xiàn)的很多功能。換句話說，有了MTD，使得你設計NandFlash的驅(qū)動，所要做的事情，要少很多很多，因為大部分工作，都由MTD幫你做好了。當然，這個好處的一個“副作用”就是，使得我們不了解的人去理解整個Linu*驅(qū)動架構，以及MTD，變得更加復雜。但是，總的說，覺得是利遠遠大于弊，否則，就不僅需要你理解，而且還是做更多的工作，實現(xiàn)更多的功能了。此外，還有一個重要的原因，那就是，前面提到的nandflash和普通硬盤等設備的特殊性：有限的通過出復用來實現(xiàn)輸入輸出命令和地址/數(shù)據(jù)等的IO接口，最小單位是頁而不是常見的bit，寫前需擦除等，導致了這類設備，不能像平常對待硬盤等操作一樣去操作，只能采取一些特殊方法，這就誕生了MTD設備的統(tǒng)一抽象層。MTD，將nandflash，norflash和其他類型的flash等設備，統(tǒng)一抽象成MTD設備來管理，根據(jù)這些設備的特點，上層實現(xiàn)了常見的操作函數(shù)封裝，底層具體的部實現(xiàn)，就需要驅(qū)動設計者自己來實現(xiàn)了。具體的部硬件設備的讀/寫/擦除函數(shù)，那就是你必須實現(xiàn)的了。表4.MTD設備和硬盤設備之間的區(qū)別==========

多說一句，關于MTD更多的容，感興趣的，去附錄中的MTD的主頁去看。關于mtd設備驅(qū)動，感興趣的可以去參考MTD原始設備與FLASH硬件驅(qū)動的對話MTD原始設備與FLASH硬件驅(qū)動的對話-續(xù)那里，算是比較詳細地介紹了整個流程，方便大家理解整個mtd框架和nandflash驅(qū)動。【Nandflash驅(qū)動工作原理】在介紹具體如何寫NandFlash驅(qū)動之前，我們先要了解，大概的，整個系統(tǒng)，和NandFlash相關的部分的驅(qū)動工作流程，這樣，對于后面的驅(qū)動實現(xiàn)，才能更加清楚機制，才更容易實現(xiàn)，否則就是，即使寫完了代碼，也還是沒搞懂系統(tǒng)是如何工作的了。讓我們以最常見的，Linu*核中已經(jīng)有的三星的NandFlash驅(qū)動，來解釋NandFlash驅(qū)動具體流程和原理。此處是參考版本的Linu*源碼中的\drivers\mtd\nand\s3c2410.c，以2410為例。1.在nandflash驅(qū)動加載后，第一步，調(diào)用對應的init函數(shù)s3c2410_nand_init:去將nandflash驅(qū)動注冊到Linu*驅(qū)動框架中。2.驅(qū)動本身真正的開始，是從probe函數(shù)：s3c2410_nand_probe->s3c24**_nand_probe,

在probe過程中：clk_enable//打開nandflash控制器的clock時鐘，request_mem_region//去申請驅(qū)動所需要的一些存等相關資源。s3c2410_nand_inithw//去初始化硬件相關的部分，主要是關于時鐘頻率的計算，以及啟用nandflash控制器，使得硬件初始化好了，后面才能正常工作。3.需要多解釋一下的，是這部分代碼：for(setno=0;setno<nr_sets;setno++,nmtd++){

pr_debug("initialisingset%d(%p,info%p)\n",setno,nmtd,info);/*調(diào)用initchip去掛載你的nand驅(qū)動的底層函數(shù)到"nandflash的結構體"中，以及設置對應的"eccmode"，掛載ecc相關的函數(shù)*/s3c2410_nand_init_chip(info,nmtd,sets);/*scan_ident，掃描nand設備，設置nandflash的默認函數(shù)，獲得物理設備的具體型號以及對應各個特性參數(shù)，這部分算出來的一些值，對于nandflash來說，是最主要的參數(shù)，比如nandflash的芯片的大小，塊大小，頁大小等。*/nmtd->scan_res=nand_scan_ident(&nmtd->mtd,(sets)"sets->nr_chips:1);if(nmtd->scan_res==0){

s3c2410_nand_update_chip(info,nmtd);/*掃描的后一階段，經(jīng)過前面的scan_ident，我們已經(jīng)獲得對應nandflash的硬件的各個參數(shù)，*然后就可以在scantail中，根據(jù)這些參數(shù)，去設置其他一些重要參數(shù)，尤其是ecc的layout，即ecc是如何在oob中擺放的，*最后，再去進行一些初始化操作，主要是根據(jù)你的驅(qū)動，如果沒有實現(xiàn)一些函數(shù)的話，則就用系統(tǒng)默認的。*/nand_scan_tail(&nmtd->mtd);/*addpartion，根據(jù)你的nandflash的分區(qū)設置，去分區(qū)*/s3c2410_nand_add_partition(info,nmtd,sets);

}

if(sets!=NULL)

sets++;

}4.等所有的參數(shù)都計算好了，函數(shù)都掛載完畢，系統(tǒng)就可以正常工作了。上層訪問你的nandfalsh中的數(shù)據(jù)的時候，通過MTD層，一層層調(diào)用，最后調(diào)用到你所實現(xiàn)的那些底層訪問硬件數(shù)據(jù)/緩存的函數(shù)中?！綥inu*下nandflash驅(qū)動編寫步驟簡介】關于上面提到的，在nand_scan_tail的時候，系統(tǒng)會根據(jù)你的驅(qū)動，如果沒有實現(xiàn)一些函數(shù)的話，則就用系統(tǒng)默認的。如果實現(xiàn)了自己的函數(shù)，就用你的。"則到底我要實現(xiàn)哪些函數(shù)呢，而又有哪些是可以不實現(xiàn)，用系統(tǒng)默認的就可以了呢。"此問題的，就是我們下面要介紹的，也就是，你要實現(xiàn)的，你的驅(qū)動最少要做哪些工作，才能使整個nandflash工作起來。1.對于驅(qū)動框架部分其實，要了解，關于驅(qū)動框架部分，你所要做的事情的話，只要看看三星的整個nandflash驅(qū)動中的這個結構體，就差不多了：staticstructplatform_drivers3c2410_nand_driver={

.probe=s3c2410_nand_probe,

.remove=s3c2410_nand_remove,

.suspend=s3c24**_nand_suspend,

.resume=s3c24**_nand_resume,

.driver={

.name="s3c2410-nand",

.owner=THIS_MODULE,

},

};對于上面這個結構體，沒多少要解釋的。從名字，就能看出來：（1）probe就是系統(tǒng)“探測”，就是前面解釋的整個過程，這個過程中的多數(shù)步驟，都是和你自己的nandflash相關的，尤其是那些硬件初始化部分，是你必須要自己實現(xiàn)的。（2）remove，就是和probe對應的，“反初始化”相關的動作。主要是釋放系統(tǒng)相關資源和關閉硬件的時鐘等常見操作了。（3）suspend和resume，對于很多沒用到電源管理的情況下，至少對于我們剛開始寫基本的驅(qū)動的時候，可以不用關心，放個空函數(shù)即可。2.對于nandflash底層操作實現(xiàn)部分而對于底層硬件操作的有些函數(shù)，總體上說，都可以在上面提到的s3c2410_nand_init_chip中找到：staticvoids3c2410_nand_init_chip(structs3c2410_nand_info*info,

structs3c2410_nand_mtd*nmtd,//主要是完善該結構體structs3c2410_nand_set*set)

{structnand_chip*chip=&nmtd->chip;

void__iomem*regs=info->regs;chip->write_buf=s3c2410_nand_write_buf;

chip->read_buf=s3c2410_nand_read_buf;

chip->select_chip=s3c2410_nand_select_chip;

chip->chip_delay=50;

chip->priv=nmtd;

chip->options=0;

chip->controller=&info->controller;switch(info->cpu_type){

caseTYPE_S3C2410:/*nandflas