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基于ibis模型的信號(hào)上升時(shí)間對(duì)信號(hào)完整性的影響
在高速電路的信號(hào)完整性方面,人們習(xí)慣于直觀地分析信號(hào)頻率。對(duì)于高速電路有一個(gè)比較流行的定義:當(dāng)數(shù)字邏輯電路的頻率達(dá)到或超過(guò)45~50MHz,且工作在這個(gè)頻率之上的電路占整個(gè)電路的1/3以上時(shí),就稱(chēng)為高速電路。這是純粹從信號(hào)頻率的角度來(lái)判斷是否會(huì)出現(xiàn)信號(hào)完整性問(wèn)題(SignalIntegrity,SI),但實(shí)際上這種說(shuō)法是有問(wèn)題的。因?yàn)樵诋?dāng)今的高速電路設(shè)計(jì)中,即使是一些工作在20MHz時(shí)鐘頻率的產(chǎn)品,仍然有可能會(huì)碰到一些200MHz系統(tǒng)具有的SI問(wèn)題。事實(shí)上,信號(hào)頻率對(duì)高速電路信號(hào)完整性的影響只是很小一部分,信號(hào)完整性問(wèn)題的根源在于信號(hào)的上升或下降時(shí)間。在低速時(shí)代,電平跳變時(shí)信號(hào)上升時(shí)間較長(zhǎng),通常有幾個(gè)納秒,互連線不至于影響電路功能。但隨著芯片制造工藝的改進(jìn),晶體溝道長(zhǎng)度大大減小,信號(hào)的上升或下降時(shí)間已經(jīng)縮短到百皮秒級(jí)別,而且還將進(jìn)一步縮短。不管信號(hào)頻率如何,幾乎所有設(shè)計(jì)都會(huì)遇到信號(hào)完整性問(wèn)題。1信號(hào)上升時(shí)間tr在進(jìn)行高速數(shù)字設(shè)計(jì)之前,必須明白一個(gè)問(wèn)題,即多高的頻率范圍對(duì)于高速數(shù)字設(shè)計(jì)才重要。這就牽扯到了一個(gè)重要的概念:轉(zhuǎn)折頻率(TheKneeFrequency)。轉(zhuǎn)折頻率的定義為:Fknee=0.5/Τr(1)Fknee=0.5/Tr(1)式中:Fknee為轉(zhuǎn)折頻率;Tr為信號(hào)上升時(shí)間。Fknee的重要意義在于:(1)數(shù)字脈沖的大部分能量集中在Fknee頻率以下;(2)數(shù)字電路在Fknee頻率以上的頻率特性對(duì)于它處理數(shù)字信號(hào)幾乎沒(méi)有影響。也就是說(shuō)任何數(shù)字信號(hào)的重要特性主要由Fknee頻率以下的信號(hào)頻譜決定,對(duì)于信號(hào)傳播的整個(gè)路徑,如果要正確地傳輸信號(hào)上升時(shí)間為T(mén)r的數(shù)字信號(hào),其頻率響應(yīng)至少在Fknee之前都應(yīng)當(dāng)是平坦的。如果Fknee之前某個(gè)頻段的頻率響應(yīng)不是平坦的,在接收端的信號(hào)就可能出現(xiàn)過(guò)沖、下沖、振鈴或串?dāng)_等信號(hào)完整性問(wèn)題。由式(1)可以看出,轉(zhuǎn)折頻率Fknee只取決于信號(hào)上升時(shí)間Tr,而跟電路的其他參數(shù)沒(méi)有任何直接聯(lián)系。信號(hào)上升時(shí)間Tr越短,轉(zhuǎn)折頻率Fknee就越高,對(duì)電路信號(hào)完整性造成影響的頻率范圍就越寬,使得信號(hào)傳播的SI問(wèn)題更加嚴(yán)重。以上分析說(shuō)明了信號(hào)上升時(shí)間的減小是造成當(dāng)今電路設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性問(wèn)題越來(lái)越突出的根本原因。2信號(hào)上升時(shí)間的仿真在過(guò)去的低速時(shí)代,電平跳變時(shí)信號(hào)上升時(shí)間較長(zhǎng),器件間的互連線不至于影響電路的功能,沒(méi)必要關(guān)心信號(hào)完整性問(wèn)題。但在今天的高速時(shí)代,隨著IC信號(hào)上升時(shí)間的不斷減小,很多都在皮秒級(jí)別,不管信號(hào)頻率如何,信號(hào)沿互連線上的電氣特性已不可忽略,互連線必須作為傳輸線來(lái)對(duì)待,從而產(chǎn)生了很多以前沒(méi)有的信號(hào)完整性問(wèn)題。當(dāng)信號(hào)沿互連線傳播時(shí)所受的瞬態(tài)阻抗發(fā)生變化時(shí),就會(huì)產(chǎn)生反射。一般情況下,低阻抗的源端驅(qū)動(dòng)器和高阻抗的終端接收器不完全和傳輸線的特性阻抗匹配,信號(hào)將在驅(qū)動(dòng)器和接收器之間來(lái)回反彈,造成過(guò)沖、下沖及振鈴現(xiàn)象。當(dāng)導(dǎo)線很長(zhǎng)時(shí),多次反射會(huì)引起信號(hào)完整性問(wèn)題。若導(dǎo)線足夠短,那么雖然仍舊產(chǎn)生了反射,但它們卻被上升沿或下降沿掩蓋住了,信號(hào)波形沒(méi)有太大的改變,一般不會(huì)引起問(wèn)題。那么走線長(zhǎng)度就有一個(gè)臨界值,大于這個(gè)值,反射信號(hào)疊加在高電平處,就會(huì)引起信號(hào)完整性問(wèn)題,小于這個(gè)值,反射信號(hào)被上升沿或下降沿淹沒(méi),不會(huì)對(duì)信號(hào)完整性造成影響。這個(gè)臨界值就稱(chēng)為臨界長(zhǎng)度。圖1為在SigXplorer中建立的一個(gè)單傳輸線系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),驅(qū)動(dòng)端和負(fù)載端均未作任何端接,傳輸線時(shí)延Td=0.458ns,特性阻抗Z0=50Ω,信號(hào)頻率f=100MHz。保持電路其他參數(shù)不變,通過(guò)修改IBIS模型,將驅(qū)動(dòng)端信號(hào)上升時(shí)間Tr分別設(shè)定為2.29ns,0.916ns和0.229ns,并進(jìn)行仿真,得到仿真結(jié)果及負(fù)載端的波形如圖2所示。由表1及圖2可見(jiàn),隨著信號(hào)上升時(shí)間Tr的減小,反射造成的過(guò)沖迅速增大,噪聲容限迅速減小,信號(hào)質(zhì)量急劇惡化,信號(hào)完整性受到嚴(yán)重影響。如果Tr足夠大,如圖2所示Tr=2.29ns時(shí),信號(hào)波形沒(méi)有太大的改變,反射造成的過(guò)沖較小,噪聲容限較大,信號(hào)保持了較好的完整性,此時(shí)Td=20%Tr。通過(guò)以上分析和大量的實(shí)踐,得出一個(gè)粗略的經(jīng)驗(yàn)法則:當(dāng)傳輸線時(shí)延(Td)大于信號(hào)上升時(shí)間(Tr)的20%時(shí),傳輸線上由于阻抗不匹配而產(chǎn)生的反射噪聲就會(huì)影響到電路功能,必須采取阻抗匹配措施加以控制,否則它將是造成信號(hào)完整性問(wèn)題的隱患;當(dāng)傳輸線時(shí)延(Td)小于信號(hào)上升時(shí)間(Tr)的20%時(shí),反射噪聲很小,不會(huì)影響到電路功能,傳輸線不需要進(jìn)行阻抗匹配。因此,Td=20%Tr即為傳輸線的臨界長(zhǎng)度。通過(guò)修改IBIS模型,設(shè)定驅(qū)動(dòng)端信號(hào)上升時(shí)間Tr為0.229ns,設(shè)定傳輸線時(shí)延Td為0.1ns。保持信號(hào)上升時(shí)間及其他參數(shù)不變,設(shè)置驅(qū)動(dòng)端信號(hào)頻率分別為100MHz,300MHz,并進(jìn)行仿真,得到仿真結(jié)果及接收端的波形如表2、圖3所示。由圖3及表2可以看出,當(dāng)信號(hào)上升時(shí)間過(guò)短,使得傳輸線時(shí)延大于臨界長(zhǎng)度時(shí),無(wú)論信號(hào)頻率如何,都將發(fā)生嚴(yán)重的反射,且反射造成的過(guò)沖、下沖和振鈴的大小均未發(fā)生明顯變化。即使信號(hào)頻率很低,反射產(chǎn)生的過(guò)大的過(guò)沖及下沖也會(huì)極大的降低系統(tǒng)噪聲容限,甚至越過(guò)邏輯電平門(mén)限造成誤觸發(fā)??梢?jiàn),信號(hào)上升時(shí)間是造成PCB板上走線反射問(wèn)題的根本因素,如果信號(hào)上升時(shí)間很短,使得傳輸線時(shí)延大于臨界長(zhǎng)度,則即使信號(hào)頻率很低,也將發(fā)生嚴(yán)重的反射,必須采取阻抗匹配措施以減小其對(duì)信號(hào)完整性的影響。3感性耦合信號(hào)分析信號(hào)之間由于電磁場(chǎng)的相互耦合而產(chǎn)生的不期望的噪聲電壓信號(hào)稱(chēng)為串?dāng)_。其耦合機(jī)制主要分為容性耦合與感性耦合。容性耦合是由于干擾源上的電壓變化在被干擾對(duì)象上引起感應(yīng)電流從而導(dǎo)致的電磁干擾,而感性耦合則是由于干擾源上的電流變化產(chǎn)生的磁場(chǎng)在被干擾對(duì)象上引起感應(yīng)電壓從而導(dǎo)致的電磁干擾。其原理如圖4所示。本文的主要目的是說(shuō)明信號(hào)上升時(shí)間對(duì)串?dāng)_的影響,因此,為了簡(jiǎn)化分析,下面的分析都將基于以下兩點(diǎn)假設(shè):(1)受害線(VictimLine)上的耦合信號(hào)電壓或電流遠(yuǎn)小于攻擊線(AggressorLine)上的信號(hào),因此可以忽略受害線對(duì)攻擊線的反向串?dāng)_。(2)傳輸線的延時(shí)大于信號(hào)上升時(shí)間的一半:Td>Tr/2,即滿(mǎn)足反向串?dāng)_的飽和條件。3.1信號(hào)vtd圖4(a)是容性耦合的原理圖,Cm為單位長(zhǎng)度的互容,沿兩條傳輸線分布。當(dāng)兩條導(dǎo)線離得足夠近時(shí),電容將變得足夠大并使攻擊線耦合大量的能量到受害線。從傳輸線中取一小段Δx,當(dāng)有信號(hào)上升沿通過(guò)時(shí),它將通過(guò)位移電流向受害線注入電流。由于對(duì)稱(chēng)性,電流在受害線上被等分成相等的2部分,分別向前與向后傳播。在受害線上運(yùn)用基爾霍夫電流定律,可得:vbΖ0+vfΖ0=CmΔxdvsdt=CmΔxΔvΤr(2)vbZ0+vfZ0=CmΔxdvsdt=CmΔxΔvTr(2)式中:Δv是驅(qū)動(dòng)波形的階越幅度;Tr是驅(qū)動(dòng)波形的上升時(shí)間;由電壓連續(xù)性可得,vb=vf,即:vb=vf=12Ζ0CmΔxΔvΤr(3)vb=vf=12Z0CmΔxΔvTr(3)攻擊線在受害線上產(chǎn)生的脈沖寬度等于信號(hào)上升時(shí)間,并在受害線上分別向前與向后傳播,且極性都為正。由于信號(hào)本身與前向串?dāng)_的傳播方向和速度都一致,受害線上每一點(diǎn)的前向串?dāng)_將累加在一起,并在同一時(shí)間到達(dá)遠(yuǎn)端(FarEnd)。由式(3)可得,長(zhǎng)度為d的傳輸線,在遠(yuǎn)端的總噪聲為:vFE=12Ζ0CmdΔvΤr(4)vFE=12Z0CmdΔvTr(4)遠(yuǎn)端噪聲是一個(gè)單脈沖,其寬度近似等于攻擊線上信號(hào)的上升時(shí)間。由于攻擊線上的信號(hào)與受害線上的后向串?dāng)_傳輸方向相反,因此攻擊線能向疊加區(qū)域注入電流的長(zhǎng)度僅為信號(hào)上升時(shí)間Tr的一半。之后,后向串?dāng)_將幅度無(wú)變化地傳到近段。然而,由于這些后向串?dāng)_不斷地產(chǎn)生,故近端接收到串?dāng)_噪聲的持續(xù)時(shí)間為2Td,最后流到近端的串?dāng)_噪聲是由在遠(yuǎn)端產(chǎn)生的后向串?dāng)_傳回到近端的。式(3)中相互作用的距離為Δx=vp12ΤrΔx=vp12Tr,其中vp為相速度,代入式(3)得到近端噪聲為:vΝE=14Ζ0CmvpΔv(5)vNE=14Z0CmvpΔv(5)而Ζ0vp=√L/C√LC=1/CZ0vp=L/C√LC√=1/C,其中C為傳輸線單位長(zhǎng)度電容值,故有:vΝE=14CmCΔv(6)由以上可知,容性串?dāng)_使得受害線的遠(yuǎn)端產(chǎn)生一個(gè)短脈沖信號(hào),而在近段產(chǎn)生一個(gè)寬脈沖信號(hào),且遠(yuǎn)端和近段的脈沖極性都為正。3.2攻擊線上生成的前后耦合圖4(b)是感性耦合的原理圖,互感耦合發(fā)生在2個(gè)閉合信號(hào)回路之間。當(dāng)攻擊線上的電流發(fā)生變化時(shí),在受害線上將產(chǎn)生串?dāng)_電壓,并在受害線沿線激勵(lì)出電流,導(dǎo)致前向與后向串?dāng)_的極性不同。從傳輸線中取出很小一段,當(dāng)攻擊線上有電流流過(guò)時(shí),通過(guò)互感它將在受害線上感應(yīng)出串聯(lián)電壓。對(duì)受害線運(yùn)用基爾霍夫電壓定律,可得:vb=LmΔxdisdt+vf(7)由于電流連續(xù),故vbΖ0=-vfΖ0,消去vf并用is=vsΖ0替換后,可得后向波的幅度為:vb=12LmΖ0Δxdvsdt=12LmΖ0ΔxΔvΤr(8)同理,前向波的幅度為:vf=-12LmΖ0ΔxΔvΤr(9)攻擊信號(hào)在受害線上產(chǎn)生脈沖,它的寬度等于信號(hào)上升時(shí)間,并在受害線上分別向前與向后傳播。攻擊線上從低到高變換的波在受害線上產(chǎn)生一個(gè)正的后向脈沖與一個(gè)負(fù)的前向脈沖。與容性串?dāng)_推導(dǎo)相同,感性耦合前向串?dāng)_隨著攻擊信號(hào)上升沿向前傳播幅度不斷增加,并在同一時(shí)間到達(dá)遠(yuǎn)端,后向串?dāng)_由于與攻擊信號(hào)傳播方向相反,僅在上升沿的一半時(shí)間里積累噪聲幅度,感性串?dāng)_為:vFE=-12LmΖ0dΔvΤr(10)vΝE=14LmLΔv(11)感性串?dāng)_與容性串?dāng)_相似。遠(yuǎn)端產(chǎn)生短脈沖,而近端產(chǎn)生一個(gè)寬脈沖信號(hào)。不同之處在于,前向感性串?dāng)_與前向容性串?dāng)_的符號(hào)相反。3.3信號(hào)上升時(shí)間的影響一般情況下,容性串?dāng)_與感性串?dāng)_同時(shí)出現(xiàn),把式(6)與式(11)相加,可得近端串?dāng)_:vΝE=14(CmC+LmL)Δv(12)把式(4)與式(10)相加,可得遠(yuǎn)端串?dāng)_:vFE=12d(Ζ0Cm-LmΖ0)ΔvΤr(13)對(duì)于一個(gè)有著理想的完整地平面,且處于均勻介質(zhì)當(dāng)中的系統(tǒng),Ζ0Cm-LmΖ0=0,遠(yuǎn)端容性串?dāng)_和感性串?dāng)_將相互抵消,即沒(méi)有遠(yuǎn)端串?dāng)_噪聲。但在實(shí)際的電路中,很難有理想的完整地平面,所以遠(yuǎn)端串?dāng)_仍會(huì)存在。遠(yuǎn)端串?dāng)_是電磁耦合在幅度上累積的結(jié)果,其串?dāng)_電壓峰值一般遠(yuǎn)大于近段串?dāng)_,對(duì)信號(hào)完整性的危害最大,在串?dāng)_抑制中需要被重點(diǎn)考慮。由以上分析可知,只有跳變的信號(hào)才會(huì)引起容性耦合與感性耦合,所以串?dāng)_產(chǎn)生的根源在于信號(hào)的上升或下降時(shí)間。式(13)說(shuō)明信號(hào)上升時(shí)間決定了遠(yuǎn)端串?dāng)_電壓峰值的大小,信號(hào)上升時(shí)間越短,遠(yuǎn)端串?dāng)_噪聲越嚴(yán)重。為了簡(jiǎn)化分析,在SigXplorer中建立圖5所示的兩線耦合系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。傳輸線參數(shù)如圖中所示,TRACE1為攻擊線,TRACE2為受害線,OUT1為驅(qū)動(dòng)端,IN1為負(fù)載端,OUT2為近端,IN2為遠(yuǎn)端。保持電路其他參數(shù)不變,通過(guò)修改IBIS模型,設(shè)定驅(qū)動(dòng)端OUT1信號(hào)上升時(shí)間分別為4ns和0.2ns,并進(jìn)行串?dāng)_仿真,在受害線上得到的波形如圖6所示。由圖6可以看出,隨著驅(qū)動(dòng)端信號(hào)上升時(shí)間的縮短,受害線的遠(yuǎn)端串?dāng)_峰值由圖6(a)中的111mV上升到圖6(b)中的接近797mV。圖6的仿真結(jié)果都是基于干擾源信號(hào)頻率f=20MHz時(shí)作出的,由此可見(jiàn),無(wú)論攻擊線信號(hào)的頻率取多么低的值,只要采用具有0.2ns上升時(shí)間的驅(qū)動(dòng)源,受害線都會(huì)有較大的串?dāng)_產(chǎn)生,因此,信號(hào)上升時(shí)間對(duì)串?dāng)_具有非常重要的影響,信號(hào)上升時(shí)間越短,串?dāng)_越大。對(duì)于信號(hào)上升時(shí)間較短的器件,即使其信號(hào)頻率較低,也會(huì)產(chǎn)生非常顯著的串?dāng)_噪聲。由于在現(xiàn)代高速電路的設(shè)計(jì)中,具有快速上升時(shí)間的器件應(yīng)用越來(lái)越廣泛,因此對(duì)于這類(lèi)器件,即使其信號(hào)頻率不高,在布線時(shí)也應(yīng)認(rèn)真對(duì)待以防止過(guò)大的串?dāng)_產(chǎn)生。4ssn的基本原理同步開(kāi)關(guān)噪聲(SimultaneousSwitchNoise,SSN)是指當(dāng)器件處于開(kāi)關(guān)狀態(tài),產(chǎn)生瞬間變化的電流(di/dt),在經(jīng)過(guò)回流途徑上存在的電感時(shí),形成交流壓降,從而引起噪聲,所以也稱(chēng)為Δi噪聲。SSN是一種非常難以理解的噪聲,而且嚴(yán)重依賴(lài)于系統(tǒng)的物理幾何結(jié)構(gòu),要量化SSN通常是非常困難的,對(duì)它的研究是一個(gè)比較復(fù)雜的工程。本文主要目的是論證信號(hào)上升時(shí)間對(duì)SSN的重要影響,因此只是對(duì)其基本原理做一個(gè)概括性的闡述。SSN的基本原理是一個(gè)常見(jiàn)的公式:VSSΝ=ΝLtotdΙdt=ΝLtotΔVΤrΖ0(14)式中:VSSN是同步開(kāi)關(guān)噪聲;N是同時(shí)開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量;Ltot是電流必須流經(jīng)的等效電感;I表示每個(gè)驅(qū)動(dòng)器上流過(guò)的電流;ΔV表示驅(qū)動(dòng)器上的電壓階躍幅度;Z0表示信號(hào)受到的特性阻抗;Tr表示信號(hào)的上升時(shí)間。同步開(kāi)關(guān)噪聲主要是伴隨著器件的同步開(kāi)關(guān)輸出(SimultaneousSwitchOutput,SSO)而產(chǎn)生,由式(14)可知,信號(hào)上升時(shí)間對(duì)SSN有重要的影響,在電路物理參數(shù)保持不變的前提下,信號(hào)上升時(shí)間越短,瞬間電流變化越顯著,則產(chǎn)生的SSN噪聲越嚴(yán)重。5多信號(hào)上升時(shí)間對(duì)于電磁干擾(Electromagneticinterference,EMI)的分析,可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮,如果器件向外泄露的能量越少,我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾越小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō),輸出端產(chǎn)
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