室分合路干擾測試及解決方案綜述

一、LTE無源器件原理及產(chǎn)品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測試及解決方案

一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1、無源器件原理及產(chǎn)品一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1、無源器件原理及產(chǎn)品

室內(nèi)分布系統(tǒng)建設(shè)

分常規(guī)集采與高性能類型，滿足不同場景需求工程無源器件多系統(tǒng)接入平臺(tái)定制射頻模塊網(wǎng)絡(luò)干擾優(yōu)化特殊需求

OEM定制模塊

有源一體化模塊2G、3G、LTE多系統(tǒng)合路定制，有效，可靠系統(tǒng)合路器共天饋室分高效覆蓋

多頻、寬頻同步解決

多運(yùn)營商“共建共享”1.1射頻器件原理_功分器功分器是將一路輸入信號(hào)能量分成兩路或多路輸出能量的器件；反過來將多路上行信號(hào)能量合成一路輸出；

室內(nèi)分布系統(tǒng)必不可少的等功率分配原件。

腔體功分器通過阻抗逐級(jí)變換實(shí)現(xiàn)功率分配

微帶功分器通過微帶線路對(duì)稱性實(shí)現(xiàn)平均分配一LTE無源器件原理及產(chǎn)品一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.1射頻器件原理_功分器一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.1射頻器件原理_功分器功分器測試圖1.2射頻器件原理_耦合器耦合器平行耦合線與主線靠近程度，耦合端口獲得不同的電平輸出的器件；

5、6、7、10、15、20、25、30、40dB等不同耦合度；

室內(nèi)分布系統(tǒng)必不可少的不等分功率原件。

IN耦合端OUT50

耦合線主線主通道

腔體耦合器通過調(diào)整耦合線與主線的靠近程度一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.2射頻器件原理_耦合器一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.2射頻器件原理_耦合器一LTE無源器件原理及產(chǎn)品耦合器測試圖1.3射頻器件原理_電橋電橋平行定向耦合器，耦合度為3dB四端口；

作為功率合成器使用時(shí)，兩路輸入信號(hào)接入互為隔離端口，而耦合輸出和直通輸出端口互易；

如作為兩路輸出，不考慮損耗，則輸入信號(hào)功率之和平分于兩輸出口。

腔體電橋特殊的四端口3dB耦合器一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.3射頻器件原理_電橋一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.3射頻器件原理_電橋一LTE無源器件原理及產(chǎn)品電橋測試圖同頻合路隔離23dB防止信號(hào)串?dāng)_；等幅等相信號(hào)疊加能量增大1倍，損耗=10*LOG1021.4射頻器件原理_濾波器濾波器能夠有效地對(duì)電磁信號(hào)進(jìn)行頻率選擇通過的裝置；讓通頻帶內(nèi)的電磁信號(hào)頻率選擇通過，阻止阻帶內(nèi)的電磁信號(hào)通過。入射反射傳輸類似光波通過透鏡

腔體濾波器諧振子的選頻功能一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.4射頻器件原理_濾波器濾波器主要有低通、高通、帶通和帶阻四類。

一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.4射頻器件原理_濾波器濾波器電氣性能指標(biāo)頻率范圍(MHz)1893-1910帶寬(MHz)17插入損耗(dB)常溫≤1.1極限溫度≤1.3回波損耗(dB)常溫≥20極限溫度≥18帶內(nèi)波動(dòng)(dB)≤0.5帶外抑制(dB)≥65@DC-1700MHz≥45@1800-1883MHz≥45@1920-2170MHz≥65@2200-3000MHz平均功率(W)200一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.5射頻器件原理_合路器合路器多個(gè)濾波器組成的多端口網(wǎng)絡(luò)單元；頻段合路器的電性能指標(biāo)和濾波器指標(biāo)基本相同；異頻合路，頻率間須有保護(hù)帶寬（防止同頻串?dāng)_沒有抑制比）；插損、波動(dòng)跟體積、成本、頻率間隔有相應(yīng)關(guān)系。濾波器1端口1端口n濾波器2公共端口濾波器n端口2

腔體合路器

多個(gè)系統(tǒng)通道濾波器組合一LTE無源器件原理及產(chǎn)品△=45MHz1830MHz1875MHz1.5射頻器件原理_合路器一LTE無源器件原理及產(chǎn)品并非所有的系統(tǒng)合路都能夠?qū)崿F(xiàn)比較高的隔離;頻率間隔一定的情況下,隔離度的指標(biāo)還取決于通帶帶寬;1.5射頻器件原理_合路器合路器電性能指標(biāo)頻率范圍(MHz)885~9601920~2170工作帶寬(MHz)75250插入損耗(dB)≤0.3≤0.3帶內(nèi)波動(dòng)(dB)≤0.2≤0.2帶外抑制(dB)≥80@CH2≥80@CH1端口隔離(dB)≥80@CH2≥80@CH1回波損耗(dB)≥20阻抗(Ω)50三階互調(diào)(dBc)≤-140@+43dBm×2接口類型N-F功率容量(W)200一LTE無源器件原理及產(chǎn)品1.5射頻器件原理_合路器一LTE無源器件原理及產(chǎn)品CM-BDW2-OD1合路器DW口測試圖CM-BDW2-OD1合路器CG口測試圖1.6射頻器件原理_POI前級(jí)寬頻合路2級(jí)寬頻合路超寬頻合路及功率分配123合路器1輸出合路器2合路器3合路器4合路器n.POI

由多級(jí)合路器組合而成；實(shí)現(xiàn)移動(dòng)、聯(lián)通、電信多系統(tǒng)接入共天饋系統(tǒng)覆蓋。一LTE無源器件原理及產(chǎn)品大型室內(nèi)分布系統(tǒng)高鐵地鐵共纜覆蓋1.6射頻器件原理_POI一LTE無源器件原理及產(chǎn)品指標(biāo)參考值關(guān)鍵性插入損耗5.5dB（兩路輸出）A2.0dB（一路輸出）帶內(nèi)波動(dòng)--B駐波比1.25A隔離度25dB（同系統(tǒng)）A90dB（異系統(tǒng)）三階互調(diào)-140dBcA混合互調(diào)-150dBcA功率容量200W/端口A注：頻率相隔較近（1MHz）以內(nèi)合路隔離度需要特殊考慮。1.6射頻器件原理_POI一LTE無源器件原理及產(chǎn)品室分承載話務(wù)增多，數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)增多，容量變大單系統(tǒng)變多系統(tǒng)，多網(wǎng)多系統(tǒng)合路網(wǎng)絡(luò)的重要組成部分室分系統(tǒng)發(fā)展迅速，是網(wǎng)絡(luò)的重要組成部分系統(tǒng)擴(kuò)容，室分系統(tǒng)承載的功率變大在原有的室分系統(tǒng)中進(jìn)行擴(kuò)容，超出器件所能承受的界限大部分室分系統(tǒng)建設(shè)年限較長，較多設(shè)備已經(jīng)老化，指標(biāo)惡化嚴(yán)重，極大影響網(wǎng)絡(luò)KPI指標(biāo)部分原有的室分系統(tǒng)設(shè)備無法滿足要求，部分設(shè)備已經(jīng)老化設(shè)備性能系統(tǒng)擴(kuò)容GSMDCSFDD-LTETD-LTEWCDMA…擴(kuò)容升級(jí)網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)狀一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用室分系統(tǒng)中無源器件主要包括3dB電橋、合路器、耦合器、功分器及負(fù)載等關(guān)鍵指標(biāo)含義理論分析涉及器件網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量互調(diào)抑制互調(diào)產(chǎn)物的抑制能力，質(zhì)量控制的綜合體現(xiàn)互調(diào)信號(hào)落入上行頻段導(dǎo)致上行干擾全部干擾功率容量所能承受的最大輸入功率局部微放電，造成頻譜擴(kuò)張，寬帶干擾全部干擾隔離度任意端口有輸入時(shí)反應(yīng)到對(duì)方端口的該信號(hào)輸出衰減程度隔離度偏低會(huì)使信號(hào)通過合路器串入其它系統(tǒng)電橋合路器耦合器干擾插損接入而產(chǎn)生的功率損耗插損過大使功率損耗增大，影響覆蓋電平除負(fù)載外覆蓋駐波比輸出端口反射信號(hào)電壓與輸入信號(hào)電壓的比駐波比偏高使反射功率增大，影響覆蓋電平強(qiáng)度全部覆蓋帶內(nèi)波動(dòng)最大和最小電平差值覆蓋區(qū)域內(nèi)電平波動(dòng)程度功分器電橋合路器覆蓋一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用無源器件材質(zhì)工藝控制功率容量指標(biāo)控制無源互調(diào)指標(biāo)控制無源器件研究無源互調(diào)對(duì)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生直接的干擾影響，對(duì)無源互調(diào)從三階、五階進(jìn)行分別要求：

功率容量是網(wǎng)絡(luò)干擾的直接體現(xiàn)，對(duì)網(wǎng)絡(luò)的可靠性有直接影響，提出多載波測試要求；

材質(zhì)工藝要求是器件的生產(chǎn)源頭把控標(biāo)準(zhǔn)，也是對(duì)器件可靠運(yùn)行的重要參考標(biāo)準(zhǔn)要求。無源器件從互調(diào)、功率與材質(zhì)工藝等三方面進(jìn)行控制，用以提升網(wǎng)絡(luò)指標(biāo)一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用無源互調(diào)對(duì)網(wǎng)絡(luò)指標(biāo)的影響三階互調(diào)（dBc）干擾電平值（dBm）五階互調(diào)（dBc）干擾電平值（dBm）-120-77-135-92-140-97-155-112-150-107-165-122室分器件只要為反射互調(diào)干擾，干擾信號(hào)直接落入上行通帶，無法通過濾波器進(jìn)行抑制，對(duì)網(wǎng)絡(luò)干擾產(chǎn)生直接的影響，干擾電平值隨輸入功率變化而變化載波數(shù)較多的場景中，將出現(xiàn)群互調(diào)干擾，連續(xù)多個(gè)頻點(diǎn)將受到干擾一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用功率容量表現(xiàn)為輸入信號(hào)超出器件承受值后，會(huì)產(chǎn)生上行寬頻的脈沖噪聲（飛弧噪聲），對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生寬帶的上行干擾，嚴(yán)重情況下器件直接打火燒壞輸入信號(hào)的平均功率超出器件平均功率容量，將提升網(wǎng)絡(luò)底噪，產(chǎn)生上行干擾輸入信號(hào)峰值功率超出器件峰值功率容量：嚴(yán)重情況易發(fā)生器件大火擊穿導(dǎo)致?lián)p壞長期高負(fù)荷運(yùn)行易產(chǎn)生上行干擾平均功率容量峰值功率容量無源器件平均功率峰值功率輸入信號(hào)均值瞬時(shí)值峰均比功率

平均功率指信號(hào)持續(xù)不斷加到器件上的功率，它引起器件發(fā)熱，導(dǎo)致器件老化、變形等損壞

峰值功率指由于多載波工作時(shí)，產(chǎn)生極高的瞬間電磁場導(dǎo)致電壓飛弧現(xiàn)象，使器件損壞

平均功率容量和峰值功率容量指不產(chǎn)生上述損壞所容許通過的功率，對(duì)器件功率容量的要求分平均功率和峰值功率一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用功率容量對(duì)網(wǎng)絡(luò)指標(biāo)的影響載波數(shù)量增多，峰值功率變大，器件燒壞的幾率上升：器件打火擊穿導(dǎo)致?lián)p壞網(wǎng)絡(luò)駐波告警，通信中斷多載波大功率輸入，導(dǎo)致上行頻段“飛弧干擾”現(xiàn)象產(chǎn)生：隨話務(wù)的增大，信源載頻發(fā)射增多，總功率變大，干擾越嚴(yán)重對(duì)上行頻段所有載頻產(chǎn)生直接影響重點(diǎn)解決基站發(fā)射載頻、制式越來越多，器件的功率容量要求嚴(yán)峻功率容量一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用無源器件功率容量指標(biāo)控制現(xiàn)網(wǎng)信源BTS均是多載頻配置的，通過實(shí)驗(yàn)?zāi)M四個(gè)EDGE載頻50W總功率200W發(fā)射，更結(jié)合現(xiàn)網(wǎng)實(shí)際需求；

提高產(chǎn)品出廠多載波大功率容量測試實(shí)驗(yàn)要求，從源頭提高出廠產(chǎn)品性能，通過多載波大功率容量測試，更能摸清到貨產(chǎn)品的性能優(yōu)異。合路器設(shè)計(jì)單端口功率容限需要200W甚至300w，器件承受功率容限,防止打火。一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用高性能無源器件材質(zhì)工藝控制接頭：外導(dǎo)體材質(zhì)要求黃銅，鍍?nèi)辖?，?nèi)導(dǎo)體錫青銅，鍍銀

內(nèi)導(dǎo)體：材質(zhì)黃銅，鍍銀（銅5銀3）

腔體：材質(zhì)鋁材，鍍銀（銅5銀3）

氣密性及防泄漏要求研究質(zhì)差器件的排查定位方法普通器件一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用普通無源器件接頭外導(dǎo)體多采用鋅合金，內(nèi)導(dǎo)體采用黃銅材質(zhì)；

鋅合金外導(dǎo)體價(jià)格低，易脆易變形，易受氧化；黃銅內(nèi)導(dǎo)體膨脹性較低，多次連接易失效，互調(diào)性能較差。接頭是無源器件與饋線進(jìn)行連接的部件，其優(yōu)劣對(duì)互調(diào)性能有直接影響高性能無源器件：外導(dǎo)體材質(zhì)黃銅，鍍?nèi)辖?，?nèi)導(dǎo)體錫青銅，鍍銀；黃銅外導(dǎo)體材質(zhì)較硬，可多次進(jìn)行與饋線連接，不變形，指標(biāo)不受影響；內(nèi)導(dǎo)體錫青銅延展性優(yōu)，可靠性高，表面鍍銀互調(diào)指標(biāo)更有保證。

鋅合金接頭表面暗淡，黃銅內(nèi)導(dǎo)體延展性低易受氧化，可靠性低優(yōu)選較差一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用高性能無源器件內(nèi)導(dǎo)體：高可靠性腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案；內(nèi)導(dǎo)體材質(zhì)選銅材，表面鍍銀處理；

普通器件多采用微帶方式內(nèi)導(dǎo)體以降低實(shí)現(xiàn)成本，微帶內(nèi)導(dǎo)體功率容量承受低，可靠性差內(nèi)導(dǎo)體是無源器件內(nèi)部信號(hào)傳輸?shù)慕橘|(zhì)，是器件的重要組成部分

腔體方式普通器件內(nèi)導(dǎo)體選材差（鋼），表面也不做鍍銀工藝處理較差一般優(yōu)選腔體內(nèi)導(dǎo)體設(shè)計(jì)優(yōu)選微帶方案性能較差選材差，處理工藝水平低一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用

普通器件腔體加工粗糙，表面無任何電鍍處理，發(fā)黑，性能指標(biāo)差；

削切鋼耦合器腔體成本低廉，可靠性更低。腔體是無源器件實(shí)現(xiàn)屏蔽外部信號(hào)入侵，內(nèi)部信號(hào)外泄的部件

腔體光滑明亮，無間隙，信號(hào)傳輸損耗極低，互調(diào)性能指標(biāo)優(yōu)秀，承受功率高。

高性能器件選用行業(yè)優(yōu)質(zhì)鋁材精密加工，表面采用先鍍銅后鍍銀處理工藝。優(yōu)選較差一般加工精度低表面無電鍍，發(fā)黑削切鋼腔體，成本低廉性能差，可靠性低一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用高/普通性能無源器件成本對(duì)比分析電氣性能指標(biāo)對(duì)比材質(zhì)分析對(duì)比功率容量與三階互調(diào)問題為重要影響因素高性能器件普通器件功率容量500/300W200W三階互調(diào)-140dBc-120dBc高性能器件普通器件接頭外導(dǎo)體銅材/內(nèi)導(dǎo)體錫磷青銅外導(dǎo)體鋅合金/內(nèi)導(dǎo)體黃銅腔體鋁材/鍍銀鋁材/導(dǎo)電氧化內(nèi)導(dǎo)體銅材/鍍銀鋁材/導(dǎo)電氧化整體結(jié)構(gòu)氣密性高、屏蔽性好普通結(jié)構(gòu)指標(biāo)要求提高，產(chǎn)品報(bào)廢率高；材質(zhì)工藝要求提升，對(duì)應(yīng)實(shí)現(xiàn)成本提高；高性能器件相比對(duì)普通器件采購成本有一定幅度增加!結(jié)論優(yōu)選一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用“單系統(tǒng)總功率≥43dBm”應(yīng)用DIN型高性能器件，主要用在靠近信源位置一級(jí)主干；“33dBm≤單系統(tǒng)總功率≤43dBm”應(yīng)用N型高性能器件，用在靠近信源位置二級(jí)主干；“單系統(tǒng)總功率≤33dBm”節(jié)點(diǎn)靠近室分天線位置三級(jí)分支干線用普通集采器件。一LTE無源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無源器件應(yīng)用通信制式CCDF0.01%典型平均功率峰值功率GSM1.1620W23WEDGE3.3420W67WCDMA1X1載波9.720W194WCDMA1X6載波12.6680W1013WEVDO1載波9.720W194WEVDO3載波10.860W648WWCDMA1載波10.120W202WWCDMA3載波11.9460W716WLTE(8*8)920W180W以C+G+D+W為例Pmax超過1500W，現(xiàn)有測試儀器最大功率也為1500W

一、LTE無源器件原理及產(chǎn)品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測試及解決方案

二

LTE室分合路方案運(yùn)營商2G/3G頻段（MHz）LTE頻段（MHz）GSM900：909-915/954-960DCS：1735-1740/1830-1840WCDMA：1940-1980/2130-2170LTE1800：1745-1765/1840-1860LTE2300：2300-2320LTE2600：2555-2575CDMA800：825-835/870-880CDMA2000：1920-1940/2110-2130LTE1800：1765-1780/1860-1875LTE2300：2370-2390LTE2600：2635-2655運(yùn)營商移動(dòng)系統(tǒng)頻率規(guī)劃緊張，部分系統(tǒng)頻點(diǎn)重合；系統(tǒng)合路隔離度需滿足，系統(tǒng)互調(diào)需估算；T-CDMA和U-GSM端口分開；U-DCS和U-LTE1.8合并端口，后續(xù)采用雙模方式開通DCS及LTE；WCDMA頻寬加寬，方便聯(lián)通可能的多載波擴(kuò)容。室分合路系統(tǒng)頻率分析電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式1_分級(jí)合路同時(shí)考慮電信LTE1.8、LTE2.1功率損耗二

LTE室分合路方案利用原有庫存產(chǎn)品，增加安裝套件，快速擴(kuò)容布署LTE網(wǎng)絡(luò)，解決安裝、運(yùn)維問題，操作性強(qiáng);一路輸出C、G網(wǎng)功率不變；L、W因單路輸出功率損耗增加3dB；電橋分配損耗3.5dB，兩路輸出；合路器損耗0.5dB，合路總損耗4.5dB；原網(wǎng)合路損耗，兩路輸出實(shí)際上功率損耗相當(dāng)電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式2_單獨(dú)考慮電信LTE1.8、LTE2.1共建電信CDMA、LTE，聯(lián)通GSM、DCS、LTE、WCDMA多系統(tǒng)合路，常規(guī)合路器引來干擾難實(shí)現(xiàn)；需要退頻5M通過多級(jí)合路器進(jìn)行多級(jí)合路實(shí)現(xiàn)；要求合路單元插入損耗低、隔離度高、接入無干擾。電信LTE2.1合路單元：二

LTE室分合路方案電信LTE1.8多系統(tǒng)合路擴(kuò)容單元_原來POI基礎(chǔ)上擴(kuò)容LTE1.8頻率損耗二

LTE室分合路方案利用原有POI輸出實(shí)現(xiàn)快速擴(kuò)容，應(yīng)用于機(jī)場、地鐵、會(huì)展中心等大型室分合路損耗1.5dB，兩路輸出損耗5dB項(xiàng)目指標(biāo)插入損耗PORT1→ANT＜1.5dBLTE1800→ANT＜1.5dB帶外抑制LTE1800≥90dB@806-960MHz≥30dB@1710-1765MHz≥30dB@1805-1855MHz≥65dB@1880-1900MHz≥80dB@1900-2170MHz≥90dB@2300-2690MHz隔離度（POI/LTE）≥90dB@806-960MHz≥30dB@1710-1765MHz≥30dB@1805-1855MHz≥65dB@1880-1900MHz≥80dB@1900-2170MHz≥90dB@2300-2690MHz≥30dB@1755-1775MHz≥30dB@1850-1870MHz功率容量200W輸入駐波比＜1.3互調(diào)抑制(2×43dBm)≤-143dBc電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式3_各退2.5M同時(shí)考慮電信LTE1.8、LTE2.1頻率腔體犧牲2.5M頻率，插損小，影響容量陶瓷介質(zhì)1M外大于30dB頻率資源不可再生退頻方案不可取損耗合路器損耗1.5dB，造價(jià)便宜陶瓷介質(zhì)1.6dB，造價(jià)=2*POI價(jià)格二

LTE室分合路方案電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式4_POI同時(shí)考慮電信LTE1.8、LTE2.1造價(jià)POI實(shí)現(xiàn)原理跟合路器組合產(chǎn)品相當(dāng)訂單定制產(chǎn)品數(shù)量級(jí)少，價(jià)格比合路器組合高50%損耗電橋分配損耗3.5dB，兩路輸出合路器損耗0.8dB二

LTE室分合路方案4種擴(kuò)容方案比較二

LTE室分合路方案擴(kuò)容方案名稱輸出（路）頻率退頻插損成本優(yōu)缺點(diǎn)分級(jí)合路1路---4.5dB已有采購體系成本低功率浪費(fèi)實(shí)施快捷通用性強(qiáng)2路---4.5dB已有采購體系成本低設(shè)計(jì)改造充分利用通用性強(qiáng)擴(kuò)容任一系統(tǒng)1路資產(chǎn)方退5M或各退2.5M退2/3/5M插損2.8/2.4/1.5dB需重新采購訂單定制數(shù)量少價(jià)格中增加系統(tǒng)退頻5M影響容量六系統(tǒng)合路器1路資產(chǎn)方退5M或各退2.5M1.2dB需重新采購價(jià)格低抑制比30dBPOI1路或2路---5dB需重新采購訂單定制數(shù)量少價(jià)格高分級(jí)合路相當(dāng)，加多外殼價(jià)格高推薦：分級(jí)合路2路輸出方案，能量充分利用；加多安裝套件，解決方案和運(yùn)維問題；有現(xiàn)成采購庫存，啟動(dòng)快捷，操作方便利用庫存合路器快速實(shí)現(xiàn)擴(kuò)容，增加聯(lián)通1.8G、2.1G，電信2.1G,接入聯(lián)通GSM共6系統(tǒng)；更換雙頻合路器，雙路輸出覆蓋；兩路分別覆蓋28~35樓節(jié)點(diǎn)，最小改動(dòng)原有覆蓋布線；不影響原系統(tǒng)CDMA覆蓋；原系統(tǒng)沒有聯(lián)通網(wǎng)絡(luò)不會(huì)造成影響；二路輸出改造案例2二

LTE室分合路方案二

LTE室分合路方案

一、LTE無源器件原理及產(chǎn)品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測試及解決方案

三存在問題排查測試及解決方案室分施工系統(tǒng)擴(kuò)容存在問題1合路器頻段不支持LTE，開通后駐波高，衰減LTE功率影響覆蓋電信LTE1.8G頻段1860-1875；電信LTE2.1G頻段2110-2125；2華為LTE設(shè)備駐波告警:華為LTE設(shè)備掃描中心頻率參數(shù)超過合路器工作帶寬3LTE擴(kuò)容器件使用不規(guī)范，合路后信號(hào)衰減大,影響覆蓋效果合路器頻段不支持后臺(tái)調(diào)整掃描中心頻率修正參數(shù)施工擴(kuò)容后器件使用不規(guī)范三存在問題排查測試及解決方案合路系統(tǒng)干擾分析1電信CDMA聯(lián)通GSM、DCS、LTE三系統(tǒng)合路產(chǎn)生的三階互調(diào)落入LTE2.1G頻段2二次諧波2f1/2f2:為有源設(shè)備產(chǎn)生，CDMA系統(tǒng)二次諧波頻率1740-1760MHz二階互調(diào)f1+f2:為無源器件產(chǎn)生，CDMA系統(tǒng)二階互調(diào)頻率1740-1760MHz3LTE高峰均比信號(hào)導(dǎo)致無源器件產(chǎn)生飛弧雜散干擾信號(hào)離LTE下行頻段較近的電信LTE1.8、聯(lián)通WCDMA系統(tǒng)干擾較為突出三階互調(diào)干擾二次諧波/二階互調(diào)干擾無源器件功率飛弧雜散干擾4RRU帶通1875對(duì)1880帶外抑制13dB雜散阻塞干擾信號(hào)離LTE下行頻段較近的電信LTE1.8系統(tǒng)受室外天線阻塞干擾較為突出RRU帶外雜散干擾多系統(tǒng)合路互調(diào)干擾分析下行頻段：電信CDMA：870-880MHz聯(lián)通GSM：954-960MHz聯(lián)通LTE：