cn硅取向碳納米管申公開(kāi)

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權(quán)利要求 1/2皮芯結(jié)構(gòu)和碳納米管組成的三級(jí)取向薄膜；的厚度為5nm～100nmμm；的厚度均為20nm～20μm；20nm～20μm。量百分比為10%～90%。為：碳納米管單層膜；nmFe3CN103474630

權(quán)利要求

CN103474630CN103474630 [02] 鋰離子電池具有高電壓高比能自放電小循環(huán)壽命長(zhǎng)和無(wú)記憶效應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于例如手機(jī)相機(jī)超級(jí)本等消費(fèi)電子產(chǎn)品中并且近年來(lái)在電動(dòng)汽車(chē)以及電能儲(chǔ)備器件中也得到了越來(lái)越多的研究和應(yīng)用開(kāi)發(fā)。提高功率密度能量密度和使用壽命是鋰離子電池現(xiàn)階段研發(fā)的主要方向和滿(mǎn)足其更應(yīng)用場(chǎng)合的主要訴求。儲(chǔ)能器件的性能很大程度上取決于所使用的材料的性。就負(fù)極材料而言傳統(tǒng)的石墨負(fù)極由于其較低的理論比容（372mAh/g難以滿(mǎn)足不斷提高的應(yīng)用要求而硅材料具有已知的最大嵌鋰容2同時(shí)具有儲(chǔ)量大無(wú)毒便宜等優(yōu)點(diǎn)因此被認(rèn)為是未來(lái)最佳的替代石墨的負(fù)極材料。但是硅負(fù)極料在電池循環(huán)的嵌鋰/脫鋰過(guò)程經(jīng)歷劇烈的體積變（>300%。由此會(huì)導(dǎo)致電極材料的粉碎電極材料與集流體之間的電接觸不良等問(wèn)題最終使得電極材料的容量快速衰減電池具有非常差的循環(huán)性能因此有效解決硅用于鋰離子電池負(fù)極時(shí)的容量快速衰減問(wèn)題已成為當(dāng)前鋰離子電池負(fù)極研究的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。[03] 碳納米管可看作是石墨烯片層卷曲而成的準(zhǔn)一維納米材料具有導(dǎo)電性好化學(xué)穩(wěn)定性高強(qiáng)度高和柔韌性好等優(yōu)點(diǎn)近期研究表明硅和碳納米管所構(gòu)成的復(fù)合材料能夠在一定程度上改善硅材料在電池循環(huán)過(guò)程中體積劇烈變所導(dǎo)致的容量快速衰減的問(wèn)題。文（JuchenGuo,AnnSun,XilinChen,ChunshengWang,AyyakkannuManivannan,Electrochim.Acta56:3981-3987(2011)采用球磨的方法把納米硅顆粒和碳納米管混合結(jié)果顯示在0.2A/g的電流密度下經(jīng)過(guò)50次循環(huán)復(fù)合材料的容量從2300mAh/g下降到1300mAh/g文（LifengCui,LiangbingHu,JangWookChoi,YiCui,ACSNano4:3671-3678(2010)制備了覆蓋納米硅的無(wú)規(guī)碳納米管膜在0.36A/g的電流密度下經(jīng)過(guò)50個(gè)循環(huán)后容量的保留率為80%專(zhuān)利CN102983311A公開(kāi)了一種覆蓋硅的無(wú)規(guī)碳納米管薄膜但是沒(méi)有性能數(shù)據(jù)縱觀現(xiàn)有報(bào)道硅和碳納米管的復(fù)合材料相比單純硅材料而言在循環(huán)性能方面得到了較大的提高但是循環(huán)次數(shù)和容量保留率與實(shí)際應(yīng)用還有很大的距離。5o～35o100nm～200μm。[0008]5nm～100nm[0009]20μm[0010]膜各部分的厚度均為20nm～20μm。 一致。薄膜各部分的厚度均為20nm～20μm。 [0014]（2）絲機(jī)加捻從而獲得硅/取向碳納米管紗線。[0017]Al2nmFnmAl2O 10～90min 下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明：本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行 實(shí)施例1在硅基板上通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝沉積催化劑層，結(jié)構(gòu)為Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度為5 在硅基板上通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝沉積催化劑層，結(jié)構(gòu)為Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度為5 在硅基板上通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝沉積催化劑層，結(jié)構(gòu)為Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度為5 在硅基板上通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝沉積催化劑層，結(jié)構(gòu)為Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度為5 在硅基板上通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝沉積催化劑層，結(jié)構(gòu)為Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度為5 在硅基板上通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝沉積催化劑層，結(jié)構(gòu)為Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度為5比為65%。 在硅基板上通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝沉積催化劑層，結(jié)構(gòu)為Al2O3/Fe。其中Al2O3厚度為5 1500mAh/g501000mAh/g。 1400