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學(xué) 姓學(xué) 姓 學(xué) 共2小時(shí)課程名 教 陳 學(xué)時(shí) 學(xué)分教學(xué)方式課堂教學(xué) 考核日期2012年6 日成績(jī) (25分) ），單位芯片面積的功耗將 TDDB的中文翻譯是（ TEM的中文翻譯（ DIBL 熱載流子效應(yīng)的英文翻譯為（ ），交疊電容的英文翻譯為 如果采用中央禁帶金屬材料制作柵電極，那么n-MOSFET的閾值電壓大概是（）pMOSFET的閾值電壓大概是（納米MOSFET中，采用高K柵介質(zhì)材料是為了（ ， ，而降低高K材料的缺陷態(tài)和固定電荷密 (6)器件，襯底摻雜濃度太小會(huì)引起()，最大一般取(6)器件，襯底摻雜濃度太小會(huì)引起()，最大一般取()，太大引起((。結(jié)深太小引起)，現(xiàn)在最小一般取)、SOIMOSKink3．(20分)MOSHALOMOS器件表面勢(shì)的示意圖，并標(biāo)出4．(20分)(15分 分析討

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