閃存的讀寫原理

閃存的讀寫原理閃存采用MOSFET來存放數(shù)據(jù)MOSFET結(jié)構(gòu)如下圖aWordLine閃存采用MOSFET來存放數(shù)據(jù)MOSFET結(jié)構(gòu)如下圖aWordLineControlGaleFloatingGateBitLineP-substrate數(shù)據(jù)就存放在floatinggate（懸浮門）之中，一個(gè)門可以存放lbit數(shù)據(jù)如圖所示，門中電壓有個(gè)閾值Vth如果檢測到電壓超過Vth,那么便認(rèn)為這個(gè)bit是0數(shù)據(jù)的寫入和擦除，都通過controlgate來完成。至于具體的步驟。涉及到半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識，如果需要了解，請參考模擬電路相關(guān)書籍。這是一個(gè)比特，對于閃存來說，如圖

JABitline-S0964攔Ebxtes(33,792cells)perpage{4K}wor<ihnfrSiControixJABitline-S0964攔Ebxtes(33,792cells)perpage{4K}wor<ihnfrSiControix,Gate'\.-FloM呻曲怯]Msmo-rycd>Page(4K)這是一個(gè)閃存顆粒的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，每一行是其中一個(gè)page,—個(gè)page由33792個(gè)剛才那樣的門組成。共4KByte，注意這里單位是千字節(jié)lByte=8bit這里總共有64個(gè)page，組成了一個(gè)block。wordline是字線，由其控制讀取和寫入，所以page是最小的讀寫單位而這個(gè)block是最小的擦除單位。我們知道閃存顆粒分為SLCMLCTLC這就是因?yàn)閷﹄妷旱姆旨壊煌?。SLC將電壓分為2級，大于Vth表示0小于Vth表示1，一個(gè)CELL只表示1個(gè)bitMLC是Multi-LevelCell，將電壓分為4份，分別可以表示00011011，一個(gè)CELL表示2個(gè)bitTLC是Triple-LevelCell,將電壓分為8份，可以表示000001010011100101110111一個(gè)CELL表示3個(gè)bit閃存大致可以分兩部分，NAND顆粒和控制器。Anobit是做控制器的，而且自己沒有晶圓廠。這和ARM有點(diǎn)類似，即Anobit只提供設(shè)計(jì)，而不負(fù)責(zé)實(shí)際生產(chǎn)。蘋果即便收購了Anobit也還是要從別處（比如IMFT）繼續(xù)采購NAND顆粒、并且讓第三方（比如三星）代工生產(chǎn)最終的閃存成品。所以這次收購的性質(zhì)其實(shí)和之前收購P.A.Semi的性質(zhì)有點(diǎn)類似，是蘋果為了更好的整合上下游的一次技術(shù)性收購。換句話說，這次收購是為了吸納人才和核心技術(shù)。Anobit現(xiàn)在兩個(gè)產(chǎn)品線里面，企業(yè)級閃存控制器并非蘋果所愛，嵌入式閃存控制器則是蘋果看重的大頭。從Anobit官網(wǎng)的說明［1］不難看出它的優(yōu)勢：高速、低功耗、支持20nm以下的NAND顆粒、支持MLC甚至TLCNAND顆粒（一個(gè)閃存單元存儲兩到三個(gè)比特位信息，意味著閃存的平均成本更低）。這些在現(xiàn)在的平板電腦和智能機(jī)領(lǐng)域都是非常吸引人的特性。Anobit宣稱他們的嵌入式產(chǎn)品現(xiàn)在是業(yè)界最高性能的，若所言非虛（蘋果如果出手的話，我傾向于相信這點(diǎn)），蘋果收購Anobit將對其他需要閃存的移動(dòng)設(shè)備廠商形成很大的壓力蘋果現(xiàn)在已經(jīng)是全球閃存產(chǎn)能的最大單一采購商，如果Anobit被蘋果納入囊中并且不給競爭對手授權(quán)技術(shù)的話，其他廠商將更難在移動(dòng)設(shè)備的核心存儲上和蘋果競爭高性能和低價(jià)格。同時(shí)有流言說蘋果在考慮給亞洲的某家閃存代工廠提供巨額融資，這和前次蘋果財(cái)報(bào)會(huì)議上提到的給核心部件供應(yīng)商提供融資以保障供應(yīng)鏈不謀而合。這些跡象顯示蘋果預(yù)期在未來一兩年內(nèi)有大量的閃存增量需求。給定iPhone/iPad/iPod產(chǎn)品線已經(jīng)全線使用閃存的狀況下，我認(rèn)為有兩個(gè)可能的解釋：一是蘋果預(yù)期現(xiàn)有使用閃存的產(chǎn)品線需求會(huì)大幅度上升；二是有新的產(chǎn)品