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-.z......資料...PMOS開關(guān)管電路設(shè)計指南2013/7/18本文檔的目的1〕能夠根據(jù)本指南進(jìn)展PMOS管開關(guān)電路設(shè)計更新說明序號修改項(xiàng)修改理由修改人修改日期1無首版2013/7/182目錄一、NMOS管等效電路3二、公司固定傳感器控制盒PMOS開關(guān)電路分析3PMOS開關(guān)管電路設(shè)計指南NMOS管等效電路B〕圖2NMOS管等效模型驅(qū)動G極時,因?yàn)檩斎腚娙軨iss〔Cgd+Cgs〕的存在,要求電壓變化快,i=Cdu/dt,當(dāng)G極電流大時,du/dt也大,增大開關(guān)速度。根據(jù)B圖,功率MOS管部存在等效三極管,當(dāng)S接地,剛上電時,三極管會導(dǎo)通,且電流有可能過大,所以,最好D極有緩啟動電路保護(hù)。根據(jù)A圖,反向寄生二極管有可能被正向或反向擊穿。反向擊穿有可能因?yàn)镈極局部,當(dāng)電源開啟時會有沖擊電流,因?yàn)榫€上電感原因,U=Ldi/dt,導(dǎo)致U過大。正向擊穿,可能因?yàn)镾極在關(guān)電時,因?yàn)榫€上電感原因,造成U過大;或者線上串入能量較大干擾電壓,導(dǎo)致寄生二極管正向通道電流過大,燒毀寄生二極管,從而造成MOS管失效??刂坪蠵MOS開關(guān)電路分析1、小電流切換電路B)圖35V激光器驅(qū)動電路和24VLED燈驅(qū)動電路1、電路A:1〕三極管集電極電阻過大,導(dǎo)致開關(guān)速度不高;考慮是激光器驅(qū)動電路,正好使用這個緩啟動功能。2〕MOS管損壞過,現(xiàn)象是能夠正常開啟MOS管,但不能完全關(guān)斷MOS管,疑心是MOS管寄生二極管損壞導(dǎo)致。解決方法,a〕更換Vds較大的MOS管〔IRLML5203,Vds最大30V,而6401的Vds最大12V〕b〕電源處增加緩啟動c〕D端增加5VTVSd〕在輸出端口增加電阻等措施e〕去掉輸出π型濾波電路上的并接反向二極管,如有可能,在輸出放置防反接二極管。2、電路B1〕24V驅(qū)動電路,導(dǎo)通時Vgs過大,影響PMOS管壽命解決方法:修改R13為10K,R11為20K,Vgs最大為-8V2〕電源上電有可能Vgs過大,在G、S極增加一個8V穩(wěn)壓二極管保護(hù)3〕IRF9393的最大Vds約55V,更改為IRF6217,最大Vds變?yōu)?50V4〕在D極增加24VTVS5〕在輸出端口增加電阻等措施6〕去掉輸出π型濾波電路上的并接反向二極管,如有可能,在輸出放置防反接二極管。圖4改良后的PMOS輸出接口電路電路圖3-B選型:濾波可以選擇簡單的高頻濾波,比方磁珠構(gòu)成的π型濾波電路TVS選擇SD24C電阻選擇2.2ohm,0805封裝,當(dāng)電流增大到20A,電阻壓降為44V,之后壓敏電阻導(dǎo)通,完成放浪涌。壓敏電阻選擇14K390〔片徑14mm,v1mA=39V〕。1N4004在150mA時,VF=0.8V,加上24V電源入口的1N4004,壓降1.6V左右。緩啟動電路如圖5圖5改良后的圖3-B電路說明:三極管OC電路局部,R4、C2構(gòu)成低通濾波,延緩控制速度增加C1,上電時U1的G極高電平可以在R7之后再增加一個R〔10K〕和C〔1u〕,起到外部24V給電之后的防沖擊保護(hù)。這里的24V推薦是輸入濾波完成之后24V圖6PMOS管導(dǎo)通波形分析:電流Id160us從0上升到89mA,di/dt=556.25,假設(shè)線路L=1uH,電壓為0.55625mV,沒有影響。Vd上升和Id幾乎同步Vg從24V到18.8V,下降時間600us,期間Vd*Id=48mA*(24-5.5)V=約1W,MOS管瞬時功耗較大,按照1ms,能量為1mJ。此PMOS管最大功耗2.5W,Eas=15mJ??梢园凑樟銟O點(diǎn)分析方法,分析MOS管G、D極穩(wěn)定性。在G極和S極之間增加
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