電子-第三代半導(dǎo)體專家十問十答：SiC GaN 路在何方

免責(zé)聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務(wù)必一起閱讀。2023年10月25日│美國動態(tài)點評研究員SACNo.S0570523020002SFCNo.ASI353+(852)36586000purdyho@SiC商業(yè)化進(jìn)程領(lǐng)先GaN三年，預(yù)計2026年投資擴(kuò)產(chǎn)或轉(zhuǎn)向SiC商業(yè)化進(jìn)程領(lǐng)先GaN三年，預(yù)計2026年投資擴(kuò)產(chǎn)或轉(zhuǎn)向GaN斯拉的功率器件應(yīng)用加速了SiC應(yīng)用于新能源車的進(jìn)程。SiC相較GaN有三年的商業(yè)化領(lǐng)先，全球市場由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司壟斷。在小米推出手機(jī)快充后，GaN產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)龍頭有住友化學(xué)、英飛凌、三安光電等。GaN相較SiC長晶速度快、成本更低，GaN可以利用現(xiàn)有的硅（Si）工藝和設(shè)備，在普通的硅襯底上生長。而SiC則需要采用高純度的SiC襯底，大幅提高了材料成本。GaN未來的增長動能取決于能否在工業(yè)、汽車領(lǐng)域應(yīng)用，但GaN上車仍處于送樣測試階段，車規(guī)級器件放量預(yù)計會在2028年左右。展望未來，SiC和GaN或?qū)⑿纬筛髯缘氖袌龈窬?，預(yù)計2026年隨著SiC產(chǎn)能飽和，大型公司可能將目光轉(zhuǎn)向GaN領(lǐng)域投資擴(kuò)產(chǎn)。SiC領(lǐng)域M&A活躍，Coherent通過合資子公司提前鎖定日本市場在SiC領(lǐng)域，融資并購活動主要是公司為了掌握核心技術(shù)提升良率，從而實現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)來降本增效，或是為了鎖定產(chǎn)能確保襯底供應(yīng)的穩(wěn)定性。2008年羅姆公司收購SiCrystal，2019年意法半導(dǎo)體收購Norstel，以及2021年安森美收購了GTAdvanced，在后續(xù)業(yè)務(wù)實踐中都實現(xiàn)了雙贏。2022年II-VI收購Coherent后，新公司命名為Coherent，并加速SiC業(yè)務(wù)布局。今年10月11日，三菱電機(jī)和Denso分別投資5億美元在Coherent子公司SiliconCarbideLLC各占股12.5%，簽署6英寸和8英寸SiC晶圓的長期供應(yīng)協(xié)議，提前鎖定日本市場。國內(nèi)SiC龍頭在質(zhì)量和工藝取得突破，降本增效取決于多方面因素國內(nèi)SiC襯底龍頭在質(zhì)量方面實現(xiàn)較大突破，但在工藝上仍有差距。1）技術(shù)來源：國內(nèi)60余家SiC襯底企業(yè)，主要的技術(shù)和人才來源于天科合達(dá)和天岳先進(jìn)；2）質(zhì)量：我們認(rèn)為國內(nèi)SiC襯底質(zhì)量能與國外巨頭相媲美，具備競爭力；3）工藝：海外內(nèi)龍頭企業(yè)在長晶速度上距離也縮小。專家表示，國內(nèi)長晶速度在每周20-30mm（切20-30片Wolfspeed和Coherent長晶速度在每10余天長40-50mm（切40-50片4）長晶設(shè)備：國內(nèi)PVT設(shè)備國產(chǎn)率高，性價比較高；5）能源：由于長晶爐內(nèi)溫度高達(dá)2400攝氏度，能耗大。而國內(nèi)太陽能、風(fēng)電水電充足，有潛在降本可能性；6）技術(shù)人才：國外龍頭企業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊更加穩(wěn)定。長晶技術(shù)為大尺寸SiC襯底研發(fā)核心挑戰(zhàn)，激光切割或為下一代技術(shù)主流國內(nèi)晶圓尺寸在從4到6英寸過渡，6英寸去年開始大規(guī)模量產(chǎn)，8英寸全球只有Wolfspeed在紐約的莫霍克谷工廠有小批量試產(chǎn)，良率為公司核心機(jī)密未披露。8英寸晶圓性價比較低，面積約為6英寸晶圓的1.8倍，但價格高達(dá)2000美元為6英寸片價格的2.5倍。長晶技術(shù)是研發(fā)8英寸SiC襯底的核心挑戰(zhàn)，由于長晶過程類似“黑匣子”，在高成品率和拉晶長度之間取合適平衡需要大量的工藝經(jīng)驗積累，還需要對材料、坩堝、熱場、SiC粉末等不斷進(jìn)行優(yōu)化和升級。后續(xù)切磨拋過程中，8英寸由于其更大尺寸，在切割過程中出現(xiàn)的應(yīng)力、翹曲等問題亟需技術(shù)迭代，激光切割技術(shù)或為下一代主流方案。風(fēng)險提示：SiC長晶技術(shù)研發(fā)不達(dá)預(yù)期、SiC器件降本不達(dá)預(yù)期、價格競爭愈演愈烈等。免責(zé)聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務(wù)必一起閱讀。2023年10月20日，海外科技團(tuán)隊舉辦了第三代半導(dǎo)體專家交流會，邀請了BelGaN創(chuàng)始人周貞宏博士。會上專家主要分析了國內(nèi)外襯底公司競爭格局與降本增效手段，也討論了襯底生長和切磨拋設(shè)備的國產(chǎn)化替代，以及碳化硅（SiC）襯底的拉晶工藝技術(shù)難點。專家同時也展望砷化鎵（GaN）生產(chǎn)工藝優(yōu)勢所帶來的高性價比，在未來或能成為SiC替代品。三菱電機(jī)（MitsubishiElectric）和電裝公司（DENSOCorporation）各自決定投資5億美元，將分別取得Coherent旗下SiC業(yè)務(wù)公司SiliconCarbideLLC12.5%的非控股權(quán)益。與此同時，Coherent也將與三菱電機(jī)和電裝公司簽訂長期供應(yīng)協(xié)議，以應(yīng)對其6英寸和8英寸晶圓和外延片的強(qiáng)勁需求。三菱電機(jī)一直在高速列車、高壓工業(yè)應(yīng)用和車規(guī)級SiC功率模塊領(lǐng)域處于全球領(lǐng)先地位，而電裝公司則是全球第二大、日本最大的汽車零部件制造商，同時也在積極推進(jìn)SiC逆變器和電驅(qū)技術(shù)。Coherent作為一家全球領(lǐng)先的材料、網(wǎng)絡(luò)和激光公司，于2023年5月將其SiC業(yè)務(wù)部門分拆成SiliconCarbideLLC，專注于SiC晶片和外延片的生產(chǎn)。我們認(rèn)為，這次合作對三家企業(yè)都至關(guān)重要，實現(xiàn)了共贏局面。在SiC功率器件的生產(chǎn)成本中，襯底價格占據(jù)了60%的份額。對于像三菱和電裝這樣的行業(yè)領(lǐng)軍者而言，確保襯底供應(yīng)的穩(wěn)定性非常關(guān)鍵，以避免潛在的量產(chǎn)風(fēng)險。同時，II-VI（即Coherent的前身）在收購Coherent和Finisar時分別投入70億和32億美元，急需現(xiàn)金流來擴(kuò)大產(chǎn)能。在SiC領(lǐng)域，資本運(yùn)作非常普遍。例如，2009年羅姆收購了SiCrystal，2019年安芯收購了Norstel后又將其出售給意法半導(dǎo)體，以及2021年安森美收購了GTAdvanced。如果企業(yè)不能克服技術(shù)難題，且趕上行業(yè)龍頭高速擴(kuò)張的步伐，實現(xiàn)良率提升和規(guī)模效應(yīng)降低成本，無論是初創(chuàng)公司還是行業(yè)巨頭，都可能面臨失去客戶的潛在風(fēng)險。資料來源：Yole，華泰研究資料來源：WolfspeedInvestorDay2022，華泰研究資料來源：WolfspeedInvestorDay2022，華泰研究國內(nèi)SiC襯底制造企業(yè)在質(zhì)量方面已實現(xiàn)了較大突破，但在工藝上仍存在一些差距。為提高市場份額，一些公司通過政府補(bǔ)貼等方式降低價格。然而，降低成本和提高效益仍然受限于產(chǎn)能擴(kuò)充、工藝經(jīng)驗積累、能源利用、技術(shù)人才儲備和企業(yè)運(yùn)營等因素。在國際市場競爭中，為了取得優(yōu)勢，企業(yè)需投入更多資源和資金。一些大型企業(yè)，如三安光電和比亞迪半導(dǎo)體，正積極擴(kuò)大產(chǎn)能，提高生產(chǎn)效率。然而，對于中小企業(yè)而言，在激烈的市場競爭中脫穎而出，需不斷獲得投資支持，不斷提升產(chǎn)能和效益?？梢詮囊韵聨讉€方面考察：1.技術(shù)來源：國內(nèi)大約有60家SiC襯底企業(yè)，它們的技術(shù)和人才主要來自于天科合達(dá)和天岳先進(jìn)。這兩家公司都有著豐富的技術(shù)積累，是國內(nèi)SiC技術(shù)的重要來源。2.質(zhì)量層面：國內(nèi)SiC襯底的質(zhì)量能與國外巨頭相媲美，具備一定競爭力。3.工藝層面：國內(nèi)SiC襯底與國外龍頭企業(yè)在長晶速度上差距較小。國內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)每周生長的晶碇厚度為20-30mm，可以切割成20-30片。Wolfspeed和Coherent等國外企業(yè)每十幾天可以長出40-50mm的晶碇，可以切割成40-50片。4.長晶設(shè)備層面：國內(nèi)SiC襯底的物理氣相傳輸（PhysicalVaporTransport,PVT）長5.能源層面：國內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)可以在太陽能、風(fēng)電和水電充足的地區(qū)建立廠房，相對于國外企業(yè)擁有潛在的成本優(yōu)勢。由于長晶爐內(nèi)的溫度高達(dá)2400攝氏度，能耗相當(dāng)巨6.技術(shù)人才：國內(nèi)SiC襯底制造領(lǐng)域的技術(shù)人才相對分散，許多初創(chuàng)公司的合伙人都來自天科合達(dá)或天岳先進(jìn)。然而，與之相比，國外龍頭企業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊更加穩(wěn)定，其穩(wěn)定性帶來了更多的工藝經(jīng)驗積累。國內(nèi)市場主要由兩類公司組成：一類是生產(chǎn)傳統(tǒng)Si單晶爐的上市公司，另一類則是專注于SiC長晶爐的初創(chuàng)企業(yè)。上市公司北方華創(chuàng)及晶升股份為國內(nèi)SiC單晶爐第一梯隊廠商，具備國內(nèi)領(lǐng)先的SiC長晶爐技術(shù)。其中，北方華創(chuàng)的SiC單晶爐國內(nèi)市場份額超過50%，主要依賴天岳先進(jìn)提供的長晶設(shè)備，主要應(yīng)用于生產(chǎn)4-6英寸的半絕緣型SiC襯底。而晶升股份則占據(jù)了約28%的國內(nèi)市場份額，是三安光電的主要供應(yīng)商，其長晶設(shè)備主要用于制造6英寸的導(dǎo)電型SiC襯底未上市公司寧波恒普真空科技公司已向下游SiC廠商交付小批量單晶爐，而其他初創(chuàng)公司包括連城數(shù)控、哈爾濱科友半導(dǎo)體、山東力冠微電子裝備等。。在海外市場，襯底廠商主要以Wolfspeed為首，多為自主研發(fā)長晶爐設(shè)備。免責(zé)聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務(wù)必一起閱讀。資料來源：北方華創(chuàng)，華泰研究資料來源：TEL，華泰研究資料來源：Axecelis官網(wǎng)，華泰研究國內(nèi)SiC長晶主要集中在4寸和6寸晶圓上，國內(nèi)6寸晶圓去年才剛開始大規(guī)模量產(chǎn)，8寸晶圓在國內(nèi)尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段，目前只有Wolfspeed和Coherent等少數(shù)廠商有一些生產(chǎn)規(guī)模。SiC長晶的難點主要在于高溫環(huán)境下的工藝控制，SiC的熔點約為2700度，相比之下，Si的熔點在1410攝氏度，這需要設(shè)備具備承受極高溫度并能長時間保持均勻性的特性，對設(shè)備提出了極大的挑戰(zhàn)。在生產(chǎn)過程中，溫度的控制非常關(guān)鍵，一般無法用探頭直接觀察長晶的過程，因此很多時候，生產(chǎn)過程就像一個黑匣子，中間出了問題，只能在晶體完全生長后才能發(fā)現(xiàn)。因此，保持高成品率對于SiC長晶非常關(guān)鍵，即使需要降低晶體長度以減少損失，也是為了確保產(chǎn)品質(zhì)量。在這方面，擁有多年經(jīng)驗的Wolfspeed和Coherent等廠商在SiC長晶領(lǐng)域具有深厚的技術(shù)積累和生產(chǎn)經(jīng)驗。長晶技術(shù)在SiC材料制備中扮演著關(guān)鍵角色，它直接影響晶圓的質(zhì)量和生產(chǎn)成本。長晶技術(shù)的發(fā)展歷程從最初的1寸、2寸、4寸逐漸演變到如今的6寸、8寸。安芯在收購Norstel后，利用其4寸長晶技術(shù)，成功提升了6寸晶圓的生產(chǎn)能力。與此同時，在將Norstel出售給意法半導(dǎo)體后，意法公司實現(xiàn)了8寸長晶技術(shù)的突破。然而，長晶技術(shù)的擴(kuò)產(chǎn)不僅需要大量資金的投入，還需要持續(xù)不斷地優(yōu)化工藝和設(shè)備。長晶長度是衡量長晶技術(shù)水平的重要指標(biāo)，它直接影響晶圓的利用率和切割效率。長晶長度受多種因素的限制，包括成本、工藝和材料等。目前，國內(nèi)的長晶長度通常在20-30毫米左右，而一些國外廠商可達(dá)到更高的水平，不過最終結(jié)果還是要看實際的成品率。即便長晶長度再高，如果成品率不高，降低成本也將難以實現(xiàn)。為了提高成品率和長晶長度，需要積累大量的經(jīng)驗和數(shù)據(jù)，且還需要對材料、坩堝、熱場和SiC粉等進(jìn)行不斷的優(yōu)化和升級，以確保在高溫條件下的均勻性和穩(wěn)定性。隨著晶圓尺寸的增大，熱場均勻性的控制難度也會增加，這也是一個面臨的挑戰(zhàn)。資料來源：公司官網(wǎng)，華泰研究8英寸硅晶片的批量生產(chǎn)尚未實現(xiàn)，而且良率情況仍然不明朗。各公司將良率數(shù)據(jù)視為機(jī)密信息，也被視為核心競爭力。對于6英寸硅晶片而言，良率已經(jīng)超過了50%，相較于前幾年有了顯著提升。在晶體生長過程后，硅晶片還需要經(jīng)歷切割和拋光階段。8英寸SiC襯底的研發(fā)挑戰(zhàn)主要集中在襯底生長、切割加工和氧化工藝等方面。襯底生長需要開發(fā)出適用于8英寸晶片的種子晶體，并解決溫度分布不均、氣相原料分布和輸運(yùn)效率等問題。切割加工則需要解決大尺寸襯底在切割過程中可能出現(xiàn)的應(yīng)力、翹曲和開裂等問題。氧化工藝方面需要精確控制氣流和溫度分布，以提高晶片質(zhì)量。切割工藝有多種方法，其中常見的是金剛石平行切割，可以同時切割20-30片晶片，每片之間間隔1毫米。如果切割線斷裂或者卡住，將會嚴(yán)重影響晶片的良率。切割線的選擇至關(guān)重要，因為SiC是僅次于金剛石的世界第二硬材料。切割線的損耗也是整體成本的一部分，就像是鋸木頭時所使用的鋸片寬度。因此，一些公司采用了無線切割技術(shù)，以增加晶片的數(shù)量。例如，被英飛凌收購的德國初創(chuàng)公司Silectra開發(fā)了激光切割技術(shù)。相較于其他公司的30片，英飛凌能切割出60片，成本降低了一半。切割完成后，SiC晶片還需要經(jīng)過拋光工序，如果控制不當(dāng)，晶片容易碎裂。金剛石的使用量、濃度和粘度等都是經(jīng)驗問題。最終的產(chǎn)品是適用于外延生長的硅晶片。從晶體生長到最終產(chǎn)品，需要經(jīng)過多道工序，每一道工序都會影響成本和良率。資料來源：英飛凌官網(wǎng)，華泰研究資料來源：WolfspeedInvestorDay2022，華泰研究國內(nèi)已有一些公司在激光切片技術(shù)領(lǐng)域取得了進(jìn)展，并正致力于產(chǎn)業(yè)化。切割、磨削和拋光設(shè)備在半導(dǎo)體制程中扮演著關(guān)鍵角色，涉及到硅片制造、晶圓制造和封裝等關(guān)鍵工序。國內(nèi)的切割、磨削和拋光設(shè)備市場規(guī)模約為30億元，主要由國際巨頭如日本的DISCO等公司壟斷。國內(nèi)廠商的參與相對較晚，在技術(shù)要求較高的晶圓減薄、劃片等工具方面，與行業(yè)龍頭相比仍存在較大差距。然而，隨著國內(nèi)晶圓廠的快速發(fā)展以及對供應(yīng)鏈自主可控性需求的增加，國內(nèi)切割、磨削和拋光設(shè)備的本土替代品有望加速推出。這方面的技術(shù)突破更多集中在芯片生產(chǎn)領(lǐng)域。在線切割工藝方面，8英寸晶圓的切割時間明顯長于6英寸晶圓，且線卡住的風(fēng)險也更高。因此，8英寸晶圓的價格遠(yuǎn)高于6英寸，其面積約為6英寸的1.8倍左右，因此市場價格應(yīng)該是6英寸的翻倍以上。以6英寸晶圓為例，價格大約為800美元，而8英寸晶圓則高達(dá)2000美元。從經(jīng)濟(jì)角度來看，目前，6英寸晶圓較為劃算，市場供應(yīng)也更加充足。但在國內(nèi)市場，6英寸晶圓即便虧本也仍在銷售，因此8英寸晶圓離實現(xiàn)量產(chǎn)還有較大距離。在全球范圍內(nèi)，除了Wolfspeed外，其他廠商都仍處于研發(fā)階段。資料來源：Wolfspeed2022InvestorDay，華泰研究降低半導(dǎo)體生產(chǎn)成本的關(guān)鍵在于實現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)。規(guī)模擴(kuò)大不僅提高了生產(chǎn)效率，還降低了設(shè)備運(yùn)營成本。規(guī)模效應(yīng)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中起著至關(guān)重要的作用。此外，還有其他因素影響成本，包括產(chǎn)品合格率、采用的技術(shù)路線、耗材的使用以及能源成本等。在一些地區(qū)，電價較低，但可能會面臨人才匱乏的挑戰(zhàn)。因此，這些公司的競爭力主要受制于這些因素。SiC技術(shù)主要分為兩類產(chǎn)品：二極管和MOSFET。在二極管領(lǐng)域，國內(nèi)市場競爭激烈，行業(yè)龍頭三安光電實現(xiàn)了從材料到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。而在MOSFET領(lǐng)域，全球市場仍由海外巨龍壟斷，國產(chǎn)替代趨勢明顯。海外巨頭包括英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等，國內(nèi)華潤微、士蘭微已進(jìn)入全球MOSFET器件市占率前十名。電動汽車對器件的可靠性要求高，需要經(jīng)過長期的驗證和測試。根據(jù)PntPower分析，特斯拉Model3的主驅(qū)逆變器中共使用了48個MOSFET，如果其中一個出現(xiàn)故障，整車需要進(jìn)行返修，這將導(dǎo)致較大的損失。與此不同，消費(fèi)類快充器件則更容易更換。因此，國內(nèi)廠商通常從車載充電器OBC入手，逐步拓展市場。從可靠性的角度來看，發(fā)動機(jī)內(nèi)的器件出現(xiàn)問題會導(dǎo)致汽車無法行駛。因此，海外大廠在這方面具有先發(fā)優(yōu)勢，已與多個海外車型建立了合作關(guān)系。與此同時，中國汽車制造商比亞迪也主要采用了海外大廠的器件。相較之下，國內(nèi)廠商仍處于送樣測試階段，尚未證明能否滿足車規(guī)級產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)需求和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。資料來源：意法半導(dǎo)體，華泰研究GaN相對于SiC進(jìn)入市場較晚。在2018年，特斯拉采用了SiC技術(shù)，而到了2021年，GaN技術(shù)才進(jìn)入了手機(jī)快充領(lǐng)域。在GaN技術(shù)的量產(chǎn)中，目前主要采用平面工藝，而垂直結(jié)構(gòu)的研發(fā)仍在進(jìn)行中，尤其是在高壓場景下，比如1200V。相較而言，平面結(jié)構(gòu)的器件面積較大，同時也存在一定數(shù)量的缺陷。相比之下，垂直結(jié)構(gòu)更為可靠，而且占用空間更小。因此，許多器件制造商將重點放在了垂直結(jié)構(gòu)的SiC技術(shù)上，包括英飛凌、羅姆和博世等公司。與此不同，意法半導(dǎo)體和安森美半導(dǎo)體選擇采用平面結(jié)構(gòu)的SiC技術(shù)。而GaN技術(shù)主要以平面結(jié)構(gòu)為主。未來的市場格局仍需持續(xù)觀察，但在晶棒生產(chǎn)上GaN相較于SiC挑戰(zhàn)更小。GaN與SiC長晶的主要差異在于長晶技術(shù)和能源消耗成本。在長晶方面，GaN可以利用現(xiàn)有的硅（Si）工藝和設(shè)備，在普通的硅襯底上生長。而SiC則需要采用高純度的SiC襯底，大幅提高了材料成本。此外，GaN的生產(chǎn)速率高于SiC，因此拓寬晶圓尺寸相對更為容易。從能源消耗的角度看，使用物理氣相運(yùn)輸法（PVT）生長SiC晶圓需要將長晶爐內(nèi)溫度升至2500攝氏度，而采用氫化物氣相外延法（HydrideVaporPhaseEpitaxy,HVPE）生長GaN晶圓的溫度則在1000攝氏度以內(nèi)，這種能耗差異也導(dǎo)致了性價比上的差異。國內(nèi)廠商英諾賽科在GaN量產(chǎn)工藝上取得進(jìn)展，我們認(rèn)為，GaN的價格與Si的價格相近，所以未來硅被GaN替代的速率會加快。預(yù)計在2028到2030年之間，GaN技術(shù)將開始量產(chǎn)并逐步應(yīng)用于汽車領(lǐng)域。英飛凌曾投資近10億美元收購了GaNsystem，并獲得寶馬價值1億美元的訂單。GaN技術(shù)具有SiC技術(shù)的性能，且價格更接近傳統(tǒng)硅基技術(shù)。然而，要驗證GaN技術(shù)的可靠性和穩(wěn)定性還需要花費(fèi)相當(dāng)長的時間。目前，各個市場都在持觀望態(tài)度。特斯拉也正在探索降低SiC用量的方法，包括從平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向垂直結(jié)構(gòu)、采用SiC和硅基IGBT的混合方案，以及開發(fā)GaN技術(shù)。特斯拉已在Starlink項目中使用了GaN技術(shù)，用于功率和射頻控制，下一步可能會將其應(yīng)用于汽車領(lǐng)域。GaN技術(shù)在汽車應(yīng)用中的價格優(yōu)勢明顯，可做到與硅基技術(shù)相媲美甚至更低。這是因為GaN器件相較于硅基器件面積更小，成本主要集中在氮化鎵外延層。隨著生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，GaN技術(shù)的價格預(yù)計會進(jìn)一步降低。例如，英諾賽科提供的GaN產(chǎn)品在性能上與SiC相當(dāng)，但價格卻相對較低。硅基器件被GaN技術(shù)替代的速度可能會加快，這也是英飛凌收購GaNsystem的原因之一。從投資角度來看，建議密切關(guān)注國際大型企業(yè)和初創(chuàng)企業(yè)在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的動態(tài)。畢竟，氮化鎵技術(shù)仍處于初級階段，因此存在許多投資機(jī)會。雖然氮化鎵技術(shù)是一種風(fēng)險投資，但在時機(jī)成熟時，可能會迎來跨越式發(fā)展。資料來源：安森美公眾號，華泰研究資料來源：Yole，華泰研究資料來源：Yole，華泰研究SiC長晶技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期：長晶技術(shù)作為SiC降本增效的核心挑戰(zhàn)，若研發(fā)遇到困難或延遲，將導(dǎo)致產(chǎn)品良率提升不及預(yù)期，進(jìn)而延緩規(guī)模化進(jìn)程，或影響行業(yè)利潤。SiC器件降本不及預(yù)期：相較硅基IGBT，SiC器件的高價格限制了其在下游應(yīng)用的推廣和普及。若SiC襯底和器件成本下降速度不及預(yù)期，或行業(yè)市場規(guī)模增長不及預(yù)期的風(fēng)險。SiC商業(yè)化推進(jìn)及下游滲透不及預(yù)期：SiC應(yīng)用廣泛，覆蓋新能源車、光伏、工控、射頻等領(lǐng)域。新能源作為行業(yè)核心驅(qū)動力，若新能源汽車的發(fā)展速度低于預(yù)期，或SiC在新能源車中替代率低于預(yù)期，將對板塊產(chǎn)品銷售產(chǎn)生影響。分析師聲明本人，何翩翩，茲證明本報告所表達(dá)的觀點準(zhǔn)確地反映了分析師對標(biāo)的證券或發(fā)行人的個人意見；彼以往、現(xiàn)在或未來并無就其研究報告所提供的具體建議或所表迖的意見直接或間接收取任何報酬。一般聲明及披露本報告由華泰證券股份有限公司（已具備中國證監(jiān)會批準(zhǔn)的證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格，以下簡稱“本公司”）制作。本報告所載資料是僅供接收人的嚴(yán)格保密資料。本報告僅供本公司及其客戶和其關(guān)聯(lián)機(jī)構(gòu)使用。本公司不因接收人收到本報告而視其為客戶。本報告基于本公司認(rèn)為可靠的、已公開的信息編制，但本公司及其關(guān)聯(lián)機(jī)構(gòu)(以下統(tǒng)稱為“華泰”)對該等信息的準(zhǔn)確性及完整性不作任何保證。本報告所載的意見、評估及預(yù)測僅反映報告發(fā)布當(dāng)日的觀點和判斷。在不同時期，華泰可能會發(fā)出與本報告所載意見、評估及預(yù)測不一致的研究報告。同時，本報告所指的證券或投資標(biāo)的的價格、價值及投資收入可能會波動。以往表現(xiàn)并不能指引未來，未來回報并不能得到保證，并存在損失本金的可能。華泰不保證本報告所含信息保持在最新狀態(tài)。華泰對本報告所含信息可在不發(fā)出通知的情形下做出修改，投資者應(yīng)當(dāng)自行關(guān)注相應(yīng)的更新或修改。本公司不是FINRA的注冊會員，其研究分析師亦沒有注冊為FINRA的研究分析師/不具有FINRA分析師的注冊資華泰力求報告內(nèi)容客觀、公正，但本報告所載的觀點、結(jié)論和建議僅供參考，不構(gòu)成購買或出售所述證券的要約或招攬。該等觀點、建議并未考慮到個別投資者的具體投資目的、財務(wù)狀況以及特定需求，在任何時候均不構(gòu)成對客戶私人投資建議。投資者應(yīng)當(dāng)充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內(nèi)容，不應(yīng)視本報告為做出投資決策的唯一因素。對依據(jù)或者使用本報告所造成的一切后果，華泰及作者均不承擔(dān)任何法律責(zé)任。任何形式的分享證券投資收益或者分擔(dān)證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。除非另行說明，本報告中所引用的關(guān)于業(yè)績的數(shù)據(jù)代表過往表現(xiàn)，過往的業(yè)績表現(xiàn)不應(yīng)作為日后回報的預(yù)示。華泰不承諾也不保證任何預(yù)示的回報會得以實現(xiàn)，分析中所做的預(yù)測可能是基于相應(yīng)的假設(shè)，任何假設(shè)的變化可能會顯著影響所預(yù)測的回報。華泰及作者在自身所知情的范圍內(nèi)，與本報告所指的證券或投資標(biāo)的不存在法律禁止的利害關(guān)系。在法律許可的情況下，華泰可能會持有報告中提到的公司所發(fā)行的證券頭寸并進(jìn)行交易，為該公司提供投資銀行、財務(wù)顧問或者金融產(chǎn)品等相關(guān)服務(wù)或向該公司招攬業(yè)務(wù)。華泰的銷售人員、交易人員或其他專業(yè)人士可能會依據(jù)不同假設(shè)和標(biāo)準(zhǔn)、采用不同的分析方法而口頭或書面發(fā)表與本報告意見及建議不一致的市場評論和/或交易觀點。華泰沒有將此意見及建議向報告所有接收者進(jìn)行更新的義務(wù)。華泰的資產(chǎn)管理部門、自營部門以及其他投資業(yè)務(wù)部門可能獨(dú)立做出與本報告中的意見或建議不一致的投資決策。投資者應(yīng)當(dāng)考慮到華泰及/或其相關(guān)人員可能存在影響本報告觀點客觀性的潛在利益沖突。投資者請勿將本報告視為投資或其他決定的唯一信賴依據(jù)。有關(guān)該方面的具體披露請參照本報告尾部。本報告并非意圖發(fā)送、發(fā)布給在當(dāng)?shù)胤苫虮O(jiān)管規(guī)則下不允許向其發(fā)送、發(fā)布的機(jī)構(gòu)或人員，也并非意圖發(fā)送、發(fā)布給因可得到、使用本報告的行為而使華泰違反或受制于當(dāng)?shù)胤苫虮O(jiān)管規(guī)則的機(jī)構(gòu)或人員。本報告版權(quán)僅為本公司所有。未經(jīng)本公司書面許可，任何機(jī)構(gòu)或個人不得以翻版、復(fù)制、發(fā)表、引用或再次分發(fā)他人(無論整份或部分)等任何形式侵犯本公司版權(quán)。如征得本公司同意進(jìn)行引用、刊發(fā)的，需在允許的范圍內(nèi)使用，并需在使用前獲取獨(dú)立的法律意見，以確定該引用、刊發(fā)符合當(dāng)?shù)剡m用法規(guī)的要求，同時注明出處為“華泰證券研究所”，且不得對本報告進(jìn)行任何有悖原意的引用、刪節(jié)和修改。本公司保留追究相關(guān)責(zé)任的權(quán)利。所有本報告中使用的商標(biāo)、服務(wù)標(biāo)記及標(biāo)記均為本公司的商標(biāo)、服務(wù)標(biāo)記及標(biāo)記。中國香港本報告由華泰證券股份有限公司制作,在香港由華泰金融控股（香港）有限公司向符合《證券及期貨條例》及其附屬法律規(guī)定的機(jī)構(gòu)投資者和專業(yè)投資者的客戶進(jìn)行分發(fā)。華泰金融控股（香港）有限公司受香港證券及期貨事務(wù)監(jiān)察委員會監(jiān)管，是華泰國際金融控股有限公司的全資子公司，后者為華泰證券股份有限公司的全資子公司。在香港獲得本報告的人員若有任何有關(guān)本報告的問題,請與華泰金融控股（香港）有限公司聯(lián)系。香港-重要監(jiān)管披露?華泰金融控股（香港）有限公司的雇員或其關(guān)聯(lián)人士沒有擔(dān)任本報告中提及的公司或發(fā)行人的高級人員。?有關(guān)重要的披露信息，請參華泰金融控股（香港）有限公司的網(wǎng)頁.hk/stock_disclosure其他信息請參見下方“美國-重要監(jiān)管披露”。美國在美國本報告由華泰證券（美國）有限公司向符合美國監(jiān)管規(guī)定的機(jī)構(gòu)投資者進(jìn)行發(fā)表與分發(fā)。華泰證券（美國）有限公司是美國注冊經(jīng)紀(jì)商和美國金融業(yè)監(jiān)管局（FINRA）的注冊會員。對于其在美國分發(fā)的研究報告，華泰證券（美國）有限公司根據(jù)《1934年證券交易法》（修訂版）第15a-6條規(guī)定以及美國證券交易委員會人員解釋，對本研究報告內(nèi)容負(fù)責(zé)。華泰證券（美國）有限公司聯(lián)營公司的分析師不具有美國金融監(jiān)管（FINRA）分析師的注冊資格