寬禁帶立方氮化硼薄膜的制備與摻雜研究的開題報告

寬禁帶立方氮化硼薄膜的制備與摻雜研究的開題報告一、選題背景寬禁帶半導(dǎo)體材料在現(xiàn)代電子器件中具有廣泛的應(yīng)用。作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，立方氮化硼（c-BN）因其高硬度、高耐熱性、高導(dǎo)熱系數(shù)、高物理穩(wěn)定性等優(yōu)異性能，在化工、機(jī)械、電子等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用前景。然而，c-BN薄膜的制備技術(shù)及其摻雜方法研究仍處于起步階段，制備高質(zhì)量寬禁帶c-BN薄膜及其摻雜技術(shù)是目前研究熱點(diǎn)。二、研究目的本課題旨在研究制備高質(zhì)量寬禁帶c-BN薄膜的涂覆方法，并探討其在電子器件中的應(yīng)用。同時，嘗試探討c-BN薄膜的不同摻雜方法和摻雜濃度對其電學(xué)性能的影響，以期為c-BN薄膜的應(yīng)用提供科學(xué)依據(jù)。三、研究內(nèi)容1.研究c-BN薄膜的制備工藝，包括化學(xué)氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）和濺射等方法，并對比分析不同方法的優(yōu)缺點(diǎn)。2.研究不同條件下c-BN薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、形貌、硬度、導(dǎo)熱性等物理性質(zhì)，并探討其在電子器件中的應(yīng)用潛力。3.探討摻雜對c-BN薄膜電學(xué)性能的影響，包括摻雜濃度、摻雜原子類型等因素，并分析不同摻雜方法的優(yōu)缺點(diǎn)和適用性。4.研究利用c-BN薄膜制備電子器件的方法和性能，包括p-n結(jié)、MOSFET、GBT等器件的制備方法和性能測試等。四、研究意義1.為寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究提供新思路和技術(shù)方法，為應(yīng)用提供技術(shù)支持。2.促進(jìn)c-BN薄膜應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，拓寬其應(yīng)用范圍。3.為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供技術(shù)支持和科研支持。五、研究方案1.了解并掌握c-BN薄膜制備的現(xiàn)有技術(shù)路線和方法。2.確定研究c-BN薄膜的涂覆方法和實(shí)驗條件，在制備出c-BN薄膜后，進(jìn)行材料表征和性能測試。3.探討c-BN薄膜的摻雜方法和摻雜濃度，并對不同摻雜方法的優(yōu)劣進(jìn)行分析和評價。4.基于研究結(jié)果，進(jìn)一步探討c-BN薄膜在電子器件中的應(yīng)用，并評估其適用性和應(yīng)用前景。5.結(jié)合所得數(shù)據(jù)，撰寫論文，提交并通過答辯。六、研究預(yù)期成果1.制備出高質(zhì)量寬禁帶c-BN薄膜，并對其進(jìn)行表征和分析。2.確定c-BN薄膜的摻雜方法和摻雜濃度，分析其摻雜對電學(xué)性能的影響。3.系統(tǒng)性探討c-BN薄膜在電子器件中的應(yīng)用和性能表現(xiàn)，并評估其應(yīng)用價值和潛力。4.發(fā)表一篇在國內(nèi)外知名SCI期刊上的高水平學(xué)術(shù)論文。七、研究所需資源1.物理實(shí)驗室、測試儀器2.文獻(xiàn)檢索、閱讀、翻譯軟件等3.專業(yè)期刊和論文庫的使用權(quán)限（如：Elsevier,SciDirect,Wiley,ACS等）4.經(jīng)費(fèi)資助：(1)碩士生獎學(xué)金(2000元/月)（2）碩士生科研發(fā)展基金（5000元/年）八、時間安排1、第一年：熟悉實(shí)驗室設(shè)備，進(jìn)行相關(guān)文獻(xiàn)檢索和文章閱讀，深化對c-BN薄膜制備技術(shù)和摻雜方法的調(diào)研。2、第二年：開始進(jìn)行實(shí)驗和數(shù)據(jù)采集，加深對