-軟件設(shè)計報告模板

PAGEPAGE10實驗報告（201∕201學(xué)年第學(xué)期）課程軟件設(shè)計MATLAB指導(dǎo)教師學(xué)生姓名班級學(xué)號學(xué)院電子科學(xué)與工程學(xué)院專業(yè)微電子學(xué)目錄(該目錄的內(nèi)容請更新.)第一章軟件設(shè)計介紹 1第二章軟件開發(fā)平臺簡介 1第三章 軟件設(shè)計的內(nèi)容 23.1 繪制圓形（A1） 23.1.1設(shè)計題目及要求 23.1.2邏輯功能程序 23.1.3結(jié)果及完善方向 23.2 雙極型晶體管基區(qū)少子濃度分布（A2） 43.2.1設(shè)計題目及要求 43.2.2設(shè)計背景基礎(chǔ) 43.2.3邏輯功能程序 43.2.4結(jié)果及分析 53.3 PN結(jié)勢壘區(qū)內(nèi)電場分布和碰撞電離率隨反偏電壓的變化關(guān)系（A3） 63.3.1設(shè)計題目及要求 63.3.2設(shè)計物理基礎(chǔ)背景 63.3.3設(shè)計思想 83.3.4邏輯功能程序 83.3.5結(jié)果及完善方向 103.4 雪崩倍增因子外加隨外加反偏電壓的變化關(guān)系（A4） 133.4.1設(shè)計題目及要求 133.4.2物理背景知識 133.3.3設(shè)計思想 133.4.4邏輯功能程序 133.4.5結(jié)果及分析 183.5 擊穿電壓隨P區(qū)和N區(qū)濃度的變化關(guān)系（A5） 193.5.1設(shè)計題目及要求 193.5.2設(shè)計物理背景 193.5.3邏輯功能程序 203.5.4結(jié)果及分析 253.6 MOSFETSPICE模型的開發(fā)（B1） 253.6.1設(shè)計題目及要求 253.6.2設(shè)計物理基礎(chǔ) 263.6.3邏輯功能程序 293.6.4結(jié)果及分析 34第四章心得體會 37軟件設(shè)計實驗介紹課程編號：B0465011C課內(nèi)周數(shù)：兩周適用專業(yè)：微電子學(xué)一、所涉及的課程及知識點涉及的課程：第6學(xué)期之前的專業(yè)基礎(chǔ)課程。知識點：專業(yè)基礎(chǔ)課程中所學(xué)的知識點。二、目的與任務(wù)目的：通過軟件設(shè)計，培養(yǎng)學(xué)生的實踐能力和創(chuàng)新精神，加強學(xué)生對專業(yè)基礎(chǔ)課程的理解和掌握，加強學(xué)生高級語言編程能力、應(yīng)用軟件以及仿真能力。任務(wù)：選擇以下任一模塊進(jìn)行設(shè)計：Matlab軟件仿真、C語言及應(yīng)用。三、要求軟件設(shè)計總評成績包括3項：平時（包括點名，占總成績的20%）程序驗收占總成績的50%軟件報告（占總成績的30%）（內(nèi)容……）軟件報告截至日期為2011.05.13，打包發(fā)郵件給指導(dǎo)教師，應(yīng)包括軟件設(shè)計報告、原文件、數(shù)據(jù)文件等，注意不要包含Debug等調(diào)試生成的文件夾，如果有請刪除后再打包發(fā)郵件。請班長將所有同學(xué)的電子檔收齊后一起發(fā)，或者U盤拷貝、光盤刻錄。1、目錄結(jié)構(gòu)建議：B060406軟件設(shè)計/B06040645-宋慶偉-軟件設(shè)計/*.*2、文件名建議采用打包文件中的樣式B05040645-宋慶偉-軟件設(shè)計.rar3、軟件設(shè)計報告格式以及文件命名方式見打包文件中的文件B05040645-宋慶偉-軟件設(shè)計報告.doc4、注意檢查文件版本：Word2007以上時請另存為Word兼容格式，使Word2000以上都能打開。第二章軟件開發(fā)平臺簡介第三章軟件設(shè)計的內(nèi)容3.1矩陣運算3.1.1設(shè)計題目及要求如果給出兩個矩陣，，執(zhí)行下面的矩陣運算命令。（1）和分別是多少（其中I為單位矩陣）？（2）和將分別給出什么結(jié)果，它們是否相同？為什么？3.1.2邏輯功能程序此處請粘貼程序.3.1.3運行結(jié)果此處清粘貼運行結(jié)果.并對運行結(jié)果進(jìn)行分析說明。下同。3.1.4實驗分析針對該實驗中應(yīng)用的語句等軟件功能進(jìn)行說明。下同。3.2圓形的繪制3.2.1設(shè)計題目及要求請繪制出一個圓形，要求用函數(shù)實現(xiàn)。3.2.2邏輯功能程序3.2.3運行結(jié)果3.2.4實驗分析3.3雙極型晶體管基區(qū)少子濃度分布3.3.1設(shè)計題目及要求試?yán)L出緩變基區(qū)的雜質(zhì)分布為：=1\*GB3①；=2\*GB3②時，基區(qū)的少子濃度分布圖，并能清楚解釋各參量對少子濃度分布函數(shù)的影響。3.3.2設(shè)計背景基礎(chǔ)當(dāng)晶體管偏置在有源放大區(qū)時，VC<0且|VC|>>kT/q，集電結(jié)邊緣處電子密度為零，即x=WB，nB(WB)=0。由此邊界條件，得到緩變基區(qū)少子濃度分布函數(shù)：假定：InE=0.01mA；DnB=2cm2/s；WB=0.05um；q=1.6e-19C3.3.3邏輯功能程序3.3.4運行結(jié)果3.3.5實驗分析3.4PN結(jié)勢壘區(qū)內(nèi)電場分布和碰撞電離率隨反偏電壓的變化關(guān)系3.4.1設(shè)計題目及要求PN結(jié)勢壘區(qū)內(nèi)電場分布和碰撞電離率隨反偏電壓的變化關(guān)系（1）基本目標(biāo)：突變結(jié)分析

（2）標(biāo)準(zhǔn)目標(biāo)：突變結(jié)＋線性緩變結(jié)分析3.4.2設(shè)計物理基礎(chǔ)背景確定PN結(jié)勢壘區(qū)內(nèi)電場分布和碰撞電離率隨反偏電壓的變化關(guān)系(1)突變結(jié)勢壘區(qū)內(nèi)電場分布分析內(nèi)建電勢（1-1）N區(qū)耗盡區(qū)寬度（1-2）P區(qū)耗盡區(qū)寬度，（1-3）其中，為反偏電壓，約化濃度電場強度在耗盡區(qū)中的變化關(guān)系如下式（1-4）、（1-5）所示：()（1-4）()（1-5）且在處達(dá)到最大值（1-6）(2)線性緩變結(jié)電場分布分析內(nèi)建電勢（1-7）其中，雜質(zhì)濃度梯度為常數(shù)，不妨取耗盡區(qū)寬度（1-8）電場強度在處達(dá)到最大值（1-9）電場強度在耗盡區(qū)的變化關(guān)系為（1-10）(3)碰撞電離率隨反偏電壓的變化關(guān)系碰撞電離率（1-11）碰撞電離率表達(dá)式中的常數(shù)值材料電子空穴硅1代入上式（1-11），得：電子碰撞電離率（1-12）空穴碰撞電離率（1-13）附：，V3.4.3設(shè)計思想使用函數(shù)E（V）來作圖，通過改變外加反偏電壓，傳入不同的外加電壓V值做出不同偏壓下的曲線。3.4.4邏輯功能程序3.4.5運行結(jié)果3.4.6實驗分析3.5確定雪崩倍增因子外加隨外加反偏電壓的變化關(guān)系。3.5.1設(shè)計題目及要求確定雪崩倍增因子外加隨外加反偏電壓的變化關(guān)系。分析突變結(jié)分析線性緩變結(jié)3.5.2設(shè)計背景知識確定給定反偏電壓下的電子和空穴雪崩倍增因子空穴雪崩倍增因子（2-1）電子雪崩倍增因子（2-2）3.5.3邏輯功能程序3.5.4運行結(jié)果3.5.5實驗分析3.6確定擊穿電壓隨P區(qū)和N區(qū)濃度的變化關(guān)系。3.6.1實驗題目及要求確定擊穿電壓隨P區(qū)和N區(qū)濃度的變化關(guān)系?；灸繕?biāo)：突變結(jié)分析

（2）標(biāo)準(zhǔn)目標(biāo)：突變結(jié)＋線性緩變結(jié)分析3.6.2設(shè)計背景知識利用碰撞電離率積分方法確定擊穿電壓PN結(jié)的擊穿電壓，以及擊穿時候的最高電場碰撞電離率依賴于電場強度，隨著反偏電壓的增加，不斷增大直至發(fā)生擊穿，此時的電場強度為。發(fā)生雪崩擊穿的條件為，即上式（2-1）、（2-2）中的積分趨于1，雪崩擊穿條件可寫為（3-1）或者（3-