GBT 25915.10-2021潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境 第10部分：按化學(xué)物濃度劃分表面潔凈度等級(jí)

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第10部分：按化學(xué)物濃度劃分表面潔凈度等級(jí)國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T25915.10—2021/ISO14644-10:2013 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14分級(jí) 25化學(xué)污染的表面潔凈度檢測(cè)/測(cè)量、監(jiān)測(cè)及符合性證明 4附錄A(資料性)表面化學(xué)物各種濃度的換算 6附錄B(資料性)影響測(cè)試與結(jié)果的因素 附錄C(資料性)潔凈度評(píng)定的基本要素 附錄D(資料性)按化學(xué)物濃度測(cè)試表面潔凈度的方法 14附錄E(資料性)測(cè)試報(bào)告 參考文獻(xiàn) 24Ⅲ本文件是GB/T25915《潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境》的第10部分。GB/T25915已經(jīng)發(fā)布了以下—-第5部分：運(yùn)行；本文件等同采用ISO14644-10:2013《潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第10部分本文件由全國潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TCGB/T25915是采用ISO14644系列國際標(biāo)準(zhǔn)，各部分設(shè)置與國際標(biāo)準(zhǔn)保持一致，擬由15個(gè)部分—第2部分：潔凈室空氣粒子濃度的監(jiān)測(cè)。目的是指導(dǎo)監(jiān)測(cè)粒子污染，以避免可能產(chǎn)生的污染——第3部分：檢測(cè)方法。目的是指導(dǎo)對(duì)潔凈室內(nèi)各種污染——第8部分：按化學(xué)物濃度劃分空氣潔凈度(ACC)等級(jí)。目的是區(qū)——第12部分：監(jiān)測(cè)空氣中納米粒子濃度的技術(shù)要求。目的是提出納米級(jí)別的粒子污染的檢測(cè)——第13部分：達(dá)到粒子和化合潔凈度要求的表面清潔。目的是提出潔凈室內(nèi)——第14部分：按粒子污染濃度評(píng)估設(shè)備適用性。目的是通過對(duì)相關(guān)設(shè)備可能在潔凈室產(chǎn)生粒子——第15部分：按化學(xué)污染物濃度評(píng)定設(shè)備及材料的適合性。目的是通過對(duì)相關(guān)設(shè)備可能在潔凈——第16部分：提高潔凈室和空氣凈化裝置能效。目的是節(jié)約潔凈室運(yùn)行的能源消耗。本文件以第8部分為基礎(chǔ)，進(jìn)一步確定表面分子態(tài)污染物的分級(jí)方法。由于分子態(tài)污染物通常情本文件采用單位面積上污染物的質(zhì)量作為劃分表面潔凈度的依據(jù)。同時(shí)，考1潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第10部分：按化學(xué)物濃度劃分表面潔凈度等級(jí)本文件定義了潔凈室中有關(guān)化合物或化學(xué)物質(zhì)(包括分子、離子、原子、顆粒物)存在情況的表面潔凈度分級(jí)系統(tǒng)。本文件適用于潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境中所有表面，如墻面、頂棚、地面、工作環(huán)境、工具、設(shè)備和裝置。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于GB/T25915.6潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第6部分：詞匯(GB/T25915—2010,ISO14644-6:2007,3術(shù)語和定義GB/T25915.6界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。按化學(xué)物濃度劃分空氣潔凈度aircleanlinessbychemicalconcentration;ACC給定的某種或某組化學(xué)物質(zhì)最大允許濃度，用ISO-ACCN級(jí)表示，單位為克每立方米(g/m3)。污染物類別contaminantcategory沉積在關(guān)注表面時(shí)有特定和類似危害的一組化合物的統(tǒng)稱?；瘜W(xué)污染chemicalcontamination對(duì)產(chǎn)品、工藝或設(shè)備有害的化學(xué)物質(zhì)(非微粒子)。固相與另一相之間的界面。兩相之間的界面。2Nscc以克每平方米(g/m2)為單位的表面化學(xué)物濃度的常用對(duì)數(shù)(以10為底)。應(yīng)使用分級(jí)標(biāo)識(shí)說明等級(jí)。該標(biāo)識(shí)為“ISO-SCC”,它描述了一個(gè)表面上允許的某種化學(xué)物質(zhì)或某SCC等級(jí)應(yīng)使用分級(jí)數(shù)Nscc表示。Nsc是以克每平方米(g/m2)為單位的Csc濃度的常用對(duì)數(shù)指標(biāo)。SCC等級(jí)應(yīng)總是與其所關(guān)聯(lián)的某種化學(xué)物質(zhì)或某組化學(xué)物質(zhì)同時(shí)標(biāo)出?？梢砸?guī)定非整數(shù)濃度Ngc級(jí)別，但只能保留一位小數(shù)?？筛鶕?jù)公式(1)用Ngx確定Csc。Csc=10NscCscc為以克每平方米(g/m2)為單位的某種或某組化學(xué)物質(zhì)的最大允許濃度。測(cè)得的表面化學(xué)物表1和圖1給出了表面化學(xué)物濃度與ISO-SCC級(jí)別之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。附錄B列出的、對(duì)分級(jí)有影響的一些因素也應(yīng)予以注意。ISO-SCC等級(jí)0ISO-SCC等級(jí)X?標(biāo)引序號(hào)說明：X?——表面質(zhì)量濃度，單位為克每平方米(g/m2);X?—-表面質(zhì)量濃度，單位為微克每平方米(μg/cm2);X?——表面質(zhì)量濃度，單位為納克每平方米(ng/cm2);Y—ISO-SCC等級(jí).SCC級(jí)別數(shù)字只有與標(biāo)明某種或某組化學(xué)物質(zhì)的標(biāo)識(shí)符一起使用才有效。ISO-SCC標(biāo)識(shí)符表示4為ISO-SCCN(X),其中X是某種化學(xué)物質(zhì)或某組化學(xué)物質(zhì)。4.4物質(zhì)換算為表面原子濃度對(duì)于很低的濃度通常測(cè)量表面上的分子、原子、離子的數(shù)量，以單位面積(1/m2)數(shù)量表示。為了分級(jí)，宜將表面數(shù)量濃度轉(zhuǎn)換為單位面積上的質(zhì)量濃度(g/m2),用公式(2)轉(zhuǎn)換。 (2)Cscc——表面質(zhì)量濃度，單位為克每平方米(g/m2);N.——阿伏加德羅常量，其值為6.02×1023/mol。附錄A中的圖A.4列出了常見物質(zhì)表面化學(xué)物濃度(g/m2)與表面原子濃度(原子數(shù)/m2)之間的關(guān)系。5化學(xué)污染的表面潔凈度檢測(cè)/測(cè)量、監(jiān)測(cè)及符合性證明5.1潔凈度評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)附錄D中的圖D.2說明了測(cè)量不同種類污染物所用的不同采樣和測(cè)量方法。為證明符合性所做的測(cè)試應(yīng)在分級(jí)環(huán)境中進(jìn)行，環(huán)境空氣中的化學(xué)污染物和懸浮顆粒對(duì)分級(jí)無不良影響。全部測(cè)試都應(yīng)使用合適的測(cè)量方法及經(jīng)過校準(zhǔn)的儀器。環(huán)境、測(cè)量方法、儀器應(yīng)由供需雙方附錄C討論了附加的測(cè)試基本要點(diǎn)，附錄D詳細(xì)說明了證明符合性的測(cè)量方法。常用測(cè)量方法的目錄并不完全。供需雙方可商定準(zhǔn)確度具可比性的替代方法。不同的測(cè)量方法，即使都正確使用，也可產(chǎn)生同等效力的不同結(jié)果。宜將重復(fù)測(cè)量結(jié)果作為統(tǒng)計(jì)的一部分。測(cè)量高水平的潔凈度時(shí)，可能發(fā)生濃度突然增高這類的特定問題。這時(shí)就需要特殊的質(zhì)量控制方靜電荷會(huì)增加化學(xué)物在表面的沉降，因此，宜在測(cè)試區(qū)周圍采取預(yù)防措施減少靜電荷。如果待測(cè)試表面既非導(dǎo)體又沒有接地或電中和處理，容易產(chǎn)生靜電荷，可能影響測(cè)量結(jié)果。按化學(xué)物濃度測(cè)試表面潔凈度的常用測(cè)量方法見附錄D。5.2文件和報(bào)告通過進(jìn)行測(cè)量，提供測(cè)量結(jié)果和條件的文檔記錄，驗(yàn)證需方規(guī)定的化學(xué)濃度等級(jí)要求的表面清潔度的符合性。符合性的詳細(xì)信息應(yīng)由供需雙方提前商定。符合性證明測(cè)試應(yīng)使用合適的測(cè)量方法及校準(zhǔn)儀器。5附錄D詳細(xì)說明了符合性證明的測(cè)量方法，所列的常用方法并不完全。測(cè)試環(huán)境應(yīng)由供需雙方商應(yīng)記錄并以綜合性報(bào)告的形式提交每塊表面的測(cè)試結(jié)果，還應(yīng)說明與規(guī)定的SCC級(jí)別相符或不a)測(cè)試機(jī)構(gòu)的名稱和地址；附錄E中列舉了一種測(cè)試報(bào)告的編寫示例，測(cè)試報(bào)告中也可列出經(jīng)供需雙方同意的其他變動(dòng)6GB/T25915.10—2021/ISO(資料性)除表面質(zhì)量濃度(g/m2)外，還有其他一些表位面積有機(jī)分子數(shù)(分子數(shù)/m2),或單位面積有機(jī)化合物碳原子數(shù)(原子數(shù)C/m2)。A.2示例表A.1庚烷(C?H??,CAS號(hào)142-8示例1分子數(shù)/m2以碳表示的表面數(shù)量濃度原子數(shù)C/m2以碳表示的表面質(zhì)量濃度C表A.2十六烷(C?H??,CAS號(hào)544-76-3)表面質(zhì)量濃度單位(g/m2)與表面數(shù)量濃度單位示例1分子數(shù)/m2以碳表示的表面數(shù)量濃度原子數(shù)C/m2以碳表示的表面質(zhì)量濃度示例1分子數(shù)/m2以碳表示的表面數(shù)量濃度原子數(shù)C/m2以碳表示的表面質(zhì)量濃度7每個(gè)表面數(shù)量濃度均可按公式(A.1)～公式(A.3)轉(zhuǎn)換為原表面質(zhì)量濃度：N。——所關(guān)注有機(jī)化合物含碳原子數(shù)；M:——碳的摩爾質(zhì)量；表A.4列出了依據(jù)Langmuir-Blodgett(LB)膜以不同單位表示的常見有機(jī)物表面數(shù)量濃度。由公式(A.4)可導(dǎo)出表面數(shù)量濃度：Csca[g/m2]=(M/N.)13d2…………(A.4)d——有機(jī)化合物濃度，單位為克每立方米(g/m3)。表A.4依據(jù)LB膜的單層濃度庚烷(CH??O),十六烷(C,H??),(2-乙基己基)鄰苯二甲以碳表示的表面數(shù)量濃度以碳表示的表面質(zhì)量濃度圖A.1～圖A.4分別說明如何將表面數(shù)量濃度單位(分子數(shù)/m2或原子數(shù)C/m2)換算為以碳(gC/m2)或整個(gè)化合物(g/m2)表示的表面質(zhì)量濃度單位。8圖A.1常見有機(jī)物表面質(zhì)量濃度單位(g/m2)與表面分子濃度單位(分子數(shù)/m2)之間的關(guān)系9γ圖A.2以碳質(zhì)量表示的常見有機(jī)物表面質(zhì)量濃度單位與表面原子濃度單位之間的關(guān)系圖A.3以碳原子數(shù)量表示的常見有機(jī)物表面質(zhì)量濃度單位(g/m2)與表面原子濃度(原子數(shù)C/m2)之間的關(guān)系3——Na(M=23.0);10——Mn(M=54.9)4——Mg(M=24.3);115——Al(M=27.0);6——K(M=39.1);13——Ni(M7——Ca(M=40.1);圖A.4以原子數(shù)量表示的常見物質(zhì)表面質(zhì)量濃度單位(g/m2)與表面原子濃度(原子數(shù)/m2)之間的關(guān)系h)將化學(xué)物質(zhì)從其基底上剝落下來所用化學(xué)物或水的質(zhì)量；j)測(cè)試加熱過程中因解吸或熱分解造成的分析物損失或變化；k)未能持續(xù)重新校準(zhǔn)測(cè)試設(shè)備或未對(duì)不尋常數(shù)據(jù)偏移(突變)進(jìn)行調(diào)查；e)在潔凈室內(nèi)外空氣中所發(fā)現(xiàn)的某種或某組物質(zhì)；f)存在某種常見化學(xué)物/分子的問題或特定產(chǎn)品的問題；i)采樣期間的氣味探測(cè)(宜有預(yù)防吸入的措施);r)測(cè)量過程或測(cè)量設(shè)備帶來的二次污染；s)測(cè)量位置上對(duì)靜電放電和電瞬變的限制；詳細(xì)測(cè)量方法另見附錄D。(資料性)分析方法選項(xiàng)?zzxxγ標(biāo)引序號(hào)說明：a——飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法(TOF-SIMS);d——掃描電子顯微鏡(SEM);e——SEM-EDX射線能譜法(SEM-EDX);f——SEM-WDX射線波譜法(SEM-WDX);g——全反射X射線熒光光譜法(TXRF);1——石英晶體微天平(QCM);n——?dú)庀喾纸?電感耦合等離子體法/MS(VPD-ICP/o——二次離子質(zhì)譜法(SIMS);p——?dú)庀喾纸?TXRF(VPD-TXRF);r——SE-高效液相色譜法(SE-HPLC).圖D.2主要測(cè)量方法適用范圍D.2按化學(xué)物濃度測(cè)量表面潔凈度D.2.1概述化學(xué)污染一經(jīng)測(cè)量，即可按化學(xué)物濃度為表面潔凈度分級(jí)。作為表面潔凈度評(píng)估和分級(jí)的可測(cè)量、可定量標(biāo)準(zhǔn)，宜確定所附著的全部化學(xué)物的量和種類。D.2.2測(cè)量方法規(guī)定按待測(cè)表面的特征和特性選擇測(cè)量方法。要點(diǎn)如下：a)有關(guān)化學(xué)性質(zhì)及化學(xué)耐受性方面的信息(例如材料、濃度);b)直接測(cè)量的位置(直接實(shí)時(shí)測(cè)量?jī)x，如SAW儀);c)間接測(cè)量的位置(間接分析測(cè)量?jī)x，如SEM樣本托);d)測(cè)試速度及測(cè)試工作量(即：使用隨機(jī)采樣或系列測(cè)試);e)靈活性(即：該方法是否可快速地應(yīng)用于不同部件的各種表面);f)測(cè)試過程對(duì)表面沒有或有極少改變(即：受測(cè)表面被清洗液潤濕后沒有變化)。根據(jù)D.2.2中要點(diǎn)a)至f),D.2.3中描述的測(cè)量方法能夠針對(duì)每種應(yīng)用進(jìn)行分類和限定。D.2.3直接和間接測(cè)量法D.2.3.1概述按化學(xué)物濃度對(duì)表面潔凈度進(jìn)行評(píng)定時(shí)，最好是用選定的測(cè)量?jī)x對(duì)表面進(jìn)行測(cè)量。原則上可使用下列方法測(cè)量表面潔凈度：a)直接法；b)間接法，也可包括預(yù)處理方法。一般優(yōu)先考慮無需預(yù)處理的直接法。直接法的測(cè)量工作一般都較容易，差錯(cuò)也較少，其給出的結(jié)果比間接法更具再現(xiàn)性。然而，因部件的原因或因復(fù)雜件采樣的可行性問題，間接法常常是測(cè)定表面化學(xué)物濃度的唯一選擇。D.2.3.2采集方法所關(guān)注的化學(xué)污染采樣，可用下列方法之一：a)全樣本：將受到污染的整個(gè)樣本送檢；b)沉降樣本：來自暴露位置附近的代測(cè)片或代測(cè)晶圓片；c)提取樣本：使用預(yù)先測(cè)定污染程度的棉簽、手術(shù)刀或膠帶等物理工具，或使用溶劑，從材料、臺(tái)D.2.3.3剝離方法可按圖D.3使用濕法或干法采集并分析“全樣本”的污染程度。沉降樣本可采用相同的方法獲取，用帶表面活性劑的水溶液或用有機(jī)溶劑將污染物提取出，再將待分析物放入適當(dāng)?shù)臏y(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行間接測(cè)量。如采用“干法”進(jìn)行評(píng)定，則將材料做成大小適當(dāng)?shù)那衅?，直接放入儀器測(cè)量。第三種方法——提取樣本，需要將污染物轉(zhuǎn)移至可以直接放入儀器測(cè)量的膠帶或SEM的樣本托上。該方法使用低黏度膠，將膠帶或樣本托置于受測(cè)表面上，使其緊緊地接觸薄膜。然后將膠帶或樣本托置于潔凈、密封的運(yùn)輸袋內(nèi)運(yùn)至實(shí)驗(yàn)室。當(dāng)拿取樣本時(shí)，要使用無析出物的潔凈室手套。根據(jù)所使用的提取方法及污染物的形式，可將物理采集的樣本直接放入分析儀，也可采用化學(xué)方法或熱方法再對(duì)其a)宜穿著適宜的潔凈服在原位區(qū)域進(jìn)行樣本準(zhǔn)備；b)宜穿戴新的或經(jīng)洗滌的丁腈橡膠或乳膠潔凈室手套，并使用鑷子或真空獲取法提取、處置后用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)或掃描透射電鏡(STEM)等高分辨率顯微鏡分析b)熱脫附(TD)能譜：污——TD-API-MS:使用熱脫附原子壓力電離質(zhì)譜儀；——晶圓熱脫附(WTD):用于半導(dǎo)體晶圓片。—-氣相分解(VPD):使用氣態(tài)氫氟酸將污染物溶解并進(jìn)行測(cè)試，見D.2.8。D.2.7直接法和測(cè)定(定量)。依據(jù)“X”的過程進(jìn)行分級(jí)?！癥”描述附加功能，如質(zhì)譜法對(duì)每個(gè)色譜峰值的靈敏度可用于補(bǔ)充定量分析。對(duì)“X”的進(jìn)一步說明，也可標(biāo)明定性時(shí)每個(gè)峰值的質(zhì)量色譜圖或質(zhì)譜等信息。表D.1直接法及其應(yīng)用所獲信息靈敏度一般應(yīng)用能譜使用電子譜儀測(cè)量表面所發(fā)射的的半量化表面污染物特性，多層結(jié)構(gòu)電子能譜(也稱為化學(xué)分析電子譜)使用電子譜儀測(cè)照表面所發(fā)出的的半量化機(jī)物或殘留物的分析，薄膜成分的深度分析，氧對(duì)功能性聚合物組的測(cè)定本受離子轟擊后Ppm~的量化膜的成分和雜質(zhì)飛行時(shí)間二次離子本受離子轟擊后Ppm~的半量化質(zhì)的微量分析，表面直接質(zhì)譜分析，離子表面成像率顯微鏡不適用不適用不適用不適用能量色散測(cè)系統(tǒng)探測(cè)并測(cè)與樣品相互作用過程中所發(fā)射的像工具(SEM、合并的是表D.1直接法及其應(yīng)用(續(xù))所獲信息靈敏度一般應(yīng)用射線熒光儀測(cè)量全反射條線輻照表面后發(fā)光能量的量化的定性屏蔽，半導(dǎo)體晶圓片的表薄膜的成分比例換紅外光譜，測(cè)量中使用能量碳原IR間經(jīng)多次反射以小于碳原10μm~降低工作頻率至石英壓電晶體質(zhì)量頻率線性范圍結(jié)作出反應(yīng)的~Hz不適用不適用與濃度已知的基準(zhǔn)材料的振動(dòng)頻率英探測(cè)器表面的薄膜沉積同上~Hz不適用不適用與濃度已知的基準(zhǔn)材料的聲波對(duì)比測(cè)器基底的薄膜原子力顯大小譜法探測(cè)器測(cè)量被測(cè)確定被測(cè)元素，(被測(cè)元素波長大于鋰元素)與成像工具STEM等)相注：分辨率和靈敏度是獨(dú)立的參數(shù)。分辨率與樣本的濃度有關(guān)，優(yōu)化樣本面積可影響靈敏D.2.8間接法(預(yù)處理和測(cè)量)間接測(cè)量法及其應(yīng)用見表D.2。表D.2間接測(cè)量法及其應(yīng)用縮寫所獲信息典型靈敏度典型量化分析應(yīng)用熱脫附并被濃縮至特定的吸收塔中成為分析物，然后將濃縮物注入氣相色譜/質(zhì)譜儀中(晶圓片熱脫附中，如需要可通過濃液注入離子色譜/質(zhì)譜儀中的可提取離子子遷移光譜儀。使用β射線將污染物分解探測(cè)器測(cè)定離子分之一(ppb),機(jī)NH?和有機(jī)溶劑溶解-毛細(xì)電泳(CE)中。污染物按其導(dǎo)電性能被相進(jìn)行分析分離并進(jìn)行評(píng)估表面的污染物溶解，500ng/m2~表D.2間接測(cè)量法及其應(yīng)用(續(xù))縮寫所獲信息典型靈敏度典型量化分析應(yīng)用耦合等離子體/聚到表面，將SiO?及的HF液滴。再用適當(dāng)?shù)姆椒▽⒁旱挝隝CP/MS測(cè)量原子數(shù)/m2取樣是是是否在采樣否D.2.10分析質(zhì)量控制分析質(zhì)量控制見圖D.4。樣本加標(biāo)圖D.4對(duì)硅晶圓片使用TD-GC/MS分析的質(zhì)量控制流程圖總之，為了監(jiān)測(cè)方法的效果，或?yàn)閷?zhǔn)備階段和測(cè)試階段的變動(dòng)和偏差量化，在關(guān)鍵采樣與分析階段引入加標(biāo)樣本。分析方法對(duì)每個(gè)階段加標(biāo)水平做出說明。在這個(gè)硅晶圓片的例子中，注入加標(biāo)分析物的濃度和總離子色譜(TIC)宜在所要求的可靠性范圍內(nèi)，與校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物相同，與所加的量相同。例如，加到晶圓片熱脫附的100ng注入加標(biāo)樣本，在濃度和TIC圖形(見參考文獻(xiàn)[14])上等同于100ng校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)物。(資料性)測(cè)試報(bào)告表E.1是測(cè)試報(bào)告示例。供需雙方商定的其他內(nèi)容也可作為測(cè)試報(bào)告的組成部分。表E.1按化學(xué)物濃度測(cè)試表面潔凈度輔助文件項(xiàng)目測(cè)試設(shè)置[照片和(或)草圖]測(cè)試期間值得注意的測(cè)量值(如適用):ACC或納米粒子測(cè)量(如適用):測(cè)量前后待測(cè)表面的目測(cè)(如適用):ffvironmentsusingionmobilityspectrometry(IMS)[9]FUJIMOTOT.,TAKEDAK.,NONAKAT.AnationonSubstratesandtheEnvinSurfaceContaminationandCleaning:FundamentalsandAppliedAspecK.L.eds.).WilliamAndrewPublishing,Norwich,NewYork,2007,pp.329-474.In:DevelopmentsinSurfaceContaminationandCleanring:Fundame(KOHLIR.,&MITTALK.L.eds.).WillamAndrewPublishing,Norwich,New[12]BeckhoffB.,FabryL.etanuteOrganicContaminantsonSiliconWaferSurfacesbyMeNEXFS.”ProceedingsofALTECH2003(AnalyticalTechniquesforProcessCharacterizationIV),203ElectrochemicalSocietyMeeting,Paris,27April-2May,2003.ceedingsofthe2001SPWCC(SemiconductorPureWaPennington,NewJersey:TheElectrochemicalSociety,2001.[14]JISK0311:2005,Methodfordeterminationoftetra-t