加快國產(chǎn)化第三代半導體產(chǎn)品應用推廣實施方案

加快國產(chǎn)化第三代半導體產(chǎn)品應用推廣實施方案以推動第三代半導體高質量發(fā)展為主線，以應用牽引、技術驅動、協(xié)同創(chuàng)新、綠色發(fā)展為途徑，以骨干企業(yè)為龍頭，以重點產(chǎn)品為依托，以重大項目為抓手，優(yōu)化第三代半導體產(chǎn)SiCGaN為主的第三代半導體材料、器件、模組鍛長板，提升第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈整體競爭力，為推統(tǒng)籌全省產(chǎn)業(yè)布局，支持濟南、青島、淄博、濰坊、濟寧等市先導體關鍵技術突破、重點產(chǎn)品發(fā)展和重大項目建設，逐步做大產(chǎn)業(yè)規(guī)不斷優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結構，延伸完善產(chǎn)業(yè)鏈條，發(fā)揮龍頭企業(yè)引領支撐作用，補齊產(chǎn)業(yè)鏈缺失環(huán)節(jié)，促進晶體材料—芯片及器件制造一模塊交流與合作，推進第三代半導體技術研發(fā)與應用，帶動全省電子信息以技術和產(chǎn)品發(fā)展相對成熟的SiC、GaN材料為切入點，迅速做大第三代半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料、外延、芯片、合作方式培育和吸引高水平企業(yè)，促進產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，推動第三代半導體在電力電子、微波電子和半導體照明等加速推進大尺寸SiC、GaN等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術，突破SiC、GaN材料大直徑、低應力和低位錯缺陷等關鍵技術，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關鍵核心技術，提升4-8英寸SiC、GaN襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術的支持力度，補足第三代半導體外延材料生長環(huán)節(jié)。推動Ga2O3等新一代超寬禁帶半導體材料的研發(fā)2、提升器件設計和制造能力搭建第三代半導體研發(fā)、仿真設計平臺，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半導體材料的功率、射頻、以及微型發(fā)光器件及芯片設計產(chǎn)業(yè)，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應用和GaN功率器件的消費類快充及工業(yè)類電源市場，促進產(chǎn)學研合作以及成果轉化，引導器件設計企業(yè)上規(guī)模、上水平。推進基于GaN、SiC的垂直型肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物高端傳感器、以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造，支持科研院所微納加工平臺建設。大力推動晶圓生產(chǎn)線建設項目，優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造，在關鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品，綜合性能達到國際先進水平。3、提升封測技術和供給能力重點開發(fā)基于第三代半導體的功率和電源管理芯片的封裝材料，解決高功率、高密度大芯片的封裝可靠性技術問題，積極引進先進封測生產(chǎn)線和技術研發(fā)中心，推動高端封裝測試工藝技術裝備的研制和生產(chǎn)效率的提升，提高產(chǎn)業(yè)鏈配套能力。4、提升關鍵裝備支撐能力布局生長、切片、拋光、外延等核心技術裝備，突破核心共性關鍵技術，通過關鍵設備牽引，實現(xiàn)分段工藝局部成套。突破SiC晶體可控生長環(huán)境精準檢測與控制技術、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術，研制SiC單晶智能化生長裝備并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。提升清洗、研磨、切割等設備的生產(chǎn)能力以及設備的精度和穩(wěn)定性。四、推動下游應用，拓寬產(chǎn)業(yè)發(fā)展渠道1、搶抓市場機會，推動第三代半導體功率模塊產(chǎn)業(yè)化面向第三代半導體器件在充電樁、電動汽車、家電等應用領域，提升芯片及模塊在電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的性能，突破關鍵技術難題，掃清產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴大的技術壁壘，加快實現(xiàn)模塊量產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，擴大應用規(guī)模，形成產(chǎn)業(yè)集聚，打造模組開發(fā)應用產(chǎn)業(yè)化的新高地。2、加快國產(chǎn)化第三代半導體產(chǎn)品應用推廣圍繞半導體照明、激光器、電力電子器件、高頻寬帶等具有市場潛力的領域，組織開展第三代半導體產(chǎn)品應用試點示范，加快市場滲透，提升國產(chǎn)化率，推動上中游產(chǎn)品在下游應用的快速驗證，形成以用興業(yè)的良性循環(huán)。五、加快國產(chǎn)化第三代半導體產(chǎn)品應用推廣圍繞半導體照明、激光器、電力電子器件、高