GBT 33768-2017 通信用光電子器件可靠性試驗方法

通信用光電子器件可靠性試驗方法Reliabilitytestmethodforoptoelectronicdevicesusedi2017-05-31發(fā)布中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局I前言 12規(guī)范性引用文件 13術語和定義 14一般要求 14.1試驗類型 14.2試驗設備 14.3試驗環(huán)境 24.4抽樣方案 24.5試驗報告 25詳細要求 35.1符合性試驗 35.1.1光電特性 35.1.2外形尺寸 45.1.3外部目檢 45.2機械完整性試驗 55.2.1機械沖擊 55.2.2變頻振動 65.2.3熱沖擊 75.2.4光纖扭力 85.2.5光纖側向拉力 95.2.6光纖拉力 95.2.7引腳牢固性 5.2.8連接器插拔耐久性 5.2.9受力傳輸 5.3環(huán)境試驗 5.3.1高溫貯存 5.3.2低溫貯存 5.3.3溫度循環(huán) 5.3.4恒定濕熱 5.3.5抗潮濕循環(huán) 5.3.6高溫壽命 5.4物理特性試驗 5.4.1內部水汽含量 5.4.4ESD抗擾度 Ⅱ5.4.5芯片剪切力 275.4.6可焊性 285.4.7引線鍵合強度 5.4.8可燃性 參考文獻 ⅢGB/T19001質量管理體系要求2除非另有規(guī)定，所有試驗應在下列標準大氣條件的環(huán)境中進行：——溫度：15℃~35℃;——相對濕度：45%～75%;分立的光電子二極管，試樣應從最少3批經過篩選步驟的產品中隨機抽?。粚τ诠怆娮咏M件，應從一個批次或若干批次(不超過一個月)的產品中隨機抽取。批量數(shù)應太于抽取的試樣數(shù)量。抽樣方案見表1[4]。通常規(guī)定批允許不合格品的百分數(shù)(LTPD)值是10或20,對應的試樣數(shù)量是22或11。在LTPD值等于10時，最初的22個試樣中若發(fā)現(xiàn)1只不合格的試樣，第二次應重新抽取16只試樣進行試驗(應在第一次抽樣的批次中抽取),如果在第二次抽取的試樣中沒有不合格的試樣，認為意品中的38個試樣有1只不合格，達到了LTPD為10的標準；同樣，LTPD為20時，如果最初的1只試樣中發(fā)現(xiàn)1只不合格的試樣，第二次應重新抽取7只試樣進行試驗(應在第一次抽樣的批次中抽取),如果沒有發(fā)現(xiàn)另外不合格的試樣，那么,就達到了LTPD為20的標準。但抽樣次數(shù)不得超過2次。732允許的失效試樣數(shù)少試樣數(shù)SS058182M3456789無論采用任何一種試驗項目以及方法進行試驗，應根據(jù)實際的試驗條件下進行試驗所得到的數(shù)據(jù)編制試驗報告，試驗報告應至少包含以下內容：a)試樣型號和數(shù)量；3——偏置電壓：正常工作偏置電壓、正常工作偏置電壓增加5%、正常工作偏a)將試樣放入高低溫循環(huán)試驗箱，按5.1.1.3在規(guī)定3種試驗溫度下分別施加所規(guī)定的偏置電壓指標變化量超過20%,或發(fā)送光電子器件光功率變化量大于1.0dB,或接收光電子器件靈敏4b)試樣在最高工作溫度下，不同偏置條件下或不同驅動電流時光電特性不滿足規(guī)定的特性 ——器件密封處：采用7倍～10倍顯微鏡；5在1.5倍～10倍的顯微鏡下對試樣表面進行檢查，密封試樣應在7倍～10倍的顯微鏡下檢驗，其他外部檢驗應在10倍的顯微鏡下進行。c)焊料或其他外來物質使引線之間或焊接區(qū)之間的絕緣間距減少到小于引線間距(對于焊接引線為焊接區(qū)的間距)的50%,在任何情況下，這個距離都不能小于引線自身最小輪廓線徑 沖擊脈沖的基頻5倍以上的傳感器。 加速度峰值：(300±100)g(模塊)或(500±100)g(器件和組件) 按以下程序進行試驗6試驗完成后，在不放大或放大不超過3倍情況下，對試樣的外部進行檢查。在放大10倍～20倍下c)主要光電參數(shù)指標變化量超過20%,或發(fā)送光電子器件光功率變化量大于1.0dB,接收光電 7c)試樣在振動臺上作等幅簡諧振動，其振在向下變頻率時，控制振幅大小，向上變頻率時，控制峰值加速度值。振動頻率在20Hz~2000Hz范圍內近似對數(shù)變化。從20Hz～2000Hz,然后從2000Hz回到20Hz的時間應d)在X?、Y?、Z?的三個方向上(見圖1)各進行4次循環(huán)，總共12次。整個周期所需時間至少為試驗完成后，在不放大或放大不超過3倍情況下，對試樣的外部進行檢查。在放大10倍～20倍下——能為工作區(qū)提供并控制達到規(guī)定溫度，并且熱容量和液體流量能使工作區(qū)在該溫度范圍內，水(沸水和冰水混合物)是可采用的介質。由于海拔的原因8按以下程序進行試驗：a)試驗前對試樣的主要光電特性進行測試。b)將試樣放于試驗槽中，液體在試樣周圍的流動不應受到阻礙。c)試樣放在高溫中保持5min后，再將試樣放入低溫中保持5min;試樣應在2min內達到規(guī)定的溫度；從高溫到低溫，或從低溫到高溫的轉換時間不得超過d)按照c)步驟進行15次循環(huán)。完成試驗后，在不放大或放大不超過3倍情況下，對試樣的標識進有檢驗；在放大10倍～20倍的情況下，對外殼引線或密封部位進行檢驗；并對試樣主要光電特性進行測試。評估在安最和使用時，光電子器件帶展纖的部分在通受到外部扭動力時的抗扭動的能試驗設備為能對尾纖施加2.46N~156的力并且在與力垂直方向作正、負”旋號的光纖扭力設備。試驗條件如下： 尾纖來端施加女：4.9N(對于緊套或松套光纖),9.8N(對于加強型死纖) ——正、反方向循環(huán)各10次按以下程序進行試驗：a)試驗前對試樣的主要光電特性進行測試；b)將試樣放置在扭力設備的適當位置上，使尾纖在扭動時不會受到阻礙；e)在距光電子器件尾管3cm處固定夾具，給尾纖末端施加規(guī)定的力，同時水平旋轉夾具，使光纖向正方向旋轉90°,然后回到0°,再向相反方向旋轉90°,再回到0°,循環(huán)10次。完成試驗后，試樣出現(xiàn)下列情況之一判為失效：9 a)試驗前對試樣的主要光電特性進行測試；b)將試樣放置在拉力設備的適當位置，使尾纖在拉動時不會受到阻礙；c)依據(jù)規(guī)定給尾纖末端施加一個規(guī)定的力，并持續(xù)1min。試驗設備如下：a)接伸：有適當?shù)膴A具來固定試樣并能施加拉伸力的裝置，c)玻勞有固定試樣的裝置，買具、支架分工具，能按規(guī)定的彎曲角度重復施加需曲應力的裝置；d)扭矩：有固定試樣的裝置、夾具卡具和扳手，或既能施加扭矩力又不妨礙引腳運勁的裝置。試驗條件如下：—批伸：軸線方向上施加2.25N的力，并保持至少30s 彎曲：易彎曲引腳在離密封處(3.05上0.7)mm的彎曲角度至少應為45°雙列直插封裝引腳應向內彎曲；針柵陣列封裝引腳應在對邊外側的一列彎曲15°; 疲勞：雙列直插封裝、扁平封裝和同軸封裝引腳應施加(0.83±0.09)的力 扭矩：圓形截面引線，以引腳為軸，施加扭矩至少15s。矩形截面引腳，在引腳離器件本體按以下程序進行試驗：a)拉伸；對試樣的每條引腳的軸線方向上施加拉力，在加力的過程中應避免沖擊，盡量在引腳的末端施加力，持續(xù)時間大于30s。b)彎曲：每條試樣引腳應在最易彎曲的方向上彎曲。若無最易彎曲方向，可在任意方向彎曲。引腳彎曲時不應影響其他引腳。如果影響不可避免，試驗引腳就按規(guī)定角度相反的方向彎曲，然后再恢復到原來的位置。排列成行的引腳可以一次彎曲一行。e)疲勞：雙列直插封裝按彎曲試驗條件承受3次循環(huán)。扁平封裝和金屬管殼封裝應施加力，作3次弧形彎曲。單根引腳各次彎曲應在同一個方向和平面上，一個彎曲過程應在2s～5s內d)扭矩：圓形截面引腳器件應固定器件本體，以引腳為軸，在受試引腳上按試驗條件無沖擊地施加扭矩。矩形截面引腳器件應固定器件本體，在以引腳軸為軸，順時針方向和逆時針方向各施 b)試驗前測試試樣并記錄光電特性數(shù)據(jù)c)每插拔50次后測試并記錄一次光電特性數(shù)據(jù)并清潔插針體及適配器的彈性套筒，共插拔200次?！┘恿Φ拇笮『徒嵌热绫?所示；——施加一次力至少持續(xù)5s?！獭獭獭獭蘡)首先加載(表2規(guī)定的角度和力),0°角度和2.45N力到連接器上，至少持續(xù)5s; b)把試樣貯存在規(guī)定試驗條件的 能在加載最大負荷時，熱容量和空氣的流量以保證使工作區(qū)和試樣達到規(guī)定試驗條件的試 循環(huán)溫度：-40℃~+85℃; d)完成規(guī)定的循環(huán)后，把試樣從試驗箱移出放置24h,使之達到標準測試條件后進行光電特性由于電源或設備故障原因，允許中斷試驗。如果中斷的循環(huán)次數(shù)超過規(guī)定循環(huán)的總次數(shù)的10%時間≤12.5min完成試驗后，在不放大或放大不超過3倍情況下，對試樣的標志進行檢驗；在放大10倍～20倍情完成試驗后，試樣出現(xiàn)5.2.1.6a)、b)、c)中情況之一判為失效。5.3.4恒定濕熱本試驗的目的是測定光電子器件承受高溫和高濕的能力，以及高溫和高濕對器件的影響程度，保證光電子器件的長期可靠性。試驗設備為在加載最大負荷時能為工作區(qū)提供和控制規(guī)定的溫度、濕度、熱容量和空氣流量的試驗箱。試驗條件如下：——溫度：+85℃;——濕度：85%RH;——保持時間：500h(不加偏置)或1000h(加偏置);——規(guī)定的偏置電壓或電流(適用時)。按以下程序進行試驗：a)試驗前對試樣的主要光電特性進行測試；b)將試樣放進試驗箱內，其擺放位置不應妨礙試樣四周空氣的流動；c)試樣在規(guī)定條件下連續(xù)完成規(guī)定的試驗時間。試樣完成試驗后，在室溫環(huán)境條件下放置24h,然后對其主要光電特性進行測試和目檢。測試應在移出試驗箱48h內完成?！诓环糯蠡蚍糯蟛怀^3倍情況下，對試樣的標志進行檢驗；——在放大10倍～20倍情況下，對外殼引線或密封部位進行檢驗。完成試驗后，試樣出現(xiàn)下列情況之一判為失效：a)標志全部或部分脫落、褪色和模糊；b)封裝金屬零件的鍍層被腐蝕、起泡和明顯變色；c)試樣基材或外包材(如封帽，引線，封套等)腐蝕面積超過5%,或貫穿性腐蝕；d)引線損壞或部分分離；e)5.2.1.6b)或c)中規(guī)定要求。5.3.5抗潮濕循環(huán)采用溫度和濕度循環(huán)來提供一個凝露和干燥的交替過程，使腐蝕過程加速，并使密封不良的縫隙當有要求時50為了避免濕度接近100%時的讀數(shù)困難，允許采用100%RH。但實際工作時要防止操作箱中出現(xiàn)凝露cc10次循環(huán)中，到少5次循環(huán)器件要進行第7步第一次循環(huán)之間——循環(huán)：按圖4進行20次連續(xù)循環(huán)。當有規(guī)定時，可進行10次連續(xù)循環(huán)；c)完成規(guī)定的循環(huán)次數(shù)之前(不包括最后一次循環(huán)),如發(fā)生了不多于1次的意外的中斷試驗(如電源中斷或設備故障),可重復一次循環(huán)，試驗繼續(xù)進行；若在最后一次新進行試驗。在10次循環(huán)中，至少有5次進行低溫子循環(huán)。在低溫子循環(huán)期間，試樣應在-10℃和不控制濕度的條件下，至少保持3h。d)在低溫子循環(huán)后，將試樣恢復到25℃,相對濕度至少為80%,并一直保持到下一個循環(huán)的試樣完成試驗后，在室溫環(huán)境條件下放置24h,然后對其主要光電特性進行測試。測試應在移出試驗箱48h內完成。在不放大或放大不超過3倍情況下，對試樣的標志進行檢驗；在放大10倍～20倍情況下，對外殼d)使用監(jiān)視儀器，從試驗開始到結束監(jiān)視試驗溫度和工作偏置，以保證全部試一般每168h在常溫下測試一次光電特性。在測試前應先去掉偏置，然后冷卻到室溫后進行測試。完成試驗后，試樣出現(xiàn)下列情況之一判為失效：a)標志全部或部分脫落、褪色和模糊；5.4物理特性試驗測定在金屬或陶瓷封裝的光電子器件內部氣體中水汽含量。試驗設備如術：——具有檢測出6.01cm°封裝體積內水汽含量小于2.5×10—以下靈敷度(偏差為±20%)的質——具著真室傳遞通道與質譜儀和在通的開口真空箱——烘烤溫度：(10045)C.——烘考時間：121>24h,烘烤時用泵抽—質增儀真空度小于或等于0.67kPE按以下程序進行試驗：a)試樣應先進行密封性試驗，并且不應存在可能影響水汽含量測定糖確度的任何表面的沾污；b)將被測試樣放量在開口真空箱中，用泵抽氣并在(100±5)℃的溫度下典烤12h～24h;c)利用開口真空箱內或傳遞通通內刺穿裝置刺穿試樣外殼或蓋板(不降低質譜儀的真空度和不破壞殼體內的密封媒質)使試樣內部氣體逸出，進入真空箱體和質譜儀。用質譜儀測量釋放氣體的特性：a)刺穿試樣封裝釋放氣體時箱內壓力將增加。若增壓小于封裝體積的正常增壓的50%,則以下情況的測量為無效測量：——沒有完全刺穿試樣；——試樣的殼體不密封；——封裝內部未包含常規(guī)的內壓；b)釋放氣體的水汽含量，按總氣體含量的比例計算(按容積);按體積計其含量大于1%的氣體都應測量和列出報告。試樣中，水汽含量大于5000ppm(容積0.01cm3~0.85cm3)。 ——1.5倍～30倍的放大鏡；——如表3所示指示用碳氟化合物液體；特點沸點/℃25℃時表面張力/(N/m)25℃時密度/(gm/mL)125℃時密度/(gm/mL)絕緣強度/(volts/mil)殘余物/(μgm/gm)——粗檢漏條件：按表5中規(guī)定的條件對試樣加壓；指示液體溫度125℃±5℃;浸入深度5cm;表4用于細檢漏的條件內腔體積V壓力加壓時間h停頓時間h21517士1241211按以下程序進行試驗：a)細檢漏程序加用十去除壓力進把每個試樣移到與抽真空系統(tǒng)和質譜檢漏儀連接在一起的密封量；當對密封室抽真空時，原先壓人試樣內的氨氣將會逸出，并由檢漏儀檢測，從而得到測量十從真空/壓力室內取出試樣到假后一個器件的檢漏試驗應在1于內完成。b)粗檢漏程序將量樣放入真空壓力箱內，抽真學至水字或等于0.67KPa,并保持至少30mn。對內腔體積大于或等于0.1cm2的器件，排電空的過程可以省略，在真型/壓力箱注人液體，然后按表5中規(guī)定的條件對試樣加壓；——加壓結束后，去壓力，試樣仍需浸在液體中20s以上(可以在另一容器中。試樣移出浸泡液體后，應在空氣中至少干燥(2±1)min,然后浸入(125±5)②的指汞用液體中；一應將詞樣頂部至少浸入液面深度5cm?？梢砸淮谓胍粋€武樣，或同時浸入一組試樣，但在后一種情況下應保證能清楚地看到從被檢漏的一組試樣中的任何一個試樣冒出的氣泡及其部位一應在從浸入起，至少觀察試樣30表5粗檢漏加壓條件8421先進行細檢漏，后進行粗檢漏。若按細檢漏條件或粗檢漏條件進行批次試驗(即在檢漏儀中每次放置一個以上的試樣)時，只要出現(xiàn)失效情況，就應認為該批失效。完成試驗后，試樣出現(xiàn)下列情況之一判為失效：a)細檢漏程序：不滿足表4試樣封裝內腔體積規(guī)定的相應失效極限值。b)粗檢漏程序：從同一位置出來的一串明顯氣泡或兩個以上大氣泡。確定光電子器件受靜電放電(ESD)作用所造成損傷和退化的敏感性。——ESD脈沖模擬器的等效電路圖(人體模型電路圖[2])如圖5所示和ESD脈沖波形(ESD人體脈沖波形圖[2])如圖6所示；R2S1——高壓繼電器；S2——常閉開關。圖5ESD脈沖模擬器的等效電路圖a)室溫下，每一個試樣都應按表6所示的引線組合，從最低檔開始，施加3個正脈沖，3個負的脈沖。脈沖之間應至少有1s的延遲；b)試驗引腳的組合： 將試樣的地引腳接到B端，其他每條引腳依次接到A端。除了進行試驗的一條引腳和地引腳以外其余所有引腳開路； 將所有電源引腳的不同組合連接到B端，其他每條引腳依次接到A端。除了進行試驗的一條引腳和電源引腳或電源引腳組合外，所有的其他引腳都開路； 將每條輸入和輸出引腳依次接到A端，其余的所有輸入和輸出引腳組合接到B端。除了被試驗的輸入或輸出引腳和其余的輸入和輸出引腳組合外，其余所有的引腳都開路。表6試驗引腳的組合(分別將每一條引腳連接到A端而其他的懸空)(所有同類名稱引腳的公共組合連接到B端)1除了電源引腳外的所有引腳2除了地引腳外的所有引腳3按以下程序進行試驗：a)分立的光電子二極管(激光二極管、發(fā)光二極管、光電二極管、雪崩光電二極管等),試樣應從最少3批經過篩選步驟的樣品中隨機抽取6只進行試驗；對于光電子組件，可用一個批次或若干批次(不超過一個月)的樣品隨機抽取6只進行試驗；b)試驗前應對試樣的主要光電特性進行測試；c)試樣在試驗前和試驗期間都應處于室溫下。試驗可從任何一個電壓大小檔開始，對于有恢復效應的試樣，包括有放電保護的試樣，應從最低電壓檔開始；d)在失效電壓檔下，重新對一個新的試樣進行試驗，消除累積損傷效應，有可能通過該電壓檔；e)如果任何一檔電壓有試樣失效，則應該用下一檔較低電壓進行試驗；f)試驗確定的ESD閾值電壓按表7進行評定。1B級3B級試驗完成后，試樣應在室溫環(huán)境條件下放置1h,并對試樣主要光電特性進行測試。確定光電子器件遭受從人體到光電子器件之間可能發(fā)生靜電放電時的性能。a)能夠產生如圖7中波形的靜電放電發(fā)生器，其靜電放電發(fā)生器簡圖如圖8所示[2];b)接觸放電電極如圖9所示；c)空氣放電電極如圖10所示。C單位為毫米圖10空氣放電電極空氣放電121224243638484a)試驗前應對試樣的主要光電特性進行測試。b)試樣正常工作時，在試樣可能被接觸的d)靜電放電發(fā)生器的放電回路電纜與試樣的距離至少應保持0.2m。g)放電間隔時間至少1s。檢測要求如下：a)應對試樣分別進行接觸放電和空氣放電兩種方式；b)按表8的靜電等級進行檢測；c)試驗后應對試樣的主要光電特性進行測試。5.4.4.6失效判據(jù)完成試驗后，試樣出現(xiàn)下列情況之一判為失效：a)5.2.1.6b)或c)規(guī)定要求，b)如有要求時，按照武樣的運行系件和功能規(guī)范進行判別?1)功能或性能降低或喪失(能夠自行恢復除外);2)試樣的軟件損環(huán)或數(shù)據(jù)丟失。5.4.5芯片剪切力通過對光電產器件的芯開所加力的測量，觀察在該力作用下產生的關效類型(如塞出現(xiàn)失效)以及殘留的芯片附著時料和基開了管座金屬層的外形，來確定光電子密作的感壓和安裝在管座或翼他基片上所使用材料和工藝的完整性試驗設備應包括帶看杠打詩的圓形測力計或線性運動測力，其精確度應達到滿刻度的±5%,同時應具有下述能力a)應能把力離勻地加到芯片的一條校邊上的接觸工具；b)應能債芯片接觸工具與管座或襯底上安放芯片的平面垂直；c)芯片接觸工具與管座/基片夾具具有相對旋轉能力，有利于與芯片邊濾線接畫，使對芯片加力的工具從一端到另一端接觸芯片的整個邊沿；d)一臺放大倍數(shù)至少為10倍的雙目顯微鏡，其照明應有利于在武驗過程中對芯片與芯片接觸工具的界面進行觀察試驗條件如下：——加力方向與管座或襯底平面平行；——芯片接觸工具與固定芯片的管座/基片垂直。按以下程序進行試驗：a)用測力計進行試驗時，加力方向應與管座或襯底平面平行，并與被試驗的芯片垂直；b)用芯片接觸工具在與固定芯片的管座或襯底基座垂直的芯片邊沿施加力；c)在與芯片邊沿開始接觸之后以及在加力期間，接觸工具的相對位置不得垂直移動，以保證與管座/基片或芯片附著材料一直保持接觸。對芯片施加足以能把芯片從固定位置上剪切下來的力，或等于如圖11所示，規(guī)定的最小剪切力的兩倍(取其第一個出現(xiàn)的值)。芯片面積×10*mm2圖11最小附著力與芯片附著面積的關系完成試驗后，試樣出現(xiàn)下列情況之一判為失效：a)對于環(huán)氧膠粘，附著區(qū)面積包括附著在芯片區(qū)域內的不離散的殘余材料的面積：——施加的力達不到圖11中1.0倍曲線所表示的芯片強度要求；——施加的力達不到圖11中最小附著力的2.0倍時，同時底座上保留有芯片附著材料痕跡的區(qū)域小于附著區(qū)面積的75%;b)對于共晶焊接或其他附著方式，附著區(qū)面積包括附著在芯片區(qū)域內的不離散的殘余材料面積，以及金屬玻璃附著的封裝材料面積：——施加的力達不到圖11中1.0倍曲線所表示的芯片強度要求；——施加的力達不到圖11中最小附著力的1.25倍時，同時底座上保留有芯片附著材料痕跡的區(qū)域小于附著區(qū)面積的50%; 施加的力達到圖11中最小附著力的2.0倍時，同時底座上保留有芯片附著材料痕跡的區(qū)域小于附著區(qū)面積的10%。確定光電子器件引腳(直徑小于3.175mm的引腳，以及截面積相當?shù)谋馄揭_)的可焊性。判斷引腳被焊料涂覆時的浸潤能力，或者當浸入低溫錫焊料時形成適當?shù)腻a涂覆層的能力。檢驗在生產過程中采取的處理方法是否有利于低溫焊接。試驗設備如下：——焊料槽：應能容納至少1kg的焊料，并能把焊料保持在規(guī)定的溫度；——浸焊料工具：能按規(guī)定控制試樣引腳出入焊料槽的速率，并控制在焊錫槽內的停頓時間(浸入到要求深度的停留總時間);——光學設備：放大倍數(shù)至少為10倍的顯微鏡；——無鉛焊料：合金成分為Sn95,5Ag3.9Cu0.6,允許銀的含量(質量分數(shù))3.0%～4.0%,銅的含量(質量分數(shù))0.5%～1,00。試驗條件如下：——熔錫溫度：(24515)C(無鉛焊料——浸人角度：垂直——浸人和是起速率：(2516)mm/s;—熔錫中的停留時間，(540.5)s;(05)s(試樣引腳直徑大于或等于1mm)。按以下程序進行試驗：a)將調樣固定在漫焊料的工具上，在室溫下，將試樣引腳沒入舞劑，試樣引腳上明顯的焊劑小滴b)浸焊料前，應教去熔錫表面渣和過燒的焊劑，熔錫應保持在條件規(guī)定的溫度丁；將試樣吊放在焊料槽上友，按規(guī)定的速率浸入、停留、提起。試樣引腳垂直浸入焊料中一秋(如無法垂直放人，則需另行商議);在浸焊料的過程中，焊料應處于靜止狀態(tài)。c)浸焊料后，在空氣中冷卻然后浸入異丙醇或等效溶液來清沸試樣引腳上殘留的焊劑。也可用浸有異丙醇或等效溶液的棉簽擦掉所有殘存的焊劑d)對于鍍金的引腳應用一個或兩個焊料槽，進行二次浸焊劑和浸焊料處理。第一次浸入是為了驗按規(guī)定進行。完成浸焊料后，放大10倍～15倍檢查試樣引腳上的浸焊料部分。在確認失效時，采用高放大倍數(shù)(大于60倍)進行檢查。完成試驗后，試樣出現(xiàn)下列情況之一判為失效：a)試樣引腳浸漬部分表面少于95%的面積覆蓋有連續(xù)的新的焊料層；b)針孔、空洞、孔隙、未浸潤或脫浸潤超過總面積的5%;最小鍵合拉力極限/N最小鍵合拉力極限/Nc)試樣中任何兩個不要求相連的引腳或金屬化區(qū)域之間存在焊料橋接。5.4.7引線鍵合強度確定光電子器件采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊等技術鍵合的、具有內引線的器件內部的引線—芯片鍵合、引線—基片鍵合或內引線—封裝引線鍵合的鍵合強度。試驗設備如下：能在鍵合點，引線或外引線上施加規(guī)定應力的設備。該設備應能測量和指示外加應力，精確度為±5%或±2.45×10~3N(取較大值),測量范圍應達到規(guī)定的應力最小極限值的兩倍。試驗條件如下：——在兩鍵合點引線中央施加拉力，力的方向與芯片或基片表面垂直，或與兩鍵合點間的直線垂直；——引線直徑的最小鍵合強度如圖12所示，常規(guī)直徑的最小鍵合強度值見表9。圖12最小鍵合強度極限值表9最小鍵合強度值試驗所用的鍵合引線應從至少4個試樣中隨機抽取，試驗樣本數(shù)量是指最少應對多少鍵合引線進行拉力試驗，而不是確定至少需要多少個完整器件樣本。雖然同時涉及到兩個或多個鍵合點，但是對于鍵合強度試驗和計算樣本數(shù)量來說，應將其看成是一次拉力試驗。對于混合或者多芯片器件而言，應至少采用4個芯片，或者如果2個完整的器件尚不夠4個芯片，那么應采用全部器件。在芯片下面、芯片上面或芯片周圍，若存在任何導致增加其鍵合強度的粘附劑、密封劑或其他材料，應在使用這些材料前，進行鍵合強度試驗。按以下程序進行試驗：a)夾緊器件，在兩鍵合點的引線下插入一個鉤子，在引線中間點施加拉力，力的方向與芯片或基片表面垂直。或者與兩鍵合點間的直線垂直；b)在引線較短的情況下，在靠近某一端切斷引線，以便在另一端可以進行拉力試驗；c)用適當?shù)难b置把引線固定，然后對引線或夾緊引線的裝置施加拉力，其作用力大致垂直于芯片表面或基片表面；d)當出現(xiàn)失效時，記錄引起失效的力的大小和失效類別。記錄引起失效的力的大小和判斷失效類別。當外加拉力小于表9或圖12中規(guī)定的最小鍵合強度時，如果出現(xiàn)鍵合分離的情況，則判為失效。確定光電子器件所使用塑料部件的可燃性等級。試驗設備如圖13所示，其中燃具高度最少為(300±10)mm,金屬材質，熱傳導性較差。圖13垂直燃燒試驗設備示意圖(125±5)mm×(13.0±0.5)mm,最大厚度不超