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現(xiàn)場光伏組件隱性缺陷檢測技術(shù)規(guī)范II目 次前言 II圍 1范引文件 1語定義 1測法 2測型設(shè)備 2測樣 3測容 3測程 3陷別 3測告 3附錄A（料附） 檢測告板 5PAGEPAGE1電站現(xiàn)場晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷檢測技術(shù)規(guī)范范圍本標準規(guī)定了電站現(xiàn)場晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷的檢測方法、檢測類型與設(shè)備、檢測抽樣、檢測內(nèi)容、檢測流程、缺陷識別和檢測報告等內(nèi)容。本標準適用于海拔1500米以上光伏電站現(xiàn)場晶體硅太陽能電池組件隱形缺陷的檢測。GB/T2828.1 (AQLIECTS60904-13 光伏器件第13部分:光伏組件電致發(fā)光（Photovoltaicdevices-Part13:Electroluminescenceofphotovoltaicmodules）下列術(shù)語和定義適用于本標準。3.1電致發(fā)光又可稱場致發(fā)光，簡稱EL（ElectroLuminescent），是通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場，被電場激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子在能級間的躍遷、變化、復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。3.2太陽能電池組件電致發(fā)光檢測儀利用太陽能電池的電致發(fā)光原理來檢測組件是否存在缺陷的設(shè)備，簡稱EL檢測設(shè)備或EL檢測儀。3.3太陽能電池組件隱性缺陷3.4指的是太陽能電池組件在進行缺陷檢測時，除電致發(fā)光之外影響成像結(jié)果的外界光。3.5電勢誘導(dǎo)衰減FFscPIPotntilInducedDegradation）。對光伏電站晶體硅太陽能電池組件隱性缺陷的現(xiàn)場檢測，主要有以下三種方法：）；EL（）EL根據(jù)其不同的環(huán)境和操作方式，有以下5種類型：500um；800nm～1200nm依據(jù)GB/T2828.1的規(guī)定和相關(guān)要求確定。EL檢測設(shè)備能夠檢測的內(nèi)容有：PID應(yīng)包括以下檢測流程：）；（）（））；缺陷識別參照IEC60904-13執(zhí)行。檢測報告（參見附錄A）應(yīng)包括但不限于以下信息：標題；附 錄 A（資料性附錄）檢測

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