電子行業(yè)半導(dǎo)體技術(shù)前瞻專題系列之一：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議

行業(yè)研究行業(yè)研究東興證券股份有限公司證券研究報(bào)告東興證券股份有限公司證券研究報(bào)告——半導(dǎo)體技術(shù)前瞻專題系列之一隨著AI半導(dǎo)體晶體管數(shù)量增加，通過(guò)引入MPU、增大芯片面積，算力大工藝和新材料等產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)進(jìn)行前瞻性分析。東方財(cái)智東方財(cái)智興盛之源電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源1.半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀：晶圓廠建設(shè)成本加大 3 6 7 3 3 4 4 5 5 6 6 7 7 8 8 8 8 9 9 電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：ASM公司公告、TechInsights、東興證券研究所資料來(lái)源：McKinsey官網(wǎng)、IBS、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：ASM公司公告、TechInsights、Gartner、東興證券研究所資料來(lái)源：McKinsey官網(wǎng)、東興證券研究所整理電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：McKinsey官網(wǎng)、東興證券研究所圖6：下游工業(yè)、消費(fèi)電子和計(jì)算領(lǐng)域?qū)?yīng)的AI資料來(lái)源：ASM公司公告、Gartner、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：McKinsey官網(wǎng)、東興證券研究所下來(lái)對(duì)于AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝和新材圖8：未來(lái)AI芯片晶體管數(shù)量增加，并通過(guò)資料來(lái)源：SUMCO公司公告、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源2.1新結(jié)構(gòu)：晶體管微縮、存儲(chǔ)器件堆除了平面FET的短溝道效應(yīng)。但當(dāng)工藝節(jié)點(diǎn)達(dá)到5nm之后，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)無(wú)法提供足夠的靜電控制。GAAFET(Gate-All-AroundFET)把柵極和漏極從鰭片變成了納米線，柵極對(duì)電流的控制力進(jìn)一步提升。據(jù)資料來(lái)源：KOKUSAIELECTRIC公司公告、東興證券研究所資料來(lái)源：ASM公司公告、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：ASM公司公告、東興證券研究所資料來(lái)源：ASM公司公告、東興證券研究所資料來(lái)源：SUMCO公司公告、東興證券研究所圖14：通過(guò)將外接電路和存儲(chǔ)陣列鍵合在資料來(lái)源：SUMCO公司公告、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：KOKUSAIELECTRIC公司公告、東興證券研究所中，從而使它們更大并且更不易受到干擾，這種技術(shù)使性能提資料來(lái)源：ASM公司公告、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源圖17：邏輯器件制造可分為前道（FEOL）、中道(MOL)和后道（BEOL）工藝資料來(lái)源：、東興證券研究所能，必須減小柵氧化材料(SiON)的厚度。但隨著SiON厚度不斷減小，柵氧化層的可圖18：當(dāng)電壓降低時(shí)，需要降低厚度來(lái)提升性能，HKMG可以用于持資料來(lái)源：SKhynix官網(wǎng)、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源圖19：HKMG可以實(shí)現(xiàn)晶體管柵氧化層厚度減少，并通過(guò)提高晶體管速度和Vdd微縮來(lái)實(shí)現(xiàn)功資料來(lái)源：SKhynix官網(wǎng)、東興證券研究所資料來(lái)源：IT之家、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：ASM公司公告、東興證券研究所圖22：隨著芯片高密度互聯(lián)，硅材料用量有所資料來(lái)源：SUMCO公司公告、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源資料來(lái)源：《ALDConference》(Se-WonLee,Moo-SungKim,ChangwonLee,SergeiIvanov,AnneliesDelabie,MarleenvanderVeen)、東興證券研究所資料來(lái)源：《ALDConference》(Se-WonLee,Moo-SungKim,ChangwonLee,SergeiIvanov,AnneliesDelabie,MarleenvanderVeen)、東興證券研究所隨著AI半導(dǎo)體發(fā)展，為了縮短傳輸距離，會(huì)有更多芯片（處理器、存儲(chǔ)器等）進(jìn)行連接，封裝基板的使用圖25：FC-BGA搭載更多芯片，通過(guò)載板進(jìn)行連接和傳輸圖26：在3D封裝過(guò)程中會(huì)使用更多的封裝基板資料來(lái)源：昭和電工公司公告、東興證券研究所資料來(lái)源：昭和電工公司公告、東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源下游需求不及預(yù)期、技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)、客戶拓展不及預(yù)期、電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源四海外硬科技龍頭復(fù)盤研究系列之四：論國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備行業(yè)發(fā)展之天時(shí)地利人和2023-05-172023-02-17放資料來(lái)源：東興證券研究所電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源于Foundry廠、研究所和券商資管，分別擔(dān)任工藝集成工程師、研究員和投資經(jīng)理。證書(shū)編號(hào)：觀點(diǎn)直接或間接相關(guān)。電子行業(yè)：AI半導(dǎo)體的新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料與投資建議東方財(cái)智興盛之源東方財(cái)智興盛之源的機(jī)構(gòu)。本研究報(bào)告中所引用信息均來(lái)源于公開(kāi)資料，我公司對(duì)這些信息的準(zhǔn)確性和完整性不作任何保證，我公司及報(bào)告作者在自身所知情的范圍內(nèi)，與本報(bào)告所評(píng)價(jià)或推薦的證行交易，也可能為這些公