《組成原理》實驗報告-2

第1頁共2頁貴州大學計算機科學與信息學院計算機科學與技術(shù)系實驗報告紙課程名稱：《計算機組成原理》實驗日期姓名：班級：實驗序號：2指導教師：實驗項目：儲存器和總線實驗實驗成績：實驗名稱儲存器和總線實驗二、實驗?zāi)康氖煜ご鎯ζ骱涂偩€組成的硬件電路。實驗要求按照實驗步驟完成實驗項目，利用存儲器和總線傳輸數(shù)據(jù)。實驗原理、內(nèi)容及步驟實驗原理實驗所用的半導體靜態(tài)存儲器電路原理如圖6-1所示，該靜態(tài)存儲器由一片6116（2K*8）構(gòu)成，其數(shù)據(jù)線（D0-D7）已知和數(shù)據(jù)總線（BUS-DISPUNIT）相連接，地址線由地址鎖存器（74LS273）給出，該鎖存器的輸入已連至數(shù)據(jù)總線。地址A0-A7與地址總線相連，顯示地址內(nèi)容。數(shù)據(jù)開關(guān)經(jīng)一三態(tài)門（74LS245）已連至數(shù)據(jù)總線，分時給出地址和數(shù)據(jù)。因為地址寄存器為8位，接入6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10本實驗裝置已接地，其容量為256字節(jié)。6116有三根控制線：/CS(片選線)、OE（讀線）、WE（寫線）。當片選線有效時（/CS=0），同時OE=0時，（WE=0）時進行行讀操作。本實驗中將OE引腳接地，在此情況下，當/CS=0、WE=1時進行寫操作，/CS=0、WE=0時進行行讀操作，其寫時間與T3脈沖寬度一致。實驗T3脈沖由“單步”命令鍵產(chǎn)生，其他電平控制信號由二進制開關(guān)模擬，其中/CE（存儲器片選信號）為低電平有效，WE為寫/讀（W/R）控制信號，當WE=0時進行讀操作、當WE=1時為寫操作。實驗步驟控制信號連接：位于實驗裝置右側(cè)邊緣的RAM片選端（/CE）、寫/讀線（WE）、地址鎖存信號（LDAR）、與位于實驗裝置左上方的控制信號（/CE、WE、LDAR）之間對應(yīng)相連。位于實驗裝置左上方CTR-OUT控制信號(/SW-B)與左下方INPUT-UNIT(/SW-B)對應(yīng)相連。具體信號連接：/CE、WE、LDAR、/SW-B 完成上述連接，仔細檢查無誤后方可進入本實驗。在閃動的“P”狀態(tài)下按動增址命令鍵，使LED顯示器自左向右第一位顯示提示符“H”，表示本裝置已進入手動單元實驗狀態(tài)。（若當前處“H”狀態(tài)，本操作可略）。內(nèi)部總線數(shù)據(jù)寫入存儲器給存儲器的00、01、02、03、04地址單元中分別寫入數(shù)據(jù)11、12、13、14、15，具體操作步驟如下：（以向00地址單元寫入11數(shù)據(jù)為例。然后重復操作將數(shù)據(jù)分別寫入各地址單元）。數(shù)據(jù)開關(guān)數(shù)據(jù)開關(guān)（00000000）三態(tài)門（CBA=001）（CE=1）地址寄存器AR（00000000）（LDAR=1）（/CE=1）（按“STEP”）數(shù)據(jù)開關(guān)（00010001）三態(tài)門（CBA=001）（LDAR0）存儲器RAM（00010001）（LDAR=0）（/CE=0、WE=1）（按“STEP”）讀存儲器的數(shù)據(jù)到總線上依次讀出第00、01、02、03、04單元中的內(nèi)容，觀察上述各單元中的內(nèi)容是否與前面寫入的一致。具體操作步驟如下：（以從00單元讀出11數(shù)據(jù)為例，其他則類似）三態(tài)門（CBA=001）（/CE=1）三態(tài)門（CBA=001）（/CE=1）存儲器RAM（00010001）（CBA=000）（/CE=0、WE=0）（LDAR=0）數(shù)據(jù)開關(guān)（00000000）（CBA=000）地址寄存器AR（00000000）（CBA=001）（/CE=1、LDAR=1）（按“STEP”）五、實驗小結(jié)由于有了實驗一的經(jīng)驗，我們這次實驗開始沒有向上一次哪樣不知所措，但是由于試驗箱的問題，我們的是啊顏結(jié)果總是不對，反復檢驗了好