化學(xué)氣相沉積技術(shù)

化學(xué)氣相沉積技術(shù)精選ppt目錄CVD概述CVD法的主要特點(diǎn)CVD法制備薄膜的過程常見的CVD反響方式CVD反響物質(zhì)源CVD裝置的組成CVD裝置的選擇影響CVD沉積層質(zhì)量的因素CVD的種類CVD的應(yīng)用精選pptCVD(化學(xué)氣相沉積法):化學(xué)氣相沉積是在一定的真空度和溫度下，將幾種含有構(gòu)成沉積膜層的材料元素的單質(zhì)或化合物反響源的氣體，通過化學(xué)反響而生成固態(tài)物質(zhì)并沉積在基材上的成膜方法。CVD概述精選pptCVD法的主要特點(diǎn)與電鍍相比，可以制成金屬及非金屬的各種各樣材料的薄膜可以制成預(yù)定的多種成分的合金膜可以制成超硬，耐磨損，耐腐蝕的優(yōu)質(zhì)薄膜速度快附著性好在高溫下沉積膜可以得到致密性和延展性方面優(yōu)良的沉積膜射線損傷低裝置簡單，生產(chǎn)率高容易防止污染環(huán)境精選pptCVD法制備薄膜的過程

反響氣體的熱解反響氣體向外表基材擴(kuò)散反響氣體吸附于基材的外表在基材外表上發(fā)生化學(xué)反響在基材外表上產(chǎn)生的氣體副產(chǎn)物脫離外表而擴(kuò)散掉或被真空泵抽掉，在基材外表沉積出固體反響產(chǎn)物薄膜精選ppt常見的CVD反響方式熱分解反響金屬復(fù)原反響化學(xué)輸送反響氧化或加水分解反響等離子體激發(fā)反響等反響金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積精選pptCVD反響物質(zhì)源

精選pptCVD制備薄膜時基材的溫度區(qū)域CVD方法制備薄膜時基材的3個溫度區(qū)域生長溫度區(qū)/℃反應(yīng)系薄膜應(yīng)用實(shí)例低溫生長室溫~200紫外線激發(fā)CVD、臭氧氧化法鈍化膜約400等離子體激發(fā)CVD約500中溫生長約800鈍化膜電極材料多晶硅高溫生長約1200外延生長精選pptCVD裝置的組成CVD裝置反應(yīng)室氣體流量控制系統(tǒng)蒸發(fā)容器排氣系統(tǒng)排氣處理系統(tǒng)精選pptCVD裝置的選擇主要考慮的因素有：反響室的形狀和結(jié)構(gòu)〔主要是為了制備均勻薄膜〕一般采用水平型、垂直型和圓筒型。加熱方法和加熱溫度加熱方式有：電加熱、高頻誘導(dǎo)加熱、紅外輻射加熱、激光加熱等。氣體供給方式基材材質(zhì)和形狀氣密性和真空度原料氣體種類和產(chǎn)量精選ppt影響CVD沉積層質(zhì)量的因素沉積溫度一般來說，溫度越高，CVD化學(xué)反響速率越快，氣體分子或原子在基材外表吸附和擴(kuò)散作用越強(qiáng)，沉積速率也越快，此沉積層致密型好，結(jié)晶完美，但過高的沉積溫度也會造成晶粒粗大的現(xiàn)象。反響氣體分壓反響氣體配比直接影響沉積層形核、生長、沉積速率、組織結(jié)構(gòu)和成分等。沉積室壓力沉積室的壓力會影響沉積室內(nèi)熱量、質(zhì)量及動量的傳輸，從而影響沉積速率·沉積層質(zhì)量和沉積層厚度的均勻性。精選pptCVD的種類等離子化學(xué)沉積(PCVD)CVD金屬有機(jī)化學(xué)沉積〔MOCVD〕可以在較低溫度下反響生成無定形薄膜i，典型的基材溫度是300℃適用范圍廣，幾乎可以生長所有化合物及合金半導(dǎo)體；可以生長超薄外延層，獲得很陡的界面過渡，生長各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)：外延層均勻性好，基材溫度低，生長易于控制，適宜于大規(guī)模生產(chǎn)。精選pptCVD的應(yīng)用

精選pptCVD的開展隨著CVD和PVD技術(shù)的迅速開展，目前把兩者技術(shù)結(jié)合而開展了一種新的氣相沉積技術(shù)—等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)〔PECVD)。特點(diǎn)：具有沉積溫度低〔小于600℃〕、應(yīng)用范圍廣、設(shè)備簡單、基材變形小、撓度性能好、沉積層均勻、可以滲透等特點(diǎn)。既克服了CVD技術(shù)沉積溫度高、對基材材料要求嚴(yán)的缺點(diǎn)