電磁兼容 通用標(biāo)準(zhǔn) 工業(yè)環(huán)境中的抗擾度標(biāo)準(zhǔn)_第1頁
電磁兼容 通用標(biāo)準(zhǔn) 工業(yè)環(huán)境中的抗擾度標(biāo)準(zhǔn)_第2頁
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1電磁兼容通用標(biāo)準(zhǔn)第2部分:工業(yè)環(huán)境中的抗擾度標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備處的設(shè)備或者在靠近設(shè)備處使用手持式發(fā)射機(jī)。在這些情況下,可能需要采取IEC61000-4-2:2008電磁兼容(EMC)第4-2部分:試驗(yàn)和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)試驗(yàn)[Electromagneticcompatibility(EMC)—Part4-3:Testingandmeasurementtechniques—Radiated,radio-frequency,electromagnetic度試驗(yàn)[Electromagneticcompatibility(EMC)—Part4-4:Testingandmeasurementtechniques2抗擾度[Electromagneticcompatibility(EMC)—Part4-6:Testingandmeasurementtechniques—Immunitytoconducteddisturbances,inIEC61000-4-8:2009電磁兼容(EMC)第4-8部分:試驗(yàn)和測量技術(shù)工頻磁場抗擾度試驗(yàn)[Electromagneticcompatibility(EMC)measurementtechniques—Voltagedips,short注:GB/T17626.11—2008電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)(IEC中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)[Electromagne 注:GB/T17626.20—2014電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)(IECIEC61000-4-21:2011電磁兼容(EMC)第4-21部分:試驗(yàn)和測量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法Reverberationchambertestme 注:GB/T17626.22—2017電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測量(IECIEC61000-4-34:200516A的設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)[Electromagneticcompatibility(EMC)— 4對受試設(shè)備(EUT)進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)期間或試驗(yàn)之后的功能描述和具體性能判據(jù)定義應(yīng)由制造商提b)性能判據(jù)B:在試驗(yàn)之后,EUT應(yīng)5這些基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容在此不再重復(fù),但本文件給出了試驗(yàn)在實(shí)際應(yīng)用時(shí)對磁場敏感的裝置。AdAdABBc cinput=26VATrBb,fBdg對于對稱互連線,試驗(yàn)?zāi)軌蛲瑫r(shí)施加在多條線纜和地之間,例如“VgATrBB7VAb0bTrdBBb僅適用于輸入端口。83可能暴露于由于電氣網(wǎng)絡(luò)和電抗負(fù)載的切換以及電源電路故障和絕緣擊穿或雷電而感應(yīng)到低號3包括相位控制或其他過零檢測技術(shù)的設(shè)備宜考3可能暴露于以下典型騷擾的設(shè)備(例如,長電3在工廠內(nèi)暴露于由開關(guān)瞬態(tài)和電力系統(tǒng)(網(wǎng)絡(luò)及電氣設(shè)備)注入脈沖電流產(chǎn)生的重復(fù)振蕩瞬42對諸如由疊加在電源線上的寬帶通信系統(tǒng)等產(chǎn)9theassessmentofmeasu—Descriptionandclassificationofelectromagneticemeasurementtechniques—Ovmeasurementtechniques—Ringwaveimeasurementtechniques—Dampedoscillatorywaveimeasurementtechniques—ACmains

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