2023年中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)研究報(bào)告：DRAM與NAND+Flash市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

行業(yè)概覽

2023/062023年中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)研究報(bào)告：DRAM與NAND

Flash市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)分析2023

China

StorageIndustry

ResearchReport:

Analysisofthe

MarketDevelopmentTrend

ofDRAM

andNANDFlash2023年中國(guó)ストレージ業(yè)界研究報(bào)告：DRAMとNAND

Flash市場(chǎng)の発展態(tài)勢(shì)分析報(bào)告標(biāo)簽：存儲(chǔ)，DRAM，NANDFlash報(bào)告提供的任何內(nèi)容（包括但不限于數(shù)據(jù)、文字、圖表、圖像等）均系頭豹研究院獨(dú)有的高度機(jī)密性文件（在報(bào)告中另行標(biāo)明出處者除外）。未經(jīng)頭豹研究院事先書面許可，任何人不得以任何方式擅自復(fù)制、再造、傳播、出版、引用、改編、匯編本報(bào)告內(nèi)容，若有違反上述約定的行為發(fā)生，頭豹研究院保留采取法律措施、追究相關(guān)人員責(zé)任的權(quán)利。頭豹研究院開(kāi)展的所有商業(yè)活動(dòng)均使用“頭豹研究院”或“頭豹”的商號(hào)、商標(biāo)，頭豹研究院無(wú)任何前述名稱之外的其他分支機(jī)構(gòu)，也未授權(quán)或聘用其他任何第三方代表頭豹研究院開(kāi)展商業(yè)活動(dòng)。行業(yè)概覽

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2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列摘要?

DRAM市場(chǎng)規(guī)模：市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)下滑，行按照讀寫方式，外部存儲(chǔ)器中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分

為

只

讀

存

儲(chǔ)

器

ROM

（

EEPROM、

PROM、EPROM）和閃存存儲(chǔ)介質(zhì)（NOR

Flash、NANDFlash）。磁存儲(chǔ)器件主要包含磁帶、磁盤。光存儲(chǔ)器件主要包含藍(lán)光光盤（BD）、歸檔光盤（AD）、全息存儲(chǔ)、玻璃存儲(chǔ)等。其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是目前全球最大的存儲(chǔ)細(xì)分市場(chǎng)，其分為易失性存儲(chǔ)器（SRAM、DRAM）和非易失性存儲(chǔ)器（NOR

Flash、NAND

Flash）。目前，DRAM和NAND

Flash兩種主流存儲(chǔ)器合計(jì)占據(jù)全球超90%的存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額。業(yè)處于下行周期2022年，智能手機(jī)、PC消費(fèi)需求持續(xù)疲軟，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器也面臨著庫(kù)存調(diào)整，以上使得全球DRAM行業(yè)進(jìn)入下行周期。2023Q1，三星、美光、SK海力士等全球頭部DRAM廠商的營(yíng)收環(huán)比仍持續(xù)下降。作為供應(yīng)商的DRAM原廠紛紛選擇減產(chǎn)、降低資本支持以調(diào)整供需關(guān)系。因此，預(yù)計(jì)2023年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將同比下降30%至553億美元。?

NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模：預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是目前全球最大的存儲(chǔ)細(xì)分市場(chǎng)，本篇將重點(diǎn)討論半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的DRAM和NAND

Flash。模仍保持下滑2022年，PC需求疲軟，以及數(shù)據(jù)中心面臨劇烈的庫(kù)存調(diào)整，使得數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級(jí)SSD需求持續(xù)下降。2023年一季度，PC、SSD等終端需求不振，庫(kù)存高漲現(xiàn)象顯著，NAND

Flash市場(chǎng)仍處于極度不平衡的狀況。頭部存儲(chǔ)廠商紛紛減產(chǎn)來(lái)緩解價(jià)格的下跌、解決庫(kù)存過(guò)剩的問(wèn)題。2023年下半年備貨旺季將至，NAND

Flash價(jià)格有望止跌，但預(yù)計(jì)全年市場(chǎng)規(guī)模仍保持下滑。?

海外與中國(guó)存儲(chǔ)廠商競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及市場(chǎng)動(dòng)向美光“被禁”有望加速中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，然而美國(guó)對(duì)先進(jìn)工藝制造設(shè)備的出口管制，使得國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商難以短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)大產(chǎn)能，且國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商與三星、SK海力士仍存在技術(shù)差距，短期內(nèi)瓜分美光遺留市場(chǎng)困難重重。400-072-55882行業(yè)概覽

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2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列目錄◆◆存儲(chǔ)行業(yè)綜述04050607080911121314151618192021222526???存儲(chǔ)器分類：總體分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器存儲(chǔ)發(fā)展歷程：存儲(chǔ)介質(zhì)從早期穿孔卡演進(jìn)至固態(tài)硬盤半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：NAND

Flash和DRAM占據(jù)全球超90%份額

DRAM與NANDFlash行業(yè)分析????????DRAM：廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦內(nèi)存條領(lǐng)域DRAM市場(chǎng)規(guī)模：市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)下滑，行業(yè)處于下行周期

DRAM價(jià)格：智能手機(jī)與PC需求疲軟，價(jià)格持續(xù)衰退NAND

Flash：廣泛應(yīng)用于

eMMC/EMCP，U盤，SSDNAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模：預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模仍保持下滑

NAND

Flash價(jià)格：PC與SSD需求減弱，三季度有望回暖

海外與中國(guó)存儲(chǔ)廠商競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及市場(chǎng)動(dòng)向存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策◆中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)推薦?長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)長(zhǎng)江存儲(chǔ)兆易創(chuàng)新??◆◆方法論法律聲明400-072-55883Chapter

1存儲(chǔ)行業(yè)綜述?

中國(guó)存儲(chǔ)器綜述?

存儲(chǔ)器分類：總體分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器?

存儲(chǔ)發(fā)展歷程：存儲(chǔ)介質(zhì)從早期穿孔卡演進(jìn)至固態(tài)硬盤?

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：NAND

Flash和DRAM占據(jù)全球超90%份額行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列存儲(chǔ)器分類：總體分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器可分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器，其中，外部存儲(chǔ)器包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器和光存儲(chǔ)器，內(nèi)部存儲(chǔ)器包括易失性存儲(chǔ)器和新型非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器分類EEPROMROM只讀存儲(chǔ)器PROMEPROM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件磁存儲(chǔ)器件NORFlash閃存存儲(chǔ)介質(zhì)NANDFlash磁盤磁帶外部存儲(chǔ)器藍(lán)光光盤（BD）歸檔光盤（AD）全息存儲(chǔ)光存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)器玻璃存儲(chǔ)SRAMRAM（斷電數(shù)據(jù)丟失）DRAM內(nèi)部存儲(chǔ)器RRAM（阻變）MRAM（磁阻）FRAM（鐵電）PCM（相變）新型存儲(chǔ)器件（斷電數(shù)據(jù)不丟失）?

存儲(chǔ)器通過(guò)使用地址編址和電子靜態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)，其大體上可分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的工作原理為：通過(guò)使用地址編址和電子靜態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)，通常被組織成一個(gè)二維矩陣，其中的每個(gè)單元稱為一個(gè)存儲(chǔ)位置。在計(jì)算機(jī)需要讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)時(shí)，向存儲(chǔ)器發(fā)送地址信號(hào)，通過(guò)數(shù)據(jù)總線與存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸。存儲(chǔ)器主要可分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器。其中，外部存儲(chǔ)器包含半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器和光存儲(chǔ)器，內(nèi)部存儲(chǔ)器包含易失性存儲(chǔ)器和新型非易失性存儲(chǔ)器。按照讀寫方式，外部存儲(chǔ)器中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為只讀存儲(chǔ)器ROM（EEPROM、PROM、EPROM）和閃存存儲(chǔ)介質(zhì)（NOR

Flash、NAND

Flash）。磁存儲(chǔ)器件主要包含磁帶、磁盤。光存儲(chǔ)器件主要包含藍(lán)光光盤（BD）、歸檔光盤（AD）、全息存儲(chǔ)、玻璃存儲(chǔ)等。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是目前全球最大的存儲(chǔ)細(xì)分市場(chǎng)，本篇將重點(diǎn)討論半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。來(lái)源：存儲(chǔ)聯(lián)盟，頭豹研究院400-072-55885行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列存儲(chǔ)發(fā)展歷程：存儲(chǔ)介質(zhì)從早期穿孔卡演進(jìn)至固態(tài)硬盤存儲(chǔ)介質(zhì)在工業(yè)革命興起后經(jīng)歷了從穿孔紙帶、磁帶、磁鼓存儲(chǔ)器、磁芯存儲(chǔ)器、軟盤、光盤等傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備，到固態(tài)硬盤、U盤、SD卡等現(xiàn)代存儲(chǔ)設(shè)備的演進(jìn)存儲(chǔ)發(fā)展歷程早期存儲(chǔ)設(shè)備現(xiàn)代存儲(chǔ)設(shè)備SD卡U盤固態(tài)硬盤光盤軟盤硬盤驅(qū)動(dòng)器磁芯存儲(chǔ)器磁鼓存儲(chǔ)器磁帶穿孔卡和穿孔紙帶1890192819321949195619711982198919981999?

在經(jīng)歷了結(jié)繩記事、甲骨、石碑、紙張等存儲(chǔ)介質(zhì)的演進(jìn)后，工業(yè)革命的興起也使得存儲(chǔ)介質(zhì)經(jīng)歷了從穿孔卡到固態(tài)硬盤等設(shè)備的變遷穿孔卡和穿孔紙帶——機(jī)械化信息最初的存儲(chǔ)形式：1890年，美國(guó)統(tǒng)計(jì)學(xué)家Herman

Hollerith發(fā)明了打孔卡制表機(jī)，最多可記錄960bits，用于收集并統(tǒng)計(jì)人口普查數(shù)據(jù)，標(biāo)志著半自動(dòng)化數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)時(shí)代的開(kāi)始。磁帶——磁性存儲(chǔ)時(shí)代的開(kāi)始：1928年，德國(guó)雷德斯諾工程師Fritz

Pfleumer發(fā)明了錄音磁帶，可以存儲(chǔ)模擬信號(hào)。1980年出現(xiàn)了小型的盒式磁帶，長(zhǎng)度為90分鐘的磁帶每面殼記錄約660kb的數(shù)據(jù)。磁鼓存儲(chǔ)器——磁盤驅(qū)動(dòng)器的前身：1932年，IBM公司的奧地利裔工程師Gustav

Tauschek發(fā)明了磁鼓存儲(chǔ)器，在磁存儲(chǔ)器出現(xiàn)前廣泛用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存，被認(rèn)為是硬盤驅(qū)動(dòng)器的前身。磁芯存儲(chǔ)器——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）的早期版本：1949年，美國(guó)哈佛大學(xué)實(shí)驗(yàn)室的王安博士實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁芯存儲(chǔ)器“讀后即寫”的技術(shù)，其在20世紀(jì)70年代被廣泛用作計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器，直到Intel的半導(dǎo)體DRAM內(nèi)存批量生產(chǎn)。硬盤驅(qū)動(dòng)器——磁盤存儲(chǔ)時(shí)代：1956年，IBM的Reynold

B.

Johnson帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)明了世界上第一塊硬盤IBM

305

RAMAC。該驅(qū)動(dòng)器約有兩個(gè)冰箱大小，重達(dá)一噸，包含50個(gè)24英寸盤片，容量?jī)H為5MB，數(shù)據(jù)傳輸速度10K/S。軟盤——個(gè)人計(jì)算機(jī)中最早使用的可移介質(zhì)：1971年，軟盤由IBM引入，從上世紀(jì)70年代中期到90年代末期被廣泛使用。光盤——以光信息為存儲(chǔ)的載體：1982年，索尼和飛利浦公司發(fā)布了世界上第一部商用CD音頻播放器CDP-101，光盤開(kāi)始普及。固態(tài)硬盤——簡(jiǎn)化的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)：1089年，第一款固態(tài)硬盤出現(xiàn)，又稱固態(tài)驅(qū)動(dòng)器，是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列制成的硬盤。此后，固態(tài)硬盤逐漸市場(chǎng)化，并應(yīng)用于專業(yè)領(lǐng)域，如醫(yī)療、航空和軍事。U盤——以閃存芯片為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)設(shè)備：1998年，U盤首次面市。2004年，中國(guó)朗科科技公司獲得美國(guó)國(guó)家專利局正式授權(quán)的閃存盤基礎(chǔ)發(fā)明專利。SD卡——基于半導(dǎo)體閃存工藝的存儲(chǔ)卡：1999年，日本松下、東芝和美國(guó)SanDisk公司共同研制了SD卡。來(lái)源：中科院半導(dǎo)體所，頭豹研究院6400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：NANDFlash和DRAM占據(jù)全球超90%份額半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是目前全球最大的存儲(chǔ)細(xì)分市場(chǎng)，其分為易失性存儲(chǔ)器（SRAM、DRAM）和非易失性存儲(chǔ)器（NORFlash、NANDFlash）。目前，DRAM和NAND

Flash兩種主流存儲(chǔ)器合計(jì)占據(jù)全球超90%的存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的典型存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)及其使用的存儲(chǔ)技術(shù)BIOSCPU1級(jí)緩存SRAMSRAM/eDRAMDRAM2級(jí)/3級(jí)緩存主存儲(chǔ)器3D

XpointNANDFlash持久性存儲(chǔ)器固態(tài)硬盤SSD磁盤機(jī)械硬盤HDD四大主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器對(duì)比類型非易失性每GB單價(jià)讀取速度寫入速度最小寫入單位最小讀取單位性能SRAM不支持高DRAM不支持低NANDFlashNORFlash支持低支持非常低慢極快極快字節(jié)字節(jié)高快快快慢慢字節(jié)頁(yè)頁(yè)字節(jié)字節(jié)中頁(yè)高中?

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，典型易失性存儲(chǔ)器包含SRAM和DRAM，典型非易失性存儲(chǔ)器包含NAND

Flash和NORFlash，其中，DRAM和NAND

Flash合計(jì)占據(jù)全球超90%的存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，存儲(chǔ)器被分為易失性存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和非易失性存儲(chǔ)器（外存）兩大類，前者在掉電時(shí)數(shù)據(jù)會(huì)立即消失，后者則不受斷電影響，持久儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。其中，易失性存儲(chǔ)器主要以SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）為主。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)則在不斷演進(jìn)，從早期的ROM（PROM、EPROM、EEPROM）到閃存（NOR

Flash和NAND

Flash）。目前，DRAM和NAND

Flash兩種主流存儲(chǔ)器合計(jì)占據(jù)全球超90%的存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額。根據(jù)傳輸速度、容量、數(shù)據(jù)可擦除性等關(guān)鍵參數(shù)，不同存儲(chǔ)器擁有各自的職責(zé)，以計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中使用的存儲(chǔ)器來(lái)看：SRAM速度夠快，通常作為中央處理器（CPU）的緩存使用，DRAM價(jià)格低廉、容量大，通常用作內(nèi)存，NOR

Flash通常用于代碼存儲(chǔ)，而NAND

Flash則用于大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。來(lái)源：存儲(chǔ)聯(lián)盟，頭豹研究院7400-072-5588Chapter

2DRAM與NAND

Flash行業(yè)分析?

DRAM與NAND

Flash行業(yè)分析?

DRAM：廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦內(nèi)存條領(lǐng)域?

DRAM市場(chǎng)規(guī)模：市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)下滑，行業(yè)處于下行周期?

DRAM價(jià)格：智能手機(jī)與PC需求疲軟，價(jià)格持續(xù)衰退?

NAND

Flash：廣泛應(yīng)用于

eMMC/EMCP，U盤，SSD?

NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模：預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模仍保持下滑?

NAND

Flash價(jià)格：PC與SSD需求減弱，三季度有望回暖?

海外與中國(guó)存儲(chǔ)廠商競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及市場(chǎng)動(dòng)向?

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列DRAM：廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦內(nèi)存條領(lǐng)域JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）將DRAM定義為標(biāo)準(zhǔn)DDR、移動(dòng)DDR、圖形DDR三個(gè)類別，分別指代的是電腦內(nèi)存、手機(jī)運(yùn)存、顯卡顯存。目前，標(biāo)準(zhǔn)類DDR5已成為主流，DDR6處于研發(fā)早期階段，預(yù)計(jì)2025年后有望商用?

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦的內(nèi)存條領(lǐng)域，其主要分為標(biāo)準(zhǔn)DDR、移動(dòng)DDR和圖形DDR，分別指代電腦內(nèi)存、手機(jī)運(yùn)存和顯卡顯存DRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic

RAM）。“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，因此DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元僅需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，因此，DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖），而DRAM則主要用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)的內(nèi)?

JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）將DRAM定義為標(biāo)準(zhǔn)DDR、移動(dòng)DDR、圖形DDR三個(gè)類別，分別指代的是電腦內(nèi)存、手機(jī)運(yùn)存、顯卡顯存DDR4與DDR5對(duì)比功能DDR4DDR5DDR5優(yōu)勢(shì)數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)1.6

-3.2GBps時(shí)鐘頻率達(dá)0.8

-1.6GHz數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)4.8

-8.4GBps時(shí)鐘頻率達(dá)1.6

-4.2GHz數(shù)據(jù)傳輸速率更高的帶寬72位寬數(shù)據(jù)通道（64位數(shù)據(jù)+8位

ECC）每個(gè)DIMM有1個(gè)通道40位寬數(shù)據(jù)通道（32位數(shù)據(jù)+8位

ECC）每個(gè)DIMM有2個(gè)通道更高的內(nèi)存效率更低的時(shí)延通道架構(gòu)在DIMM引腳數(shù)量變少的情況下仍能夠?yàn)閮蓚€(gè)通道提供必要的CA帶寬CA總線32位SDR，每個(gè)引腳均分配了功能BC4，BL8每通道10位DDR，對(duì)引腳采用分組協(xié)議BC8，BL16突發(fā)長(zhǎng)度更高的內(nèi)存效率更大容量的DIMMs更低的功耗16GB

SDP

->64

GBDIMMs3DS-CID支持8-hi堆線64GB

SDP

->256

GBDIMMs3DS

–

CID

支持16-hi堆線DRAM芯片密度輸入/輸出電壓1.2v

電壓V

|

CA

SSTL1.1V

|CA

PODL

標(biāo)準(zhǔn)DDR：支持更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸，面向服務(wù)器、云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)等消費(fèi)類應(yīng)用。目前JEDEC已公布的最高標(biāo)準(zhǔn)是DDR5。DDR4和DDR5主要在帶寬、單芯片密度及工作頻率等方面有區(qū)別。帶寬速度方面，DDR4的帶寬為25.6GB/s，DDR5的帶寬為32GB/s；單芯片密度方面，DDR4為4GB的單片芯片密度，單條內(nèi)存的最大容量達(dá)128GB，而DDR5會(huì)有單片超過(guò)16GB的芯片密度，可達(dá)到單條更高容量；工作頻率方面，DDR4的最低工作頻率標(biāo)準(zhǔn)為1600MHz，最高工作頻率為3200MHz。DDR5的最高工作頻率則為6400MHz；功耗方面，DDR4內(nèi)存的單條功耗為1.2V，DDR5內(nèi)存的功耗則降低至1.1V。目前，DDR5已成為主流，而DDR6也已處于早起開(kāi)發(fā)過(guò)程。三星預(yù)計(jì)DDR6設(shè)計(jì)將在2024年完成，但預(yù)計(jì)2025年之后才會(huì)商用。來(lái)源：固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，頭豹研究院9400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列DRAM：廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦內(nèi)存條領(lǐng)域（續(xù)）移動(dòng)DDR目前最高標(biāo)準(zhǔn)為L(zhǎng)PDDR5X，面向移動(dòng)設(shè)備和汽車等規(guī)格和功耗敏感的領(lǐng)域。圖形DDR最高標(biāo)準(zhǔn)為GDDR6X，面向圖形應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心加速及AI應(yīng)用，預(yù)計(jì)美光將在2024年一季度推出GDDR7顯存LPDDR各標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比LPDDR332

GbitLPDDR4LPDDR4X64

GbitLPDDR5LPDDR5X32

Gbit最大密度最大速率2133Mbps4266Mbps6400Mbps8533Mbps通道數(shù)121最大位寬×328×32（2×

×16）×16Banks（每組）電壓（Vdd）電壓（Vddq）88-16161.2V1.2V1.1V可變（最大1.1V）1.1V0.6V0.5V

移動(dòng)DDR：提供更窄的通道寬度和較低的功耗，面向移動(dòng)設(shè)備和汽車等規(guī)格和功耗敏感的領(lǐng)域。目前已公布的最高標(biāo)準(zhǔn)是LPDDR5X。與LPDDR4X的4266Mbps相比也快了近30%。而LPDDR5X整體要比上一代的JEDECLPDDR5相較于LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度從3200Mbps翻番提升到6400Mbps，的發(fā)展，LPDDR也將應(yīng)用于更多新興領(lǐng)域，如智能后視鏡、VR、商顯、智能家居等。GDDR各標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比GDDR5512Mb-8GB1.5V或1.35VN/AGDDR5X8GBGDDR68BG，16GB1.35V或1.25V1.8VGDDR6X8BG，16GB1.35V或1.25V1.8V密度電壓（Vdd和Vddq）Vpp1.35V1.8V19GB/S，21GB/s，＞最大速率最高8GB/s最高12GB/s最高16GB/s21GB/s通道數(shù)1122訪問(wèn)粒度32bytes64bytes2ch

×

32bytes2ch

×

32bytes8（PAM4mode）16（RDQS

mode）突發(fā)長(zhǎng)度816/816

圖形DDR：提供極高的吞吐量，面向圖形應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心加速以及AI的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序。目前JEDEC已公布的最高標(biāo)準(zhǔn)是GDDR6。目前，GDDR6X顯存是NVDIA和美光聯(lián)手研發(fā)，還沒(méi)被JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化。GDDR6X的顯存帶寬比GDDR6增加了約35%，能耗降低約15%。此外，將很多DDR芯片堆疊后與GPU封裝在一起，就構(gòu)成了另一種形式的顯存，即HBM。目前，JEDEC已公布的最高標(biāo)準(zhǔn)是HBM3。據(jù)悉，美光計(jì)劃在2024年第一季度推出GDDR7顯存，其將會(huì)采用PAM3編碼，讓顯存速率更上一層樓，最高可以達(dá)到36Gbps，接近于主流GDDR6顯存的2倍。來(lái)源：固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，頭豹研究院10400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列DRAM市場(chǎng)規(guī)模：市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)下滑，行業(yè)處于下行周期2022年，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)790.61億美元，同比下跌16.7%。2023Q1，三星、美光、SK海力士等全球頭部DRAM廠商營(yíng)收環(huán)比仍持續(xù)下降，其紛紛選擇減產(chǎn)，降低資本支出以調(diào)整供需關(guān)系全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模，2016-2023E單位：[億美元]單位：[%]1,2001,000800100%80%60%40%20%0%99094975.7%79171767440.8%38.1%

6205536004084008.7%-16.7%-20%-30.0%200-37.4%-40%0-60%20162017201820192020202120222023E全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模增速各廠商DRAM營(yíng)收排名及市場(chǎng)份額，2023Q1排名企業(yè)三星23Q1

DRAM營(yíng)收（$M）QoQ全球DRAM廠商市占率，2023Q11.1%1.2%123454,0652,7222,315212-24.8%-3.8%2.2%三星美光美光SK海力士南亞科技華邦電子其他-32.1%-16.4%-6.5%24.3%42.7%SK海力士南亞科技華邦電子其他10128.5%113-26.3%-21.6%總計(jì)9,527?

2022年，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)790.61億美元，同比下跌16.7%。預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模降至553億美元2022年，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模為790.61億美元，同比下跌16.7%。2023年第一季度，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模為95.27億美元，環(huán)比減少21.6%，同比減少60.2%。其中，三星在2023Q1的DRAM銷售收入達(dá)40.65億美元，環(huán)比減少24.8%，市場(chǎng)份額為42.7%。美光和SK海力士2023Q1則分別實(shí)現(xiàn)DRAM收入27.22億美元和23.15億美元，分別環(huán)比下降3.8%和32.1%，市場(chǎng)份額分別為28.5%和24.3%。2022年，智能手機(jī)、PC消費(fèi)需求持續(xù)疲軟，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器也面臨著庫(kù)存調(diào)整，以上使得全球DRAM行業(yè)進(jìn)入下行周期。2023Q1，三星、美光、SK海力士等全球頭部DRAM廠商的營(yíng)收環(huán)比仍持續(xù)下降。作為供應(yīng)商的DRAM原廠紛紛選擇減產(chǎn)、降低資本支持以調(diào)整供需關(guān)系。因此，預(yù)計(jì)2023年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將同比下降30%至553億美元。來(lái)源：CFM閃存市場(chǎng)，頭豹研究院11400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列DRAM價(jià)格：智能手機(jī)與PC需求疲軟，價(jià)格持續(xù)衰退DRAM現(xiàn)貨與合約均價(jià)持續(xù)下跌，主要由于智能手機(jī)、PC需求疲軟，內(nèi)存廠商持續(xù)低價(jià)銷售。美光、SK海力士、三星紛紛減產(chǎn)控制供需平衡，同時(shí)三大存儲(chǔ)廠商均希望在今年三季度拉高DRAM價(jià)格DRAM現(xiàn)貨平均價(jià)格走勢(shì)，23/05/23-30/06/23單位：[美元]2.982.962.921.503.002.802.602.402.202.001.80

1.511.601.511.401.201.00DRAM:DDR416Gb1Gx163200MbpsDRAM:DDR48Gb1Gx83200MbpsDRAM合約平均價(jià)格走勢(shì)，01/03/23-01/05/23單位：[美元]18.9820.0015.6413.6015.1813.2015.0016.5010.005.000.002023-03-012023-04-012023-05-01DRAM:DDR58GB

SO-DIMMDRAM:DDR48GB

SO-DIMM?

PC與智能手機(jī)需求減少，DRAM廠商持續(xù)低價(jià)銷售。頭部DRAM廠商有望于今年三季度拉高DRAM價(jià)格根據(jù)DRAMexchange的數(shù)據(jù)，6月30日，DRAM（DDR4

16Gb

1G×16

3200Mbps）現(xiàn)貨平均價(jià)格為2.92美元，月跌幅1.35%。DRAM（DDR4

8Gb

1Gx8

3200Mbps）現(xiàn)貨平均價(jià)為1.50美元，月跌幅0.20%；DRAM（DDR58GB

SO-DIMM）和DRAM（DDR4

8GB

SO-DIMM）5月合約價(jià)分別為15.18美元和13.20美元，月跌幅均為2.94%。存儲(chǔ)器DRAM現(xiàn)貨與合約價(jià)格持續(xù)下跌，主要由于PC、智能手機(jī)需求減少，內(nèi)存廠商持續(xù)低價(jià)銷售。據(jù)市場(chǎng)消息人士稱，“DRAM現(xiàn)在的價(jià)格正接近原料成本”。作為內(nèi)存頭部廠商的美國(guó)美光（Micron）、韓國(guó)SK海力士在2022年秋天表明減產(chǎn)DRAM，隨后三星也于今年4月宣布減產(chǎn)。通常DRAM生產(chǎn)需要3個(gè)月時(shí)間，因此，三星的減產(chǎn)效應(yīng)預(yù)計(jì)于今年7月后顯現(xiàn)。同時(shí)，盡管今年三季度仍存在庫(kù)存和終端需求的不確定性，但在DRAM價(jià)格持續(xù)下跌后，三大存儲(chǔ)器廠商都希望拉動(dòng)三季度DRAM價(jià)格上漲。來(lái)源：DRAMexchange，Wind，頭豹研究院12400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列NAND

Flash：廣泛應(yīng)用于

eMMC/EMCP，U盤，SSDNAND

Flash是目前閃存中的主要產(chǎn)品，其具有非易失、高密度、低成本的優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于eMMC/EMCP，U盤，SSD等市場(chǎng)。NANDFlash可通過(guò)提升制程節(jié)點(diǎn)和疊加層數(shù)來(lái)獲取高密度和大容量，進(jìn)而降低單位成本?

NAND

Flash是閃存中的主要產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于eMMC/EMCP，U盤，SSD等市場(chǎng)NAND

Flash是目前閃存中最主要的產(chǎn)品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢(shì)。在NAND閃存中，數(shù)據(jù)是以位（bit）的方式保存在Memory

Cell中，一個(gè)Cell存儲(chǔ)一個(gè)bit，這些Cell或8個(gè)或16個(gè)為單位，連成bit

line，而這些line組合起來(lái)會(huì)構(gòu)成Page，而NAND閃存就是以頁(yè)為單位讀寫數(shù)據(jù)，以塊為單位擦除數(shù)據(jù)，故其寫入和擦除速度雖比DRAM大約慢3-4個(gè)數(shù)量級(jí)，卻也比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤快3個(gè)數(shù)量級(jí)，被廣泛用于eMMC/EMCP，U盤，SSD等市場(chǎng)。各種NAND

Flash技術(shù)對(duì)比SLCpSLCMLC3DpSLC3DTLC3DQLC每位元成本可靠性與耐用性高溫支持寫入性能數(shù)據(jù)保留耐久性注：極優(yōu)優(yōu)良一般差?

NAND擁有SLC、MLC、TLC、QLC四種不同的存儲(chǔ)技術(shù)，在性能、功耗、可靠性等方面存在差異NAND

Flash屬于數(shù)據(jù)型閃存芯片，是海量數(shù)據(jù)的核心，可以實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)、高寫入和擦除速度，多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。擁有SLC、MLC、TLC、QLC四種不同存儲(chǔ)技術(shù)，依次代表每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)分別為1位、2位、3位與4位。由SLC到QLC存儲(chǔ)密度逐步提升，單位比特（Bit）成本也會(huì)隨之降低。但相對(duì)的，性能、功耗、可靠性與P/E循環(huán)（擦寫循環(huán)次數(shù)，即壽命）會(huì)下降。目前，NAND可通過(guò)兩個(gè)方向提高性能：1）提升制程節(jié)點(diǎn)；2）通過(guò)縱向疊加NANDFlash層數(shù)來(lái)獲取高密度和大容量，進(jìn)而降低單位成本，即3D

NAND

Flash，類似于機(jī)械硬盤增加碟數(shù)來(lái)提高容量密度。通常情況下，常見(jiàn)的SSD固態(tài)硬盤、U盤、手機(jī)閃存、SD卡均屬于大容量3D

NAND

Flash的范疇。來(lái)源：世界電子元器件，頭豹研究院400-072-558813行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模：預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模仍保持下滑2022年，全球NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模為601.26億美元，同比下跌11%。2023Q1，全球NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模為85.94億美元，環(huán)比減少18%。PC需求疲軟，數(shù)據(jù)中心與企業(yè)級(jí)SSD需求下降，使得NAND市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)下滑全球NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模，2017-2023E單位：[億美元]單位：[%]800100%67964460156660040040061.0%46042150%0%23.0%20.0%200-11.0%-30.0%-30.0%0-50%2017201820192020202120222023E全球NANDFlash

市場(chǎng)規(guī)模增速各廠商N(yùn)AND

Flash營(yíng)收排名及市場(chǎng)份額，2023Q1全球NAND

Flash廠商市占率，2023Q1排名三星12三星鎧俠2,9351,8533.4%10.3%-5.8%鎧俠SK海力士+SolidigmSK海力士+Solidigm西部數(shù)據(jù)31,318-25.2%34.2%15.2%15.3%45西部數(shù)據(jù)美光1.307885-21.1%-19.8%-35.9%-18.1%美光其他21.6%其他296總計(jì)8,594?

2022年全球NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)601億美元，同比下跌16.7%。預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模降至421億美元2022年，全球NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模為601.26億美元，同比下跌11%。2023年第一季度，全球NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模為85.94億美元，環(huán)比減少18%。預(yù)計(jì)2023年全年，NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)下跌30%至421億美元。2023Q1，三星NAND

Flash銷售收入達(dá)29.35億美元，環(huán)比減少17.3%，市場(chǎng)份額為34.2%。鎧俠實(shí)現(xiàn)NANDFlash收入18.53億美元，環(huán)比減少5.8%，市場(chǎng)份額為21.6%。SK海力士（包括Solidigm）實(shí)現(xiàn)NAND

Flash收入13.18億美元，環(huán)比減少25.2%，市場(chǎng)份額為15.3%。2022年，PC需求疲軟，以及數(shù)據(jù)中心面臨劇烈的庫(kù)存調(diào)整，使得數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級(jí)SSD需求持續(xù)下降。2023年一季度，PC、SSD等終端需求不振，庫(kù)存高漲現(xiàn)象顯著，NANDFlash市場(chǎng)仍處于極度不平衡的狀況。頭部存儲(chǔ)廠商紛紛減產(chǎn)來(lái)緩解價(jià)格的下跌、解決庫(kù)存過(guò)剩的問(wèn)題。2023年下半年備貨旺季將至，NANDFlash價(jià)格有望止跌，但預(yù)計(jì)全年市場(chǎng)規(guī)模仍保持下滑。來(lái)源：CFM閃存市場(chǎng)，頭豹研究院14400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列NAND

Flash價(jià)格：PC與SSD需求減弱，三季度有望回暖NAND

Flash現(xiàn)貨與合約均價(jià)都較全年同期有所下跌，主要由于PC消費(fèi)疲軟，以及數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)SSD需求急劇減弱。今年下半年的旺季備貨周期將至，需求有望回暖，采購(gòu)量有機(jī)會(huì)逐季增長(zhǎng)NAND

Flash現(xiàn)貨平均價(jià)格走勢(shì)，23/05/23-30/06/23單位：[美元]5.0003.8542.0673.8532.0674.0003.0002.0001.0000.000NANDFlash:64Gb8Gx8MLCNANDFlash:32Gb4Gx8MLCNAND

Flash合約平均價(jià)格走勢(shì)，31/05/22-31/05/23單位：[美元]3.444.002.762.433.002.001.000.003.00NANDFlash:NAND64Gb8Gx8MLCNANDFlash:NAND32Gb4Gx8MLC?

PC、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)SSD需求急劇減弱，NAND

Flash價(jià)格較去年同期下降。今年三季度備貨旺季有望需求回暖根據(jù)DRAMexchange的數(shù)據(jù)，6月30日，NAND

Flash

（64Gb

8Gx8

MLC）現(xiàn)貨平均價(jià)格為3.853美元，月跌幅0.03%，較去年同期下降4.01%。NAND

Flash（32Gb

4Gx8

MLC）現(xiàn)貨平均價(jià)為2.067美元，較去年同期下降4.22%；NAND

Flash

（64Gb

8Gx8

MLC）和NAND

Flash（32Gb

4Gx8

MLC）5月合約價(jià)分別為2.76美元和2.43美元，與去年同期相比分別下跌19.77%和18.90%。NAND

Flash現(xiàn)貨與合約均價(jià)都較去年同期有所下跌，主要由于PC消費(fèi)的疲軟，以及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器面臨劇烈的庫(kù)存調(diào)整，使得數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)SSD需求急劇減弱，NAND

Flash廠商也因此紛紛減產(chǎn)并持續(xù)低價(jià)供貨。目前，終端需求仍表現(xiàn)不佳，成交情緒不振，但自5月底以來(lái)，NAND

Flash現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始止跌。今年下半年的旺季備貨周期將至，旺季需求有望回暖，采購(gòu)量有機(jī)會(huì)逐季增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)今年第三季度起NANDFlash價(jià)格將轉(zhuǎn)為上漲。來(lái)源：DRAMexchange，Wind，頭豹研究院15400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列海外與中國(guó)存儲(chǔ)廠商競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及市場(chǎng)動(dòng)向2023Q1，三星、美光、SK海力士合計(jì)占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)96%的市場(chǎng)份額；三星、鎧俠、SK海力士（包括Solidigm）、西部數(shù)據(jù)、美光合計(jì)占據(jù)全球NAND

Flash市場(chǎng)97%的市場(chǎng)份額海外與中國(guó)存儲(chǔ)廠商產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及核心技術(shù)地區(qū)企業(yè)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)核心技術(shù)??2020年引入EUV技術(shù)制造DRAM并在加速推動(dòng)3DDRAM商業(yè)化三星全球DRAM和NAND芯片龍頭2022年12月，三星開(kāi)發(fā)出首款采用12nm級(jí)工藝技術(shù)打造的16GB

DDR5DRAM??2021年引入EUV技術(shù)來(lái)制造DRAM并在加速推動(dòng)3DDRAM商業(yè)化SK海力士全球DRAM和NAND芯片龍頭2023年1月12日，SK海力士宣布其用于服務(wù)器的DDR5

DRAM采用EUV光刻技術(shù)的1αnm技術(shù)海外??采用成熟的尖端納米制造和光刻技術(shù)進(jìn)行1β的生產(chǎn)，計(jì)劃從2024年將EUV納入DRAM開(kāi)發(fā)路線圖2022年11月，美光將1β

DRAM產(chǎn)品送往客戶的產(chǎn)品驗(yàn)證流水線，率先進(jìn)入了1β節(jié)點(diǎn)??DRAM設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)最先進(jìn)的量產(chǎn)芯片包括19nm工藝的DDR4、LPDDR4X等，具有高良率，正在大批量產(chǎn)，打破DRAM國(guó)際巨頭壟斷長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)長(zhǎng)江存儲(chǔ)中國(guó)DRAM龍頭??Xtacking3D

NAND晶棧技術(shù)2022年閃存峰會(huì)（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧（Xtacking）3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070中國(guó)3DNAND龍頭中國(guó)??與合肥長(zhǎng)鑫密切合作，2021年6月推出首款自有品牌DRAM產(chǎn)品，19nm工藝，主要面向利基市場(chǎng)，已完成NOR

Flash、NANDFlash和DRAM三大產(chǎn)品線的布局兆易創(chuàng)新北京君正中國(guó)NOR

Flash和MCU龍頭Xburst系列CPUCore（基于MIPS指令集）、Helix/Radix系列VPU、Tiziano圖像處理器、君正AIE算力引擎、ISSI存儲(chǔ)技術(shù)中國(guó)車載存儲(chǔ)龍頭來(lái)源：頭豹研究院400-072-558816行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列海外與中國(guó)存儲(chǔ)廠商競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)及市場(chǎng)動(dòng)向（續(xù)）美光“被禁”有望加速中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，然而美國(guó)對(duì)先進(jìn)工藝制造設(shè)備的出口管制，使國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商難以短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)大產(chǎn)能，且國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商與三星、SK海力士仍存在技術(shù)差距，短期內(nèi)瓜分美光遺留市場(chǎng)困難重重海外與中國(guó)存儲(chǔ)廠商產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及核心技術(shù)地區(qū)企業(yè)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)核心技術(shù)東芯半導(dǎo)體中國(guó)SLC

NAND龍頭??NAND/NOR/DRAM/MCP設(shè)計(jì)工藝技術(shù)高性能DDR內(nèi)存緩沖控制器、動(dòng)態(tài)安全監(jiān)控技術(shù)（DSC）、異構(gòu)計(jì)算與互聯(lián)技術(shù)瀾起科技江波龍中國(guó)內(nèi)存接口芯片龍頭?存儲(chǔ)算法與固件、存儲(chǔ)芯片封測(cè)技術(shù)。可提供車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)、工規(guī)級(jí)存儲(chǔ)和企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的完成存儲(chǔ)解決方案中國(guó)綜合性存儲(chǔ)模組龍頭中國(guó)??擁有存儲(chǔ)芯片封裝和測(cè)試產(chǎn)線擁有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和先進(jìn)封測(cè)制造核心佰維存儲(chǔ)中國(guó)嵌入式存儲(chǔ)龍頭競(jìng)爭(zhēng)力及以SiP為核心的先進(jìn)封測(cè)服務(wù)串行EEPROM、邏輯加密卡，零漂移軌到聚辰半導(dǎo)體中國(guó)EEPROM龍頭軌輸入輸出運(yùn)放?

2023Q1，三星、美光、SK海力士合計(jì)占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)96%的市場(chǎng)份額；三星、鎧俠、SK海力士（包括Solidigm）、西部數(shù)據(jù)、美光合計(jì)占據(jù)全球NAND

Flash市場(chǎng)97%的市場(chǎng)份額2023Q1，在全球DRAM市場(chǎng)，三星、美光、SK海力士占據(jù)市場(chǎng)前三，市占率分別達(dá)42.7%、28.5%、24.3%，合計(jì)占據(jù)全球約96%的市場(chǎng)份額；在全球NAND市場(chǎng)，三星、鎧俠、SK海力士（包括Solidigm）、西部數(shù)據(jù)、美光占據(jù)市場(chǎng)前五，市占率分別達(dá)34.2%、21.6%、15.3%、15.2%、10.3%，合計(jì)占據(jù)全球約97%的市場(chǎng)份額。?

美光“被禁”有望加速存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，重塑中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需格局2023年5月21日晚間，中國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室官網(wǎng)發(fā)布了美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過(guò)網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)果。公告內(nèi)容顯示，審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問(wèn)題隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國(guó)國(guó)家安全。為此，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法作出不予通過(guò)網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。美光2022年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收307.58億美元，其中，中國(guó)市場(chǎng)（其中中國(guó)大陸收入約33億美元）占比16%，無(wú)疑是美光的重要市場(chǎng)之一。此次中國(guó)市場(chǎng)的禁售，無(wú)疑是在美光2023Q2營(yíng)收同比下降53%的情況下雪上加霜。此次限制主要針對(duì)美光DRAM和NAND

Flash存儲(chǔ)產(chǎn)品在中國(guó)國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈上的銷售。目前，中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)需求龐大，但嚴(yán)重依賴進(jìn)口，存儲(chǔ)器與晶圓兩大領(lǐng)域的海外品牌占比超90%。此次美光的“出局”，對(duì)于如長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、北京君正、兆易創(chuàng)新等國(guó)產(chǎn)廠商來(lái)說(shuō)是重要的機(jī)會(huì)。然而，美國(guó)持續(xù)加大對(duì)先進(jìn)工藝制造設(shè)備的出口限制，將生產(chǎn)18nm以下制程DRAM、128層以上NAND

Flash相關(guān)設(shè)備都列入管制當(dāng)中。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商要在短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)大產(chǎn)能較為困難。并且，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商與三星、SK海力士這種國(guó)際頭部存儲(chǔ)企業(yè)在技術(shù)上仍存在差距。因此，國(guó)內(nèi)頭部存儲(chǔ)廠商想要瓜分美光留下的市場(chǎng)仍面臨巨大挑戰(zhàn)。來(lái)源：

CFM閃存市場(chǎng)，中國(guó)網(wǎng)信網(wǎng)，頭豹研究院17400-072-5588行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策國(guó)家高度重視并出臺(tái)了若干政策，大力支持包括存儲(chǔ)器在內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在《“十四五”國(guó)家信息化規(guī)劃》、《“十四五”大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》等政策中，“存儲(chǔ)”作為熱詞頻頻出現(xiàn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策，2020-2023政策發(fā)布時(shí)間發(fā)布主體內(nèi)容《關(guān)于做好享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)或項(xiàng)目、軟件企業(yè)清單制定工作有關(guān)要求的通知》《通知》明確2023年享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)或項(xiàng)目、軟件企業(yè)清單（以下簡(jiǎn)稱“清單”）制定工作，延用2022年清單制定程序、享受稅收優(yōu)惠政策的企業(yè)條件和項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)。其中存儲(chǔ)芯片為享受稅收優(yōu)惠政策的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。國(guó)家發(fā)改委等五部門2023-3-22《規(guī)劃》強(qiáng)調(diào)，要布局戰(zhàn)略性前沿性技術(shù)。瞄準(zhǔn)可能引發(fā)信息化領(lǐng)域范式變革的重要方向，前瞻布局戰(zhàn)略性、前沿性、原創(chuàng)性、顛覆性技術(shù)。加強(qiáng)人工智能、量子信息、集成電路、空天信息、類腦計(jì)算、神經(jīng)芯片、DNA存儲(chǔ)、腦機(jī)接口、數(shù)字孿生、新型非易失性存儲(chǔ)、硅基《“十四五”國(guó)家信息化中央網(wǎng)絡(luò)安全和信息化委員會(huì)2021-12-27規(guī)劃》《“十四五”大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)《規(guī)劃》要求存儲(chǔ)領(lǐng)域突破關(guān)鍵核心技術(shù)，基礎(chǔ)設(shè)施達(dá)2021-12-3工信部工信部發(fā)展規(guī)劃》到國(guó)際先進(jìn)水平，并重點(diǎn)提升通用技術(shù)水平?！兑?guī)劃》中明確提出：深化軟件定義，加快發(fā)展軟件定義計(jì)算、軟件定義存儲(chǔ)、

軟件定義網(wǎng)絡(luò)，重點(diǎn)布局工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能、自動(dòng)駕駛等新興軟件定義平臺(tái)。引導(dǎo)企業(yè)制定相關(guān)體系架構(gòu)和應(yīng)用規(guī)范，推動(dòng)創(chuàng)新應(yīng)用?！丁笆奈濉避浖托畔⒓夹g(shù)服務(wù)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》2021-11-30《方案》提出布局全國(guó)算力網(wǎng)絡(luò)國(guó)家樞紐節(jié)點(diǎn)，啟動(dòng)實(shí)施“東數(shù)西算”工程，加快建設(shè)全國(guó)一體化算力樞紐體系；加大服務(wù)器芯片、操作系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫(kù)、中間件、分布式計(jì)算與存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)流通模型等軟硬件產(chǎn)品的規(guī)?；瘧?yīng)用。《全國(guó)一體化大數(shù)據(jù)中心協(xié)同創(chuàng)新體系算力樞紐實(shí)施方案》國(guó)家發(fā)改委、中央網(wǎng)信辦、工信部、國(guó)家能源局2021-5-24《若干政策》提出，為進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國(guó)際合作，提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量，制定出臺(tái)財(cái)稅、投融資、研究開(kāi)發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用、國(guó)際合作等八個(gè)方面政策措施。其中，在先進(jìn)存儲(chǔ)、先進(jìn)計(jì)算、先進(jìn)制造、高端封裝測(cè)試、關(guān)鍵裝備材料、新一代半導(dǎo)體技術(shù)等領(lǐng)域，結(jié)合行業(yè)特點(diǎn)推動(dòng)各類創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)。科技部、國(guó)家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部等部門優(yōu)先支持相關(guān)創(chuàng)新平臺(tái)實(shí)施研發(fā)項(xiàng)目?！缎聲r(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策》2020-7-27國(guó)務(wù)院來(lái)源：

國(guó)務(wù)院，工信部，國(guó)家發(fā)改委，中央網(wǎng)信辦，頭豹研究院400-072-558818Chapter3中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)推薦?

中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)推薦?

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)?

長(zhǎng)江存儲(chǔ)?

兆易創(chuàng)新行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)：中國(guó)DRAM龍頭企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是中國(guó)DRAM龍頭企業(yè)，目前已推出多款DRAM產(chǎn)品，包括DDR4內(nèi)存芯片、LPDDR4X內(nèi)存芯片和DDR4模組。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃于今年在科創(chuàng)板上市，估值不低于1000億元人民幣?

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為中國(guó)DRAM龍頭企業(yè)，目前已推出多款DRAM并廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是一家一體化存儲(chǔ)器制造公司，專注于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。創(chuàng)立于2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)總部位于安徽合肥，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圓廠并投產(chǎn)，在國(guó)內(nèi)外擁有多個(gè)研發(fā)中心和分支機(jī)構(gòu)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)擁有豐富的技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新能力，已推出多款DRAM商用產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)主要DRAM產(chǎn)品DDR4內(nèi)存芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存芯片能夠滿足市場(chǎng)需求，廣LPDDR4X

內(nèi)存芯片泛應(yīng)用于辦公、居家、休閑娛樂(lè)等眾多場(chǎng)景，為云服務(wù)、物聯(lián)網(wǎng)等多種設(shè)備和產(chǎn)品賦能LPDDR4X內(nèi)存芯片相較于第三代有更高的傳輸速率和更出色的功耗表現(xiàn)，是高性能、長(zhǎng)續(xù)航移動(dòng)設(shè)備的最佳選擇。DDR4模組DDR4模組是目前內(nèi)存模組市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，可服務(wù)于電腦、服務(wù)器等產(chǎn)品。多種類型的DDR4模組靈活可選，適配各種行業(yè)應(yīng)用。?

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)于2021年進(jìn)入17nm工藝環(huán)節(jié)，目前產(chǎn)能為12萬(wàn)片晶圓/月2019年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布總投資約1500億元，位于合肥的內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)，與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb

DDR4首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。這標(biāo)志中國(guó)在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)一直在加大DRAM工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)程，2020年實(shí)現(xiàn)了19nm

DRAM工藝存儲(chǔ)芯片的量產(chǎn)，2021年開(kāi)始進(jìn)入17nm工藝環(huán)節(jié)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)能也在大幅提升，2021年達(dá)到8.5萬(wàn)片/月，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬(wàn)片晶圓/月，未來(lái)的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬(wàn)片晶圓/月。如今在美方限制下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)雖然獲準(zhǔn)可以繼續(xù)量產(chǎn)，但美國(guó)設(shè)備業(yè)者出貨并未恢復(fù)如常，因而傳出計(jì)劃將采購(gòu)更多國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造設(shè)備，全年資本支出也加碼50億美元以上。最新消息稱，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃今年在科創(chuàng)板IPO，估值不低于1000億元人民幣。來(lái)源：企業(yè)官網(wǎng)，頭豹研究院400-072-558820行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列長(zhǎng)江存儲(chǔ)：中國(guó)DRAM龍頭企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一家專注于3D

NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，其可實(shí)現(xiàn)232層的3D閃存開(kāi)發(fā)。2022年12月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)被美國(guó)列入“實(shí)體清單”，這將影響長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)前產(chǎn)線及擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃?

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是是一家專注于3D

NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，

是一家專注于3DNAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球合作伙伴供應(yīng)3D

NAND閃存晶圓及顆粒，

嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心。頭部NAND廠商堆疊層數(shù)對(duì)比20202021202220232H2H1H鎧俠西部數(shù)據(jù)112L

BiCS5

2020

MP162L

BiCS6

2022MP212L

2023美光128L

TLC

2020

MP176L

TLC

2021

MP

232L

2022Q3

MPSK海力士長(zhǎng)江存儲(chǔ)128L

TLC

2020Q3

MP64L

TLC176L

TLC

2021Q4

MP128L

TLC/QLC

2021

MP238L

2022~2023232L

2022~2023?

長(zhǎng)江存儲(chǔ)可實(shí)現(xiàn)232層的3D閃存開(kāi)發(fā)，然而美國(guó)制裁將影響其擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2022年12月正式發(fā)布了Xtacking

3.0技術(shù)，基于該技術(shù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，已經(jīng)應(yīng)用于致態(tài)TiPlus

7100系列SSD和?？低旵C700

2TB

SSD上，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等國(guó)外廠商上市。2022年10月，美國(guó)政府出臺(tái)出口管制新規(guī)，涉及半間距不超過(guò)18納米的DRAM存儲(chǔ)芯片、128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。這恰好卡在長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上。同年12月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)被美國(guó)納入“實(shí)體清單”，設(shè)備、材料等采購(gòu)進(jìn)一步受限。長(zhǎng)江存儲(chǔ)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距并不大，三星的NAND最高做到了236層，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)最高已做到了232層，且采用的是自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)，專利風(fēng)險(xiǎn)小。受制裁之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不僅無(wú)法擴(kuò)產(chǎn)，當(dāng)前產(chǎn)線也將受到影響。來(lái)源：企業(yè)官網(wǎng)，CFM閃存市場(chǎng)，頭豹研究院400-072-558821行業(yè)概覽

|2023/06中國(guó)：存儲(chǔ)系列兆易創(chuàng)新：中國(guó)NOR

Flash和MCU龍頭企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一家專注于3D

NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，其可實(shí)現(xiàn)232層的3D閃存開(kāi)發(fā)。2022年12月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)被美國(guó)列入“實(shí)體清單”，這將影響長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)前產(chǎn)線及擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃?

兆易創(chuàng)新是中國(guó)NOR

Flash和MCU龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司

(股票代碼603986)

是全球領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商，公司成立于2005年4月，總部設(shè)于中國(guó)北京，在中國(guó)上海、深圳、合肥、西安、成都、蘇州和香港，美國(guó)、韓國(guó)、日本、英國(guó)、德國(guó)、新加坡等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)均設(shè)有分支機(jī)構(gòu)和辦事處，營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球。公司的核心產(chǎn)品線