標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 43612-2023 碳化硅晶體材料缺陷圖譜》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為碳化硅（SiC）單晶及相關(guān)產(chǎn)品中的缺陷識別與分類提供指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于通過物理氣相傳輸法（PVT）等方法生長的碳化硅單晶材料，包括但不限于襯底、外延片等形式的產(chǎn)品。

標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)列出了多種常見于碳化硅晶體內(nèi)部或表面的缺陷類型，并給出了每種缺陷的定義、特征描述及其在顯微鏡下的典型表現(xiàn)形式。這些缺陷按照其形態(tài)學(xué)特性被分為點缺陷、線缺陷、面缺陷及體積缺陷四大類。例如，點缺陷可能指代空位、間隙原子；線缺陷通常指的是位錯；而面缺陷則可以是堆垛層錯等結(jié)構(gòu)異常現(xiàn)象；至于體積缺陷，則包含了諸如包裹體、裂紋等宏觀可見的問題。

此外，《GB/T 43612-2023》還提供了利用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)等先進(jìn)檢測手段對上述各類缺陷進(jìn)行觀察和分析的方法指南。對于每一種檢測技術(shù)，都明確了適用范圍、操作步驟以及結(jié)果判讀的標(biāo)準(zhǔn)流程，有助于提高檢測效率與準(zhǔn)確性。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-12-28 頒布
  • 2024-07-01 實施
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GB/T 43612-2023碳化硅晶體材料缺陷圖譜_第1頁
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文檔簡介

ICS29045

CCSH.80

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43612—2023

碳化硅晶體材料缺陷圖譜

Collectionofmetallographsondefectsinsiliconcarbidecrystalmaterials

2023-12-28發(fā)布2024-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T43612—2023

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

縮略語

4……………………2

碳化硅晶體材料缺陷

5……………………2

晶錠缺陷

5.1……………2

襯底缺陷

5.2……………4

外延缺陷

5.3……………8

工藝缺陷

5.4……………12

缺陷圖譜

6…………………13

晶錠缺陷圖譜

6.1………………………13

襯底缺陷圖譜

6.2………………………14

外延缺陷圖譜

6.3………………………22

工藝缺陷圖譜

6.4………………………41

參考文獻(xiàn)

……………………44

索引

…………………………45

GB/T43612—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布結(jié)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司北京第

:、、

三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司河北同光半導(dǎo)體股份有限公司

、、、

北京大學(xué)東莞光電研究院山西爍科晶體有限公司河北普興電子科技股份有限公司北京天科合達(dá)半

、、、

導(dǎo)體股份有限公司中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所湖州東尼半導(dǎo)體

、、、

科技有限公司中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所中電化合物半導(dǎo)體有限公司南京國盛電子有

、、、

限公司哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司新美光蘇州半導(dǎo)體科技有限公司江蘇

、、()、

卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司

。

本文件主要起草人丁雄杰劉薇韓景瑞賀東江李素青丁曉民張紅李煥婷張紅巖楊昆

:、、、、、、、、、、

李斌尹浩田高偉路亞娟佘宗靜王陽鈕應(yīng)喜晏陽姚康金向軍吳殿瑞李國鵬張新峰趙麗麗

、、、、、、、、、、、、、、

張勝濤夏秋良李國平

、、。

Ⅰ

GB/T43612—2023

碳化硅晶體材料缺陷圖譜

1范圍

本文件規(guī)定了導(dǎo)電型碳化硅晶體材料缺陷的形貌特征產(chǎn)生原因和缺陷圖譜

4H(4H-SiC),。

本文件適用于半導(dǎo)體行業(yè)碳化硅晶錠襯底片外延片及后續(xù)工藝的研發(fā)生產(chǎn)及檢測分析等

(、、)、

環(huán)節(jié)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

晶錠缺陷ingotdefect

晶錠在法生長過程中因籽晶自身缺陷延伸偏離化學(xué)計量比晶錠內(nèi)部應(yīng)力雜質(zhì)而

4H-SiCPVT、、、

產(chǎn)生的缺陷

。

32

.

襯底缺陷substratedefect

襯底中的結(jié)晶缺陷或結(jié)構(gòu)缺陷以及切磨拋加工后留在襯底表面上的缺陷

4H-SiC、、4H-SiC。

33

.

外延缺陷epitaxialdefect

外延層中的結(jié)晶缺陷以及外延層表面上因采用臺階流動控制外延生長方法而產(chǎn)

4H-SiC4H-SiC

生的缺陷

。

34

.

工藝缺陷processinginduceddefect

器件制造或材料改性工藝過程中引入到晶體中的深能級中心或非本征結(jié)晶缺陷

4H-SiC。

35

.

結(jié)晶缺陷

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