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1第2章集成邏輯門(mén)電路基本要求了解集成邏輯門(mén)電路的分類方法及不同類型邏輯門(mén)的特點(diǎn)。了解TTL與非門(mén)、三態(tài)門(mén)的工作原理及其應(yīng)用。熟悉TTL與非門(mén)的傳輸特性和主要技術(shù)參數(shù)。了解CMOS與非門(mén)、或非門(mén)、傳輸門(mén)等集成邏輯門(mén)的工作原理和使用規(guī)則。2第2章集成邏輯門(mén)電路---分類1、集成邏輯門(mén)電路的分類

以晶體管為開(kāi)關(guān)元件(雙極型邏輯門(mén)電路)。常見(jiàn)的有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。

以MOS管為開(kāi)關(guān)元件(單極型邏輯門(mén)電路)。常見(jiàn)的有CMOS、NMOS、PMOS等類型。其中,使用最為廣泛的是TTL電路和CMOS電路。3第2章集成邏輯門(mén)電路---分類①TTL門(mén)電路●構(gòu)成:晶體管—晶體管邏輯(Transistor-TransistorLogic),由雙極型三極管構(gòu)成?!裉攸c(diǎn):速度高(導(dǎo)電性強(qiáng))驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)(容易驅(qū)動(dòng))功耗大(易發(fā)熱)集成度低(電流型)主要應(yīng)用于中、小規(guī)模集成電路中4第2章集成邏輯門(mén)電路---分類●分類:74(商用)和54(軍用)兩大系列

74系列:

74系列:標(biāo)準(zhǔn)TTL(StandardTTL)。

74H系列:高速TTL(High-speedTTL)。

74S系列:肖特基TTL(SchottkyTTL)。

74LS系列:低功耗肖特基TTL(Low-powerSchottkyTTL)。具有最佳的綜合性能,是TTL集成電路的主流,是應(yīng)用最廣的系列。

54系列:功能編號(hào)相同的54系列芯片與74系列芯片的功能完全相同,只是電源和溫度的適應(yīng)范圍軍用系列要優(yōu)于商用系列。5第2章集成邏輯門(mén)電路---分類②CMOS門(mén)電路●構(gòu)成:互補(bǔ)型,金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(ComplementaryMetal-OxideSemiconductorFET)●特點(diǎn):集成度高功耗低制作工藝簡(jiǎn)單速度慢、抗靜電能力差主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中6第2章集成邏輯門(mén)電路---分類●分類:4000系列、74C系列和硅—氧化鋁系列等三大類

4000系列:7第2章集成邏輯門(mén)電路---分類

74C系列:

74C(5V):

74HC和74HCT:高速CMOS(High-speedCMOS),T表示與TTL直接兼容。

74AC和74ACT:先進(jìn)CMOS(AdvancedCMOS)。

74AHC和74AHCT:先進(jìn)高速CMOS(AdvancedHigh-speedCMOS)。

74C(3V):

74LVC:低壓CMOS(Low-voltageCMOS)。

74ALVC:先進(jìn)低壓CMOS(AdvancedLow-voltageCMOS)。8第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL2、TTL集成邏輯門(mén)電路①晶體二極管及其單方向?qū)щ娞匦浴裎矬w劃分成導(dǎo)體和絕緣體兩大類。●半導(dǎo)體:同時(shí)具備導(dǎo)體和絕緣體兩種特性,其特性取決于在物體兩端所施加電壓的方向。當(dāng)在一個(gè)方向上有正的電壓(例如0.7V)存在時(shí),可以允許電流流過(guò)(如上圖所示),此時(shí)該物體表現(xiàn)出導(dǎo)體的特性;而在相反的方向上施加一定大小的電壓時(shí),該物體中不會(huì)產(chǎn)生電流,表現(xiàn)出絕緣體的特性,制作出的器件被稱為二極管。

9第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL②晶體三極管和反相器電路●三極管:集電極(c)、基極(b)和發(fā)射極(e)。工作原理:

輸入高電平>0.7V,三極管飽和導(dǎo)通,使輸出電平≈

0V,飽和壓降Vces≈0.3v。輸入低電平=0V,三級(jí)管截止,使輸出電平≈

5V。這已經(jīng)構(gòu)成了反相器線路,完成邏輯取反功能。10第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL●TTL與非門(mén)(反相器電路)

TTL與非門(mén)的基本結(jié)構(gòu)cebbcebcebce都為高電平反向截止101011第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL

TTL與非門(mén)工作原理假設(shè)3V為高電平輸入,0V為低電平輸入,T1-T4,D1和D的正向?qū)妷壕鶠?.7V。

輸入全為高電平3V(Ua=Ub=3V)

?加上高電平Vcc,T1(集電極),T2和T4導(dǎo)通,

Ub1=UD1+Ube2+Ube4=0.7+0.7+0.7=2.1V<3V?T1截止(發(fā)射極),T2和T4導(dǎo)通,Uo=Uces4=0.3V

?T3和D截止,Ue2=Ube4=0.7VUc2=Ube4+Uces2=0.7+0.3=1V

輸入至少有一個(gè)低電平0V

?Ub1=0.7,T2和T4截止,Uc2≈5V,T3和D導(dǎo)通,Uo=5-0.7-0.7=3.6V12第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL③與非門(mén)電壓傳輸特13第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL④主要技術(shù)參數(shù)●輸出高電平UOHTTL與非門(mén)的一個(gè)或幾個(gè)輸入端為低電平時(shí)的輸出電平。對(duì)應(yīng)于電壓傳輸特性曲線AB段(截止區(qū))的輸出電壓。●標(biāo)準(zhǔn)高電平USH=2.4V:UOH≥USH(2.4V)。●輸出低電平UOLTTL與非門(mén)的輸入端全為高電平時(shí)的輸出電平。對(duì)應(yīng)于電壓傳輸特性曲線DE段(飽和區(qū))的輸出電壓?!駱?biāo)準(zhǔn)低電平USL=0.4V:UOL≤USL

(0.4V)。14第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL●閾值電壓UT:又稱門(mén)檻電壓。指電壓傳輸特性上轉(zhuǎn)折區(qū)中點(diǎn)C所對(duì)應(yīng)的輸入電壓,可以將UT看成是輸出低電平和輸出高電平的分界線。通常UT≈1.3V?!耖_(kāi)門(mén)電平UON

為保證輸出電平達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)低電平USL時(shí)所允許輸入高電平的最低值,即只有當(dāng)UI>UON時(shí),輸出才為低電平。通常UON=1.4V,產(chǎn)品規(guī)范值UON≤1.8V?!耜P(guān)門(mén)電平UOFF

為保證輸出電平達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)高電平USH時(shí)所允許輸入低電平的最大值,即只有當(dāng)UI≤UOFF時(shí),輸出才是高電平。通常UOFF≈1V,產(chǎn)品規(guī)范值UOFF≥0.8V。15第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL●低電平噪聲容限UNL

在保證輸出高電平的前提下,允許疊加在輸入低電平上的最大噪聲電壓(正向干擾),UNL=UOFF-UIL。●高電平噪聲容限UNH

在保證輸出低電平的前提下,允許疊加在輸入高電平上的最大噪聲電壓(負(fù)向干擾),UNH=UIH-UON。16第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL●扇入系數(shù)NI

扇入系數(shù)是指門(mén)的輸入端數(shù),一般NI≤5,最多不超過(guò)8?!裆瘸鱿禂?shù)NO

是指在保證門(mén)電路輸出正確的邏輯電平和不出現(xiàn)過(guò)功耗的前提下,一個(gè)門(mén)能驅(qū)動(dòng)同類型門(mén)的個(gè)數(shù)。輸出低電平(灌電流)時(shí)的扇出系數(shù):NOL=IOL/IIL

輸出高電平(拉電流)時(shí)的扇出系數(shù):NOH=IOH/IIH

一般情況下,NOL≠NOH

,在工程設(shè)計(jì)中應(yīng)取兩者中的較小值。17第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL●灌電流負(fù)載輸出低電平時(shí)的扇出系數(shù)NOL=IOL/IIL18第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL●拉電流負(fù)載輸出高電平時(shí)的扇出系數(shù)NOH=IOH/IIH19第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL●傳輸延遲時(shí)間由于門(mén)電路中晶體管的狀態(tài)轉(zhuǎn)換需要花費(fèi)一定的時(shí)間,門(mén)電路的輸出信號(hào)的變化通常滯后于輸入信號(hào)的變化,如圖所示。傳輸延遲時(shí)間是衡量門(mén)電路開(kāi)關(guān)速度的重要指標(biāo),它表征輸出信號(hào)滯后于輸入信號(hào)的時(shí)間。一般TTL與非門(mén)的tpd約為6—15ns。導(dǎo)通延遲時(shí)間tPHL:輸出電壓由高電平跳變?yōu)榈碗娖降膫鬏斞舆t時(shí)間。截止延遲時(shí)間tPLH:輸出電壓由低電平跳變?yōu)楦唠娖降膫鬏斞舆t時(shí)間。傳輸延遲時(shí)間tpd:

tPLH和tPHL的平均值,即:

20第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL⑤TTL集成與非門(mén)74LS0074LS2021第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL3、TTL三態(tài)門(mén)

構(gòu)成:TTL三態(tài)門(mén)(Three-StateLogic)簡(jiǎn)稱TSL門(mén),它是在普通門(mén)的基礎(chǔ)上,增加使能控制信號(hào)和控制電路構(gòu)成的。

工作原理:當(dāng)E=1時(shí),電路的輸出狀態(tài)完全取決于輸入變量A、B,實(shí)現(xiàn)與非邏輯關(guān)系,輸出高電平或低電平。當(dāng)控制端E=0時(shí),輸出端開(kāi)路,電路處于高阻狀態(tài)。22第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL應(yīng)用:實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)雙向傳輸構(gòu)成數(shù)據(jù)總線用作多路開(kāi)關(guān)23第2章集成邏輯門(mén)電路---TTL4、TTL邏輯門(mén)多余輸入端的處理問(wèn)題目的:避免干擾信號(hào)

與門(mén)和與非門(mén):將多余的輸入端固定在一高電平上,例如都接到電源的正端,如圖(b)?;蛘吲c信號(hào)輸入端并聯(lián)在一起,如圖(a)。

或門(mén)、或非門(mén):將多余的輸入端固定在一低電平上,例如都接地,如圖(c)?;蛘吲c信號(hào)輸入端并聯(lián)在一起,如圖(d)。24第2章集成邏輯門(mén)電路---CMOS5、MOS場(chǎng)效應(yīng)管回顧25第2章集成邏輯門(mén)電路---CMOS6、CMOS反相門(mén)工作原理:(假設(shè)開(kāi)啟電壓UTN和UTP為2~5V,UDD>UTN+UTP)當(dāng)Ui=0V時(shí),TN管截止,TP導(dǎo)通,UY=≈UDD,即輸出為高電平,等效電路如圖(b)所示。當(dāng)Ui=UDD時(shí),TN導(dǎo)通,TP截止。UY=≈0,即輸出為低電平,等效電路如圖(c)所示。26第2章集成邏輯門(mén)電路---CMOS7、CMOS與非門(mén)

工作原理:當(dāng)輸入A、B中有一個(gè)或全為高電平時(shí),TP1、TP2中有一個(gè)或全部截止,TN1、TN2中有一個(gè)或全部導(dǎo)通,輸出UL≈0為低電平。當(dāng)輸入A、B全為低電平時(shí),TP1和TP2均導(dǎo)通,TN1和TN2均截止,輸出UL=≈UDD為高電平。00127第2章集成邏輯門(mén)電路---CMOS8、CMOS傳輸門(mén)

工作原理:當(dāng)C=0、C=1時(shí),即C端為低電平0V、C端為高電平VDD時(shí),TN和TP截止,輸入端和輸出端之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。當(dāng)C=1、C=0時(shí),即C端為高電平VDD、C端為低電平0V時(shí),TN和TP至少有一個(gè)導(dǎo)通,輸入和輸出之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)接通,輸出UO=Ui28第2章集成邏輯門(mén)電路---CMOS9、CMOS門(mén)電路的使用規(guī)則①對(duì)電源的要求:

CMOS電路的工作電壓范圍一般在8~12V之間,通常取VDD=12V。

VDD與VSS絕對(duì)不允許接反,否則內(nèi)部電路可能因過(guò)流而損壞。②對(duì)輸入端的要求:為保護(hù)輸入級(jí)MOS管氧化層不被擊穿,一般CMOS電路輸入端都應(yīng)設(shè)二極管保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。多余輸入端不允許懸空,可以并聯(lián)使用,或根據(jù)邏輯關(guān)系的要求把多余的輸入端接地或接高電平。③對(duì)輸出端的

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