高頻電子線路(第二版)課件-第四章

第4章正弦波振蕩器

4.1反響振蕩器的原理4.2LC振蕩器4.3振蕩器的頻率穩(wěn)定度4.4LC振蕩器的設(shè)計方法4.5石英晶體振蕩器

4.6振蕩器中的幾種現(xiàn)象4.1反響振蕩器的原理一、反響振蕩器的原理分析1、反響振蕩器的組成反響振蕩器由放大器和反響網(wǎng)絡(luò)兩大局部組成。反響型振蕩器的原理框圖如圖4-1所示。由圖可見,反響型振蕩器是由放大器和反響網(wǎng)絡(luò)組成的一個閉合環(huán)路,放大器通常是以某種選頻網(wǎng)絡(luò)(如振蕩回路)作負載,是一調(diào)諧放大器,反響網(wǎng)絡(luò)一般是由無源器件組成的線性網(wǎng)絡(luò)。(4-1)(4-2)(4-3)(4-4)(4-5)(4-6)得其中T(s)稱為環(huán)路增益：2、自激振蕩的條件分析

根據(jù)圖4.1.1，閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Ku(s)：電壓反響系數(shù)為F(s)，那么開環(huán)電壓放大倍數(shù)為K(s)：由自激振蕩的條件：就是環(huán)路增益為1,即(4-7)通常又稱為振蕩器的平衡條件。由式(4-5)還可知形成增幅振蕩

形成減幅振蕩(4-8)二、平衡條件根據(jù)前面分析，振蕩器的平衡條件即為也可以表示為：(4-9a)(4-9b)式(4-9a)和(4-9b)分別稱為振幅平衡條件和相位平衡條件?，F(xiàn)以單調(diào)諧諧振放大器為例來看K(jω)與F(jω)的意義。假設(shè)由式(4-2)可得(4-10)式中,ZL為放大器的負載阻抗(4-11)Yf(jω)為晶體管的正向轉(zhuǎn)移導(dǎo)納。(4-12)現(xiàn)引入與F(jω)反號的反響系數(shù)F′(jω)(4-13)這樣,振蕩條件可寫為

(4-14)振幅平衡條件和相位平衡條件分別可寫為

(4-15a)(4-15b)值得說明的是：〔1〕平衡時電源供給的能量等于環(huán)路消耗的能量；〔2〕通常環(huán)路只在某一特定才滿足相位條件。三、起振條件為了使振蕩過程中輸出幅度不斷增加,應(yīng)使反響回來的信號比輸入到放大器的信號大,即振蕩開始時應(yīng)為增幅振蕩,因而由式(4-8)可知稱為自激振蕩的起振條件,也可寫為(4-16a)(4-16b)式(4-16a)和(4-16b)分別稱為起振的振幅條件和相位條件,其中起振的相位條件即為正反響條件。圖4-2振幅條件的圖解表示起振過程：開始增幅振蕩非線性穩(wěn)幅振蕩四、穩(wěn)定條件

1、振蕩器穩(wěn)定概念的提出：2、振蕩器的穩(wěn)定條件振蕩器的穩(wěn)定條件分為振幅穩(wěn)定條件和相位穩(wěn)定條件。

(1)振幅穩(wěn)定條件要使振幅穩(wěn)定，振蕩器在其平衡點必須具有阻止振幅變化的能力。具體來說，就是在平衡點附近，當(dāng)不穩(wěn)定因素使振幅增大時，環(huán)路增益將減小，從而使振幅減小。

振幅穩(wěn)定條件為：(4-17)由于反響網(wǎng)絡(luò)為線性網(wǎng)絡(luò),即反響系數(shù)大小F不隨輸入信號改變,故振幅穩(wěn)定條件又可寫為(4-18)(2)、相位穩(wěn)定條件我們知道，一個正弦信號的相位φ和它的頻率ω之間的關(guān)系：(4-19a)(4-19b)設(shè)振蕩器原在ω1時處于相位平衡，即有：(4-20)相位穩(wěn)定條件為：圖4-4互感耦合振蕩器

五、振蕩線路舉例——互感耦合振蕩器圖4-4是一LC振蕩器的實際電路,圖中反響網(wǎng)絡(luò)由L和L1間的互感M擔(dān)任,因而稱為互感耦合式的反響振蕩器,或稱為變壓器耦合振蕩器。分析教材圖4-4的正反響過程。4.2LC振蕩器

一、振蕩器的組成原那么1、振蕩根本電路——三端式的概念根本電路就是通常所說的三端式(又稱三點式)的振蕩器,即LC回路的三個端點與晶體管的三個電極分別連接而成的電路,如圖4-5所示。圖4-5三端式振蕩器的組成

2、三端式振蕩電路的構(gòu)成原那么根據(jù)諧振回路的性質(zhì),諧振時回路應(yīng)呈純電阻性,因而有：(4-21)因此三個電抗元件不能是同性質(zhì)元件。一般情況下,回路Q值很高,因此回路電流遠大于晶體管的基極電流?b、集電極電流?

c以及發(fā)射極電流?e,故由圖4-5有(4-22a)(4-22b)因此X1、X2應(yīng)為同性質(zhì)的電抗元件。綜上所述，從相位平衡條件判斷圖4-5電路能否振蕩的原那么為：(1)X1、X2應(yīng)為同性質(zhì)的電抗元件?！磁c晶體管發(fā)射極相連的兩個電抗元件性質(zhì)相同，要么均為感性元件，要么均為容性元件。(2)X3與X1、X2的電抗性質(zhì)相反?！磁c晶體管基極相連的兩個電抗元件性質(zhì)相反。可以簡稱為：“射同余異”或“射同基反”。三端式振蕩器有兩種根本電路,如圖4-6所示。圖4-6(a)中X1和X2為容性,X3為感性,滿足三端式振蕩器的組成原那么,反響網(wǎng)絡(luò)是由電容元件完成的,稱為電容反響振蕩器,也稱為考必茲(Colpitts)振蕩器。圖4-6兩種根本的三端式振蕩器(a)電容反響振蕩器;(b)電感反響振蕩器圖4-6(b)中X1和X2為感性,X3為容性,滿足三端式振蕩器的組成原那么,反響網(wǎng)絡(luò)是由電感元件完成的,稱為電感反響振蕩器,也稱為哈特萊(Hartley)振蕩器。圖4-6兩種根本的三端式振蕩器(a)電容反響振蕩器;(b)電感反響振蕩器例4-1：〔見教材〕解：詳細分析、講解圖4-7是一些常見振蕩器的高頻電路,讀者不妨自行判斷它們是由哪種根本線路演變而來的。圖4-8幾種常見振蕩器的高頻電路二、電容反響振蕩器圖4-8(a)是一電容反響振蕩器的實際電路,圖(b)是其交流等效電路。1、元器件作用分析圖4-9電容反響振蕩器電路(a)實際電路;(b)交流等效電路;(c)高頻等效電路2、電路的振蕩頻率及起振條件

電路的高頻小信號等效電路如圖4-9(c)所示。其中做了如下簡化：A、忽略了晶體管內(nèi)部反響的影響，即Yre=0B、忽略了晶體管的輸入輸出電容的影響C、忽略了晶體管集電極電流對輸入信號的的相移，將Yfe用跨導(dǎo)gm表示。〔1〕振蕩頻率由4-9?可得：聯(lián)立求解I的表達式，令其虛部為零可得振蕩頻率：(4-23)(4-24)其中：C為回路的總電容〔2〕起振條件由圖4-8(c)可知,當(dāng)不考慮gie的影響時,反響系數(shù)F(jω)的大小為(4-25)(4-26)

將gie折算到放大器輸出端,有(4-27)因此,放大器總的負載電導(dǎo)gL為那么由振蕩器的振幅起振條件YfRLF′>1,可以得到(4-28)(4-29)故有起振條件為：通常起振時通常環(huán)路增益取3～5三、電感反響振蕩器圖4-9是一電感反響振蕩器的實際電路和交流等效電路。1、振蕩頻率圖4-10電感反響振蕩器電路(a)實際電路;(b)交流等效電路;(c)高頻等效電路同電容反響振蕩器的分析一樣,振蕩器的振蕩頻率可以用回路的諧振頻率近似表示,即式中的L為回路的總電感,由圖4-9有(4-30)(4-31)實際上，由相位平衡條件分析,振蕩器的振蕩頻率表達式為(4-32)2、起振條件工程上在計算反響系數(shù)時不考慮gie的影響,反響系數(shù)的大小為(4-33)由起振條件分析,同樣可得起振時的gm應(yīng)滿足(4-34)3、電容反響式振蕩器與電感反響式振蕩器特點比較讀教材P125四、兩種改進型電容反響振蕩器前面分析了電容反響振蕩器和電感反響振蕩器的原理和特點：對于電容反響振蕩器：輸出波形較好、輸出頻率較高，但振蕩頻率調(diào)節(jié)不方便；對于電感反響振蕩器：振蕩頻率調(diào)節(jié)比較方便，但輸出波形較差、輸出頻率不能太高。無論是電容反響振蕩器還是電感反響振蕩器，晶體管的極間電容均會對振蕩頻率有影響，而極間電容受環(huán)境溫度、電源電壓等因素的影響較大，故他們的頻率穩(wěn)定度不高，需要對其進行改進，因此得到兩種改進型電容反響振蕩器——克拉潑振蕩器和西勒振蕩器。1.克拉潑振蕩器圖4-10是克拉潑振蕩器的實際電路和交流等效電路。它是用電感L和可變電容C3〔C3<<C1、C2〕的串聯(lián)電路代替原來電感。圖4-11克拉潑振蕩器電路(a)實際電路;(b)交流等效電路

由圖4-10可知,回路的總電容為：(4-35)(4-36)(4-37)晶體管以局部接入的形式接入回路，減少了晶體管與回路間的耦合，其接入系數(shù)為：設(shè)并聯(lián)諧振回路(電感兩端〕的諧振阻抗為R0,那么等效到晶體管ce兩端的負載電阻為：因此，C1過大，負載電阻RL將很小，放大器的增益就低，環(huán)路增益就小，可能導(dǎo)致振蕩器停振。振蕩器的振蕩頻率和反響系數(shù)分別為：(4-38)(4-39)由上面分析可得：〔1〕由于電容C3遠小于電容C1、C2，所以電容C1、C2對振蕩器的振蕩頻率影響不大，因此可以通過調(diào)節(jié)C3調(diào)節(jié)振蕩頻率；〔2〕由于反響回路的反響系數(shù)僅由C1與C2的比值決定，所以調(diào)節(jié)振蕩頻率不會影響反響系數(shù)；〔3〕由于晶體管的極間電容與C1、C2并聯(lián)，因此極間電容的變化對振蕩頻率的影響很小；〔4〕由(4-37)可知，當(dāng)通過調(diào)節(jié)C3調(diào)節(jié)振蕩頻率時，負載電阻RL將隨之改變，導(dǎo)致放大器的增益變化，因此調(diào)節(jié)頻率時有可能因環(huán)路增益缺乏而停振，故主要用于固定頻率或窄帶的場合。2.西勒振蕩器

圖4-11是西勒振蕩器的實際電路和交流等效電路。它的主要特點,就是與電感L并聯(lián)一可變電容C4，同樣有C3<<C1、C2。圖4-12西勒振蕩器電路(a)實際電路;(b)交流等效電路

由圖4-11可知,回路的總電容為(4-40)(4-41)振蕩器的振蕩頻率為特點：(1)通過調(diào)節(jié)C4實現(xiàn)振蕩頻率的調(diào)節(jié)；(2)C4的改變不會影響接入系數(shù)和反響系數(shù)；(3)適合于振蕩頻率需要在較寬范圍內(nèi)可調(diào)的場合〔最高振蕩頻率/最低振蕩頻率可達1.6~1.8)。(4)其他同克拉潑電路。五、場效應(yīng)管振蕩器原那么上說，各種晶體管振蕩線路，都可以用場效應(yīng)管構(gòu)成，可以根據(jù)振蕩原理導(dǎo)出用場效應(yīng)管參數(shù)表示的振蕩條件。圖4-13由場效應(yīng)管構(gòu)成的振蕩器電路互感耦合場效應(yīng)管振蕩器;(b)電感反響場效應(yīng)管振蕩器;(c)電容反響場效應(yīng)管振蕩器六、壓控振蕩器1、壓控振蕩器的根本原理：通過改變控制電壓改變變?nèi)荻O管的電容，從而改變振蕩頻率。2、壓控振蕩器的主要性能指標(biāo)：壓控靈敏度和線性度。壓控靈敏度定義為單位控制電壓引起的振蕩頻率的變化量,用S表示,即(4-42)圖4-14示出了一壓控振蕩器的頻率-控制電壓特性,一般情況下,這一特性是非線性的。壓控特性的非線性程度：與變?nèi)莨茏內(nèi)葜笖?shù)及電路形式有關(guān)。圖4-14壓控振蕩器線路

圖4-15壓控振蕩器的頻率與控制電壓關(guān)系

3、集成壓控振蕩器——POS-1060簡介其特點、封裝和參數(shù)見教材P129-130七、E1648單片集成振蕩器舉例

1、E1648

圖4-17E1648內(nèi)部原理圖及構(gòu)成的振蕩器

E1648單片集成振蕩器的振蕩頻率是由10腳和12腳之間的外接振蕩電路的L、C值決定,并與兩腳之間的輸入電容Ci有關(guān),其表達式為

2、M101

M101是美國生產(chǎn)的一種用于晶體振蕩器的IC芯片。4.3振蕩器的頻率穩(wěn)定度

一、頻率穩(wěn)定度的意義和表征

1、頻率穩(wěn)定度的概念：振蕩器的頻率穩(wěn)定度是指由于外界條件的變化,引起振蕩器的實際工作頻率偏離標(biāo)稱頻率的程度,它是振蕩器的一個很重要的指標(biāo)。

2、頻率穩(wěn)定度的描述：(4-44)(4-43)絕對頻率偏差：相對頻率偏差：3、頻率穩(wěn)定度的分類

長期頻率穩(wěn)定度：一般是指一天以上甚至幾個月的時間間隔內(nèi)頻率的相對變化。

短期頻率穩(wěn)定度：一般是指一天以內(nèi)，以小時、分鐘或秒記的時間間隔內(nèi)頻率的相對變化。

瞬時頻率穩(wěn)定度：一般是指秒或毫秒的時間間隔內(nèi)頻率的相對變化。

一般所說的頻率穩(wěn)定度是指短期穩(wěn)定度。一般短波、超短波發(fā)射機的的頻率穩(wěn)定度為10-4～10-5,電視發(fā)射臺的頻率穩(wěn)定度為5*10-7左右。二、振蕩器的穩(wěn)頻原理由相位平衡條件：式(4-9b)有設(shè)回路Q值較高,根據(jù)第2章并聯(lián)諧振回路的討論(2-12)式可知,振蕩回路在ω0附近的幅角φL可以近似表示為：因此相位平衡條件可以表示為：(4-45)(4-46)即：(4-47)對式(4-46)兩端對

0求偏導(dǎo)數(shù)，考慮到QL值較高,可得：(4-48)由上式可得，振蕩頻率是

0、QL和f+F’的函數(shù)，即它們的變化將導(dǎo)致振蕩頻率的變化。因而有：由式(4-46)和(4-47),有上式反映了振蕩器頻率的不穩(wěn)定因素，如圖4-20所示。圖4-20從相位平衡條件看振蕩頻率的變化(a)相位平衡條件;(b)ω0的變化;(c)1.回路諧振頻率ω0的影響ω0由構(gòu)成回路的電感L和電容C決定,它不但要考慮回路的線圈電感、調(diào)諧電容和反響電路元件外,還應(yīng)考慮并在回路上的其它電抗,如晶體管的極間電容,后級負載電容(或電感)等。設(shè)回路電感和電容的總變化量分別為ΔL、ΔC。那么由(4-49)而因而有：由此可見：回路元件L、C的穩(wěn)定度將影響振蕩器的頻率穩(wěn)定度。可得：

2.、QL對振蕩頻率的影響由式(4-48)的第二、第三項可以看出：P135三、提高頻率穩(wěn)定度的措施1.提高振蕩回路的標(biāo)準(zhǔn)性

振蕩回路的標(biāo)準(zhǔn)性：是指回路元件和電容的標(biāo)準(zhǔn)性。溫度是影響的主要因素:溫度的改變,導(dǎo)致電感線圈和電容器極板的幾何尺寸將發(fā)生變化,而且電容器介質(zhì)材料的介電系數(shù)及磁性材料的導(dǎo)磁率也將變化,從而使電感、電容值改變。2.減少晶體管的影響在上節(jié)分析反響型振蕩器原理時已提到,極間電容將影響頻率穩(wěn)定度,在設(shè)計電路時應(yīng)盡可能減少晶體管和回路之間的耦合。另外,應(yīng)選擇fT較高的晶體管,fT越高,高頻性能越好,可以保證在工作頻率范圍內(nèi)均有較高的跨導(dǎo),電路易于起振;而且fT越高,晶體管內(nèi)部相移越小。3.提高回路的品質(zhì)因數(shù)我們先回憶一下相位穩(wěn)定條件,要使相位穩(wěn)定,回路的相頻特性應(yīng)具有負的斜率,斜率越大,相位越穩(wěn)定。根據(jù)LC回路的特性,回路的Q值越大,回路的相頻特性斜率就越大,即回路的Q值越大,相位越穩(wěn)定。從相位與頻率的關(guān)系可得,此時的頻率也越穩(wěn)定。4.減少電源、負載等的影響

電源電壓的波動,會使晶體管的工作點、電流發(fā)生變化,從而改變晶體管的參數(shù),降低頻率穩(wěn)定度。為了減小其影響,振蕩器電源應(yīng)采取必要的穩(wěn)壓措施。負載電阻并聯(lián)在回路的兩端,這會降低回路的品質(zhì)因數(shù),從而使振蕩器的頻率穩(wěn)定度下降。4.4LC振蕩器的設(shè)計方法概述：由振蕩器的原理可以看出，振蕩器實際為一個具有反響的非線性系統(tǒng)，要精確計算是很困難的，而且也不必要。因此，振蕩器的設(shè)計通常是進行一系列設(shè)計考慮和近似估算，選擇合理的線路和工作點，確定元件的數(shù)值，而工作狀態(tài)和元件的準(zhǔn)確數(shù)字需要在調(diào)整、調(diào)試綜最后確定。一、振蕩器電路選擇LC振蕩器一般工作在幾百千赫茲至幾百兆赫茲范圍。振蕩器線路主要根據(jù)工作的頻率范圍及波段寬度來選擇。在短波范圍：電感反響振蕩器、電容反響振蕩器都可以采用。假設(shè)要求輸出頻率調(diào)節(jié)范圍較寬：選擇電感反響振蕩器；假設(shè)要求頻率較高：常采用克拉潑、西勒電路。在中、短波收音機中,為簡化電路常用變壓器反響振蕩器做本地振蕩器。二、晶體管選擇從穩(wěn)頻的角度出發(fā),應(yīng)選擇fT較高的晶體管,這樣晶體管內(nèi)部相移較小。通常選擇fT>(3～10)f1max。同時希望電流放大系數(shù)β大些,這既容易振蕩,也便于減小晶體管和回路之間的耦合。三、直流饋電線路的選擇為保證振蕩器起振的振幅條件,起始工作點應(yīng)設(shè)置在線性放大區(qū);從穩(wěn)頻出發(fā),穩(wěn)定狀態(tài)應(yīng)在截止區(qū),而不應(yīng)在飽和區(qū)〔因為飽和區(qū)的輸出阻抗較小〕,否那么回路的有載品質(zhì)因數(shù)QL將降低。所以,通常應(yīng)將晶體管的靜態(tài)偏置點設(shè)置在小電流區(qū),電路應(yīng)采用自偏壓。四、振蕩回路元件選擇從穩(wěn)頻出發(fā),振蕩回路中電容C應(yīng)盡可能大,但C過大,不利于波段工作;電感L也應(yīng)盡可能大,但L大后,體積大,分布電容大,L過小,回路的品質(zhì)因數(shù)過小,因此應(yīng)合理地選擇回路的C、L。在短波范圍,C一般取幾十至幾百皮法,L一般取0.1至幾十微亨。五、反響回路元件選擇由前述可知,為了保證振蕩器有一定的穩(wěn)定振幅以及容易起振,在靜態(tài)工作點通常應(yīng)選擇：(4-51)當(dāng)靜態(tài)工作點確定后,Yf的值就一定,對于小功率晶體管可以近似為：(4-51)反響系數(shù)的大小應(yīng)在以下范圍選擇4.5石英晶體振蕩器

一、石英晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度石英晶體振蕩器之所以能獲得很高的頻率穩(wěn)定度,由第2章可知,是由于石英晶體諧振器與一般的諧振回路相比具有優(yōu)良的特性,具體表現(xiàn)為:(1)石英晶體諧振器具有很高的標(biāo)準(zhǔn)性。(2)石英晶體諧振器與有源器件的接入系數(shù)p很小,一般為10-3~10-4。(3)石英晶體諧振器具有非常高的Q值。二、晶體振蕩器電路晶體振蕩器的電路類型很多,但根據(jù)晶體在電路中的作用,可以將晶體振蕩器歸為兩大類:并聯(lián)型晶體振蕩器和串聯(lián)型晶體振蕩器。1．并聯(lián)型晶體振蕩器〔1〕皮爾斯電路——電容反響式并聯(lián)晶體振蕩器圖4-17示出了一種典型的晶體振蕩器電路,當(dāng)振蕩器的振蕩頻率在晶體的串聯(lián)諧振頻率和并聯(lián)諧振頻率之間時晶體呈感性,該電路滿足三端式振蕩器的組成原那么,而且該電路與電容反響的振蕩器對應(yīng),通常稱為皮爾斯(Pierce)振蕩器。圖4-21皮爾斯振蕩器(電容反響式)A、振蕩頻率皮爾斯振蕩器的工作頻率應(yīng)由C1、C2、C3及晶體構(gòu)成的回路決定,即由晶體電抗Xe與外部電容相等的條件決定,設(shè)外部電容為CL,那么(4-52)(4-53)由圖有(4-55)(4-54)實際上，CL與晶體的靜電容C0并聯(lián)，引入接入系數(shù)p’：所以有圖4-22并聯(lián)型晶體振蕩器穩(wěn)頻原理B、反響系數(shù)反響系數(shù)F的大小為由于晶體的品質(zhì)因數(shù)Qq很高,故其并聯(lián)諧振電阻Ro也很高,雖然接入系數(shù)p較小,但等效到晶體管CE兩端的阻抗RL仍較高,所以放大器的增益較高,電路很容易滿足振幅起振條件。圖4-23為一實際的并聯(lián)晶體振蕩電路。(4-56)圖4-23并聯(lián)型晶體振蕩器的實用線路(C1、C2與石英晶體構(gòu)成諧振〕圖4-24密勒振蕩器〔電感反響式〕〔2〕彌勒電路——電感反響式并聯(lián)晶體振蕩器圖4-25泛音晶體皮爾斯振蕩器圖4-26場效應(yīng)管晶體并聯(lián)型振蕩器線路2．串聯(lián)型晶體振蕩器在串聯(lián)型晶體振蕩器中,晶體接在振蕩器要求低阻抗的兩點之間,通常接在反響電路中。圖4-23示出了一串聯(lián)型晶體振蕩器的實際線路和等效電路。圖4-27一種串聯(lián)型晶體振蕩器(a)實際線路;(b)等效電路3．使用本卷須知使用石英晶體諧振器時應(yīng)注意以下幾點:(1)石英晶體諧振器的標(biāo)稱頻率都是在出廠前,在石英晶體諧振器上并接一定負載電容條件下測定的,實際使用時也必須外加負載電容,并經(jīng)微調(diào)后才能獲得標(biāo)稱頻率。(2)石英晶體諧振器的鼓勵電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。(3)在并聯(lián)型晶體振蕩器中,石英晶體起等效電感的作用,假設(shè)作為容抗,那么在石英晶片失效時,石英諧振器的支架電容還存在,線路仍可能滿足振蕩條件而振蕩,石英晶體諧振器失去了穩(wěn)頻作用。(4)晶體振蕩器中一塊晶體只能穩(wěn)定一個頻率,當(dāng)要求在波段中得到可選擇的許多頻率時,就要采取別的電路措施,如頻率合成器,它是用一塊晶體得到許多穩(wěn)定頻率,頻率合成器的有關(guān)內(nèi)容將在第8章介紹。三、高穩(wěn)定晶體振蕩器

影響晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度的因素仍然是溫度、電源電壓和負載變化,其中最主要的還是溫度的影響。圖4-28AT切片的頻率溫度特性圖4-25是一種恒溫晶體振蕩器的組成框圖。它由兩大局部組成:晶體振蕩器和恒溫控制電路。圖4-29恒溫晶體振蕩器的組成圖4-30溫度補償晶振的原理線路4.6振蕩器中的幾種現(xiàn)象一、間歇振蕩1、產(chǎn)生原因LC振蕩器在建立振蕩的過程中,有兩個互有聯(lián)系的暫態(tài)過程：一個是回路上高頻振蕩的建立過程；另一個是偏壓的建立過程?；芈酚袃δ茏饔?要建立穩(wěn)定的振蕩器需要有一定的時間?；芈返腝值越低，K0F值越大，振蕩建立越快；由于回路偏壓的穩(wěn)幅作用，因此上述過程受偏壓變化的影響，當(dāng)這兩個暫態(tài)過程能協(xié)調(diào)一致時，高頻振蕩和偏壓就能一致趨于穩(wěn)定，從而得到穩(wěn)定振蕩。當(dāng)高頻振蕩建立較快，而偏壓電路由于時間常數(shù)過大而變化過慢時，就會產(chǎn)生間歇振蕩。〔讀教材P144〕圖4-31間歇振蕩時Ub與Eb的波形2、防止產(chǎn)生間歇振蕩的措施(1)起振時K0F不能太大。(2)適中選擇Cb、Ce，使它們的值適當(dāng)小一