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第一章一、選取題1.用來進行晶體構(gòu)造分析X射線學(xué)分支是(
)A.X射線透射學(xué);B.X射線衍射學(xué);C.X射線光譜學(xué);D.其他2.M層電子回遷到K層后,多余能量放出特性X射線稱()Kα;B.Kβ;C.Kγ;D.Lα。3.當(dāng)X射線發(fā)生裝置是Cu靶,濾波片應(yīng)選()Cu;B.Fe;C.Ni;D.Mo。4.當(dāng)電子把所有能量所有轉(zhuǎn)換為X射線時,該X射線波長稱()A.短波限λ0;B.激發(fā)限λk;C.吸取限;D.特性X射線5.當(dāng)X射線將某物質(zhì)原子K層電子打出去后,L層電子回遷K層,多余能量將另一種L層電子打出核外,這整個過程將產(chǎn)生()(多選題)A光電子;B.二次熒光;C.俄歇電子;D.(A+C)二、正誤題1.隨X射線管電壓升高,λ0和λk所有隨之減小。()2.激發(fā)限和吸取限是一回事,只是從不同樣角度看問題。()3.經(jīng)濾波后X射線是相對的單色光。()4.產(chǎn)生特性X射線前提是原子內(nèi)層電子被打出核外,原子處在激發(fā)狀態(tài)。()5.選取濾波片只要根據(jù)吸取曲線選取材料,而不需要考慮厚度。()三、填空題1.當(dāng)X射線管電壓超過臨界電壓就可以產(chǎn)生X射線和X射線。2.X射線和物質(zhì)互相作用可以產(chǎn)生、、、、、、、。3.通過厚度為H物質(zhì)后,X射線強度為。4.X射線本質(zhì)既是也是,具有性。5.短波長X射線稱,常用于;長波長X射線稱,常用于。第二章選取題1.有一倒易矢量為,和它相應(yīng)正空間晶面是()。A.(210);B.(220);C.(221);D.(110);。2.有一體心立方晶體晶格常數(shù)是0.286nm,用鐵靶Kα(λKα=0.194nm)照射該晶體能產(chǎn)生()衍射線。A.三條;B.四條;C.五條;D.六條。3.一束X射線照射到晶體上能否產(chǎn)生衍射取決于()。A.與否滿足布拉格條件;B.與否衍射強度I≠0;C.A+B;D.晶體形狀。4.面心立方晶體(111)晶面族多重性因素是()。A.4;B.8;C.6;D.12。正誤題1.倒易矢量能唯一地代表相應(yīng)正空間晶面。()2.X射線衍射和光反射同樣,只要滿足入射角等于反射角就行。()3.干涉晶面和實際晶面區(qū)別在于:干涉晶面是虛擬,指數(shù)間存在公約數(shù)n。()4.布拉格方程只包括X射線衍射方向,不能反映衍射強度。()5.構(gòu)造因子F和形狀因子G所有是晶體構(gòu)造對衍射強度影響因素。()填空題倒易矢量方向是相應(yīng)正空間晶面;倒易矢量長度等于相應(yīng)。只要倒易陣點落在厄瓦爾德球面上,就表達該滿足條件,能產(chǎn)生。影響衍射強度因素除構(gòu)造因素、晶體形狀外尚有,,,??紤]所有因素后衍射強度公式為,對于粉末多晶相對強度為。構(gòu)造振幅用表達,構(gòu)造因素用表達,構(gòu)造因素=0時沒有衍射咱們稱或。對于有序固溶體,原本消光地方會浮現(xiàn)。名詞解釋倒易點陣——系統(tǒng)消光——衍射矢量——形狀因子——相對強度——第三章選取題1.最常用X射線衍射辦法是()。A.勞厄法;B.粉末多法;C.周轉(zhuǎn)晶體法;D.德拜法。2.德拜法中有助于提高測量精度底片安裝辦法是()。A.正裝法;B.反裝法;C.偏裝法;D.A+B。3.德拜法中對試樣規(guī)定除了無應(yīng)力外,粉末粒度應(yīng)為()。A.<325目;B.>250目;C.在250-325目之間;D.任意大小。4.測角儀中,探測器轉(zhuǎn)速和試樣轉(zhuǎn)速關(guān)系是()。A.保持同步1﹕1;B.2﹕1;C.1﹕2;D.1﹕0。5.衍射儀法中試樣形狀是()。A.絲狀粉末多晶;B.塊狀粉末多晶;C.塊狀單晶;D.任意形狀。正誤題1.大直徑德拜相機可以提高衍射線接受辨別率,縮短暴光時間。()2.在衍射儀法中,衍射幾何包括二個圓。一種是測角儀圓,另一種是輻射源、探測器和試樣三者還必須在同一聚焦圓。()3.選取小接受光欄狹縫寬度,可以提高接受辨別率,但會減少接受強度。()4.德拜法比衍射儀法測量衍射強度更對的。()5.衍射儀法和德拜法同樣,對試樣粉末規(guī)定是粒度均勻、大小適中,沒有應(yīng)力。()填空題在粉末多晶衍射照相法中包括、和。德拜相機有兩種,直徑分別是和Φmm。測量θ角時,底片上每毫米相應(yīng)o和o。衍射儀核心是測角儀圓,它由、和共同構(gòu)成??梢杂米鱔射線探測器有、和等。影響衍射儀實驗成果參數(shù)有、和等。第四章選取題1.測定鋼中奧氏體含量,若采用定量X射線物相分析,常用辦法是()。A.外標(biāo)法;B.內(nèi)標(biāo)法;C.直接比較法;D.K值法。2.X射線物相定性分析時,若已知材料物相可以查()進行核對。A.Hanawalt索引;B.Fenk索引;C.Davey索引;D.A或B。3.德拜法中對的測定點陣常數(shù)其系統(tǒng)誤差來源于()。A.相機尺寸誤差;B.底片伸縮;C.試樣偏心;D.A+B+C。4.材料內(nèi)應(yīng)力分為三類,X射線衍射辦法可以測定()。A.第一類應(yīng)力(宏觀應(yīng)力);B.第二類應(yīng)力(微觀應(yīng)力);C.第三類應(yīng)力;D.A+B+C。5.Sin2Ψ測量應(yīng)力,普通取Ψ為()進行測量。A.擬定Ψ角;B.0-45o之間任意四點;C.0o、45o兩點;D.0o、15o、30o、45o四點。正誤題1.要對的測量點陣常數(shù)。必須一方面盡量減少系統(tǒng)誤差,另一方面選高角度θ角,最后還要用直線外推法或柯亨法進行數(shù)據(jù)解決。()2.X射線衍射之因此可以進行物相定性分析,是由于沒有兩種物相衍射花樣是完全相似。()3.理論上X射線物相定性分析可以告訴咱們被測材料中有哪些物相,而定量分析可以告訴咱們這些物相含量有多少。()4.只要材料中有應(yīng)力就可以用X射線來檢測。()5.衍射儀和應(yīng)力儀是相似,構(gòu)造上沒有區(qū)別。()填空題在Δθ一定狀況下,θ→o,Δsinθ→;因此對的測定點陣常數(shù)應(yīng)選取θ。X射線物相分析包括和,而更常用更廣泛。第一類應(yīng)力導(dǎo)致X射線衍射線;第二類應(yīng)力導(dǎo)致衍射線;第三類應(yīng)力導(dǎo)致衍射線。X射線測定應(yīng)力常用儀器有和,常用辦法有和。X射線物相定量分析辦法有、、等。第五章選取題1.若H-800電鏡最高辨別率是0.5nm,那么這臺電鏡有效放大倍數(shù)是()。A.1000;B.10000;C.40000;D.600000。2.可以消除像差是()。A.球差;B.像散;C.色差;D.A+B。3.可以提高TEM襯度光欄是()。A.第二聚光鏡光欄;B.物鏡光欄;C.選區(qū)光欄;D.其他光欄。4.電子衍射成像時是將()。A.中間鏡物平面和和物鏡背焦面重疊;B.中間鏡物平面和和物鏡像平面重疊;C.關(guān)閉中間鏡;D.關(guān)閉物鏡。5.選區(qū)光欄在TEM鏡筒中位置是()。A.物鏡物平面;B.物鏡像平面C.物鏡背焦面;D.物鏡前焦面。正誤題1.TEM辨別率既受衍射效應(yīng)影響,也受透鏡像差影響。()2.孔徑半角α是影響辨別率核心因素,TEM中α角越小越好。()3.有效放大倍數(shù)和儀器可以達到放大倍數(shù)不同樣,前者取決于儀器辨別率和人眼辨別率,后者僅僅是儀器制造水平。()4.TEM中核心是電磁透鏡,由于電磁透鏡不存在凹透鏡,因此不能象光學(xué)顯微鏡那樣通過凹凸鏡組合設(shè)計來減小或消除像差,故TEM中像差所有是不可消除。()5.TEM景深和焦長隨辨別率Δr0數(shù)值減小而減?。浑S孔徑半角α減小而增長;隨放大倍數(shù)提高而減小。()填空題TEM中透鏡有兩種,分別是和。TEM中三個可動光欄分別是在,在,在。TEM成像系統(tǒng)由、和構(gòu)成。TEM核心構(gòu)成某些是、和觀;輔助某些由、和構(gòu)成。電磁透鏡像差包括、和。名詞解釋景深和焦長——點辨別和晶格辨別率——消像散器——選區(qū)衍射——第六章選取題1.單晶體電子衍射花樣是()。A.規(guī)則平行四邊形斑點;B.同心圓環(huán);C.暈環(huán);D.不規(guī)則斑點。2.薄片狀晶體倒易點形狀是()。A.尺寸很小倒易點;B.尺寸很大球;C.有一定長度倒易桿;D.倒易圓盤。3.當(dāng)偏離矢量S<0時,倒易點是在厄瓦爾德球()。A.球面外;B.球面上;C.球面內(nèi);D.B+C。4.能協(xié)助消除180o不唯一性復(fù)雜衍射花樣是()。A.高階勞厄斑;B.超構(gòu)造斑點;C.二次衍射斑;D.孿晶斑點。5.菊池線可以協(xié)助()。A.預(yù)計樣品厚度;B.擬定180o不唯一性;C.鑒別有序固溶體;D.對的測定晶體取向。6.如果單晶體衍射花樣是正六邊形,那么晶體構(gòu)造是()。A.六方構(gòu)造;B.立方構(gòu)造;C.四方構(gòu)造;D.A或B。鑒定題1.多晶衍射環(huán)和粉末德拜衍射花樣同樣,隨著環(huán)直徑增大,衍射晶面指數(shù)也由低到高。()2.單晶衍射花樣中所有斑點同屬于一種晶帶。()3.由于孿晶是同樣晶體沿孿晶面兩則對稱分布,因此孿晶衍射花樣也是衍射斑點沿兩則對稱分布。()4.偏離矢量S=0時,衍射斑點最亮。這是由于S=0時是對的滿足布拉格方程,因此衍射強度最大。()5.對于未知晶體構(gòu)造,僅憑一張衍射花樣是不能擬定其晶體構(gòu)造。還要從不同樣位向拍攝多幅衍射花樣,并根據(jù)材料成分、加工歷史等或結(jié)合其他辦法綜合鑒定晶體構(gòu)造。()6.電子衍射和X射線衍射同樣必須嚴格符合布拉格方程。()填空題電子衍射和X射線衍射不同樣之處在于不同樣、不同樣,和不同樣。電子衍射產(chǎn)生復(fù)雜衍射花樣是、、、和。偏離矢量S最大值相應(yīng)倒易桿長度,它反映是θ角布拉格方程限度。單晶體衍射花樣標(biāo)定中最核心一步是。二次衍射可以使密排六方、金剛石構(gòu)造花樣中在產(chǎn)生衍射花樣,但體心立方和面心立方構(gòu)造花樣中。名詞解釋偏離矢量S180o不唯一性菊池線高階勞厄斑第七章選取題1.將某一衍射斑點移到熒光屏中心并用物鏡光欄套住該衍射斑點成像,這是()。A.明場像;B.暗場像;C.中心暗場像;D.弱束暗場像。2.當(dāng)t=5s/2時,衍射強度為()。A.Ig=0;B.Ig<0;C.Ig>0;D.Ig=Imax。3.已知一位錯線在選取操作反射g1=(110)和g2=(111)時,位錯不可見,那么它布氏矢量是()。A.b=(0-10);B.b=(1-10);C.b=(0-11);D.b=(010)。4.當(dāng)?shù)诙嗔W雍突w呈共格關(guān)系時,此時成像襯度是()。A.質(zhì)厚襯度;B.衍襯襯度;C.應(yīng)變場襯度;D.相位襯度。5.當(dāng)?shù)诙嗔W雍突w呈共格關(guān)系時,此時所看到粒子大小()。A.不大于真實粒子大小;B.是應(yīng)變場大?。籆.和真實粒子同樣大??;D.遠遠不不大于真實粒子。鑒定題1.實際電鏡樣品厚度很小時,能近似滿足衍襯運動學(xué)理論條件,這時運動學(xué)理論能較好地解釋襯度像。()2.厚樣品中存在消光距離ξg,薄樣品中則不存在消光距離ξg。()3.明場像是質(zhì)厚襯度,暗場像是衍襯襯度。()4.晶體中只要有缺陷,用透射電鏡就可以觀測到這個缺陷。()5.等厚消光條紋和等傾消光條紋普通是形貌觀測中干擾,應(yīng)當(dāng)通過更加好制樣來避免它們浮現(xiàn)。()填空題運動學(xué)理論兩個基本假設(shè)是和。對于抱負晶體,當(dāng)或持續(xù)變化時襯度像中會浮現(xiàn)或。對于缺陷晶體,缺陷襯度是由缺陷引起導(dǎo)致衍射波振幅增長了一種,但是若=2π整數(shù)倍時,缺陷也不產(chǎn)生襯度。普通狀況下,孿晶和層錯襯度像所有是平行,但孿晶平行線,而層錯平行線是。實際位錯線在位錯線像,其寬度也大大不大于位錯線像寬度,這是由于位錯線像寬度是寬度。名詞解釋中心暗場像等厚消光條紋和等傾消光條紋不可見性判據(jù)應(yīng)變場襯度第八章選取題1.僅僅反映固體樣品表面形貌信息物理信號是()。A.背散射電子;B.二次電子;C.吸取電子;D.透射電子。2.在掃描電子顯微鏡中,下列二次電子像襯度最亮區(qū)域是()。A.和電子束垂直表面;B.和電子束成30o表面;C.和電子束成45o表面;D.和電子束成60o表面。3.可以探測表面1nm層厚樣品成分信息物理信號是()。A.背散射電子;B.吸取電子;C.特性X射線;D.俄歇電子。4.掃描電子顯微鏡配備成分分析附件中最常用儀器是()。A.波譜儀;B.能譜儀;C.俄歇電子譜儀;D.特性電子能量損失譜。5.波譜儀和能譜儀相比,能譜儀最大長處是()。A.迅速高效;B.精度高;C.沒有機械傳動部件;D.價格便宜。鑒定題1.掃描電子顯微鏡中物鏡和透射電子顯微鏡物鏡同樣。()2.掃描電子顯微鏡辨別率核心取決于物理信號而不是衍射效應(yīng)和球差。()3.掃描電子顯微鏡襯度和透射電鏡同樣取決于質(zhì)厚襯度和衍射襯度。()4.掃描電子顯微鏡具有大景深,因此它可以用來進行斷口形貌分析觀測。()5.波譜儀是逐個接受元素特性波長進行成分分析;能譜儀是同步接受所有元素特性X射線進行成分分析。()填空題電子束和固體樣品互相作用可以產(chǎn)生、、、、、等物理信號。掃描電子顯微鏡放大倍數(shù)是掃描寬度和掃描寬度比值。在襯度像上顆粒、凸起棱角是襯度,而裂紋、凹坑則是襯度。辨別率最高物理信號是為nm,辨別率最低物理信號是為nm以上。電
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