車規(guī)級電源管理芯片

ICS31.200

CCSL55

CASME

中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會團體標準

T/CASMEXXXX—2023

車規(guī)級電源管理芯片

Vehicleregulationlevelpowermanagementchip

（征求意見稿）

2023-XX-XX發(fā)布2023-XX-XX實施

中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會??發(fā)布

T/CASMEXXXX—2023

車規(guī)級電源管理芯片

1范圍

本文件規(guī)定了車規(guī)級電源管理芯片的基本要求、技術(shù)要求、芯片測試、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運

輸及貯存等內(nèi)容。

本文件適用于車規(guī)級電源管理芯片的生產(chǎn)制造。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

AEC-Q001部件平均測試指南

AEC-Q002良率統(tǒng)計分析指南

AEC-Q003集成電路特征化指南

AEC-Q004零缺陷指南

GB/T191包裝儲運圖示標志

GB/T2423.1電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗A:低溫

GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫

GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢案的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T7092半導(dǎo)體集成電路外形尺寸

GB/T17626.2電磁兼容試驗和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗

GB/T34590道路車輛功能安全

GB/T42706.5電子元器件半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

芯片

半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是由獨立半導(dǎo)體設(shè)備和被動組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電

路。

3.2

車規(guī)級電源管理芯片

技術(shù)標準達到車規(guī)級，可應(yīng)用于汽車電源控制管理的芯片。

3.3

引腳

從芯片內(nèi)部電路引出與外圍電路的接線，所有的引腳就構(gòu)成了這塊芯片的接口，可劃分為腳跟、腳

趾、腳側(cè)等部分。

4基本要求

4.1芯片屬性

4.1.1車規(guī)級芯片應(yīng)具有高可靠性、高安全性、零缺陷率、批次一致性高的基本屬性。

4.1.2高可靠性是指處理器芯片工作環(huán)境惡略，EMC要求苛刻等。

4.1.3高安全性是指處理器芯片電路設(shè)計要符合功能安全的要求，避免因系統(tǒng)失效帶來的危險。

4.1.4零缺陷率是指汽車屬于高危險性產(chǎn)品，其控制器在設(shè)計和生產(chǎn)環(huán)節(jié)要做到零缺陷。

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T/CASMEXXXX—2023

4.1.5批次一致性是指對處理器芯片的生產(chǎn)工藝和材料的穩(wěn)定性的要求。

4.2安全要求

4.2.1芯片功能安全應(yīng)符合GB/T34590的要求。

4.2.2芯片應(yīng)正確提供數(shù)據(jù)通信、計算控制功能，當由于故障而造成功能失效時，應(yīng)在故障處理時間

間隔內(nèi)進入安全狀態(tài)，在故障退出、消除條件未滿足時，不應(yīng)退出安全狀態(tài)。

4.3質(zhì)量控制要求

4.3.1芯片設(shè)計過程和芯片制造過程應(yīng)符合相關(guān)標準中關(guān)于研制過程質(zhì)量控制的規(guī)定。

4.3.2在設(shè)計階段，芯片應(yīng)滿足GB/T34590的標準要求，符合AEC-Q004第3章規(guī)定的功能安全管理

流程。

4.3.3在制造階段，芯片應(yīng)符合AEC-Q001、AEC-Q002、AEC-Q003、AEC-Q004的要求。

4.4工作條件

芯片工作條件應(yīng)符合下表1要求。

表1芯片工作條件

序號工作條件要求

1輸入電壓（VIN）3.3V～36V

2最小啟動電壓3.8V

3啟動后維持工作最小電壓3.1V

4輸出電壓(VOUT)0.8V～0.95×VIN

5工作節(jié)溫(TJ)-40℃～150℃

4.5封裝要求

4.5.1芯片應(yīng)按GB/T7092半導(dǎo)體集成電路外形尺寸規(guī)定進行封裝。

4.5.2應(yīng)考慮空間、走線、焊接維修、工藝復(fù)雜度、生產(chǎn)成本等因素對芯片封裝過程的影響。

4.6引腳要求

引腳名稱及要求應(yīng)符合表2要求。

表2引腳要求

序號名稱描述

1PGND功率地。

輸入。VIN為所有內(nèi)部控制電路和輸出供電。兩個VIN引腳對稱分布以降低EMI，內(nèi)部有互相連

2VIN

接。將去耦電容最短距離分別放置在兩個VIN和PGND引腳之間，以最大限度地降低開關(guān)尖峰。

3BOOT自舉引腳。BOOT是連接到SW的高邊MOSFET驅(qū)動的正電源。在BOOT和SW之間連接自舉電容。

4FREQ頻率設(shè)置引腳。將一個電阻從FREQ引腳連接到地以設(shè)置開關(guān)頻率。

內(nèi)部偏置供電。VCC是內(nèi)部LDO的輸出，為內(nèi)部控制電路和柵極驅(qū)動器供電。將一個最小1F的

5VCCμ

去耦電容從VCC連接到地，并將其放置在盡可能靠近VCC引腳的位置。

6AGND模擬地。

反饋輸入。FB是誤差放大器的負輸入，其典型值為0.8V。如需可調(diào)輸出，請將該引腳連接到

7FB

輸出和AGND之間的外部反饋分壓器的中點。這將設(shè)置輸出電壓。

電源良好指示信號。PG的輸出是一個開漏。如果使用PG，則必須通過上拉電阻將其連接到電源。

8PG如果輸出電壓在標稱電壓的94.5%至105.5%范圍內(nèi)，PG將變?yōu)楦唠娖?；如果輸出電壓高于?/p>

稱電壓的107%或低于93%，則PG變低。如果不使用P引腳，請將其懸空。

使能。EN引腳拉至指定門限（約0.85V）以下以關(guān)斷芯片。將EN拉至指定閾值（約1.02V）以

9EN

上以啟用芯片。請不要懸空EN引腳。

10SW開關(guān)節(jié)點。SW是高邊MOSFET的源極，也是低邊MOSFET的漏極。

11NC未連接。使其懸空。

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表2引腳要求（續(xù)）

自舉。BST是連接至SW的高側(cè)MOSFET驅(qū)動的正電源。在BST和SW之間連接一個旁路電容器。參考

12BST

應(yīng)用章節(jié)來幫助選型。

同步輸入和模式選擇引腳。將此引腳拉至規(guī)定值0.4V以下(用于AAM作)或拉至高于規(guī)定值1.4

V(用于FCCM操作)將此引腳連接至外部200Hz至2.5HZ時鐘源，芯片將與外部時鐘頻率同步，

13SYNC/MODE

并運行在FCCM模式中。該引腳內(nèi)部有一個100內(nèi)部下拉電阻，當該引腳懸空時，該零件將在AAM

運行。

外部偏置。連接至VOUT為5V電源以降低靜態(tài)電流。對于5V的輸出電壓，將此引腳直接連接至

14BIASVOUT。對于其他輸出版本可將此引腳連接至外部5V電源或GND。應(yīng)避免在VIN之前提供外部偏

置電壓。請勿懸空該引腳。

5技術(shù)要求

5.1外觀要求

5.1.1產(chǎn)品表面不應(yīng)有明顯的凹痕、毛刺、劃傷、裂縫、變形等現(xiàn)象。

5.1.2產(chǎn)品表面鍍、涂層應(yīng)均勻，應(yīng)無凝結(jié)、脫落、色差、龜裂和磨損等現(xiàn)象。

5.1.3產(chǎn)品的金屬器件不應(yīng)有腐蝕和機械損傷。

5.2功能特性要求

5.2.1芯片應(yīng)支持3.1V冷啟動功能。

5.2.2芯片應(yīng)具備增強電池續(xù)航的功能。

5.2.3芯片應(yīng)支持打嗝模式的過流保護(OCP)。

5.2.4芯片應(yīng)支持可浸潤封裝。

5.2.5芯片輸入電壓VIN范圍滿足3V～36V。

5.2.6芯片運行節(jié)溫范圍滿足-40℃～150℃。

5.2.7芯片最小導(dǎo)通時間不大于65ns。

5.2.8芯片最小關(guān)斷時間不大于50ns。

5.2.9芯片頻率設(shè)置范圍應(yīng)滿足350kHz～2.5MHz(fSW)。

5.2.10芯片應(yīng)支持AEC-Q100Grade1等級認證。

5.3電特性要求

電特性應(yīng)符合表3的要求。

表3芯片電特性

參數(shù)條件最小值典型值最大值單位

輸入電壓

VIN輸入欠壓鎖定上升閾值3.43.653.9V

VIN輸入欠壓鎖定下降閾值2.62.93.1V

VIN輸入電壓鎖定遲滯閾值750mV

VFB=0.85V,空載,TJ=25℃2028μA

V=0.85V,空載,T=-40℃～

FBJ34μA

VIN靜態(tài)電流125℃

V=0.85V,空載,T=-40℃～

FBJ80A

150℃μ

開關(guān)中,R=1M,R=191k,

VIN靜態(tài)電流(開關(guān))FB1ΩFB2Ω25A

空載μ

VIN關(guān)斷電流VEN=0V110μA

VIN過電壓保護上升閾值37.537.540V

VIN過電壓保護下降閾值34.536.539V

VIN過電壓保護遲滯閾值1V

開關(guān)頻率

4

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表3芯片電特性（續(xù)）

RFRE=86.6kΩ,無FSS332415498KHz

開關(guān)頻率RFRE=34.8kΩ,無FSS90010001100KHz

RFRE=15kΩ,無FSS198022002420KHz

展頻調(diào)制(FSS)范圍±10%

FSS調(diào)制頻率15KHz

最小導(dǎo)通時間6580ns

最小關(guān)斷時間5070ns

最大占空比9899.5%

V=V=0V或V,V=0V,

SWBOOTINEN0.011μA

TJ=25℃

SW泄漏電流

V=V=0V或V,V=0

SWBOOTINEN0.015μA

V,TJ=-40℃～150℃

高邊MOSFET(HS-FET)導(dǎo)通

V-V=5V70130mΩ

阻抗BOOTSW

低邊MOSFET(LS-FET)導(dǎo)通

V=5V5090mΩ

阻抗CC

輸出和調(diào)整

T=25℃0.7940.80.806V

反饋(FB)電壓J

TJ=-40℃～150℃0.790.80.81V

FB輸入電流0100mA

VOUT輸出電流VEN=0V,VOUT=0.3V24mA

自舉(BOOT)

BOOT–SW上升2.52.9V

BOOT–SW下降2.32.7V

BOOT–SW遲滯0.2V

使能

EN上升閾值0.971.021.07V

EN下降閾值0.80.850.9V

EN遲滯閾值170mV

軟啟動(SS)和VCC

軟啟動時間EN為高到軟啟動完成357ms

VCC電壓IVCC=0A4.755.3V

VCC調(diào)整率IVCC=30mA15

VCC電流限VCC=4V5070mA

電源良好工作指示(PG)

Vrising,V/V9394.596%ofV

PG上升閾值OUTFBREFREF

VOUTfalling,VFB/VREF104105.5107%ofVREF

Vfalling,V/V91.59394.5%ofV

PG下降閾值OUTFBREFREF

VOUTrising,VFB/VREF105.5107108.5%ofVREF

PG遲滯閾值VFB/VREF1.5%ofVREF

PG輸出電壓低ISINK=1mA0.10.3V

PG上升抗擾動時間70μs

PG下降抗擾動時間60μs

保護

HS峰值電流限30%dutvcvcle4.35.87.3A

LS谷值電流限34045.7A

ZCD電流-0.050.05+0.15A

過溫保護160175185℃

過溫保護遲滯閾值20℃

5.4溫度特性要求

5.4.1芯片的工作溫度應(yīng)符合-20±2℃～70±2℃溫度范圍

5.4.2應(yīng)按照GB/T2423.1、GB/T2423.2的要求進行測試，芯片在下列工作條件下，應(yīng)能正常工作：

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T/CASMEXXXX—2023

——低溫-55℃，持續(xù)時間72h：

——高溫125℃，持續(xù)時間72h。

5.5靜電防護要求

芯片人體靜電防護應(yīng)滿足GB/T17626.2的要求，芯片在±9000V的靜電沖擊后，應(yīng)保持工作正常。

6芯片測試

6.1外觀檢查

6.1.1芯片的外觀檢驗應(yīng)在光線充足的自然光或在40W的日光燈下，垂直距離1.5m左右的條件下，

距樣件0.4m的條件下，進行裸視觀察(裸視者視力不得低于1.0)。

6.1.2檢查引腳未損壞，芯片標識清晰可見，無明顯應(yīng)力破損，視為合格芯片。

6.2電特性測試

6.2.1輸入電壓

環(huán)境條件應(yīng)符合下列要求：

——環(huán)境溫度在-20℃～70℃之間；

——相對濕度≤80%；

——大氣壓力在86KPa～106KPa之間。

6.2.2測試設(shè)備

電特性測試前，對所用到的所有設(shè)備進行檢查，查看設(shè)備是否經(jīng)過校準，校準證書是否在有效期內(nèi)，

測試設(shè)備性能是否滿足芯片測量要求。

6.2.3測試結(jié)果記錄

按照芯片電特性的要求，對芯片施加激勵進行測試，記錄測試結(jié)果，測試結(jié)果全部滿足要求，芯片

視為合格。

6.3溫度特性測試

6.3.1低溫測試

將樣品芯片放入溫度為實驗室溫度的試驗箱中，給樣品通電并進行功能檢測,樣品應(yīng)處于運行狀態(tài)，

然后將溫度調(diào)節(jié)至-55±2℃，當樣品的溫度到達穩(wěn)定后，在該溫度下持續(xù)72h，試驗期間，樣品應(yīng)能

夠處于正常運行狀態(tài)，試驗后，芯片能夠正常工作。

6.3.2高溫測試

將樣品芯片放入溫度為實驗室溫度的試驗箱中，給樣品通電并進行功能檢測樣品應(yīng)處于運行狀態(tài)，

然后將溫度調(diào)節(jié)至125±2℃，當樣品的溫度到達穩(wěn)定后在該溫度下持續(xù)72h，試驗期間，樣品應(yīng)能夠

處于正常運行狀態(tài)，試驗后，芯片能夠正常工作。

6.4靜電防護測試

人體靜電防護性能測試應(yīng)滿足GB/T17626.2的要求，采用靜電放電測試儀，通過人體放電模型直接

對芯片引腳施加±9000V的脈沖電壓，試驗后芯片能夠正常工作視為合格。

7檢驗規(guī)則

7.1檢驗分類

產(chǎn)品檢驗分為出廠檢驗和型式檢驗。

7.2出廠檢驗

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7.2.1檢驗要求

芯片出廠需經(jīng)公司品質(zhì)部檢驗，各指標合格后方能出廠。

7.2.2檢驗項目

出檢驗項目應(yīng)符合6.1～6.4的要求。

7.2.3檢驗規(guī)則

芯片出廠檢驗應(yīng)符合以下要求：

——在工藝條件、生產(chǎn)線、規(guī)格、生產(chǎn)日期等相同的為統(tǒng)一批次產(chǎn)品；

——產(chǎn)品出廠實現(xiàn)抽樣檢驗，具體執(zhí)行GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序規(guī)定進行檢驗，外觀按一

般抽樣水準Ⅱ級、尺寸按特殊檢驗水平S-3取樣；

——檢驗中出現(xiàn)任意一項不合格，應(yīng)允許修復(fù)后重新檢驗，直至再次檢驗合格。

7.3型式試驗

7.3.1型式試驗要求

有下列情況時，應(yīng)進行型式試驗：

——正式投產(chǎn)后，在結(jié)構(gòu)、工藝、材料有較大改變時；

——當與客戶產(chǎn)生質(zhì)量技術(shù)分歧，需要仲裁時；

——質(zhì)量監(jiān)督部門提出型式試驗要求時。

7.3.2檢驗規(guī)則

7.3.3當型式試驗結(jié)果全部符合本文件要求時，判型式檢驗合格。

7.3.4若檢驗中出現(xiàn)任何一項不符合，需重新送檢，復(fù)檢全部合格后，判型式試驗合格，否則為不合

格。

8標志、包裝、運輸及貯存

8.1標志

8.1.1芯片上應(yīng)有產(chǎn)品名稱、型號、商標、生產(chǎn)企業(yè)名稱等標志。

8.1.2芯片上應(yīng)標有電源的性質(zhì)、額定電源電壓（或電壓范圍)等。

8.1.3芯片運輸包裝箱上應(yīng)有如下標志:

——生產(chǎn)企業(yè)名稱、地址、商標；

——印有易碎物品、向上、怕雨、禁止翻滾等包裝儲運圖示。

8.1.4標志應(yīng)符合GB/T191的規(guī)定并注明毛重和外形尺寸。

8.2包裝

8.2.1芯片外包裝箱應(yīng)標明產(chǎn)品型號、數(shù)量、包裝箱尺寸等，印刷字跡應(yīng)清晰，色澤均勻，圖案正確，

無套色。

8.2.2包裝應(yīng)保證芯片不受損壞，應(yīng)符合防雨、防潮、防震等要求。

8.2.3箱內(nèi)應(yīng)附有合格證、安裝與使用說明書等。

8.3運輸

8.3.1包裝后的芯片應(yīng)適合汽車、火車、飛機、輪船等運輸工具的運輸，運輸中應(yīng)防雨、防塵、防撞

擊、防日曬。

8.3.2禁止與易燃、易爆、易腐蝕的物品一起裝運，搬運應(yīng)避免跌落。

8.4貯存

8.4.1芯片應(yīng)貯存在通風、干燥、無腐蝕性介質(zhì)的倉庫內(nèi)，周圍不應(yīng)有腐蝕性物品和氣體存在。

8.4.2芯片不可重壓，堆碼高度不應(yīng)高于包裝箱上標明的堆碼層數(shù)。

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8.4.3芯片長期貯存還應(yīng)符合GB/T42706.5的要求。

8

T/CASMEXXXX—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導(dǎo)則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任。

本文件由××××提出。

本文件由中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會歸口。

本文件起草單位：××××

本文件主要起草人：××××

I

T/CASMEXXXX—2023

車規(guī)級電源管理芯片

1范圍

本文件規(guī)定了車規(guī)級電源管理芯片的基本要求、技術(shù)要求、芯片測試、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運

輸及貯存等內(nèi)容。

本文件適用于車規(guī)級電源管理芯片的生產(chǎn)制造。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

AEC-Q001部件平均測試指南

AEC-Q002良率統(tǒng)計分析指南

AEC-Q003集成電路特征化指南

AEC-Q004零缺陷指南

GB/T191包裝儲運圖示標志

GB/T2423.1電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗A:低溫

GB/T2423.2電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫

GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢案的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T7092半導(dǎo)體集成電路外形尺寸

GB/T17626.2電磁兼容試驗和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗

GB/T34590道路車輛功能安全

GB/T42706.5電子元器件半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

芯片

半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是由獨立半導(dǎo)體設(shè)備和被動組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電

路。

3.2

車規(guī)級電源管理芯片

技術(shù)標準達到車規(guī)級，可應(yīng)用于汽車電源控制管理的芯片。

3.3

引腳

從芯片內(nèi)部電路引出與外圍電路的接線，所有的引腳就構(gòu)成了這塊芯片的接口，可劃分為腳跟、腳

趾、腳側(cè)等部分。

4基本要求

4.1芯片屬性

4.1.1車規(guī)級芯片應(yīng)具有高可靠性、高安全性、零缺陷率、批次一致性高的基本屬性。

4.1.2高可靠性是指處理器芯片工作環(huán)境惡略，EMC要求苛刻等。

4.1.3高安全性是指處理器芯片電路設(shè)計要符合功能安全的要求，避免因系統(tǒng)失效帶來的危險。

4.1.4零缺陷率是指汽車屬于高危險性產(chǎn)品，其控制器在設(shè)計和生產(chǎn)環(huán)節(jié)要做到零缺陷。

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4.1.5批次一致性是指對處理器芯片的生產(chǎn)工藝和材料的穩(wěn)定性的要求。

4.2安全要求

4.2.1芯片功能安全應(yīng)符合GB/T34590的要求。

4.2.2芯片應(yīng)正確提供數(shù)據(jù)通信、計算控制功能，當由于故障而造成功能失效時，應(yīng)在故障處理時間

間隔內(nèi)進入安全狀態(tài)，在故障退出、消除條件未滿足時，不應(yīng)退出安全狀態(tài)。

4.3質(zhì)量控制要求

4.3.1芯片設(shè)計過程和芯片制造過程應(yīng)符合相關(guān)標準中關(guān)于研制過程質(zhì)量控制的規(guī)定。

4.3.2在設(shè)計階段，芯片應(yīng)滿足GB/T34590的標準要求，符合AEC-Q004第3章規(guī)定的功能安全管理

流程。

4.3.3在制造階段，芯片應(yīng)符合AEC-Q001、AEC-Q002、AEC-Q003、AEC-Q004的要求。

4.4工作條件

芯片工作條件應(yīng)符合下表1要求。

表1芯片工作條件

序號工作條件要求

1輸入電壓（VIN）3.3V～36V

2最小啟動電壓3.8V

3啟動后維持工作最小電壓3.1V

4輸出電壓(VOUT)0.8V～0.95×VIN

5工作節(jié)溫(TJ)-40℃～150℃

4.5封裝要求

4.5.1芯片應(yīng)按GB/T7092半導(dǎo)體集成電路外形尺寸規(guī)定進行封裝。

4.5.2應(yīng)考慮空間、走線、焊接維修、工藝復(fù)雜度、生產(chǎn)成本等因素對芯片封裝過程的影響。

4.6引腳要求

引腳名稱及要求應(yīng)符合表2要求。

表2引腳要求

序號名稱描述

1PGND功率地。

輸入。VIN為所有內(nèi)部控制電路和輸出供電。兩個VIN引腳對稱分布以降低EMI，內(nèi)部有互相連

2VIN

接。將去耦電容最短距離分別放置在兩個VIN和PGND引腳之間，以最大限度地降低開關(guān)尖峰。

3BOOT自舉引腳。BOOT是連接到SW的高邊MOSFET驅(qū)動的正電源。在BOOT和SW之間連接自舉電容。

4FREQ頻率設(shè)置引腳。將一個電阻從FREQ引腳連接到地以設(shè)置開關(guān)頻率。

內(nèi)部偏置供電。VCC是內(nèi)部LDO的輸出，為內(nèi)部控制電路和柵極驅(qū)動器供電。將一個最小1F的

5VCCμ

去耦電容從VCC連接到地，并將其放置在盡可能靠近VCC引腳的位置。

6AGND模擬地。

反饋輸入。FB是誤差放大器的負輸入，其典型值為0.8V。如需可調(diào)輸出，請將該引腳連接到

7FB

輸出和AGND之間的外部反饋分壓器的中點。這將設(shè)置輸出電壓。

電源良好指示信號。PG的輸出是一個開漏。如果使用PG，則必須通過上拉電阻將其連接到電源。

8PG如果輸出電壓在標稱電壓的94.5%至105.5%范圍內(nèi)，PG將變?yōu)楦唠娖?；如果輸出電壓高于?/p>

稱電壓的107%或低于93%，則PG變低。如果不使用P引腳，請將其懸空。

使能。EN引腳拉至指定門限（約0.85V）以下以關(guān)斷芯片。將EN拉至指定閾值（約1.02V）以

9EN

上以啟用芯片。請不要懸空EN引腳。

10SW開關(guān)節(jié)點。SW是高邊MOSFET的源極，也是低邊MOSFET的漏極。

11NC未連接。使其懸空。

3

T/CASMEXXXX—2023

表2引腳要求（續(xù)）

自舉。BST是連接至SW的高側(cè)MOSFET驅(qū)動的正電源。在BST和SW之間連接一個旁路電容器。參考

12BST

應(yīng)用章節(jié)來幫助選型。

同步輸入和模式選擇引腳。將此引腳拉至規(guī)定值0.4V以下(用于AAM作)或拉至高于規(guī)定值1.4

V(用于FCCM操作)將此引腳連接至外部200Hz至2.5HZ時鐘源，芯片將與外部時鐘頻率同步，

13SYNC/MODE

并運行在FCCM模式中。該引腳內(nèi)部有一個100內(nèi)部下拉電阻，當該引腳懸空時，該零件將在AAM

運行。

外部偏置。連接至VOUT為5V電源以降低靜態(tài)電流。對于5V的輸出電壓，將此引腳直接連接至

14BIASVOUT。對于其他輸出版本可將此引腳連接至外部5V電源或GND。應(yīng)避免在VIN之前提供外部偏

置電壓。請勿懸空該引腳。

5技術(shù)要求

5.1外觀要求

5.1.1產(chǎn)品表面不應(yīng)有明顯的凹痕、毛刺、劃傷、裂縫、變形等現(xiàn)象。

5.1.2產(chǎn)品表面鍍、涂層應(yīng)均勻，應(yīng)無凝結(jié)、脫落、色差、龜裂和磨損等現(xiàn)象。

5.1.3產(chǎn)品的金屬器件不應(yīng)有腐蝕和機械損傷。

5.2功能特性要求

5.2.1芯片應(yīng)支持3.1V冷啟動功能。

5.2.2芯片應(yīng)具備增強電池續(xù)航的功能。

5.2.3芯片應(yīng)支持打嗝模式的過流保護(OCP)。

5.2.4芯片應(yīng)支持可浸潤封裝。

5.2.5芯片輸入電壓VIN范圍滿足3V～36V。

5.2.6芯片運行節(jié)溫范圍滿足-40℃～150℃。

5.2.7芯片最小導(dǎo)通時間不大于65ns。

5.2.8芯片最小關(guān)斷時間不大于50ns。

5.2.9芯片頻率設(shè)置范圍應(yīng)滿足350kHz～2.5MHz(fSW)。

5.2.10芯片應(yīng)支持AEC-Q100Grade1等級認證。

5.3電特性要求

電特性應(yīng)符合表3的要求。

表3芯片電特性

參數(shù)條件最小值典型值最大值單位

輸入電壓

VIN輸入欠壓鎖定上升閾值3.43.653.9V

VIN輸入欠壓鎖定下降閾值2.62.93.1V

VIN輸入電壓鎖定遲滯閾值750mV

VFB=0.85V,空載,TJ=25℃2028μA

V=0.85V,空載,T=-40℃～

FBJ34μA

VIN靜態(tài)電流125℃

V=0.85V,空載,T=-40℃～

FBJ80A

150℃μ

開關(guān)中,R=1M,R=191k,

VIN靜態(tài)電流(開關(guān))FB1ΩFB2Ω25A

空載μ

VIN關(guān)斷電流VEN=0V110μA

VIN過電壓保護上升閾值37.537.540V

VIN過電壓保護下降閾值34.536.539V

VIN過電壓保護遲滯閾值1V

開關(guān)頻率

4

T/CASMEXXXX—2023

表3芯片電特性（續(xù)）

RFRE=86.6kΩ,無FSS332415498KHz

開關(guān)頻率RFRE=34.8kΩ,無FSS90010001100KHz

RFRE=15kΩ,無FSS198022002420KHz

展頻調(diào)制(FSS)范圍±10%

FSS調(diào)制頻率15KHz

最小導(dǎo)通時間6580ns

最小關(guān)斷時間5070ns

最大占空比9899.5%

V=V=0V或V,V=0V,

SWBOOTINEN0.011μA

TJ=25℃

SW泄漏電流

V=V=0V或V,V=0

SWBOOTINEN0.015μA

V,TJ=-40℃～150℃

高邊MOSFET(HS-FET)導(dǎo)通

V-V=5V70130mΩ

阻抗BOOTSW

低邊MOSFET(LS-FET)導(dǎo)通

V=5V5090mΩ

阻抗CC

輸出和調(diào)整

T=25℃0.7940.80.806V

反饋(FB)電壓J

TJ=-40℃～150℃0.790.80.81V

FB輸入電流0100mA

VOUT輸出電流VEN=0V,VOUT=0.3V24mA

自舉(BOOT)

BOOT–SW上升2.52.9V

BOOT–SW下降2.32.7V

BOOT–SW遲滯0.2V

使能

EN上升閾值0.971.021.07V

EN下降閾值0.80.850.9V

EN遲滯閾值170mV

軟啟動(SS)和VCC

軟啟動時間EN為高到軟啟動完成357ms

VCC電壓IVCC=0A4.755.3V

VCC調(diào)整率IVCC=30mA15

VCC電流限