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MOOC數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)-北京交通大學(xué)中國(guó)大學(xué)慕課答案第1章作業(yè)第1章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:余3碼是碼,減3后是碼,然后加上后六種狀態(tài)是碼。選項(xiàng):A、余3,8421,5421BCDB、8421,有權(quán),無(wú)權(quán)C、循環(huán),2421BCD,有權(quán)D、無(wú)權(quán),8421BCD,8421正確答案:【無(wú)權(quán),8421BCD,8421】2、問(wèn)題:對(duì)于題圖1.2所示的波形,A、B為輸入,F(xiàn)為輸出,其反映的邏輯關(guān)系是選項(xiàng):A、與非關(guān)系B、異或關(guān)系C、同或關(guān)系D、或關(guān)系E、無(wú)法判斷正確答案:【異或關(guān)系#無(wú)法判斷】3、問(wèn)題:選項(xiàng):A、0,0,0B、1,1,0C、不唯一,0,1D、如此運(yùn)算邏輯概念錯(cuò)誤,1,1正確答案:【1,1,0】4、問(wèn)題:已知邏輯函數(shù)F=A(B+DC),選出下列可以肯定使F=1的狀態(tài)是。選項(xiàng):A、A=0,BC=0,D=0B、A=0,BD=0,C=0C、AB=1,C=0,D=0D、AC=1,B=0正確答案:【AB=1,C=0,D=0】5、問(wèn)題:某一邏輯函數(shù)真值確定后,下面描述該函數(shù)功能的方法中,具有唯一性的是。選項(xiàng):A、邏輯函數(shù)的最簡(jiǎn)與或式B、邏輯函數(shù)的最小項(xiàng)之和表達(dá)式C、邏輯函數(shù)的最簡(jiǎn)或與式D、邏輯函數(shù)的最大項(xiàng)之和表達(dá)式正確答案:【邏輯函數(shù)的最小項(xiàng)之和表達(dá)式】6、問(wèn)題:卡諾圖中的邏輯相鄰或?qū)ΨQ相鄰具有碼特征,其數(shù)值不同只是在位上差位。選項(xiàng):A、余3碼,2B、8421碼,3C、循環(huán)碼,2D、格雷碼,1正確答案:【格雷碼,1】7、問(wèn)題:選項(xiàng):A、同或B、與C、或D、異或正確答案:【同或】8、問(wèn)題:信號(hào)A和0異或相當(dāng)于門(mén),信號(hào)A和1異或相當(dāng)于門(mén)。(作答請(qǐng)以頓號(hào)“、”間隔)選項(xiàng):A、與門(mén)、或門(mén)B、緩沖門(mén)、非門(mén)C、或門(mén)、非門(mén)D、緩沖門(mén)、與門(mén)正確答案:【緩沖門(mén)、非門(mén)】9、問(wèn)題:選項(xiàng):A、×、m、×、×、×、MB、×、×、m、×、×、MC、×、M、m、×、×、×D、×、m、×、×、M、×正確答案:【×、m、×、×、M、×】10、問(wèn)題:在題圖1.7所示的卡諾圖中,化簡(jiǎn)后的邏輯函數(shù)是選項(xiàng):A、B、C、D、正確答案:【#】11、問(wèn)題:最小項(xiàng)ABCD的邏輯相鄰項(xiàng)是。選項(xiàng):A、B、C、D、正確答案:【##】12、填空題:任意項(xiàng)和約束項(xiàng)有微小的區(qū)別,區(qū)別在于任意項(xiàng)值隨便,約束項(xiàng)值不允許。約束項(xiàng)和任意項(xiàng)統(tǒng)稱為。(作答請(qǐng)以頓號(hào)“、”間隔)正確答案:【無(wú)關(guān)項(xiàng)】第2章作業(yè)第2章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:ECL邏輯門(mén)電路電壓擺率為選項(xiàng):A、0.8VB、3.3VC、5VD、30V正確答案:【0.8V】2、問(wèn)題:TTL電路時(shí)間延遲的主要原因是由載流子的聚集和消散引起的,CMOS反相器產(chǎn)生傳輸延遲的主要原因是由于集成電路。選項(xiàng):A、反相器B、內(nèi)部電阻和容性負(fù)載C、電阻D、電源正確答案:【內(nèi)部電阻和容性負(fù)載】3、問(wèn)題:CMOS非門(mén)是由一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS組成,其柵極相連作為輸入,漏極相連作為輸出,NMOS源極需接電平,PMOS源極接電平。選項(xiàng):A、高、低B、高、高C、低、高D、低、低正確答案:【低、高】4、問(wèn)題:雙極型TTL兩種載流子工作的電流控制器件在抗幅射能力方面比單極型CMOS一種載流子工作的電壓控制器件。因?yàn)樯渚€輻射對(duì)濃度影響不大。選項(xiàng):A、弱、多子B、強(qiáng)、少子C、弱、少子D、強(qiáng)、多子正確答案:【弱、多子】5、問(wèn)題:雙極型CMOS電路實(shí)現(xiàn)邏輯功能采用器件,驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)采用射極跟隨輸出電路。選項(xiàng):A、NMOS;TTLB、CMOS;混合C、CMOS;TTLD、TTL;混合正確答案:【CMOS;TTL】6、問(wèn)題:增加去耦合濾波電容為了消除,每一個(gè)芯片的電源與地之間接一個(gè)0.01uF~0.1uF的電容器濾除。選項(xiàng):A、直流;正弦波B、尖峰電流;開(kāi)關(guān)噪聲C、尖峰電流;直流D、開(kāi)關(guān)噪聲;直流正確答案:【尖峰電流;開(kāi)關(guān)噪聲】7、問(wèn)題:TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路,僅考慮。選項(xiàng):A、電壓匹配B、電流匹配C、功率匹配D、頻率匹配正確答案:【電壓匹配】8、問(wèn)題:由NMOS增強(qiáng)型管制成的有源負(fù)載。選項(xiàng):A、柵極和電源連接在一起;B、是兩端元件;C、柵極和源極連接在一起;D、是三端元件。正確答案:【柵極和電源連接在一起;#是兩端元件;】9、問(wèn)題:典型TTL非門(mén)中的T1什么時(shí)候處于倒置狀態(tài)?選項(xiàng):A、輸入接高電平;B、輸入接低電平;C、前級(jí)輸出高電平。D、前級(jí)輸出低電平。正確答案:【輸入接高電平;#前級(jí)輸出高電平?!?0、問(wèn)題:I2L的主要性能可選以下哪些?選項(xiàng):A、抗干擾能力強(qiáng);B、功耗低;C、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;D、6次光刻,4次擴(kuò)散。正確答案:【功耗低;#結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;】11、問(wèn)題:CMOS邏輯門(mén)有靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗能之分選項(xiàng):A、動(dòng)態(tài)功耗是輸入信號(hào)和輸出信號(hào)以一定頻率切換時(shí)的功耗。B、動(dòng)態(tài)功耗是輸出高電平的時(shí)候;C、動(dòng)態(tài)功耗是輸出低電平的時(shí)候;D、靜態(tài)功耗是輸出電平不變的時(shí)候。正確答案:【動(dòng)態(tài)功耗是輸入信號(hào)和輸出信號(hào)以一定頻率切換時(shí)的功耗。#靜態(tài)功耗是輸出電平不變的時(shí)候?!?2、問(wèn)題:CMOS的基本單元是CMOS反相器和CMOS傳輸門(mén)。選項(xiàng):A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第3章作業(yè)第3章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:一組合電路輸入信號(hào)的變化順序有以下三種情況,當(dāng)時(shí),將可能出現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)。選項(xiàng):A、00→01→11→10B、00→01→10→11C、00→10→11→01D、00→10→11→00正確答案:【00→01→10→11】2、問(wèn)題:串行加法器進(jìn)位信號(hào)采用傳遞,而并行加法器的進(jìn)位信號(hào)采用傳遞。選項(xiàng):A、超前,逐位B、逐位,超前C、逐位,逐位D、超前,超前正確答案:【逐位,超前】3、問(wèn)題:選項(xiàng):A、110B、011C、101D、111正確答案:【110】4、問(wèn)題:一個(gè)十六路數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入端有個(gè)。選項(xiàng):A、16B、8C、2D、4正確答案:【4】5、問(wèn)題:采用4位比較器7485對(duì)兩個(gè)四位二進(jìn)制數(shù)進(jìn)行比較時(shí),先比較位。選項(xiàng):A、最低B、次高C、次低D、最高正確答案:【最高】6、問(wèn)題:4線-10線譯碼器中輸出狀態(tài)只有F2=0,其余輸出端均為1,則它的的輸入狀態(tài)應(yīng)取選項(xiàng):A、0011B、1000C、0010D、1001正確答案:【0010】7、問(wèn)題:在下列邏輯電路中,是組合邏輯電路的有___________。選項(xiàng):A、譯碼器B、編碼器C、全加器D、具有反饋性能的寄存器正確答案:【譯碼器#編碼器#全加器】8、問(wèn)題:門(mén)電路的延時(shí)時(shí)間是產(chǎn)生組合邏輯電路競(jìng)爭(zhēng)與冒險(xiǎn)的唯一原因。選項(xiàng):A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問(wèn)題:數(shù)據(jù)分配器的結(jié)構(gòu)與數(shù)據(jù)選擇器相反,它是一種1路輸入,多路輸出的邏輯電路。從哪一路輸出取決于地址控制端。選項(xiàng):A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】10、問(wèn)題:使能端的作用是克服競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)和功能擴(kuò)展。選項(xiàng):A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】11、填空題:清除競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)的常用方法有(1)電路輸出端加;(2)輸入加;(3)增加。(作答請(qǐng)用頓號(hào)“、”間隔)正確答案:【電容、選通脈沖、冗余項(xiàng)】12、填空題:一個(gè)有使能端的譯碼器作數(shù)據(jù)分配器時(shí),將數(shù)據(jù)輸入端信號(hào)連接在。正確答案:【使能端】第4章作業(yè)第4章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:具有約束條件的觸發(fā)器有。選項(xiàng):A、主從RS觸發(fā)器B、由主從RS觸發(fā)器組成D觸發(fā)器C、主從JK觸發(fā)器D、由主從JK觸發(fā)器組成D觸發(fā)器正確答案:【主從RS觸發(fā)器】2、問(wèn)題:主從RS觸發(fā)器不能完全克服多次翻轉(zhuǎn)的原因是。選項(xiàng):A、主從RS觸發(fā)器的主觸發(fā)器工作原理和同步RS觸發(fā)器相同B、主從RS觸發(fā)器的從觸發(fā)器工作原理和同步RS觸發(fā)器相同C、輸入信號(hào)R不穩(wěn)定D、異步復(fù)位或置位不考慮時(shí)鐘的到來(lái)就將輸出清零或置1正確答案:【主從RS觸發(fā)器的主觸發(fā)器工作原理和同步RS觸發(fā)器相同】3、問(wèn)題:主從觸發(fā)器的時(shí)鐘在高電平時(shí),將輸入信號(hào)傳遞到。在低電平時(shí),將信號(hào)傳遞到。(A)從觸發(fā)器輸出(B)主觸發(fā)器輸出(C)JK觸發(fā)器輸出(D)D觸發(fā)器輸出選項(xiàng):A、B、AB、B、CC、D、AD、B、D正確答案:【B、A】4、問(wèn)題:選項(xiàng):A、AB、BC、CD、D正確答案:【A】5、問(wèn)題:抗干擾能力最弱的觸發(fā)器是。選項(xiàng):A、主從RS觸發(fā)器B、維持阻塞RS觸發(fā)器C、主從JK觸發(fā)器D、主從JK觸發(fā)器組成D觸發(fā)器正確答案:【主從RS觸發(fā)器】6、問(wèn)題:維持阻塞RS觸發(fā)器利用,在時(shí)鐘CP的邊沿傳遞數(shù)據(jù),傳輸延遲D觸發(fā)器利用,在時(shí)鐘CP的邊沿傳遞數(shù)據(jù)。(A)門(mén)的延時(shí)(B)維持阻塞線(C)脈沖的低電平(D)高電平或低電平選項(xiàng):A、B、CB、B、AC、C、AD、B、D正確答案:【B、A】7、問(wèn)題:分析傳輸延遲JK觸發(fā)器之后,發(fā)現(xiàn)CP在高電平時(shí),輸出狀態(tài)。CP在低電平時(shí),輸出狀態(tài)。(A)不變(B)為0(C)為1(D)改變選項(xiàng):A、A、CB、B、AC、A、AD、A、D正確答案:【A、A】8、問(wèn)題:在時(shí)鐘CP有效的情況下,觸發(fā)器輸出的新?tīng)顟B(tài)等于輸入信號(hào)的是觸發(fā)器。選項(xiàng):A、DB、JKC、RSD、T正確答案:【T】9、問(wèn)題:指出下列哪種電路結(jié)構(gòu)的觸發(fā)器可以構(gòu)成移位寄存器,哪些不能構(gòu)成移位寄存器。如果能夠,請(qǐng)?jiān)冢ǎ﹥?nèi)畫(huà)√,否則畫(huà)×。(A)RS鎖存器()(B)同步RS觸發(fā)器()(C)主從JK觸發(fā)器()(D)維持阻塞觸發(fā)器()(E)用CMOS傳輸門(mén)組成的邊沿觸發(fā)器()選項(xiàng):A、×、√、√、√、×B、×、√、×、√、√C、×、√、√、×、√D、×、√、√、√、√正確答案:【×、√、√、√、√】10、問(wèn)題:主從RS觸發(fā)器通過(guò)邏輯功能轉(zhuǎn)換為D觸發(fā)器,D觸發(fā)器輸出狀態(tài)改變需要時(shí)鐘的觸發(fā)方式為。選項(xiàng):A、上升邊沿B、高電平C、低電平D、一個(gè)脈沖E、下降邊沿正確答案:【一個(gè)脈沖】11、問(wèn)題:具有一次翻轉(zhuǎn)特性的觸發(fā)器有。選項(xiàng):A、主從RS觸發(fā)器B、由主從RS觸發(fā)器組成D觸發(fā)器C、主從JK觸發(fā)器D、由主從JK觸發(fā)器組成D觸發(fā)器正確答案:【主從JK觸發(fā)器#由主從JK觸發(fā)器組成D觸發(fā)器】12、問(wèn)題:沒(méi)有空翻現(xiàn)象的觸發(fā)器有。選項(xiàng):A、主從RS觸發(fā)器B、維持阻塞RS觸發(fā)器C、維持阻塞D觸發(fā)器D、傳輸延遲JK邊沿觸發(fā)器正確答案:【維持阻塞RS觸發(fā)器#維持阻塞D觸發(fā)器#傳輸延遲JK邊沿觸發(fā)器】13、填空題:正確答案:【計(jì)數(shù)】14、填空題:正確答案:【0】第5章作業(yè)第5章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:時(shí)序電路在輸入有限個(gè)CP時(shí)鐘后,則進(jìn)入有效循環(huán),稱電路。選項(xiàng):A、自啟動(dòng)B、同步時(shí)序C、異步時(shí)序D、摩爾電路正確答案:【自啟動(dòng)】2、問(wèn)題:判斷對(duì)錯(cuò):只要沒(méi)有輸入信號(hào)的電路就可以判斷是摩爾電路();只要有輸入信號(hào)的電路就可以判斷不是摩爾電路()。選項(xiàng):A、對(duì)、錯(cuò)B、錯(cuò)、對(duì)C、不確定、對(duì)D、錯(cuò)、不確定正確答案:【對(duì)、錯(cuò)】3、問(wèn)題:設(shè)計(jì)時(shí)序電路時(shí),采用格雷碼分配相鄰狀態(tài)的目的是,時(shí)序電路邏輯抽象和組合電路邏輯抽象的主要區(qū)別是。選項(xiàng):A、簡(jiǎn)潔、自啟動(dòng)B、避免競(jìng)爭(zhēng)與冒險(xiǎn)、狀態(tài)轉(zhuǎn)換C、狀態(tài)轉(zhuǎn)換、自啟動(dòng)D、避免競(jìng)爭(zhēng)與冒險(xiǎn)、無(wú)區(qū)別正確答案:【避免競(jìng)爭(zhēng)與冒險(xiǎn)、狀態(tài)轉(zhuǎn)換】4、問(wèn)題:有A,B,C,D,E,F(xiàn)六個(gè)狀態(tài),A和C,D和F,E和B,F(xiàn)和C分別等價(jià),則全部最大等價(jià)類為。選項(xiàng):A、[A,C,F(xiàn)][D,F(xiàn),C][B,E]B、[A,C,D,F(xiàn)]C、[B,E]D、[A,C,D,F(xiàn)][B,E]正確答案:【[A,C,D,F(xiàn)][B,E]】5、問(wèn)題:某時(shí)序電路的外輸入為X,輸出為F,狀態(tài)Q1Q0排序,其狀態(tài)轉(zhuǎn)換表如題表5所示,則該電路的邏輯功能是。選項(xiàng):A、模3加/減計(jì)數(shù)器B、模4加法計(jì)數(shù)器C、模4減法計(jì)數(shù)器D、模4加/減計(jì)數(shù)器正確答案:【模3加/減計(jì)數(shù)器】6、問(wèn)題:一般情況下,寄存器與移位寄存器優(yōu)先級(jí)別最高的是。選項(xiàng):A、保持B、復(fù)位C、置位D、右移正確答案:【復(fù)位】7、問(wèn)題:一個(gè)5位扭環(huán)形移位寄存器的模是。選項(xiàng):A、5B、8C、10D、15正確答案:【10】8、問(wèn)題:移位寄存器的輸出反饋到串行數(shù)據(jù)輸入端組成了移位寄存器。選項(xiàng):A、環(huán)形B、分頻C、扭環(huán)形D、雙向正確答案:【環(huán)形】9、問(wèn)題:移位寄存器的輸出非端反饋到串行數(shù)據(jù)輸入端組成了移位寄存器。選項(xiàng):A、環(huán)形B、分頻C、扭環(huán)形D、序列正確答案:【扭環(huán)形】10、問(wèn)題:集成計(jì)數(shù)器74161和74163的區(qū)別是。選項(xiàng):A、預(yù)置B、8421碼C、復(fù)位D、置9正確答案:【復(fù)位】11、問(wèn)題:集成計(jì)數(shù)器74290的功能優(yōu)先級(jí)別最高的是。選項(xiàng):A、異步置9B、異步復(fù)位C、8421BCD碼計(jì)數(shù)D、8421碼計(jì)數(shù)正確答案:【異步置9】12、問(wèn)題:可以進(jìn)行移位操作的電路有。選項(xiàng):A、同步時(shí)序電路B、異步時(shí)序電路C、帶同步預(yù)置的同步時(shí)序電路D、具有異步復(fù)位功能的異步時(shí)序電路正確答案:【同步時(shí)序電路#帶同步預(yù)置的同步時(shí)序電路】第6章作業(yè)第6章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:判斷對(duì)錯(cuò):(1)組合邏輯的PLD不僅基于與、或兩級(jí)形式,而且基于查找表結(jié)構(gòu)。()(2)FPGA存儲(chǔ)單元是基于浮柵編程技術(shù)。()(3)FLASH存儲(chǔ)器掉電之后信息丟失。()選項(xiàng):A、F,F,FB、T,F,FC、F,T,FD、F,F,T正確答案:【F,F,F】2、問(wèn)題:FLASH編程單元向浮柵注入電子時(shí),產(chǎn)生,釋放電子時(shí),產(chǎn)生。選項(xiàng):A、隧道效應(yīng),雪崩擊穿B、雪崩擊穿,隧道效應(yīng)C、齊納擊穿,雪崩擊穿D、電容效應(yīng),隧道效應(yīng)E、齊納擊穿,隧道效應(yīng)正確答案:【雪崩擊穿,隧道效應(yīng)】3、問(wèn)題:PROM與陣列需要,PLA是根據(jù)需要產(chǎn)生,從而減小了陣列的規(guī)模。選項(xiàng):A、編程,最小項(xiàng)B、編程,最簡(jiǎn)與或式C、全譯碼,乘積項(xiàng)D、最簡(jiǎn)與或式,全譯碼E、全譯碼,最小項(xiàng)正確答案:【全譯碼,乘積項(xiàng)】4、問(wèn)題:當(dāng)今可編程集成電路技術(shù),可以使FPGA的密度EPLD的密度。選項(xiàng):A、大于B、等于C、小于D、小于等于正確答案:【大于】5、問(wèn)題:判斷對(duì)錯(cuò):(1)DRAM存儲(chǔ)的信息掉電不丟失。()(2)DRAM不用刷新電路,存儲(chǔ)的信息不丟失。()(3)SSRAM不用刷新電路,存儲(chǔ)的信息不丟失。()(4)ROM存儲(chǔ)的信息掉電不丟失。()選項(xiàng):A、F,T,F,TB、F,F,T,TC、T,F,T,TD、T,T,F,T正確答案:【F,F,T,T】6、問(wèn)題:SRAM靜態(tài)是用MOS管構(gòu)成的鎖存器存儲(chǔ)信息,相對(duì)于動(dòng)態(tài)RAM所用MOS管。選項(xiàng):A、速度快B、功耗小C、集成度高D、功耗大正確答案:【功耗大】7、問(wèn)題:DSRAM柵極電容需要定期地充電刷新的原因是,每次刷新為一的存儲(chǔ)單元刷新。(A)電容丟失電荷(B)鎖存器掉電信息丟失(C)行(D)列選項(xiàng):A、A,CB、A,DC、B,CD、B,D正確答案:【A,C】8、問(wèn)題:用16K×1的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM2116擴(kuò)展為存儲(chǔ)容量32K×16的存儲(chǔ)器需要多少片RAM2116。選項(xiàng):A、32B、64C、128D、256正確答案:【32】9、問(wèn)題:只讀存儲(chǔ)器和隨機(jī)存儲(chǔ)器的主要區(qū)別是在正常工作電壓的情況下,只能。斷電后,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。(A)寫(xiě)入數(shù)據(jù)(B)不會(huì)丟失(C)讀出數(shù)據(jù)(D)丟失選項(xiàng):A、A,BB、C,BC、A,DD、C,D正確答案:【C,B】10、問(wèn)題:只讀存儲(chǔ)器向存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí),需要加入。選項(xiàng):A、使能片選信號(hào)B、存儲(chǔ)電荷C、選通地址D、高電壓正確答案:【高電壓】11、問(wèn)題:將8K×4存儲(chǔ)容量的只讀存儲(chǔ)器擴(kuò)展為32K×8的只讀存儲(chǔ)器,需要片存儲(chǔ)器。選項(xiàng):A、2B、8C、4D、16正確答案:【8】12、問(wèn)題:衡量存儲(chǔ)器性能的重要指標(biāo)是和。選項(xiàng):A、存取速度B、存儲(chǔ)容量C、集成度D、功耗正確答案:【存取速度#存儲(chǔ)容量】13、問(wèn)題:隨機(jī)存儲(chǔ)器主要由、和三部分構(gòu)成。選項(xiàng):A、存儲(chǔ)矩陣B、地址譯碼器(行、列地址譯碼器)C、讀/寫(xiě)控制電路D、I/O端口正確答案:【存儲(chǔ)矩陣#地址譯碼器(行、列地址譯碼器)#讀/寫(xiě)控制電路】14、填空題:二元尋址分和。一元尋址經(jīng)過(guò)譯碼后字線,占用芯片面積。因此在存儲(chǔ)量比較大時(shí),二元尋址是比較經(jīng)濟(jì)的尋址方式。正確答案:【行地址譯碼器,列地址譯碼器,較多,較大】第7章作業(yè)第7章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:8位D/A轉(zhuǎn)換電路輸入數(shù)字量全為高電平時(shí),輸出模擬電壓為5V。若輸入數(shù)字量只有最高位為高電平,則輸出電壓為V。選項(xiàng):A、2.5B、2.8C、3D、4正確答案:【2.5】2、問(wèn)題:倒T電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換電路與權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換電路相比,克服的缺點(diǎn),提高了。(A)轉(zhuǎn)換速度(B)阻值離散(C)輸出電壓(D)轉(zhuǎn)換精度選項(xiàng):A、A,DB、B,DC、A,CD、B,C正確答案:【B,D】3、問(wèn)題:采樣-保持電路的采樣周期為T(mén),采樣時(shí)間為tw。要求電容C上的采樣電壓uC維持時(shí)間為。選項(xiàng):A、TB、twC、T-twD、越長(zhǎng)越好正確答案:【T-tw】4、問(wèn)題:下面A/D轉(zhuǎn)換電路通常不需要在輸入端引入采樣—保持電路。選項(xiàng):A、逐次比較B、V-TC、V-FD、并行比較正確答案:【并行比較】5、問(wèn)題:速度最快的A/D轉(zhuǎn)換電路是A/D轉(zhuǎn)換電路。選項(xiàng):A、并行比較B、串行比較C、雙積分D、逐次比較正確答案:【并行比較】6、問(wèn)題:逐次比較A/D轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換的時(shí)間主要與和轉(zhuǎn)換后的有關(guān)。(A)時(shí)鐘頻率(B)數(shù)字量的位數(shù)(C)采樣時(shí)間(D)D/A的轉(zhuǎn)換時(shí)間選項(xiàng):A、A,BB、C,BC、D,AD、D,B正確答案:【A,B】7、問(wèn)題:雙積分A/D轉(zhuǎn)換電路對(duì)RC元件的穩(wěn)定性要求。產(chǎn)生的誤差主要為。(A)低(B)高(C)量化誤差(C)非量化誤差選項(xiàng):A、A,CB、B,DC、A,DD、B,C正確答案:【A,C】8、問(wèn)題:雙積分A/D轉(zhuǎn)換電路的缺點(diǎn)是。選項(xiàng):A、轉(zhuǎn)換時(shí)間不固定B、轉(zhuǎn)換速度較慢C、元件穩(wěn)定性要求較高D、抗干擾能力弱正確答案:【轉(zhuǎn)換速度較慢】9、問(wèn)題:D/A轉(zhuǎn)換電路按半導(dǎo)體器件區(qū)分,有和。選項(xiàng):A、單極型CMOSB、雙極型TTLC、單極型ECLD、單極型NMOS正確答案:【單極型CMOS#雙極型TTL】10、問(wèn)題:權(quán)電阻D/A轉(zhuǎn)換器中的解碼網(wǎng)絡(luò)所用的阻值范圍很大,會(huì)產(chǎn)生較大的誤差。選項(xiàng):A、電流B、速度C、精度D、建立時(shí)間正確答案:【電流#精度】11、問(wèn)題:衡量A/D轉(zhuǎn)換電路的主要技術(shù)指標(biāo)是和。選項(xiàng):A、偏移誤差B、轉(zhuǎn)換精度C、轉(zhuǎn)換速度D、分辨時(shí)間正確答案:【轉(zhuǎn)換精度#轉(zhuǎn)換速度】12、問(wèn)題:逐次比較型A/D轉(zhuǎn)換電路加入固定負(fù)電壓補(bǔ)償電壓電路的目的是。選項(xiàng):A、減小量化誤差B、減小偏移誤差C、提高精度D、提高速度正確答案:【減小量化誤差#提高精度】第8章作業(yè)第8章測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題:集成555電路在CO端不使用時(shí),比較器Cl的基準(zhǔn)電壓為,C2的基準(zhǔn)電壓為。(A)2UDD/3(B)UDD/3(C)UDD(D)UDD/2選項(xiàng):A、A、BB、A、CC、B、CD、C、D正確答案:【A、B】2、問(wèn)題:集成555電路在控制電壓端CO處加控制電壓UCO,則C1和C2的基準(zhǔn)電壓將分別變?yōu)?。(A)2UCO/3(B)UCO/3(C)UCO(D)UCO/2選項(xiàng):A、A、BB、A、DC、B、CD、C、D正確答案:【C、D】3、問(wèn)題:施密特觸發(fā)器屬于型電路。選項(xiàng):A、電平觸發(fā)B、邊沿觸發(fā)C、脈沖觸發(fā)D、鎖存器正確答案:【電平觸發(fā)】4、問(wèn)題:選項(xiàng):A、B、C、D、正確答案:【】5、問(wèn)題:施密特觸發(fā)器用于整形時(shí),輸入信號(hào)的幅度應(yīng)。選項(xiàng):A、B、C、D、正確答案:【】6、問(wèn)題:可將變化緩慢的輸入信號(hào)變換為矩形脈沖信號(hào)。選項(xiàng):A、單穩(wěn)態(tài)電路B、施密特觸發(fā)器C、觸發(fā)器D、鎖存器正確答案:【施密特觸發(fā)器】7、問(wèn)題:?jiǎn)畏€(wěn)態(tài)電路從穩(wěn)態(tài)翻轉(zhuǎn)到暫穩(wěn)態(tài)取決于,從暫穩(wěn)態(tài)翻轉(zhuǎn)到穩(wěn)態(tài)取決于。(A)脈沖寬度(B)R和C(C)閾值電壓(D)輸入脈沖信號(hào)選項(xiàng):A、D、BB、D、AC、C、BD、A、B正確答案:【D、B】8、問(wèn)題:?jiǎn)畏€(wěn)態(tài)電路可應(yīng)用于以下哪種情況。選項(xiàng):A、加法器B、定時(shí)電路C、振蕩器D、移位寄存器正確答案:【定時(shí)電路】9、問(wèn)題:將一脈沖寬度為5ms方波信號(hào)變換為相同周期的脈沖寬度為7ms矩形脈沖,可采用。選項(xiàng):A、施密特觸發(fā)器B、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器C、五進(jìn)制計(jì)數(shù)器D、移位寄存器正確答案:【單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器】10、問(wèn)題:可將脈沖高電平寬度不等的脈沖信號(hào)變換成脈沖高電平寬度相等脈沖信號(hào)。選項(xiàng):A、施密特觸發(fā)器B、多諧振蕩器C、單穩(wěn)態(tài)電路D、鎖存器正確答案:【單穩(wěn)態(tài)電路】11、問(wèn)題:是單穩(wěn)態(tài)電路輸出脈沖寬度。選項(xiàng):A、暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間的0.7倍B、穩(wěn)態(tài)時(shí)間C、穩(wěn)態(tài)時(shí)間的0.7倍D、暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間正確答案:【暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間】12、問(wèn)題:?jiǎn)畏€(wěn)態(tài)觸發(fā)器和多諧振蕩器中的暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間與成正比。選項(xiàng):A、脈沖寬度B、R和CC、閾值電壓D、輸入脈沖信號(hào)正確答案:【R和C】13、問(wèn)題:用石英晶體多諧振蕩器代替對(duì)稱多諧振蕩器中的一個(gè)電容,另一個(gè)電容之值應(yīng)。選項(xiàng):A、加大B、減小C、不變D、也換成石英晶體諧振器正確答案:【加大】14、問(wèn)題:欲獲得頻率穩(wěn)定度高的脈沖信號(hào),應(yīng)采用。選項(xiàng):A、單穩(wěn)態(tài)電路B、集成555C、對(duì)稱多諧振蕩器D、石英晶體振蕩器正確答案:【石英晶體振蕩器】15、問(wèn)題:欲使集成555電路組成的振蕩器停止振蕩,應(yīng)按處理。選項(xiàng):A、復(fù)位端接高電平B、復(fù)位端接低電平C、CO接高電平D、CO懸空正確答案:【復(fù)位端接低電平】16、問(wèn)題:為使集成555電路輸出OUT為低電平,應(yīng)滿足條件。選項(xiàng):A、B、C、D、正確答案:【#】17、問(wèn)題:集成555電路在輸出OUT前端設(shè)置了緩沖器G2的主要原因是。選項(xiàng):A、提高高電平B、減低低電平C、提高驅(qū)動(dòng)負(fù)載能力D、放電端(D)電平和輸出端(OUT)保持一致正確答案:【提高驅(qū)動(dòng)負(fù)載能力#放電端(D)電平和輸出端(OUT)保持一致】18、問(wèn)題:用運(yùn)算放大器組成的施密特觸發(fā)器利用了特性。選項(xiàng):A、正反饋B、線性C、負(fù)反饋D、輸出正飽和值與負(fù)飽和值正確答案:【正反饋#輸出正飽和值與負(fù)飽和值】19、問(wèn)題:施密特觸發(fā)器主要作用是、、等。選項(xiàng):A、信號(hào)整形B、波形變換C、提高驅(qū)動(dòng)負(fù)載能力D、幅度鑒別正確答案:【信號(hào)整形#波形變換#幅度鑒別】20、問(wèn)題:觸發(fā)脈沖信號(hào)作用于可重復(fù)觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路時(shí),且暫穩(wěn)態(tài)的時(shí)間大于觸發(fā)脈沖信號(hào)的周期,則單穩(wěn)態(tài)電路的輸出則是一信號(hào)。選項(xiàng):A、倍周期B、正弦C、高電平D、低電平正確答案:【高電平#低電平】21、問(wèn)題:多諧振蕩器的電路結(jié)構(gòu)可歸納為和兩部分。選項(xiàng):A、正反饋的延時(shí)環(huán)節(jié)B、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器C、施密特觸發(fā)器D、開(kāi)關(guān)器件正確答案:【正反饋的延時(shí)環(huán)節(jié)#開(kāi)關(guān)器件】期末試題1、問(wèn)題:PROM是與陣列固定、或陣列編程的器件,輸出在或陣列,其組成電路輸出是。選項(xiàng):A、只與當(dāng)前外輸入有關(guān)B、只與原來(lái)有關(guān)C、與當(dāng)前輸入和原狀態(tài)都有關(guān)D、與輸入無(wú)關(guān)正確答案:【只與當(dāng)前外輸入有關(guān)】2、問(wèn)題:兩個(gè)四位二進(jìn)制數(shù)相加,最高位相加時(shí)相當(dāng)于相加。選項(xiàng):A、一位半加器B、一位全加器C、計(jì)數(shù)器D、加法器正確答案:【一位全加器】3、問(wèn)題:FPGA芯片掉電信息丟失,原因是編程單元采用的是。選項(xiàng):A、浮柵MOS器件B、熔絲C、反熔絲D、觸發(fā)器正確答案:【觸發(fā)器】4、問(wèn)題:隨機(jī)存儲(chǔ)器中的8位地址譯碼器采用二維(4,4)地址譯碼,字線共根字線。選項(xiàng):A、2B、240C、256D、16正確答案:【16】5、問(wèn)題:一時(shí)序電路中有D觸發(fā)器,其驅(qū)動(dòng)端的驅(qū)動(dòng)方程可能是。選項(xiàng):A、Qn⊕Qn+1B、Qn+Qn+1C、1D、全有可能正確答案:【全有可能】6、問(wèn)題:集成555電路在控制電壓端CO處加控制電壓UCO,則集成555內(nèi)部比較器C1的基準(zhǔn)電壓是。選項(xiàng):A、2UCO/3B、UCO/3C、UCOD、UCO/2正確答案:【UCO】7、問(wèn)題:有A,B,C,D,E,F(xiàn)六個(gè)狀態(tài),A和C,D和F,E和B,F(xiàn)和C分別等價(jià),則全部最大等價(jià)類為。選項(xiàng):A、[A,C,F(xiàn)][D,F(xiàn),C][B,E]B、[A,C,D,F(xiàn)]C、[B,E]D、[A,C,D,F(xiàn)][B,E]正確答案:【[A,C,D,F(xiàn)][B,E]】8、問(wèn)題:5421BCD碼共有狀態(tài)。選項(xiàng):A、8B、16C、12D、10正確答案:【10】9、問(wèn)題:選項(xiàng):A、B、對(duì)C、不應(yīng)該用輸出邏輯F分析D、吸收率分析得出結(jié)論正確答案:【不應(yīng)該用輸出邏輯F分析】10、問(wèn)題:兩個(gè)普通TTL門(mén)線與是的。選項(xiàng):A、有條件B、可以C、不可以D、加一個(gè)UDD正確答案:【不可以】11、問(wèn)題:CMOS驅(qū)動(dòng)TTL電路時(shí),需要考慮。選項(xiàng):A、電壓匹配B、電流匹配C、電容負(fù)載D、電阻匹配正確答案:【電流匹配】12、問(wèn)題:以下幾種電路中,那種電路抗干擾能力最弱。。選項(xiàng):A、TTLB、ECLC、I2LD、CMOS正確答案:【I2L】13、問(wèn)題:IIH拉電流是前級(jí)驅(qū)動(dòng)門(mén)截止時(shí),IIH后級(jí)門(mén)T1的發(fā)射級(jí)。選項(xiàng):A、流入B、流出C、繞過(guò)D、(A)和(B)正確答案:【流入】14、問(wèn)題:圖1電路中,信號(hào)A低電平(0V)從X點(diǎn)到Z點(diǎn)傳輸過(guò)程中,有較大的干擾或噪聲疊加到Z點(diǎn),但還維持在CMOS非門(mén)截止的電壓,請(qǐng)問(wèn)輸出F是。選項(xiàng):A、UDDB、0VC、5VD、8V正確答案:【0V】15、問(wèn)題:在圖2電路中,保證電路執(zhí)行非門(mén)操作,輸入信號(hào)A為邏輯低電平“0”,輸出F為邏輯“1”時(shí),信號(hào)B、D應(yīng)該是。選項(xiàng):A、1、0B、0、0C、0、1D、1、1正確答案:【1、0】16、問(wèn)題:下面四個(gè)編碼中,哪個(gè)抗干擾能力最強(qiáng)。選項(xiàng):A、1000→0100→0010→0001→1000B、0000→0001→0011→0111→1111→1110→1100→1000→0000C、00

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