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文檔簡介

知方向?曉規(guī)律?懂原理電工電子技術半導體基礎及PN結的特性半導體概述銅金屬鐵金屬橡膠塑料硅晶體鍺晶體導體半導體絕緣體半導體材料的特點半導體的導電能力，受到光和熱的影響。

光照?

導電能力?T?

導電能力?純凈的半導體中加入雜質后，導電能力大大增強。本征半導體本征半導體：就是完全純凈的半導體。本征激發(fā)：就是半導體受到光照或溫度升高時，外層價電子會脫離原子核的束縛，形成自由電子?？昭ǎ寒a(chǎn)生一個自由電子的同時，就會產(chǎn)生一個空穴。空穴SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi正離子核自由電子本征半導體的導電特性在半導體的兩端加上外電壓時，半導體中將出現(xiàn)兩部分電流：（1）電子電流：自由電子作定向運動；（2）空穴電流：空穴不斷被價電子填補，所產(chǎn)生的運動。載流子雜質半導體

本征半導體的載流子濃度低、導電能力差。為了改善其導電性能，在本征半導體中摻入微量的雜質元素，可以提高載流子濃度，把摻雜后的半導體稱為雜質半導體。N型半導體

本征半導體中摻入五價元素（如磷原子）后，磷原子只有四個價電子能與周圍原子中的價電子形成共價鍵，多余的一個價電子因不受共價鍵束縛而成為自由電子。磷原子多余的外層電子SiSiSiP+SiSiSiSiSiSiSiSiSiP型半導體

本征半導體中摻入三價元素（如硼原子）后，硼原子只有三個價電子能與周圍原子中的價電子形成共價鍵，缺少一個價電子形成共價鍵而留下一個空穴。Si缺少價電子留下的空穴SiSiSiB－SiSiSiSiSiSiSiSiPN結

采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體和N型半導體制作在同一基片上，在它們交界面所形成的空間電荷區(qū)，就稱為PN結。PN結的形成P區(qū)N區(qū)擴散運動多子濃度差漂移運動擴散運動漂移運動動態(tài)平衡內電場空間電荷區(qū)/耗盡層

阻擋層PN結的單向導電特性（1）PN結正偏：P區(qū)接負極，N區(qū)接正極。P區(qū)N區(qū)IFPN結的單向導電特性（2）PN結反偏：P區(qū)接正極，N區(qū)

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