芯片封裝中級(jí)工技能鑒定理論考試題庫(kù)大全-上（選擇題）

PAGEPAGE1芯片封裝中級(jí)工技能鑒定理論考試題庫(kù)大全-上（選擇題匯總）一、單選題1.一塊半導(dǎo)體壽命τ=15μs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。A、1/4B、1/eC、1/e2D、1/2答案：C2.陶瓷雙列封裝代號(hào)是（）。A、WB、FC、PD、答案：D3.一般半導(dǎo)體它的價(jià)帶頂位于（），而導(dǎo)帶底位于（）。A、波矢k=0或附近，波矢k≠0B、波矢k≠0，波矢k=0或附近C、波矢k=0，波矢k≠0D、波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=0答案：D4.X射線照相時(shí)，應(yīng)采用（）放大倍數(shù)觀察X射線照片。A、2-8倍B、4-20倍C、6-25倍D、8-30倍答案：C5.半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)目相等，這樣的半導(dǎo)體稱為（）。A、P型半導(dǎo)體B、N型半導(dǎo)體C、本征半導(dǎo)體D、P型和N型摻雜濃度相等的半導(dǎo)體答案：C6.柯伐合金用于各類管殼材料，它的合金是（）。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Co-CuD、Fe-Pb-Sn答案：B7.底部填充膠可以有效緩解芯片和基板的()。A、結(jié)合力大小B、熱膨脹系數(shù)C、熱失配D、熱疲勞壽命答案：C8.晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一族曲線表示，其中每一條曲線對(duì)應(yīng)一個(gè)特定的（）。A、icB、UCEC、IbD、iE答案：C9.測(cè)量凝膠時(shí)間時(shí)，少量塑封料粉末軟化在可精確控制的熱板上，溫度通常設(shè)定為()，形成黏稠的流動(dòng)狀態(tài)，定時(shí)用探針探測(cè)是否凝膠。A、170℃B、280℃C、100℃D、45℃答案：A10.三視圖的主視圖表示（）。A、從形體左方向右看的形狀和寬度B、從形體右方向左看的形狀和寬度C、從形體上方向下看的形狀和長(zhǎng)度D、從形體前方向后看的形狀和長(zhǎng)度答案：D11.本征半導(dǎo)體是指（）的半導(dǎo)體。A、不含雜質(zhì)和缺陷B、電阻率最高C、電子密度和空穴密度相等D、電子密度與本征載流子密度相等答案：A12.錫膏攪拌的目的是()。A、使金屬顆粒與助焊劑充分混合B、使氣泡揮發(fā)C、提高黏稠性D、將金屬顆粒磨細(xì)答案：A13.氣密密封方法常用（）和玻璃熔封工藝方法。非氣密密封方法通常用膠粘法和塑封法。A、釬焊、熔焊、平行縫焊B、釬焊、激光焊、超聲焊C、平行縫焊、點(diǎn)焊、激光焊D、平行縫焊、點(diǎn)焊、超聲焊答案：A14.焊料的潤(rùn)濕性與鍍金層()。A、無(wú)關(guān)系B、很大關(guān)系C、非主要關(guān)系D、一般關(guān)系答案：B15.下列溶液中分別加入足量的鐵粉，充分作用后，溶液中的陽(yáng)離子總物質(zhì)的量明顯減少，該溶液是（）。A、CuCl2B、FeCl3C、HClD、AlCl3答案：C16.將1000pF的電容和2000pF的電容并聯(lián)，其并聯(lián)電容為（）。A、4000pFB、667pFC、1500pFD、3000pF答案：D17.封電路蓋板焊料環(huán)使用材料通常是（）。A、錫鉍合金B(yǎng)、錫銀銅合金C、金錫合金D、鐵鎳合金答案：C18.釬焊密封工藝用的焊料一般選取答案：AuSn20共晶焊料，共晶點(diǎn)為280℃，釬焊溫度應(yīng)為（）。A、290～310℃B、310～330℃C、330～350℃D、330～350℃答案：B19.芯片背面減薄的目的是()。A、裝焊時(shí)有良好的浸潤(rùn)性B、歐姆接觸增大C、是壓焊的要求D、減少費(fèi)用答案：A20.芯片共晶焊接工藝中所用的金-銻合金熔點(diǎn)是()。A、280℃B、327℃C、360℃D、373℃答案：C21.影響平行封焊質(zhì)量的主要因素是（）。A、焊接電流、焊接速度、電極錐度和直徑B、焊接電流與環(huán)境條件C、個(gè)人因素與管殼材料D、機(jī)器性能答案：A22.由于平行縫焊的焊縫在外殼邊緣，被熔焊的區(qū)域很小，屬局部加溫，因此對(duì)芯片的（）小。A、熱沖擊B、機(jī)械沖擊C、影響D、振動(dòng)沖擊答案：A23.如果一半導(dǎo)體的導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，那么該半導(dǎo)體必定（）。A、不含施主雜質(zhì)B、不含受主雜質(zhì)C、不含任何雜質(zhì)D、處于絕對(duì)零度答案：D24.任何單位或個(gè)人對(duì)事故隱患或者安全生產(chǎn)違法行為，()。A、均有權(quán)向負(fù)有安全生產(chǎn)監(jiān)督管理職責(zé)的部門(mén)報(bào)告或舉報(bào)；B、只能向其所在單位的安全管理部門(mén)報(bào)告；C、不能匿名舉報(bào)。答案：A25.防靜電手鐲和地線之間應(yīng)該()。A、導(dǎo)通B、有一個(gè)10Ω左右的電阻C、有一個(gè)1MΩ電阻D、有一個(gè)10MΩ左右的電阻答案：C26.163.三視圖的左視圖表示()。A、從形體左方向右看的形狀和寬度B、從形體右方向左看的形狀和寬度C、從形體上方向下看的形狀和長(zhǎng)度D、從形體前方向后看的形狀和長(zhǎng)度答案：A27.三線電纜中的紅色線是（）。A、零線B、火線C、地線答案：B28.在晶體硅中摻入元素（）雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。A、鍺B、磷C、硼D、錫答案：B29.在塑封工藝中，為完全固化大部分環(huán)氧模塑料，需要在（）的后固化。A、170~175℃、進(jìn)行4小時(shí)B、175~180℃、進(jìn)行2小時(shí)C、160~170℃、進(jìn)行6小時(shí)答案：A30.用6235高強(qiáng)度聚酷漆封裝由于其與硅鋁絲的線膨脹系數(shù)不匹配，在－55～125℃溫度沖擊試驗(yàn)條件下，內(nèi)引線容易()造成失效。A、蛻焊B、接斷C、彎曲D、互連答案：A31.貯能焊封裝底座為銅材料，殼帽為4J29不能直接封焊，應(yīng)采取的措施是（C）。A、銅鍍鎳B、銅底座加4J29封裝環(huán)C、先鍍鎳而后鍍金D、帽鍍鎳層加厚答案：C32.產(chǎn)品質(zhì)量是()。A、是設(shè)計(jì)出來(lái)的B、是制造出來(lái)的C、是檢驗(yàn)出來(lái)的D、是多種因素的綜合反應(yīng)答案：D33.熱壓焊只能用()。A、金絲B、鋁絲C、硅鋁絲D、銅絲答案：A34.不可見(jiàn)輪廓線采用（）來(lái)繪制。A、粗實(shí)線B、虛線C、細(xì)實(shí)線D、點(diǎn)劃線答案：B35.如果焊球?yàn)楣簿сU錫焊料，那么底部填充膠材料惹膨脹系數(shù)可以選擇在()ppm/℃之間。A、10~20B、20~30C、20~40D、10~40答案：C36.GaAsMESFET是屬于（）器件。A、雙極型B、增強(qiáng)型C、耗盡型答案：C37.1000級(jí)凈化間是在1立方英尺的空氣中有（）個(gè)尺寸為0.5μm的顆粒物。A、1B、10C、100D、1000答案：D38.對(duì)大注入條件下，在一定的溫度下，非平衡載流子的壽命與（）。A、平衡載流子濃度成正比B、非平衡載流子濃度成正比C、平衡載流子濃度成反比D、非平衡載流子濃度成反比答案：D39.激光焊屬于()。A、熔焊B、焊料焊C、冷焊D、電熱焊答案：A40.三視圖的主視圖表示()。A、從形體左方向右看的形狀和寬度B、從形體右方向左看的形狀和寬度C、從形體上方向下看的形狀和長(zhǎng)度D、從形體前方向后看的形狀和長(zhǎng)度答案：D41.平行封焊的每個(gè)焊點(diǎn)間（）重疊。A、小于1/10B、1/3-1/2C、大于1/2D、完全答案：B42.機(jī)器貼片過(guò)程中吸頭一個(gè)吸到一個(gè)吸不到的原因()。A、吸頭是否真空B、氣壓不足C、飛達(dá)走距不對(duì)D、以上都不是答案：C43.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的（）。A、一個(gè)原因B、主要原因C、次要原因D、必然原因答案：B44.催化劑對(duì)反應(yīng)速率的影響是（）。A、能加快正向反應(yīng)B、能加快逆向反應(yīng)C、同等程度地加快正向反應(yīng)和逆向反應(yīng)D、正向反應(yīng)和逆向反應(yīng)速率都無(wú)變化答案：C45.改進(jìn)環(huán)焊電極度平行可以防止()。A、熔化金屬飛濺B、電極觸頭沾熔C、產(chǎn)生焊料縫空隙D、提升打火答案：C46.以下哪種不是芯片封裝可靠性測(cè)試項(xiàng)目？()。A、溫度循環(huán)測(cè)試B、機(jī)械振動(dòng)C、熱沖擊D、高壓蒸煮答案：B47.生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用危險(xiǎn)化學(xué)品和處置廢棄危險(xiǎn)化學(xué)品單位的（）對(duì)本單位危險(xiǎn)化學(xué)品的安全負(fù)責(zé)。A、保衛(wèi)部門(mén)負(fù)責(zé)人B、安全部門(mén)負(fù)責(zé)人C、主要負(fù)責(zé)人D、生產(chǎn)部門(mén)負(fù)責(zé)人答案：C48.釬焊密封工藝溫度控制包括（）。A、釬焊溫度、保溫時(shí)間和升降溫速度B、升溫速度、保溫時(shí)間和降溫速度C、釬焊溫度、升溫速度和降溫速度D、預(yù)熱溫度、升溫速度和降溫速度答案：A49.粗檢漏壓完后將電路放進(jìn)（）中進(jìn)行檢漏。A、丙酮B、氟油C、酒精D、去離子水答案：B50.SMT出現(xiàn)元件豎碑的主要原因是()。A、PCB板面溫度不均勻B、錫膏助焊劑含量過(guò)多C、PCB板面溫度過(guò)低D、PCB板面溫度過(guò)高答案：A51.圓片減薄是對(duì)圓片進(jìn)行()減薄。A、正面B、背面C、側(cè)面D、邊緣答案：B52.要改變可逆反應(yīng)A+B=C+D的標(biāo)準(zhǔn)平衡常數(shù)，可以采取的措施是（）。A、改變系統(tǒng)的總壓力B、加入催化劑C、改變A/B/C/D的濃度D、升高或降低溫度答案：D53.用紙盒包裝電路必須使用（）紙。A、酸性B、中性C、堿性D、非中性答案：B54.沖切不合格的是（）。A、引線端頭有毛刺B、引線合乎規(guī)定長(zhǎng)度C、符合公差要求D、未損傷封裝結(jié)構(gòu)的其它部位答案：A55.焊料焊的()性能比熔焊差。A、機(jī)械沖擊B、耐腐蝕性C、耐鹽霧D、耐老化答案：A56.陶瓷扁平封裝代號(hào)是（）。A、WB、PC、FD、K答案：C57.當(dāng)施主能級(jí)ED與費(fèi)米能級(jí)EF相等時(shí)，電離施主的濃度為施主濃度的（）倍；A、1B、1/2C、1/3D、1/4答案：C58.任何一個(gè)封裝結(jié)構(gòu)非常完善的集成電路，其密封性能（）。A、不是絕對(duì)的B、是絕對(duì)的C、完全確定的D、是肯定的答案：A59.半導(dǎo)體溫差致冷器的作用是（）。A、整流B、致冷C、抽真空D、分壓答案：B60.一般MOS型集成電路的隔離是()。A、與絕大多數(shù)雙極型集成電路一樣的PN結(jié)隔離B、介質(zhì)隔離C、介質(zhì)隔離和PN結(jié)隔離D、自隔離答案：D61.室內(nèi)溫度要求控制在18~28℃，濕度要求控制在()。A、20％~50％B、30％~60％C、30％~70％D、40％~80％答案：C62.軍用電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須()。A、填寫(xiě)流程卡，工序原始記錄B、填寫(xiě)工作日記C、記重要事件D、所做工作全部記錄答案：A63.與平行封焊的焊接速度無(wú)關(guān)的是()。A、電極直徑B、電流大小C、脈沖寬度D、脈沖頻率答案：A64.柯伐合金用于各類管殼材料，合金由下列組成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Co-CuD、Fe-PB-Sn答案：B65.柯伐合金用于各類管殼材料，合金由下列組成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-W-CuD、Fe-W-Sn答案：B66.載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)為（）。A、漂移運(yùn)動(dòng)B、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)C、熱運(yùn)動(dòng)D、共有化運(yùn)動(dòng)答案：A67.一般來(lái)說(shuō)，集成電路的散熱方式以（）為主。A、輻射B、對(duì)流C、傳導(dǎo)D、對(duì)流和輻射答案：A68.CCGA主要焊柱90Pb10Sn材質(zhì)主要特點(diǎn)是()。A、較硬B、較軟C、較長(zhǎng)D、較短答案：B69.SMT印刷完錫膏的產(chǎn)品必須在幾小時(shí)內(nèi)完成貼裝及焊接()。A、30minB、2hC、1hD、1.5h答案：B70.混合集成電路金屬封裝有（）、淺腔型、扁平型和圓型A、平板型B、平面型C、底盤(pán)型答案：A71.軍用混合微電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須()。A、填寫(xiě)流程卡B、填寫(xiě)工序原始記錄表C、填寫(xiě)工作日記D、A和B答案：D72.共晶粘片時(shí)，通常采用的保護(hù)氣體是()。A、N2B、氬氣C、H2D、96%N2+4%H2答案：A73.引出端識(shí)別標(biāo)志很少采用()。A、凹口B、凸點(diǎn)C、缺角D、文字答案：D74.外部互聯(lián)主要由最早的()方式發(fā)展到目前的表面粘裝方式。A、鑲嵌B、粘接C、插裝D、封裝答案：D75.塑封料中包含離子污染物，包括來(lái)自用于樹(shù)脂環(huán)氧化過(guò)程中的環(huán)氧氯丙烷中的().作為阻燃劑添加入樹(shù)脂的()。A、氯離子，溴離子B、碘離子，氯離子C、溴離子，氯離子D、鐵離子，碘離子答案：A76.質(zhì)量管理體系文件包括（）。A、質(zhì)量手冊(cè)，程序文件B、相關(guān)的運(yùn)行，控制文件C、作業(yè)規(guī)范，質(zhì)量記錄D、A.B和C答案：D77.雜質(zhì)對(duì)于半導(dǎo)體導(dǎo)電性能有很大影響，下面哪兩種雜質(zhì)分別摻雜在硅中能顯著地提高硅的導(dǎo)電性能（）。A、硼或鐵B、鐵或銅C、硼或磷D、金或銀答案：C78.作為目前航天領(lǐng)域較為先進(jìn)的CBGA和CCGA形式，其在()和可靠性方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。A、輸入?yún)?shù)B、引出端數(shù)C、植入?yún)?shù)D、得出端數(shù)答案：B79.混合電路內(nèi)部多余物的最主要來(lái)源于()。A、管殼B、元件C、組裝與鍵合工藝D、傳遞答案：C80.為了將物體的外部形狀表達(dá)清楚，一般采用（）個(gè)視圖來(lái)表達(dá)。A、二B、三C、四D、五答案：A81.芯片共晶焊接工藝中所用的金-鍺合金熔點(diǎn)為()。A、327℃B、356℃C、380℃D、397℃答案：B82.人體發(fā)生觸電后，根據(jù)電流通過(guò)人體的途徑和人體觸及帶電體方式，一般可分為單相觸電、兩相觸電及（）。A、三相觸電B、跨步電壓觸電C、直接觸電D、間接觸電答案：B83.倒裝焊球的直徑大致在()范圍內(nèi)。A、100~150μmB、50~300μmC、80~300μmD、80~150μm答案：C84.下列關(guān)于Na和Na+的敘述中,錯(cuò)誤的是（）。A、具有相同的質(zhì)子數(shù)B、它們的化學(xué)性質(zhì)相似C、鈉離子是鈉原子的氧化產(chǎn)物D、灼燒時(shí)火焰都呈黃色答案：B85.目前，SMT每人每小時(shí)的平均產(chǎn)量目標(biāo)是()。A、68.7PCSB、60PCSC、67.8PCSD、70PCS答案：C86.HIC電路老煉是指（）。A、按HIC產(chǎn)品技術(shù)要求在額定溫度和時(shí)間內(nèi)對(duì)電路通電工作的方式B、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下放置數(shù)小時(shí)C、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下加電測(cè)試D、將HIC產(chǎn)品在高溫下工作數(shù)小時(shí)后，再放在低溫下工作數(shù)小時(shí)答案：A87.下列不屬于掃描電子顯微技術(shù)優(yōu)點(diǎn)的是：()。A、有較高的放大倍數(shù)，20-20萬(wàn)倍之間連續(xù)可調(diào)B、有很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表

面的細(xì)微結(jié)構(gòu)C、試樣制備簡(jiǎn)單D、試樣制備復(fù)雜答案：D88.釬焊密封工藝主要用于陶瓷封裝和（）。A、塑料封裝B、金屬封裝C、金屬陶瓷封裝答案：C89.電阻膜越厚，則其阻值相對(duì)（）。A、越大B、越小C、不變D、與厚度無(wú)關(guān)答案：B90.XRF分光計(jì)的穿透深度是根據(jù)所使用的材料而變化的，但是能超過(guò)()um。A、70B、30C、50D、20答案：C91.扁平封裝結(jié)構(gòu)的最大厚度為()。A、2.0mmB、2.1mmC、4mmD、4.2mm答案：B92.焊料焊時(shí)施加的壓力應(yīng)根鋸()而定。A、焊接面積B、焊料熔化溫度C、金屬厚度D、管殼種類答案：A93.《中華人民共和國(guó)安全生產(chǎn)法》自（）起施行。A、2002年9月1日B、2002年10月1日C、2002年11月1日D、2002年12月1日答案：C94.超聲鍵合對(duì)鍵合表面清潔度要求()。A、較高B、較低C、不要求D、目檢合格答案：A95.在阻值調(diào)整后，還應(yīng)進(jìn)行直流負(fù)荷試驗(yàn)。即在電阻上加相當(dāng)于（）額定功率的直流電壓，負(fù)荷時(shí)間為5s。但對(duì)阻值低于200Ω的電阻，不進(jìn)行此項(xiàng)試驗(yàn)。A、1倍以下B、2～5倍C、10～100倍D、1000倍左右答案：B96.我司SMT工序的的溫濕度要求分別是()。A、22±3℃.30-65%B、25±3℃.45-65%C、25±3℃.40-60%D、26±3℃.40-70%答案：C97.為了加速塑料的交聯(lián)反應(yīng)而固化，塑封時(shí)應(yīng)加入（）。A、脫模劑B、著色劑C、阻燃劑D、固化劑答案：D98.下面情況下的材料中，室溫時(shí)功函數(shù)最大的是（）。A、含硼1×1015cm-3的硅B、含磷1×1016cm-3的硅C、含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅D、純凈的硅答案：A99.如在半導(dǎo)體中以長(zhǎng)聲學(xué)波為主要散射機(jī)構(gòu)是，電子的遷移率n與溫度的（）。A、平方成正比B、2/3次方成反比C、平方成反比D、2/3次方成正比答案：B100.()是一種性能優(yōu)良的熱沉材料。A、陶瓷B、晶體硅C、碳化硅鋁D、水銀答案：C101.航天用倒裝焊基板主要采用()基板。A、塑封B、陶瓷C、不銹鋼D、銅制答案：B102.下列哪個(gè)不屬于鑒定過(guò)程？()A、實(shí)物鑒定B、虛擬鑒定C、產(chǎn)品鑒定D、量產(chǎn)鑒定答案：A103.氮?dú)馐且环N（）氣體。A、還原性B、氧化性C、惰性D、可燃答案：C104.質(zhì)量問(wèn)題歸零五條標(biāo)準(zhǔn)的根本任務(wù)是()。A、防止質(zhì)量問(wèn)題再發(fā)生B、處理應(yīng)急質(zhì)量事故C、完成型號(hào)生產(chǎn)任務(wù)D、為了教育大家答案：A105.我司BM123貼片機(jī)氣壓的控制標(biāo)準(zhǔn)是()。A、0.5-0.55MPaB、0.3-0.50MPaC、0.2-0.55MPaD、0.4-0.45MPa答案：D106.陶瓷封裝一般采用（）工藝制造，用90%~95%氧化鋁陶瓷做絕緣，有黑色和白色陶瓷之分。A、共燒多層陶瓷B、陶瓷C、金屬化答案：A107.電阻率的國(guó)際單位為（）。A、ΩB、Ω/㎝C、Ω·mD、Ω·㎝答案：C108.混合電路內(nèi)部發(fā)現(xiàn)的污染物主要來(lái)源()。A、外觀檢驗(yàn)B、成品入庫(kù)C、工藝加工D、大氣答案：C109.對(duì)于只含一種雜質(zhì)的非簡(jiǎn)并n型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)EF隨溫度上升而（）。A、單調(diào)上升B、單調(diào)下降C、經(jīng)過(guò)一個(gè)極小值趨近EiD、經(jīng)過(guò)一個(gè)極大值趨近Ei答案：D110.佩戴防靜電手環(huán)的目的是（）。A、防止污染器件B、防止劃傷器件C、防止器件靜電損傷D、防止人員觸電答案：C111.超聲鍵合所用的硅鋁絲是含1%硅的冷拉鋁絲，加硅的目的是()。A、提高鋁絲的抗拉強(qiáng)度B、提高鋁絲的抗氧化能力C、提高鋁絲得到通能力D、提高鋁絲機(jī)械強(qiáng)度答案：A112.不屬于熔焊的是()。A、紅外焊B、環(huán)焊C、平行封焊D、電子束焊答案：A113.芯片共晶焊接工藝中所用的金-鍺合金熔點(diǎn)為()。A、320℃B、356℃C、380℃D、280℃答案：B114.三氧化二鉻是一種()。A、脫模劑B、著色劑C、固化劑D、填充劑答案：B115.細(xì)檢漏使用（）氣體施加壓力。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮?dú)獯鸢福築116.單晶硅中的硅原子排列是()。A、無(wú)規(guī)則的B、有規(guī)則的C、僅在一個(gè)方向上有規(guī)則D、不確定答案：B117.NPN型和PNP型晶體管的區(qū)別是（）。A、由兩種不同材料硅和鍺制成的B、摻入雜質(zhì)元素不同C、P區(qū)和N區(qū)的位置不同答案：C118.釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)濕度控制。為了控制腔體內(nèi)的濕度，應(yīng)設(shè)立（）。A、濕度檢測(cè)工藝B、預(yù)烘烤工藝C、預(yù)封工藝D、真空封裝工藝答案：B119.塑封遞模成型法引線框架預(yù)熱溫度一般為()℃。A、20～40B、40～60C、80～120D、l30～140答案：C120.平行縫焊參數(shù)不包括（）。A、質(zhì)量B、脈沖寬度C、壓力D、速度答案：A121.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定，生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位不得使用國(guó)家明令淘汰、什么？（）。A、工藝，設(shè)備B、工具C、原材料D、設(shè)備答案：A122.環(huán)焊時(shí)提高充電電壓可以()。A、增強(qiáng)焊接強(qiáng)度B、防止金屬飛濺C、防止表面污點(diǎn)D、防止觸頭沾熔答案：A123.對(duì)于一定的n型半導(dǎo)體材料，溫度一定時(shí)，減少摻雜濃度，將導(dǎo)致（）靠近Ei。A、ECB、EvC、EgD、EF答案：D124.變頻損耗是（）的重要參數(shù)。A、晶體管B、開(kāi)關(guān)二極管C、混頻二極管答案：C125.對(duì)于單片航天用陶瓷封裝工藝線靜電控制，需要建立()系統(tǒng)。A、防靜電B、接地線C、放電D、等電位答案：D126.平行縫焊滾輪電極的材料可以是（）。A、生鐵B、鎢銅C、化鍍鎳D、電鍍鎳答案：B127.JEDEC給出的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：LSI芯片封裝面積小于或等于LSI裸芯片面積()的產(chǎn)品稱為CSP，制備CSP芯片的技術(shù)稱CSP技術(shù)。A、150%B、120%C、100%D、80%答案：C128.粗檢漏使用（）氣體施加壓力。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮?dú)獯鸢福篋129.基片應(yīng)具有良好的絕緣性能，即要有高的（）。A、強(qiáng)度B、導(dǎo)電性C、密度D、絕緣電阻率答案：A130.超聲鍵合的尾絲不能超過(guò)鋁絲直徑的()。A、一倍B、兩倍C、三倍D、三倍半答案：B131.鋁絲超聲焊的尾絲不能超過(guò)鋁絲直徑的()。A、一倍B、兩倍C、三倍D、四倍答案：B132.三極管的ICEO大，說(shuō)明其（）。A、工作電流大B、擊穿電壓高C、壽命長(zhǎng)D、熱穩(wěn)定性差答案：D133.硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為（）。A、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)球形等能面B、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的6個(gè)球形等能面C、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<111>方向的8個(gè)橢球等能面D、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿<100>方向的6個(gè)橢球等能面答案：D134.實(shí)驗(yàn)室用氧化鈉配制50g質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6％的氯化鈉溶液。下列說(shuō)法中不正確的是（）。A、所需氯化鈉的質(zhì)量為3gB、氯化鈉放在托盤(pán)天平的左盤(pán)稱量C、俯視量筒讀數(shù)會(huì)使所配溶液偏稀D、所需玻璃儀器有燒杯、玻璃棒、量筒等答案：C135.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位的從業(yè)人員應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格遵守本單位的（）。A、安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程B、勞動(dòng)紀(jì)律C、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)答案：A136.紅外光顯微鏡是一種利用波長(zhǎng)在()nm到()μm范圍內(nèi)的紅外光作為像的形成者，用來(lái)觀察某些不透明物體的顯微鏡。A、800；40B、800；80C、800；20D、20；800答案：C137.下列不屬于鑒定試驗(yàn)的目的是()。A、評(píng)價(jià)產(chǎn)品的質(zhì)量，判斷其是否符合設(shè)計(jì)要求；B、估計(jì)其預(yù)期工作壽命和有效性；C、獲得器件及其結(jié)構(gòu)完整性的信息；D、評(píng)價(jià)材料.工藝和設(shè)計(jì)的效能。答案：B138.平行縫焊蓋板的鍍層材料通常是（）。A、化鍍鎳B、化鍍銅C、電鍍銅D、電鍍銀答案：A139.目前使用的錫膏每瓶重量()。A、500gB、250gC、800gD、1000g答案：A140.返修工藝步驟是：()A、電路板和芯片預(yù)熱→涂助焊劑.焊錫膏→拆除芯片→清潔焊盤(pán)→貼片.焊接B、電路板和芯片預(yù)熱→清潔焊盤(pán)→涂助焊劑.焊錫膏→拆除芯片→貼片.焊接C、電路板和芯片預(yù)熱→拆除芯片→清潔焊盤(pán)→涂助焊劑.焊錫膏→貼片.焊接D、電路板和芯片預(yù)熱→涂助焊劑.焊錫膏→貼片.焊接→拆除芯片→清潔焊盤(pán)答案：C141.四邊扁平封裝英文簡(jiǎn)稱是()。A、OIPB、QFPC、BGAD、IP答案：B142.安全用電壓()。A、110VB、220VC、380VD、36V答案：D143.航天用器件中常用合金成分為()。A、有銀焊膏B、有銅焊膏C、有鉛焊膏D、有錫焊膏答案：C144.使用顯微鏡時(shí)，（）。A、應(yīng)用小倍數(shù)鏡頭開(kāi)始調(diào)整，然后換成大倍數(shù)鏡頭B、直接用大倍數(shù)鏡頭觀察C、應(yīng)用大倍數(shù)鏡頭開(kāi)始調(diào)整，然后換成小倍數(shù)鏡頭D、無(wú)所謂大小倍數(shù)鏡頭的調(diào)整答案：A145.與分析工具性能相關(guān)的因素不包括()A、分辨率B、穿透率C、方法（破壞性的或非破壞性的）D、材料顏色答案：D146.屬于非氣密性封裝的是()。A、金屬B、玻璃C、陶瓷D、塑料答案：D147.在Si材料中摻入P，則引入的雜質(zhì)能級(jí)（）。A、在禁帶中線處B、靠近導(dǎo)帶底C、靠近價(jià)帶頂D、以上都不是答案：B148.大多數(shù)硅芯片主要采用金屬()來(lái)制作芯片電路布線。A、銅B、金C、銀D、鋁答案：D149.金錫共晶焊料的熔點(diǎn)為（）。A、150℃B、280℃C、350℃D、400℃答案：B150.氟碳化合物加壓檢漏工藝流程如下：（1）將器件置于加壓箱中并抽真空；（2）在不破壞真空條件下，注入（），充一定壓力氣體，保存一定時(shí)間；（3）取出器件并使其干燥；（4）將器件置于檢漏儀浴槽中，浴槽中的（）已加熱到125℃±5℃。A、高沸點(diǎn)氟油低沸點(diǎn)氟油B、低沸點(diǎn)氟油高沸點(diǎn)氟油C、低沸點(diǎn)氟油低沸點(diǎn)氟油D、高沸點(diǎn)氟油高沸點(diǎn)氟油答案：B151.產(chǎn)品質(zhì)量()。A、是設(shè)計(jì)出來(lái)的B、是制造出來(lái)的C、是檢驗(yàn)出來(lái)的D、是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)答案：D152.人體佩帶的接地腕帶的合格接地電阻值應(yīng)為（）之內(nèi)。A、7.5X105~3.5X107ΩB、7.5X10-5~3.5X10-7ΩC、＜7.5X105Ω答案：A153.首件鑒定是鑒定（）。A、過(guò)程能力B、批生產(chǎn)能力C、產(chǎn)品質(zhì)量D、生產(chǎn)效率答案：A154.（）封裝不需由外殼廠進(jìn)行配套,因而工作量大為降低。A、熔封B、平行封焊C、焊料焊D、塑料答案：D155.平行封焊的圓錐形電極最好使用()。A、鎢銅B、黃銅C、紫銅D、合金鋼答案：A156.玻璃陶瓷扁平封裝的代號(hào)是()。A、WB、DC、FD、P答案：A157.滴定管正確的讀數(shù)方法是從水平方向讀取彎月面的（）數(shù)值。A、最高點(diǎn)B、最低點(diǎn)C、平均D、加權(quán)答案：B158.CMOS電路組裝中禁止的是()。A、穿防靜電工作服B、帶防靜電手鐲C、用防靜電周轉(zhuǎn)箱D、用塑料板鋪設(shè)工作臺(tái)答案：D159.錫膏的保質(zhì)期為6個(gè)月，必須存儲(chǔ)存溫度()無(wú)霜的情況下。A、0-5℃B、≤5℃C、≤10℃D、0-10℃答案：D160.目前航天用陶瓷封裝工藝線的凈化等級(jí)為()級(jí)。A、千級(jí)B、萬(wàn)級(jí)C、十萬(wàn)D、百萬(wàn)答案：B161.關(guān)鍵過(guò)程是（）。A、形成關(guān)鍵特性的主要過(guò)程B、指對(duì)形成產(chǎn)品質(zhì)量起決定性作用的過(guò)程C、指關(guān)鍵工序的所有過(guò)程D、指生產(chǎn)過(guò)程中的銜接環(huán)節(jié)答案：B162.芯片共晶焊接工藝中所用的金-銻合金熔點(diǎn)是()。A、280℃B、370℃C、360℃D、320℃答案：C163.把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。A、改變禁帶寬度B、產(chǎn)生復(fù)合中心C、產(chǎn)生空穴陷阱D、產(chǎn)生等電子陷阱答案：D164.某電路的內(nèi)腔高度0.91mm，按照GJB548B2020.1條件APIND條件是（）。A、加速度20g，頻率130HZB、加速度10g，頻率130HZC、加速度20g，頻率120HZD、加速度10g，頻率120HZ答案：A165.在二極管特性的正向?qū)▍^(qū)，二極管相當(dāng)于（）。A、大電阻B、接通的開(kāi)關(guān)C、斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)答案：B166.一般紙張的燃燒點(diǎn)為（）℃，棉花燃燒點(diǎn)。A、120B、130C、240答案：B167.鏈?zhǔn)饺鄯鉅t通常是在氣氛下進(jìn)行封帽（）。A、氧氣B、氦氣C、氬氣D、氮?dú)獯鸢福篋168.氯氣泄漏時(shí)，搶修人員必須穿戴防毒面具和防護(hù)服，進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)首先要（）。A、加強(qiáng)通風(fēng)B、切斷氣源C、切斷電源D、搶救設(shè)備答案：B169.厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。A、降低B、升高C、保持不變答案：A170.塑封膜具溫度取決于模塑料的溫度性能、流動(dòng)性能及物理特性，一般采用（）。A、175℃±5℃B、75℃±5℃C、275℃±5℃答案：A171.集成電路工藝制造過(guò)程中，化學(xué)試劑最純的為（）。A、化學(xué)純B、MOS純C、分析純D、電子純答案：B172.從保護(hù)環(huán)境的角度選用焊膏應(yīng)該選擇哪種類型()。A、有機(jī)溶劑清洗型B、水清洗型C、半水清洗型D、免清洗型答案：D173.MOS場(chǎng)效應(yīng)器件是利用半導(dǎo)體表面的（）來(lái)工作的。A、積累層B、耗盡層C、反型層答案：C174.玻璃在400℃左右開(kāi)始軟化，700℃完全（），熔融玻璃對(duì)促進(jìn)固體顆粒燒結(jié)、形成膜結(jié)構(gòu)起重要作用。A、液化B、固化C、熔化答案：C175.共晶粘片時(shí)，焊料尺寸應(yīng)該是芯片尺寸的()左右。A、100%B、80%C、60%D、50%答案：B176.在顯微鏡的發(fā)展史中，貢獻(xiàn)最為卓著的是德國(guó)的物理學(xué)家.數(shù)學(xué)家和光學(xué)大師()。A、恩斯特·阿貝B、沃爾夫?qū)づ堇鸆、尼古拉·特斯拉D、理查德·費(fèi)曼答案：A177.平行縫焊過(guò)程中，如果蓋板表面平整度差或電極磨損嚴(yán)重，可能發(fā)生（）現(xiàn)象。A、電擊B、燒穿C、靜電D、打火答案：D178.檢驗(yàn)批識(shí)別代碼9812表示()。A、98年1月2日B、98年12月C、98年第12周D、98年1月12日答案：C179.鏈?zhǔn)椒庋b爐在爐端設(shè)有幾道機(jī)械簾和氮?dú)夂熝b置，是為了防止()。A、空氣進(jìn)入B、H2溢出C、熱散失D、空氣進(jìn)入和H2爆炸答案：D180.以下哪種不是芯片鍵合技術(shù)？()A、WBB、TABC、ILBD、FCB答案：C181.超聲鍵合的機(jī)理是()。A、塑性流動(dòng)B、磨擦C、超聲功率D、超聲功率和時(shí)間壓力、互相匹配答案：D182.熔焊的常用金屬蓋板是由柯伐合金沖制而成的，厚度為()。A、0.05mm～0.1mmB、0.1mm～0.15mmC、0.15mm～0.5mmD、0.5mm～0.7mm答案：C183.目前我司SMT生產(chǎn)線，每小時(shí)可貼裝元器件是()。A、5萬(wàn)個(gè)B、15萬(wàn)個(gè)C、10萬(wàn)個(gè)D、20萬(wàn)答案：C184.從業(yè)人員在作業(yè)過(guò)程中不應(yīng)當(dāng)（）。A、遵守安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程；B、服從管理；C、不怕困難，勇于犧牲；D、正確佩戴和使用勞動(dòng)防護(hù)用品。答案：C185.某三極管處于放大狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié)、集電結(jié)分別處于()狀態(tài)。A、正向、正向B、正向、反向C、反向、正向D、反向、反向答案：B186.國(guó)內(nèi)外常用的焊球材料主要分為()和()兩類。A、有鉛和無(wú)鉛B、有鉛和有錫C、有鉛和無(wú)錫D、無(wú)鉛和有錫答案：A187.底部填充膠材料的楊氏模量和玻璃化溫度必須足夠高，這樣對(duì)焊點(diǎn)的()改善才有幫助。A、熱失配B、可靠性C、熱疲勞壽命D、結(jié)合力大小答案：B188.環(huán)焊時(shí)壓力與被焊部位電阻的關(guān)系是()。A、壓力大、電阻大B、壓力大、電阻小C、壓力大、電阻不變D、壓力小、電阻小答案：B189.實(shí)驗(yàn)室用氯化鈉固體配制100g溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%的氯化鈉溶液，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A、實(shí)驗(yàn)的步驟為計(jì)算、稱量、量取、溶解B、量取水時(shí)，用規(guī)格為100mL的量筒C、若用量筒量取水時(shí)俯視凹液面的最低處，則配制溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于8%D、溶解過(guò)程中玻璃棒攪拌的作用是加快氯化鈉的溶解答案：C190.理想電壓源的特點(diǎn)之一是（）。A、端電壓固定不變，與外接電路無(wú)關(guān)B、通過(guò)它的電流與外接電路無(wú)關(guān)C、端電壓與電壓源的內(nèi)阻有關(guān)D、可以作為實(shí)際的電壓源答案：A191.網(wǎng)印刮板材料，目前最常用的刮板材料是（）。A、不銹鋼B、尼龍C、聚氨基甲酸脂答案：C192.塑封遞模成型工藝中，注塑壓力在保證成型的前提下，應(yīng)使用（）壓力。A、較大的B、較低的C、巨大的D、微弱的答案：B193.球柵陣列封裝英文簡(jiǎn)稱是()。A、QFPB、OIPC、DIPD、BGA答案：D194.低熔玻璃屬于()。A、冷焊B、有機(jī)樹(shù)脂封裝C、熔焊D、焊料焊答案：D195.二極管正向電阻（）反向電阻。A、大于B、小于C、等于答案：B196.我司的產(chǎn)品主要由()組成。A、控制板和外殼B、主板和顯示板C、變壓器和繼電器D、主板和變壓器答案：B197.在突緣電阻焊中，模具結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)遵循原則之一是保證外殼管帽與底座（）。A、連接B、緊密接觸C、同心答案：C198.以下哪種不是封裝材料的性能指標(biāo)？()。A、濕熱機(jī)械性B、電學(xué)性能C、疲勞系數(shù)D、化學(xué)性能答案：C199.臥式管狀氫氣封裝爐屬于()燒結(jié)爐。A、連續(xù)式B、間歇式C、既可連續(xù)也可間歇工作答案：B200.氦氣是一種（）氣體。A、還原性B、氧化性C、惰性D、可燃答案：C201.SMT吸嘴吸取基本原理()。A、磁性吸取B、粘貼吸取C、真空吸取D、以上都是答案：C202.下面不是塑封缺點(diǎn)的是()。A、易自然老化B、熱性能差C、電寄生參數(shù)小D、電屏蔽性差答案：C203.M答案：CM采用的新技術(shù)是指()。A、混合電路B、表面帖片C、PCBD、裸芯片、多層板預(yù)測(cè)試后組裝成為多功能組件答案：D204.以下哪種不是氣密性封裝的主要材料？()。A、金屬B、陶瓷C、玻璃D、碳化硅答案：D205.PN結(jié)正向連接時(shí)P區(qū)接()，N區(qū)接()；PN結(jié)反向連接時(shí)P區(qū)接()，N區(qū)接()。A、正負(fù)負(fù)正B、正負(fù)正負(fù)C、負(fù)正負(fù)正D、負(fù)正正負(fù)答案：A206.P型半導(dǎo)體中空穴多于自由電子，則P型半導(dǎo)體呈現(xiàn)的電性為（）。A、正電B、負(fù)電C、電中性答案：C207.功率電路散熱底座上的螺孔是為了()。A、以便外接散熱器B、節(jié)省材料C、美觀D、加強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度答案：A208.當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。A、1/n0B、1/△nC、1/p0D、1/△p答案：A209.熱壓鍵合法的機(jī)理是()。A、低溫?cái)U(kuò)散B、塑性流動(dòng)C、低溫?cái)U(kuò)散和塑性流動(dòng)結(jié)合D、機(jī)械壓力答案：C210.一般半導(dǎo)體器件使用溫度不能超過(guò)一定的溫度，這是因?yàn)檩d流子濃度主要來(lái)源于（），而將（）忽略不計(jì)。A、雜質(zhì)電離，本征激發(fā)B、本征激發(fā)，雜質(zhì)電離C、施主電離，本征激發(fā)D、本征激發(fā)，受主電離答案：A211.將鐵的化合物溶于鹽酸，滴加KSCN溶液不發(fā)生顏色變化，再加入適量氯水，溶液立即呈紅色的是（）。A、Fe2O3B、FeCl3C、Fe2(SO4)3D、FeO答案：D212.()是會(huì)破壞部分或全部封裝的密封微電子封裝的缺陷和失效分析方法。A、破壞性評(píng)價(jià)B、兩者均可C、非破壞性評(píng)價(jià)D、兩者都不是答案：C213.半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是良好的電性能，外殼應(yīng)有小的（A），使器件的電特性得到有效發(fā)揮。A、寄生參數(shù)B、電參數(shù)C、結(jié)構(gòu)參數(shù)答案：A214.鍺的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）。A、金剛石型和直接禁帶型B、閃鋅礦型和直接禁帶型C、金剛石型和間接禁帶型D、閃鋅礦型和間接禁帶型答案：C215.平行縫焊蓋板的基材通常是（）。A、銅合金B(yǎng)、鋁合金C、金D、可伐合金答案：D216.低溫玻璃密封工藝流程如下：

配玻璃料→印刷→烘干→封引線框架→檢驗(yàn)→（）→（）→（）→檢驗(yàn)→清洗→電鍍→測(cè)試→打印→包裝。A、芯片裝架熔封檢驗(yàn)B、熔封芯片裝架檢驗(yàn)C、熔封檢驗(yàn)芯片裝架D、檢驗(yàn)熔封芯片裝架答案：A217.Au-Sn合金焊料的最大缺點(diǎn)是（）。A、不耐腐蝕B、工藝復(fù)雜C、機(jī)械強(qiáng)度差D、成本高答案：D218.在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）。A、焊接電流、焊接電壓和電極壓力B、焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力C、焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間D、焊接電流、焊接溫度和焊接時(shí)間答案：B219.全密封金屬外殼封裝時(shí)，()封裝形式對(duì)外殼的表面條件要求最高。A、激光焊B、釬焊C、玻璃熔封D、貯能焊答案：A220.共晶粘貼中合金組成物金屬的熔點(diǎn)與它在純金屬狀態(tài)下的熔點(diǎn)相差多少？()A、80℃B、100℃C、150℃D、200℃答案：B221.碳化硅鋁有()不易變形和質(zhì)量輕的優(yōu)點(diǎn)。A、密度大B、密度小C、堅(jiān)硬D、柔軟答案：B222.不能用NaOH溶液除去括號(hào)中的雜質(zhì)的是（）。A、Mg（Al2O3）B、MgCl2（AlCl3）C、Fe（Al）D、Fe2O3（Al2O3）答案：B223.塑封電路在模塑后還要對(duì)外引線進(jìn)行()表面保護(hù)。A、光亮鍍錫B、鍍鎳C、鍍暗鎳D、鍍金答案：A224.穩(wěn)壓管（）。A、是二極管B、不是二極管C、是特殊二極管答案：C225.塑封內(nèi)部互連用金絲是因?yàn)?)。A、金延展性好B、金耐腐蝕C、金絲的耐磨性好D、水汽首先腐蝕芯片表面的鋁層答案：D226.芯片共晶焊接工藝中所用的金-硅合金的熔點(diǎn)是()。A、183℃B、221℃C、370℃D、397℃答案：C227.()結(jié)構(gòu)是目前國(guó)內(nèi)外光電外殼最通用的封裝結(jié)構(gòu)形式。A、陶瓷熔封B、塑封C、陶瓷平封D、陶瓷扁平封裝答案：A228.密封性能篩選通常采用（）。A、顯微鏡B、示波器C、檢漏儀答案：C229.全密封金屬外殼封裝時(shí)，()封裝形式對(duì)外殼的表面條件要求最高。A、激光焊B、金錫融封C、玻璃熔封D、平行封焊答案：A230.批量性質(zhì)量問(wèn)題的定義是()。A、超過(guò)5%的不良率B、超過(guò)3%的不良率C、超過(guò)4%的不良率D、超過(guò)6%的不良率答案：A231.超聲鍵合法的機(jī)理是()。即利用機(jī)械的高頻振動(dòng)（超聲能量），使焊絲在焊點(diǎn)上摩擦。通過(guò)自上而下的壓力發(fā)生塑性變形，破壞表面氧化層并暴露新鮮表面達(dá)到迅速冷焊。A、塑性流動(dòng)B、摩擦C、塑性流動(dòng)和摩擦的結(jié)合D、低溫?cái)U(kuò)散答案：C232.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員除依法享有工傷社會(huì)保險(xiǎn)外，（）。A、有權(quán)向本單位提出賠償要求；B、可以解除勞動(dòng)合同；C、提出對(duì)責(zé)任人的處理要求。答案：A233.封裝管殼的任意兩引線間的絕緣電阻應(yīng)（）。A、大于1×109ΩB、小于1×109ΩC、大于1×1010ΩD、小于1×1010Ω答案：C234.氦質(zhì)譜檢漏工藝步驟如下：（1）將器件置于壓力箱中并抽低真空；（2）給壓力箱充（）并保持一段時(shí)間；（3）取出器件將表面吸附的氦氣體吹掉。A、氦氣B、氬氣C、氮?dú)釪、氫氣答案：A235.常用的電阻焊有電焊、突緣電阻焊和（）。A、平行縫焊B、四邊焊C、平行焊D、焊料焊答案：A236.CCGA主要焊柱80Pb20Sn材質(zhì)主要特點(diǎn)是()。A、較硬B、較軟C、較長(zhǎng)D、較短答案：A237.保證低熔點(diǎn)玻璃氣密性的一個(gè)標(biāo)志是金屬與其表面氧化層有()。A、良好的浸潤(rùn)B、良好的結(jié)合力C、剝離D、間隙答案：B238.環(huán)焊主要是由于產(chǎn)生了瞬時(shí)的大()產(chǎn)生局部熔化。A、電壓B、電流C、壓力D、壓強(qiáng)答案：B239.金屬陶瓷封裝一般采用（）制造，用90%~95%氧化鋁陶瓷作絕緣，氧化鈹陶瓷做導(dǎo)熱，金屬作底盤(pán)和引線。A、多層共燒陶瓷工藝、氧化鈹金屬化工藝和釬焊工藝B、多層共燒陶瓷工藝C、釬焊工藝答案：A240.兩個(gè)或兩個(gè)以上的電阻以一定的方式連接后，總電阻值等于各個(gè)電阻值的總和，這是（）。A、串聯(lián)B、并聯(lián)C、混聯(lián)D、其它答案：A241.大部分環(huán)氧塑封料需要在170～175℃之間進(jìn)行()的后固化工藝以實(shí)現(xiàn)完全固化。A、4～8hB、8～12hC、1～4hD、12～24h答案：C242.下列符號(hào)中表示強(qiáng)制國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的是（）。A、GB/TB、GB/ZC、GB.D、GJB答案：C243.用滴管把液體樹(shù)脂滴涂到鍵合后的芯片上，經(jīng)加熱固化成型，此方法稱()。A、澆鑄法B、遞模成型法C、填充法D、滴涂法答案：D244.如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。A、施主B、復(fù)合中心C、陷阱D、兩性雜質(zhì)答案：D245.平行縫焊的焊輪椎頂角可影響（）的大小。A、焊接壓力和焊點(diǎn)B、焊接速度C、焊接電流D、焊接溫度答案：A246.倒裝焊產(chǎn)品還具有優(yōu)越的電學(xué)和()性能。A、熱學(xué)B、能量學(xué)C、光學(xué)D、鑲嵌學(xué)答案：A247.環(huán)焊前應(yīng)用()打磨電極。A、水砂紙B、粗砂紙C、銼刀D、紗布答案：A248.由于平行縫焊的焊縫在外殼邊緣，被熔焊的區(qū)域很小，屬局部加熱，因此對(duì)芯片的（）小。A、熱沖擊B、機(jī)械沖擊C、影響答案：A249.一個(gè)阻值為25Ω的電阻，允許加的最高電壓為5V，則其額定功率為（B）。A、10WB、2.0WC、1.0WD、0.5W答案：B250.決定原子軌道的形狀，并在多電子原子中與主量子數(shù)n共同決定軌道能級(jí)的量子數(shù)為：（）。A、lB、mC、sD、l和m答案：A251.封帽完成的電路在（）設(shè)備下檢測(cè)空洞是否合格。A、金相顯微鏡B、掃描電鏡C、X射線D、體視顯微鏡答案：C252.模塑料預(yù)熱，一般采用高頻加熱方式，預(yù)熱溫度為（），預(yù)熱后的模塑料應(yīng)迅速放入模具中。A、60~65℃B、70~75℃C、90~105℃答案：B253.柯伐合金用于各類管殼材料，合金由下列組成()。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Ni-CuD、Fe-Ni-Sn答案：B254.經(jīng)過(guò)室溫靜置的濕膜，即可進(jìn)行干燥。干燥的目的是（）。A、使?jié){料中易揮發(fā)的有機(jī)溶劑蒸發(fā)掉B、使印刷好的漿料膜硬化C、使圖形固定D、便于移動(dòng)答案：A255.鋁具有較強(qiáng)的抗腐蝕性能，主要是因?yàn)椋ǎ、與氧氣在常溫下不反應(yīng)B、鋁性質(zhì)不活潑C、鋁表面能形成了一層致密的氧化膜D、鋁耐酸耐堿答案：C256.當(dāng)PN結(jié)兩端加正向電壓時(shí)，那么參加導(dǎo)電的是（）。A、多數(shù)載流子B、少數(shù)載流子C、既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子答案：A257.化學(xué)反應(yīng)速率等于逆反應(yīng)速率，意味著（）。A、化學(xué)反應(yīng)達(dá)到平衡B、反應(yīng)進(jìn)行完全C、正、逆反應(yīng)的焓變相等D、反應(yīng)物濃度等于生成物濃度答案：A258.在靜電防護(hù)區(qū)域，需要嚴(yán)格管理絕緣物品和導(dǎo)體使用，保證與敏感器件直接接觸的材料為()類材料。A、防靜電B、絕緣體C、靜電耗散D、接地線答案：C259.內(nèi)部互聯(lián)主要由()互聯(lián)技術(shù)發(fā)展到目前較為先進(jìn)的倒裝焊互聯(lián)技術(shù)。A、CBGA植球B、CCGA植柱C、引線鍵合D、圓片減薄答案：C260.芯片共晶焊接工藝中所用的金-鍺合金熔點(diǎn)為()。A、327℃B、356℃C、377℃D、410℃答案：B261.SMT回流焊中使用氮?dú)獾淖饔檬?)。A、阻止氧氣進(jìn)入回流焊B、協(xié)助助焊劑焊接C、改善元器件及錫氧化D、以上都不是答案：A262.內(nèi)部互聯(lián)主要分為引線鍵合封裝工藝和()封裝工藝兩種。A、倒裝焊B、CBGA植球C、CGA植柱D、底部填充答案：A263.雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）。A、變大，變小B、變小，變大C、變小，變小D、變大，變大答案：B264.產(chǎn)品質(zhì)量的好壞包含()。A、技術(shù)性能指標(biāo)B、可靠性指標(biāo)C、經(jīng)濟(jì)指標(biāo)D、A.B和C答案：D265.從理論上講,集成電路的壽命是無(wú)限的。但由于材料、制造工藝、設(shè)計(jì)上的不合格因素，容易造成產(chǎn)品的（）失效。A、早期B、中期C、考核D、工作答案：A266.平行縫焊的焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）。壓力太大，電阻值下降。對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好焊點(diǎn)。A、電流值B、電阻值C、電壓值D、分壓值答案：B267.在空氣不流通的狹小地方使用二氧化碳滅火器可能造成的危險(xiǎn)是（）。A、中毒B、缺氧C、爆炸D、火災(zāi)答案：B268.有效復(fù)合中心的能級(jí)必靠近（）。A、禁帶中部B、導(dǎo)帶C、價(jià)帶D、費(fèi)米能級(jí)答案：A269.激光調(diào)值方法一般只能將電阻的阻值（）。A、調(diào)大B、調(diào)小C、穩(wěn)定D、不變答案：A270.金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸的一種方式是使半導(dǎo)體的參雜濃度大于()。A、1015cm3B、1017cm3C、1019cm3D、1021cm3答案：C271.用等質(zhì)量的金屬鈉進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)，產(chǎn)生氫氣最多的是（）。A、將鈉放入足量的稀鹽酸中B、將鈉放入足量的稀硫酸中C、將鈉放入足量的氯化鈉溶液中D、將鈉用鋁箔包好，并刺一些小孔，放入足量的水中答案：D272.重空穴是指（）。A、質(zhì)量較大的原子組成的半導(dǎo)體中的空穴B、價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C、價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴D、自旋－軌道耦合分裂出來(lái)的能帶上的空穴答案：C273.芯片共晶焊接工藝所用的金-錫合金熔點(diǎn)為()。A、280℃B、220℃C、320℃D、350℃答案：A274.及時(shí)將芯片工作所產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，可以保證電路的性能和()。A、可靠性B、作用C、安全性D、連通答案：A275.如果二極管的正、反向電阻都很小，則該二極管（）。A、正常B、已被擊穿C、內(nèi)部斷路答案：B276.膠封工藝流程如下：

器具、工件清洗→稱量配膠→攪拌→排氣→（）→（）→（）→檢驗(yàn)。A、涂膠固化膠粘B、涂膠粘合固化C、粘合涂膠固化D、涂膠固化粘合答案：B277.芯片共晶焊接工藝中所用的金-銻合金熔點(diǎn)是()。A、280℃B、302℃C、360℃D、382℃答案：C278.集成電路的絲網(wǎng)印刷中圖像是微型的，要求印刷精度高，所以印刷機(jī)、印版、承印物（基板）、漿料等都需要高精度的，印刷場(chǎng)所也一定要保持恒溫，并清除（）。A、閑雜人員B、塵埃C、不用的設(shè)備答案：B279.電對(duì)人體的傷害種類是（）。A、電擊B、電弧灼傷C、電傷D、A＋C答案：D280.從金屬利用的歷史來(lái)看，先是青銅器時(shí)代，而后是鐵器時(shí)代，鋁的利用是近百年的事。這個(gè)先后順序跟下列有關(guān)的是（）。

①地殼中的金屬元素的含量；②金屬活動(dòng)性；③金屬的導(dǎo)電性；④金屬冶煉的難易程度；⑤金屬的延展性；A、①③B、②⑤C、③⑤D、②④答案：D281.集成電路的組裝順序是()。A、中測(cè)→劃片→粘片→鍵合→封裝B、劃片→中測(cè)→鍵合→封裝→檢漏C、劃片→鍵合→中測(cè)→粘片→封裝D、中測(cè)→劃片→組裝→封裝→鍵合答案：A282.一個(gè)阻值為100Ω的電阻，允許加最高電壓為10V，則其額定功率為()。A、10WB、1WC、0.1WD、2W答案：B283.按照焊膏的合金成分分類，焊膏材料主要分為有鉛焊膏和（）兩種A、無(wú)鉛焊膏B、有錫焊膏C、無(wú)錫焊膏D、有銅焊膏答案：A284.我司Sn膏與Sn絲的熔點(diǎn)是()。A、163℃B、173℃C、193℃D、183℃答案：D285.防靜電手鐲和地線之間應(yīng)該()。A、導(dǎo)通B、接10Ω左右的電阻C、接1MΩ左右的電阻D、10KΩ左右的電阻答案：C286.在某無(wú)色溶液中緩慢地滴入NaOH溶液直至過(guò)量，產(chǎn)生沉淀的質(zhì)量與加入的NaOH溶液體積的關(guān)系如右圖所示，由此確定，原溶液中含有的陽(yáng)離子是（）。A、Mg2+、Al3+、Fe2+B、H+、Mg2+、Al3+C、H+、Ba2+、Al3+D、只有Mg2+、Al3+答案：B287.下列離子方程式書(shū)寫(xiě)正確的是（）。A、鋁粉投入到NaOH溶液中：2Al+2OH-══2AlO2-+H2↑B、AlCl3溶液中加入足量的氨水：Al3++3OH-══Al(OH)3↓C、三氯化鐵溶液中加入鐵粉Fe3++Fe=2Fe2+D、FeCl2溶液跟Cl2反應(yīng)：2Fe2++Cl2=2Fe3++2Cl-答案：D288.芯片共晶焊接工藝所用的金-錫合金熔點(diǎn)為()。A、280℃B、179℃C、183℃D、363℃答案：A289.ES答案：D識(shí)別標(biāo)志中的符號(hào)△表示（）。A、1級(jí)0V～1999VB、2級(jí)2000V～3999VC、3級(jí)4000VD、2級(jí)4000V答案：A290.一般可以認(rèn)為，在溫度不很高時(shí)，能量大于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上（），而能量小于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上為（），而電子占據(jù)費(fèi)米能級(jí)的概率在各種溫度下總是（），所以費(fèi)米能級(jí)的位置比較直觀地標(biāo)志了電子占據(jù)量子態(tài)的情況，通常就說(shuō)費(fèi)米能級(jí)標(biāo)志了電子填充能級(jí)的水平。A、沒(méi)有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/2B、電子所占據(jù)，沒(méi)有被電子占據(jù)，1/2C、沒(méi)有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/3D、電子所占據(jù)，沒(méi)有被電子占據(jù)，1/3答案：A291.平行縫焊的焊接速度與焊點(diǎn)直徑成正比，而焊點(diǎn)直徑又與焊接電流大小有關(guān)，因此焊接速度可隨（）的不同加以選擇。A、蓋板材料B、蓋板尺寸C、焊接電流D、蓋板硬度答案：C292.地面上的絕緣油著火，應(yīng)用（）進(jìn)行滅火。A、水B、二氧化碳滅火器C、干砂D、濕布答案：C293.用于裸芯片連接在基板上的FCT稱為()，采用FC互連技術(shù)的芯片封裝型式稱為()。A、FCB，F(xiàn)CTB、FCP，F(xiàn)CTC、FCP，F(xiàn)CBD、FCB，F(xiàn)CP答案：D294.塑封料與芯片間的應(yīng)力隨芯片面積的增大而()。A、增大B、減小C、不變D、變化但是不定性答案：A295.半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)為（）。A、漂移運(yùn)動(dòng)B、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)C、熱運(yùn)動(dòng)D、共有化運(yùn)動(dòng)答案：B296.集成電路組裝工序大體是()。A、中測(cè)—?jiǎng)澠I合—封裝—成品測(cè)試B、劃片—中測(cè)—鍵合—封裝—成品測(cè)試C、劃片—鍵合—封裝—中測(cè)—成品測(cè)試D、中測(cè)—?jiǎng)澠称I合—封裝—成品測(cè)試答案：D297.雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。A、hFEVcesB、VCBBVCEC、fTfM答案：C298.環(huán)氧樹(shù)脂類和聚酰胺類粘合劑都屬于（）粘合劑。A、熱塑性B、熱固性C、結(jié)構(gòu)性D、光敏性答案：B299.環(huán)焊電極度提升時(shí)打火，應(yīng)()。A、提高電壓B、降低電壓C、改進(jìn)電極度形狀D、調(diào)整放電時(shí)間答案：D300.表面粗糙度中，Ra的單位為（）A、米B、毫米C、微米D、厘米答案：C301.玻璃在400℃左右開(kāi)始軟化，700℃完全熔化，熔融玻璃對(duì)促進(jìn)固體顆粒燒結(jié)、形成膜結(jié)構(gòu)起（）。A、一般作用B、不起作用C、重要作用D、輔助作用答案：C302.芯片功耗較大時(shí)，需在芯片背面粘接()。A、基板B、熱沉C、陶瓷D、圓片答案：B303.實(shí)驗(yàn)室配制50g溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%的氯化鈉溶液。下列說(shuō)法正確的是（）。A、托盤(pán)天平未經(jīng)調(diào)零即用來(lái)稱取氯化鈉固體B、稱量時(shí)托盤(pán)天平指針偏左，移動(dòng)游碼至天平平衡C、量取水時(shí)，用規(guī)格為50mL的量筒D、把配制好的氯化鈉溶液倒入剛用蒸餾水潤(rùn)洗過(guò)的試劑瓶中，并貼上標(biāo)簽答案：D3