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PAGEPAGE1芯片封裝中級(jí)工技能鑒定理論考試題庫(kù)大全-中(判斷、填空題匯總)判斷題1.外觀檢驗(yàn):封蓋有焊料堆集的為不合格。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A2.厚膜印刷制作厚膜電阻,其電阻的精度、電氣穩(wěn)定性和可焊性等技術(shù)指標(biāo),與厚膜絲印質(zhì)量有關(guān)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A3.從業(yè)人員發(fā)現(xiàn)直接危及人身安全的緊急情況時(shí),可以邊作業(yè)邊報(bào)告本單位負(fù)責(zé)人。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B4.環(huán)氧樹(shù)脂的缺點(diǎn)是:(1)不適合高溫下工作;(2)高頻性能和耐濕性差。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A5.平行縫焊過(guò)程中,若蓋板表面平整度差,可能發(fā)生打火現(xiàn)象。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A6.包封材料應(yīng)具有一定的柔軟性是為了減小應(yīng)力。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B7.三相對(duì)稱(chēng)電動(dòng)勢(shì),其相位差是120°。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A8.在三相電路中,Y形連接負(fù)載的相電流等于線電流。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B9.封裝時(shí),材料的機(jī)械特性、熱膨脹系數(shù)尤其重要。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A10.在晶體硅中摻入元素磷雜質(zhì)后,能成為N型半導(dǎo)體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A11.晶體二極管由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的載流子在基區(qū)中的運(yùn)動(dòng)主要是擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A12.凡是普通三極管可以使用的場(chǎng)合,原則上也可使用場(chǎng)效應(yīng)器件。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A13.可用萬(wàn)用表測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的管腳。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B14.把有源器件和無(wú)源元件機(jī)械鍵合到金屬化基板的最常用方法是使用環(huán)氧樹(shù)脂。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A15.未能一次用完的焊料,下次不可繼續(xù)使用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A16.接地線:每個(gè)接點(diǎn)應(yīng)牢固焊接,可與電源的地線共用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B17.晶體二極管的反向電壓上升到一定值時(shí),反向電流劇增,二極管被擊穿,就不能再使用了。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A18.兩種載流子都參加導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱(chēng)為“雙極型器件”。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B19.非離子性污染物是不會(huì)被電離為離子的一類(lèi)物質(zhì)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A20.PIND檢測(cè)可以檢測(cè)出電路內(nèi)的多余物。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A21.場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力不能像晶體管一樣,用電流放大系數(shù)表示,而是用動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)gm表示的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A22.離子性污染物是指在一定條件下不可以電離為離子的一類(lèi)物質(zhì)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B23.可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定的條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi),完成規(guī)定功能的能力,器件失去規(guī)定的功能叫失效。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A24.平行縫焊包括直焊和圓焊兩種焊法。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A25.封裝時(shí),材料的機(jī)械特性和熱膨脹系數(shù)不重要。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B26.三相負(fù)載的連接方法只有一種三角形連接方法。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B27.混合集成電路測(cè)試和篩選在插座上插拔電路時(shí),應(yīng)注意不能帶電操作,接觸不良時(shí)不能對(duì)電路加電。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A28.半水清洗是利用全自動(dòng)清洗機(jī)先進(jìn)行溶劑清洗,然后不使用去離子水進(jìn)行漂洗的過(guò)程。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B29.電阻器件主要包括厚薄膜電阻器和外貼分立電阻器。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A30.超聲鍵合可以焊接粗細(xì)不等的鋁絲鋁帶和金絲金帶。而熱壓焊接只能鍵合細(xì)金絲。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A31.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法,它適用于大功率晶體管。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B32.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位發(fā)生生產(chǎn)安全事故造成人員傷亡、他人財(cái)產(chǎn)損失的,應(yīng)當(dāng)依法承擔(dān)賠償責(zé)任;拒不承擔(dān)或者其負(fù)責(zé)人逃匿的,由公安部門(mén)依法強(qiáng)制執(zhí)行。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B33.高溫共燒陶瓷基板具有結(jié)構(gòu)高強(qiáng)度熱導(dǎo)效率高,化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A34.水清洗工藝流程也包括清洗,漂洗,干燥三個(gè)工序。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A35.介質(zhì)內(nèi)不允許出現(xiàn)穿透的針孔。通常應(yīng)放大20~40倍觀察。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A36.芯片粘接強(qiáng)度的大小與芯片粘接面積有關(guān)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A37.塑封用的有機(jī)材料是以高分子化合物的樹(shù)脂為基體,加入固化劑、催化劑、填充劑、阻燃劑、脫模劑、著色劑等。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A38.職業(yè)健康檢查應(yīng)當(dāng)由縣級(jí)以上人民政府衛(wèi)生行政部門(mén)批準(zhǔn)的醫(yī)療衛(wèi)生機(jī)構(gòu)承擔(dān)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B39.厚膜絲網(wǎng)印刷掩膜又稱(chēng)模板、樣板或漏印版。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A40.電子封裝材料包括封裝基板材料、絕緣材料、導(dǎo)體材料、鍵合連接材料、封接封裝材料等。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A41.印好的濕膜應(yīng)先置于室溫下,依靠漿料本身的流動(dòng)性使?jié)衲け砻嫫秸?、絲網(wǎng)印痕消失,靜置時(shí)間越長(zhǎng)越好。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B42.塑封器件的主要失效現(xiàn)象是鋁腐蝕。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A43.半水基清洗工藝流程包括清洗,漂洗,干燥三個(gè)程序。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A44.在三相電路中,Y形連接負(fù)載的相電壓等于線電壓。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A45.“二次擊穿”是指二極管的雪崩擊穿。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B46.在混合集成電路終極版起著承載厚膜元件互聯(lián)以及外貼元件等作用,在大功率電路中,還有散熱的作用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A47.硅二極管的正向壓降為1V。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B48.外殼表面電阻與所處的環(huán)境條件及材料表面狀態(tài)有關(guān),特別是水分和潮氣。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A49.溫度高,離子活躍度大,相應(yīng)靜電也大;濕度大,相應(yīng)靜電減小。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A50.在目檢和等待密封的這段時(shí)間內(nèi),器件應(yīng)保存在受控的環(huán)境內(nèi)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A51.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法,它適用于大功率晶體管。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B52.制圖標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,圖樣中標(biāo)注的尺寸數(shù)值為工件的最后完成尺寸。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A53.平行縫焊蓋板的基材通常是可伐合金。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A54.靜電吸附灰塵,降低元件絕緣電阻(縮短壽命)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A55.內(nèi)部目檢和封裝之前的時(shí)間間隔里,器件應(yīng)貯存在受控的環(huán)境內(nèi),對(duì)H級(jí)受控環(huán)境,相對(duì)濕度應(yīng)小于等于65%,潔凈度為1000級(jí)。檢驗(yàn)和準(zhǔn)備環(huán)境,相對(duì)濕度小于等于65%,潔凈度l0萬(wàn)級(jí)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A56.根據(jù)《安全生產(chǎn)法》規(guī)定從業(yè)人員在作業(yè)過(guò)程中,應(yīng)當(dāng)服從管理,所以對(duì)違章指揮仍要服從。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B57.芯片背面減薄的目的是減少費(fèi)用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B58.用乙醇或丙酮清洗用具時(shí),可以在電爐上直接加熱。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B59.用電器銘牌上的標(biāo)稱(chēng)的電壓,電流值是指交流電的峰值。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B60.平行縫焊蓋板的基材為金錫合金。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B61.國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的安全色有紅、藍(lán)、黃、綠四種顏色。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A62.儲(chǔ)能焊工藝參數(shù)主要包括壓力,電壓時(shí)間速度等。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A63.芯片背面減薄和處理的目的是:除去氧化層,保證裝焊時(shí)有良好的浸潤(rùn)性,有優(yōu)良好的接觸提高散熱特性。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A64.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位應(yīng)當(dāng)在有較大危險(xiǎn)因素的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)場(chǎng)所和有關(guān)設(shè)施、設(shè)備上,設(shè)置明顯的安全警示標(biāo)志。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A65.基于氮化鋁高熱導(dǎo)率和低密度的特點(diǎn),氮化鋁陶瓷在航天領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A66.由于電子產(chǎn)品不同,印制板也有許多不同種類(lèi),通常是按印制板的結(jié)構(gòu)和基材分類(lèi)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A67.電子是帶正電的粒子。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B68.超聲鍵合可在常溫下完成,不引入溫度應(yīng)力,這對(duì)某些器件的制造過(guò)程是十分有利的。熱壓鍵合沒(méi)有超聲振動(dòng),因此對(duì)管芯不引入機(jī)械應(yīng)力,這對(duì)某些器件來(lái)說(shuō)也許是重要的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A69.細(xì)檢漏技術(shù)通常采用示蹤氣體檢漏法。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A70.在三相電路中,△形連接負(fù)載的相電壓等于線電壓。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B71.氧化鋁可以作為陶瓷外殼的材料。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A72.激光劃片是利用高能量的激光束,束斑直徑若干微米,其能量大于105~106W/cm2,使硅片熔化并揮發(fā)穿孔,留下一排整齊的小孔。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A73.光學(xué)顯微鏡可以檢測(cè)封帽空洞。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B74.塑封的特點(diǎn):(1)成本低;(2)重量輕;(3)環(huán)氧與硅酮模塑材料的抗輻射性能好;(4)絕緣性能好,寄生參數(shù)??;(5)抗化學(xué)腐蝕性能強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A75.在smt生產(chǎn)中,焊膏印刷質(zhì)量是體現(xiàn)焊接質(zhì)量的一項(xiàng)重要指標(biāo)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A76.兩個(gè)完全相同的電阻,它們串聯(lián)的總電阻是并聯(lián)電阻的2倍。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B77.生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、儲(chǔ)存、使用危險(xiǎn)物品的車(chē)間、倉(cāng)庫(kù)不得與員工宿舍在同一座建筑物內(nèi),并應(yīng)當(dāng)與員工宿舍保持安全距離。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A78.當(dāng)一塊半導(dǎo)體中的一部分是P型,P型區(qū)與N型區(qū)界面附近的區(qū)域叫做PN結(jié)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A79.對(duì)靜電放電敏感的器件,根據(jù)它們ESD失效閾值電壓的大小可以分為如表中所示的3級(jí)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A80.基本安裝主要采用合金貼裝或環(huán)氧貼裝方法進(jìn)行安裝。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A81.晶體二級(jí)管擊穿后立即燒毀。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B82.導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物體叫半導(dǎo)體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A83.可伐合金材料的線膨脹系數(shù)與陶瓷、玻璃的較接近。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A84.混合集成電路的引線鍵合工藝包括芯片鍵合工藝基板和外殼之間的鍵合工藝()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A85.可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A86.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位為了保護(hù)本單位的技術(shù)秘密,因此從業(yè)人員在作業(yè)場(chǎng)所作業(yè)只要按照操作規(guī)程操作就可以了,其他沒(méi)必要了解。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B87.氧化鋁多層陶瓷基板,該羈絆技術(shù)工藝成熟,介質(zhì)材料成本高,熱導(dǎo)效率和抗彎強(qiáng)度較高。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B88.絲網(wǎng)印刷主要有非接觸印刷和接觸印刷。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A89.夾斷電壓是雙極晶體管的重要參數(shù)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B90.平行封焊的電流大小僅與封接溫度有關(guān)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B91.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位可以以貨幣形式或其他物品代替應(yīng)提供的勞動(dòng)防護(hù)用品。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B92.BGA是四方扁平引線封裝封裝的簡(jiǎn)稱(chēng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B93.為評(píng)價(jià)分析產(chǎn)品的可靠性而進(jìn)行的試驗(yàn),叫做可靠性試驗(yàn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A94.通常認(rèn)為。1μm以下厚度的膜為薄膜,以上者為厚膜。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B95.特種作業(yè)人員經(jīng)過(guò)培訓(xùn),如考核不合格,可在兩個(gè)月內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)考,補(bǔ)考仍不及格,可在一個(gè)月內(nèi)再進(jìn)行補(bǔ)考。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B96.低溫共燒陶瓷基板是玻璃和陶瓷的復(fù)合材料。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A97.在焊料焊時(shí),鍍金屬的厚度會(huì)影響焊料的潤(rùn)濕性。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A98.低熔玻璃按其結(jié)構(gòu)可分為結(jié)晶型和非結(jié)晶型。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A99.按封裝材料的不同,集成電路封裝可以分為玻璃封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A100.本征半導(dǎo)體是指含有缺陷的半導(dǎo)體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B101.電阻率介于10-4~109Ω·cm之間的材料為半導(dǎo)體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A102.平行封焊的每個(gè)焊點(diǎn)間重疊量為三分之一到二分之一為佳。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A103.為了使軍用產(chǎn)品在批生產(chǎn)過(guò)程中質(zhì)量穩(wěn)定、處于高可靠性、高成品率受控狀態(tài),維持良好的生產(chǎn)過(guò)程,必須加強(qiáng)混合集成電路工藝環(huán)境清潔度、環(huán)境控制、貯存環(huán)境和暴露時(shí)間的控制。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A104.對(duì)于大腔體混合集成電路,主要采用平行縫焊工藝。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A105.剪切強(qiáng)度屬于非破壞性試驗(yàn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B106.集成電路氣密性的好壞以漏孔位置來(lái)衡量。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B107.設(shè)備清洗,根據(jù)不同的清洗機(jī)里又分為汽相清洗,水清洗等離子清洗超聲波清洗等方法。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A108.“二次擊穿”是指二極管的雪崩擊穿。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B109.晶體三極管具有兩個(gè)PN結(jié),二極管具有一個(gè)PN結(jié),因此可以把兩個(gè)二極管反向連接起來(lái)當(dāng)作一只晶體三極管使用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B110.內(nèi)部水汽含量試驗(yàn)?zāi)康氖菧y(cè)定金屬或陶瓷器件內(nèi)部氣體中的水汽含量。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A111.隧道二極管在正向偏置區(qū)存在一個(gè)負(fù)阻區(qū)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B112.晶體三極管相當(dāng)于兩個(gè)反向連接的二極管,所以基極斷開(kāi)后還可以作為二極管使用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B113.導(dǎo)電膠從低溫保存環(huán)境取出后可立即使用。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B114.塑封時(shí)發(fā)現(xiàn)表面有空隙、針孔,分析可能的原因是:(1)注塑壓力過(guò)低;(2)固化時(shí)間短;(3)注塑時(shí)間短;(4)模塑料預(yù)熱溫度低。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A115.影響產(chǎn)品質(zhì)量的一般因素是人、材料、設(shè)備、方法、環(huán)境。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A116.超聲波清洗,通過(guò)超聲波的空化作用,對(duì)物體表面上的污物進(jìn)行撞擊剝離,以達(dá)到清洗的目的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A117.安全生產(chǎn)管理,堅(jiān)持“安全第一、預(yù)防為主、綜合治理”的方針。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A118.生鐵常用作平行縫焊電極的材料。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B119.再經(jīng)過(guò)等離子清洗以后被清洗物體已經(jīng)很干燥,不必再進(jìn)行干燥處理,即可送往下道工序。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A120.半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子運(yùn)動(dòng)為熱運(yùn)動(dòng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B121.電路的散熱方式有傳導(dǎo)、對(duì)流、輻射。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A122.塑封過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)設(shè)備或模具異常現(xiàn)象,應(yīng)立即停機(jī)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B123.非晶玻璃系較少應(yīng)用于實(shí)際工程中。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A124.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位不得以任何形式與從業(yè)人員訂立協(xié)議,免除或者減輕其對(duì)從業(yè)人員因生產(chǎn)安全事故傷亡依法應(yīng)承擔(dān)的責(zé)任。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A125.氦質(zhì)譜檢漏儀由真空系統(tǒng)、真空測(cè)量、質(zhì)譜室、離子流放大器和控制部分組成。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A126.半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)方式僅有熱運(yùn)動(dòng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B127.用HF酸溶液腐蝕SiO2是還原反應(yīng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B128.厚膜漿料是膠體與懸浮體的混合體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A129.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A130.平行縫焊過(guò)程中發(fā)生“打火”會(huì)嚴(yán)重影響密封質(zhì)量。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A131.施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供空穴。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B132.靜電中和:用離子風(fēng)吹向帶靜電表面,達(dá)到靜電荷中和的目的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A133.靜電手腕帶的測(cè)試:被測(cè)人雙腳踏地,雙手離開(kāi)操作臺(tái),身體不能與操作臺(tái)相接觸。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A134.化鍍鎳比電鍍鎳的熔點(diǎn)低。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A135.在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B136.微晶玻璃器在燒結(jié)過(guò)程中,玻璃晶化成低損耗相,使材料具有較低的介電損耗。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A137.對(duì)芯片裝片后外觀質(zhì)量無(wú)需進(jìn)行檢驗(yàn),等引線鍵合后一起進(jìn)行檢驗(yàn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B138.在鍵合前需要對(duì)混合集成電路內(nèi)部進(jìn)行等離子清洗。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A139.封裝時(shí)材料的機(jī)械特性與膨脹系數(shù)尤其重要。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A140.電阻器按安裝方式可分為:固定電阻、可調(diào)電阻、特種電阻(敏感電阻)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A141.低熔玻璃的封接溫度僅由玻璃的組成決定。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B142.對(duì)于芯片的非共晶體安裝不可接受的是,焊接材料的任何剝落、起皮或隆起。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A143.發(fā)生危險(xiǎn)化學(xué)品事故,有關(guān)地方公安消防部門(mén)應(yīng)當(dāng)做好指揮、領(lǐng)導(dǎo)工作。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B144.三相交流異步電動(dòng)機(jī)缺一相電仍能正常工作。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B145.所有的半導(dǎo)體器件都使用純鋁絲做引線鍵合。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A146.H級(jí)“高放大倍數(shù)”檢查應(yīng)采用75~150倍的雙目立體顯微鏡在照明垂直于基片表面的條件下,對(duì)元器件及基片表面進(jìn)行檢驗(yàn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A147.陶瓷填料用來(lái)改善基板的機(jī)械強(qiáng)度,絕緣性和防止燒結(jié)石,由于玻璃表面張力引起的翹曲。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A148.在三相電路中,△形連接負(fù)載的相電流等于線電流。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A149.“塑料封裝與陶瓷封裝技術(shù)均可以制成雙邊排列()封裝,前者適合于高可靠性的元器件制作,后者適合于低成本元器件大量生產(chǎn)”。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A150.氣密性封裝是以金屬、玻璃和陶瓷為主。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A151.出現(xiàn)缺陷的時(shí)候,必須在正式焊接前檢查出病剔除,否則會(huì)給焊接操作帶來(lái)不可逆的影響。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A152.可伐合金是指由Fe、Co、Ni組成的合金。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A153.設(shè)備出現(xiàn)問(wèn)題時(shí),操作者應(yīng)首先切斷電源,請(qǐng)維修人員來(lái)修理。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A154.集成電路塑封料中加入碳黑、鹵化物、硬脂酸分別是著色劑、阻燃劑、脫模劑。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A155.產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中所要求的三檢是指:自檢、互檢、專(zhuān)檢。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A156.內(nèi)引線超聲焊的焊接強(qiáng)度大于熱壓焊。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A157.在動(dòng)力電源線中,中線可以作為地線。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B158.非回轉(zhuǎn)體類(lèi)零件的主視圖一般應(yīng)選擇工作位置。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A159.在零件圖中,必須畫(huà)出主視圖,其他視圖可以根據(jù)需要選擇。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A160.金錫共晶焊料的熔點(diǎn)約為280℃。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A161.塑封用的有機(jī)材料是以高分子化合物的樹(shù)脂為基體,加入固化劑、催化劑、填充劑、阻燃劑、脫模劑、著色劑等。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A162.塑料封裝器件的主要失效現(xiàn)象是鋁腐蝕。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A163.航天用集成電路通常采用平行縫焊的儲(chǔ)能焊。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A164.電子是帶負(fù)電的粒子。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A165.外觀檢驗(yàn):封蓋對(duì)位不正,超過(guò)設(shè)計(jì)公差要求的為不合格。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A166.厚膜介質(zhì)材料主要是以簡(jiǎn)單的交疊結(jié)構(gòu)或以復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)用作導(dǎo)體間的絕緣體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A167.厚膜和薄膜混合電路組裝所用的工藝基本相同。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A168.打標(biāo)時(shí)需要依據(jù)外殼材料來(lái)確定打標(biāo)方向。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B169.檢漏技術(shù)分細(xì)檢漏和粗檢漏。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A170.若上工序流到外檢產(chǎn)品數(shù)量與流程卡上的數(shù)量不附,可以自己重新核對(duì),填上實(shí)際數(shù)量檢驗(yàn)后入庫(kù)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B171.高溫貯存和功率老化都是環(huán)境應(yīng)力篩選。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B172.三相交流異步電動(dòng)機(jī)缺一相電仍能正常工作。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B173.燃燒必須具備的三個(gè)條件是可燃物、助燃物、氧氣。答案:×氧氣是助燃物,第三個(gè)條件應(yīng)為火種18.電氣設(shè)備發(fā)生火災(zāi)不準(zhǔn)用水撲救。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A174.外觀檢驗(yàn),封蓋有劃傷和玷污的被視為不合格。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A175.硅穩(wěn)壓二極管利用其正向特性進(jìn)行穩(wěn)壓。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B176.封裝生產(chǎn)過(guò)程中半成品應(yīng)在抽屜中存放。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B177.掃頻振動(dòng)的目的是測(cè)定在規(guī)定頻率范圍內(nèi),振動(dòng)對(duì)器件的影響。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A178.集成電路氣密性的好壞以檢漏結(jié)果來(lái)衡量。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A179.若某些原件是用焊料焊接,而其他元件使用膠粘工藝時(shí),溫度較高的焊料貼裝應(yīng)該先進(jìn)行加工。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A180.危險(xiǎn)物品的生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、儲(chǔ)存單位應(yīng)當(dāng)設(shè)置安全生產(chǎn)管理機(jī)構(gòu)或者配備兼職安全生產(chǎn)管理人員。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B181.人工目檢不是焊點(diǎn)檢查的,最基本的檢測(cè)手段。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B182.厚膜漿料是膠體與懸浮體的混合體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A183.公式μ=qτ/m*中τ是半導(dǎo)體載流子的遷移時(shí)間。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B184.酸、堿廢液和含砷液體可稀釋后直接排入塑料下水管道。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B185.環(huán)氧樹(shù)脂的工作溫度局限在150℃,因?yàn)楹芏喹h(huán)氧超過(guò)這一溫度就開(kāi)始分解和出氣。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A186.三極管又稱(chēng)“晶體三極管”或“晶體管”。具有兩個(gè)電極,是能起放大、振蕩或開(kāi)關(guān)等作用的半導(dǎo)體電子器件。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B187.全面質(zhì)量管理是一種全攻全守型的質(zhì)量管理。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A188.用力的分解可分析出實(shí)際鍵合點(diǎn)承受的拉力比拉力計(jì)指示值大,而且θ值越小,差值越大。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A189.基板貼裝工藝分為合金焊料焊接和膠粘工藝兩種。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A190.封蓋后的產(chǎn)品外觀不須再檢驗(yàn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B191.集成電路按照功能可以分成數(shù)字集成電路和功率集成電路。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B192.激光焊接對(duì)航天用高可靠混合集成電路內(nèi)部芯片的影響,需進(jìn)一步驗(yàn)證。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A193.金屬-低摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生整流接觸;金屬-高摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生歐姆接觸。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A194.二極管又稱(chēng)晶體二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)二極管,可以往兩個(gè)方向傳送電流。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B195.普通的LED所能承受的靜電電壓是500-1000V。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A196.陶瓷外殼鍍鎳可分為電鍍鎳和化鍍鎳。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A197.單晶硅中硅原子排列是無(wú)規(guī)則的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B198.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位的主要負(fù)責(zé)人對(duì)本單位的安全生產(chǎn)工作負(fù)領(lǐng)導(dǎo)責(zé)任。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B199.半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)方式有熱運(yùn)動(dòng)、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、漂移運(yùn)動(dòng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A200.印制電路或印制線路成品板統(tǒng)稱(chēng)為印制板。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A201.場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管相比,柵極相當(dāng)于基極,漏極相當(dāng)于發(fā)射極,源極相當(dāng)于集電極。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A202.電源電動(dòng)勢(shì)的方向是由電源的正極到電源負(fù)極。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B203.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位與從業(yè)人員訂立轉(zhuǎn)載自第一范文網(wǎng),請(qǐng)保留此標(biāo)記。的勞動(dòng)合同,應(yīng)當(dāng)載明有關(guān)保障從業(yè)人員勞動(dòng)安全,防止職業(yè)危害的事項(xiàng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A204.固化性能,即獲得固化所需溫度和時(shí)間,還包括固化后需有一定粘接強(qiáng)度和盡可能小的收縮率,以減少應(yīng)力產(chǎn)生。另外固化時(shí)不應(yīng)有氣體放出,避免產(chǎn)生針孔。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A205.單組分的導(dǎo)電膠一般都要在低溫下保存。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A206.首件鑒定是為了驗(yàn)證批生產(chǎn)能力。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B207.減少多余物問(wèn)題,從環(huán)境控制組裝過(guò)程控制工藝參數(shù)優(yōu)化和精簡(jiǎn)等方面定制措施。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A208.安全電壓應(yīng)低于或等于56V。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B209.半水基清洗工藝的優(yōu)點(diǎn)是對(duì)各種焊接工藝適應(yīng)性強(qiáng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A210.受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供空穴。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A211.產(chǎn)品質(zhì)量是設(shè)計(jì)出來(lái)的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B212.金絲球焊優(yōu)點(diǎn)是壓點(diǎn)無(wú)方向性,鍵合強(qiáng)度一般大于同類(lèi)電極系統(tǒng)的楔刀焊接。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A213.平行封焊產(chǎn)品的質(zhì)量只與工藝參數(shù)有關(guān)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B214.特大安全事故發(fā)生后,對(duì)調(diào)查組提出的調(diào)查報(bào)告,省、自治區(qū)、直轄市人民政府應(yīng)當(dāng)自調(diào)查之日起30日內(nèi),對(duì)有關(guān)責(zé)任人員作出處理決定。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A215.鍵合引線所用的金絲,化學(xué)穩(wěn)定性不好,易腐蝕。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B216.無(wú)線防靜電手腕,應(yīng)做到每間隔四小時(shí)對(duì)地放電一次。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B217.芯片安裝焊接層除了為器件提供機(jī)械連接和電連接外,不需要為器件提供良好的散熱通道。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B218.產(chǎn)品質(zhì)量是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B219.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員,向本單位提出賠償要求,可以在依法享有工傷社會(huì)保險(xiǎn)或者依照有關(guān)民事法律獲得賠償兩者之間任選一種。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B220.在工業(yè)生產(chǎn)中,用各種壓力機(jī)和裝在壓力機(jī)上的專(zhuān)用工具,通過(guò)壓力,把金屬或非金屬材料制出所需形狀的零件或制品,這種專(zhuān)用工具統(tǒng)稱(chēng)為模具。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A221.電路前烘后,可以直接取出。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B222.場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A223.滾輪電極的速度是平行縫焊的一項(xiàng)重要參數(shù)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A224.在組裝壓焊過(guò)程中,防靜電措施有設(shè)備接地,操作人員要穿防靜電工作服,要戴防靜電手鐲。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A225.做PIND時(shí),以腔體體積作為實(shí)驗(yàn)條件的選取依據(jù)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B226.要使三極管工作于放大狀態(tài),其發(fā)射結(jié)、集電結(jié)分別處于正向、反向偏執(zhí)狀態(tài)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A227.硅穩(wěn)壓二極管內(nèi)部也有一個(gè)PN結(jié),但其正向特性同普通二極管一樣。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A228.選擇基材時(shí)應(yīng)在滿足產(chǎn)品關(guān)鍵特性需求的基礎(chǔ)上兼顧其他性能。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A229.多余物是指生產(chǎn)過(guò)程中或生產(chǎn)完成后,由外部進(jìn)入或內(nèi)部產(chǎn)生的與產(chǎn)品設(shè)計(jì)圖樣,技術(shù)條件無(wú)關(guān)的物質(zhì)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A230.鐵-鎳合金可替代可伐合金做為外殼材料。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A231.最終密封前檢驗(yàn)應(yīng)保證在前面各次檢驗(yàn)后的后續(xù)處理中產(chǎn)生的缺陷,能在封裝前檢驗(yàn)中被發(fā)現(xiàn)和拒收。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A232.塑封是典型的氣密性封裝。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B233.印制電路板在電子產(chǎn)品中的功能,為電子元器件的安裝固定提供支撐。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A234.在P型半導(dǎo)體中,自由電子的數(shù)目比空穴數(shù)目多得多,故自由電子稱(chēng)為多數(shù)載流子,空穴稱(chēng)為少數(shù)載流子;在N型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是自由電子。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B235.手工清洗是較為常用的一種清洗方式。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A236.封蓋后的產(chǎn)品外觀,需要再檢驗(yàn)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A237.厚膜電阻膜厚的均勻性不直接影響產(chǎn)品的成品率。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B238.超聲焊的焊接強(qiáng)度大于熱壓焊。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A239.印制板的基材不影響印制板的基本性能,制造工藝和成本。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B240.靜電敏感元件很容易受ESD影響,敏感程度取決于材料及構(gòu)造,元件越大越為敏感。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B241.電阻量測(cè)不能帶電測(cè)試,待測(cè)物要獨(dú)立存在。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A242.檢波二極管的作用是把交流電變成直流電。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B243.平行封焊是在可控的氣氛下進(jìn)行的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A244.扼流線圈又稱(chēng)為扼流圈、阻流線圈、差模電感器,是用來(lái)限制交流電通過(guò)的線圈,分高頻阻流圈和低頻阻流圈。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A245.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的主要原因。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A246.化學(xué)試劑用做清洗時(shí),對(duì)純度沒(méi)有什么要求。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B247.PN結(jié)電容值的大小是恒定不變的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B248.在室溫升高時(shí),晶體三極管的電流放大倍數(shù)β增大。()
芯片裝入襯底要求方位準(zhǔn)確、平整、不翹曲。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A249.塑料封裝是氣密性封裝。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B250.成品外觀檢驗(yàn)的主要目的是檢驗(yàn)外型尺寸的一致性和封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A251.平行縫焊參數(shù)包括脈沖寬度。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A252.劃片應(yīng)無(wú)毛刺、無(wú)裂片、無(wú)劃傷。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A253.一個(gè)阻值為50Ω電阻,允許加的最高電壓為5V,其功率為10W。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B254.印制板的質(zhì)量對(duì)電子產(chǎn)品的性能和可靠性有重要影響。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A255.與三極管相比較,場(chǎng)效應(yīng)晶體管中電流只經(jīng)過(guò)一個(gè)相同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體區(qū)域,所以場(chǎng)效應(yīng)管也稱(chēng)為單極型晶體管。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A256.成卷的內(nèi)引線必須嚴(yán)格保存,要求存放環(huán)境是:清潔不易污染,相對(duì)濕度為20%~50%,以免氧化。長(zhǎng)期保存溫度為10℃~15℃,最好保存在氮?dú)庀鋬?nèi)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A257.氣體平均自由程與氣體的壓強(qiáng)成正比關(guān)系。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B258.航天電子產(chǎn)品的清洗方法可以分為手工清洗和設(shè)備清洗兩大類(lèi)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A259.有機(jī)樹(shù)脂封裝的最大優(yōu)點(diǎn)是絕緣性好。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A260.硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B261.集成電路塑封料中加入的碳黑、鹵化物、硬脂酸分別是著色劑、阻燃機(jī)、脫模劑。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A262.防靜電接地和電源保護(hù)接地是一回事。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B263.把一個(gè)額定電壓UN=220V、額定功率PN=40W的燈泡和一個(gè)UN=110V、PN=40W的燈泡串入220V電網(wǎng)中,前一個(gè)燈泡將比后一個(gè)燈亮。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A264.混合集成電路按膜厚及制造技術(shù),通常分為薄膜混合集成電路和厚膜混合集成電路。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A265.外觀檢驗(yàn)封蓋對(duì)位不正,超過(guò)設(shè)計(jì)公差要求的為不合格。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A266.塑封器件中水汽的主要來(lái)源是:(1)芯片和引線框架吸收的水分;(2)塑封料中吸收水分;(3)環(huán)境中的水分(4)透過(guò)塑封料以及塑封料與引線框架之間隙滲透進(jìn)來(lái)的水分。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A267.氣密性封裝是以金屬、玻璃和陶瓷為主。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A268.觸電分為電傷和電擊兩大類(lèi)。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A269.質(zhì)量問(wèn)題歸零的五條內(nèi)容是:定位準(zhǔn)確、機(jī)理清楚、問(wèn)題復(fù)現(xiàn)、措施有效、舉一反三。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A270.厚膜和薄膜的混合集成電路的組裝順序有所差異。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A271.鏈?zhǔn)饺鄯鉅t通常是在氫氣氣氛下進(jìn)行封帽。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B272.熔封電路蓋板焊料環(huán)使用材料通常是可伐合金。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B273.塑料封裝是非氣密性封裝。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A274.小于二千伏的靜電人體是有感覺(jué)的。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B275.若用環(huán)氧貼裝方法,將全部芯片先貼裝在基板上,然后將基板安裝在外殼上。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A276.低溫共燒陶瓷遇高溫共燒陶瓷的主要差異在于玻璃含量相同。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B277.平行封焊封裝的電路滾輪壓過(guò)的邊部不易銹蝕。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B278.對(duì)于小腔體混合集成電路,主要采用儲(chǔ)能焊工藝。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A279.金—鋁鍵合系統(tǒng)的缺點(diǎn)是在高溫下容易形成金—鋁間的化合物,使鍵合強(qiáng)度不高,造成鍵合質(zhì)量下降,長(zhǎng)時(shí)間以后易脫焊失效。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A280.在零件圖中,不可見(jiàn)部分一般用虛線表示。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A281.對(duì)于芯片的非共晶體安裝不可接受的是,焊接材料的任何剝落、起皮或變色。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B282.電阻率介于10-4~106Ω·cm之間的材料為半導(dǎo)體。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B283.晶體的特點(diǎn)是在各個(gè)晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能相同。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B284.集成電路封裝的重要功能是:(1)保護(hù)芯片以免由環(huán)境和傳遞引線損壞;(2)為芯片的信號(hào)輸入和輸出提供互連;(3)芯片的物理支撐;(4)散熱。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B285.粗檢漏壓完后將電路放進(jìn)酒精中進(jìn)行檢漏。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B286.在數(shù)字電路中,高、低電平是指一定的電壓范圍,而不是一個(gè)不變的數(shù)值。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:A287.封裝外殼的金屬引線,管帽,底座多采用化學(xué)鍍鎳。()A、正確B、錯(cuò)誤答案:B填空題1.化學(xué)反應(yīng)速率等于逆反應(yīng)速率|意味著()。答案:化學(xué)反應(yīng)達(dá)到平衡2.厚膜基片的制造包括()、()、()、();外貼元器件的組裝包括()、()、()、()。答案:制網(wǎng)|印刷|燒結(jié)|調(diào)阻|貼裝|中測(cè)|封裝|終測(cè)3.去溢料方法:機(jī)械噴沙、()___、化學(xué)浸泡、()_。答案:堿性電解法|高壓水噴法4.鏈?zhǔn)饺鄯鉅t在()氣氛下進(jìn)行封帽。答案:氮?dú)?.打碼方法有多種|其中最常用的是():包括油墨印碼和激光印碼兩種。答案:印碼6.陶瓷封裝最常用的材料是氧化鋁|用于陶瓷封裝的無(wú)機(jī)漿料一般在其中添加玻璃粉|其目的是調(diào)整氧化鋁的介電系數(shù)、熱膨脹系數(shù)|()。答案:降低燒結(jié)溫度7.在給定時(shí)間內(nèi)通過(guò)單位面積聚合物膜的()隨時(shí)間的變化曲線稱(chēng)為滲透曲線。答案:潮氣量8.超聲壓焊的機(jī)理是()。答案:塑性流動(dòng)和摩擦結(jié)合9.通孔插裝式安裝器件又分為以下幾種:塑料雙列直插式封裝;();塑料針柵封裝答案:?jiǎn)瘟兄辈迨椒庋b10.常用的裝片方法按原理分有四類(lèi)()_、()_、()_和()_。答案:釬焊|壓焊|熔焊|聚合物粘接11.使用成本最高的凸點(diǎn)下金屬化方法是()和()。答案:鎳-磷浸金|鋁-鎳釩-銅12.組裝工藝的好壞將影響到器件和集成電路的()、()、()和()。答案:直流性能|頻率性能|熱性能|可靠性13.尺寸標(biāo)注中的符號(hào):R表示()|Φ表示()。答案:半徑|直徑14.MOS增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管由截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變到導(dǎo)通狀態(tài)所需的最小柵源電壓|稱(chēng)為()。答案:閾值電壓15.WLP芯片的制作工藝是在傳統(tǒng)圓片制作工藝基礎(chǔ)上增加薄膜再布線工藝和凸點(diǎn)制作工藝:采用兩層BCB作為保護(hù)層和()|生產(chǎn)成本大幅降低答案:介質(zhì)層16.物質(zhì)按導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可分為()、()和()三大類(lèi)。答案:導(dǎo)體|絕緣體|半導(dǎo)體17.制造性能主要包括螺旋流動(dòng)長(zhǎng)度、滲透和填充、凝膠時(shí)間、()、熱硬化以及后固化時(shí)間和溫度。答案:聚合速率18.原子力顯微鏡是一種可用來(lái)研究包括絕緣體在內(nèi)的固體材料表面結(jié)構(gòu)的()。答案:分析儀器19.潮氣能加速塑封微電子器件的分層、裂縫和()。答案:腐蝕失效20.()其實(shí)是兩道工序:切筋和打彎|通常同時(shí)完成。答案:切筋成型21.比例1:2是指實(shí)物尺寸是圖形尺寸的()倍|屬于()比例。答案:2|縮小22.用于去除焊盤(pán)表面氧化物|提高可焊性的物質(zhì)叫()__。答案:助焊劑23.為了獲得最佳的()|通常在IC芯片背面鍍上一層金的薄膜或在基板的芯片承載架上先植入預(yù)型片。答案:共晶貼裝24.常見(jiàn)的芯片互連技術(shù)包括載帶自動(dòng)鍵合、打線鍵合、()三種。答案:倒裝芯片鍵合25.受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供()。答案:空穴26.封裝材料的性能可以分為4類(lèi):工藝性能、()、電學(xué)性能和化學(xué)性能。答案:濕-熱機(jī)械性能27.催化劑對(duì)反應(yīng)速率的影響是()。答案:同等程度地加快正向反應(yīng)和逆向反應(yīng)28.在一定溫度下|與費(fèi)米能級(jí)持平的量子態(tài)上的電子占據(jù)概率為()|高于費(fèi)米能級(jí)2kT能級(jí)處的占據(jù)概率為()。答案:1/2|1/1+exp(2)29.()和溢料是成型中的問(wèn)題|塑封料從腔體擠出到達(dá)注塑模具邊緣的引線框。答案:樹(shù)脂的流淌30.倒裝芯片有三種主要的連接形式:()、()和()。答案:控制塌陷芯片技術(shù)|直接芯片連接|倒裝芯片31.平行封焊的焊點(diǎn)間重疊()為佳。答案:1/3~1/232.根據(jù)封裝元器件的引腳分布形態(tài)|可將封裝元器件分為單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳與()四種。答案:底部引腳33..氣密性封裝是指完全能夠防止污染物(液體或固體)的侵入和腐蝕的封裝形式|通常用作芯片封裝的材料中|能達(dá)到所謂氣密性封裝的只有:金屬、陶瓷和()答案:玻璃34.()制備常采用自動(dòng)填料工藝進(jìn)行答案:注模材料35.鑒定過(guò)程與產(chǎn)品的失效率特征相關(guān)|包括早期失效、隨機(jī)失效和()。答案:耗損失效36.()分為熱固性和熱塑性?xún)深?lèi)。答案:封裝用塑料材料37.低焊接溫度|快冷卻速度|短的更新時(shí)間對(duì)于連接都可以產(chǎn)生最好的剪切強(qiáng)度|延展性和()。答案:蠕變阻抗38.人體發(fā)生觸電后|根據(jù)電流通過(guò)人體的途徑和人體觸及帶電體方式|一般可分為單相觸電、兩相觸電及()。答案:跨步電壓觸電39.去溢料方法:機(jī)械噴沙、堿性電解法、化學(xué)浸泡、()。答案:高壓水噴法40.金錫共晶焊料的熔點(diǎn)為()。答案:280℃41.電子是帶()電的粒子。答案:負(fù)42.反向偏置pn結(jié)|當(dāng)電壓升高到某值時(shí)|反向電流急劇增加|這種現(xiàn)象稱(chēng)為pn結(jié)擊穿|主要的擊穿機(jī)理有兩種:()擊穿和()擊穿。答案:雪崩|隧道43.在SMT中常用的可印刷焊接材料叫()。答案:錫膏44.()的排列方式分為:周邊型、交錯(cuò)型、全陣列型。答案:BGA根據(jù)焊料球45.厚膜元件的燒結(jié)工藝參數(shù)有()、()、()、()、
()等。答案:峰值燒結(jié)溫度|保溫時(shí)間|升降溫速率|燒結(jié)氣氛|材料的粉末狀態(tài)46.圓片的減薄厚度常取得較厚時(shí)|會(huì)使器件串聯(lián)電阻()|串聯(lián)電感()|熱阻()|為此必須把圓片厚度減薄到芯片的()厚度。答案:大|大|上升|設(shè)計(jì)47.做PIND時(shí)|以()作為實(shí)驗(yàn)條件的依據(jù)。答案:腔體高度48.非氣密性密封方法通常用()和()。答案:膠粘法|塑封法49.平行縫焊化鍍鎳蓋板的熔點(diǎn)約為()。答案:880℃50.塑封料的()最終決定了其制成品在惡劣使用環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠性。答案:污染程度51.半導(dǎo)體襯底上的氧化層厚度通常小于1um(幾個(gè)到幾百納米)|所以用這些分析技術(shù)能較好地探測(cè)到()。答案:氧化層失效52.圖樣中|部件的可見(jiàn)輪廓線用()畫(huà)出|不可見(jiàn)輪廓線用()畫(huà)出。答案:粗實(shí)線|虛線53.半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的()(即量子態(tài)按能量如何分布)和()(即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布)。答案:狀態(tài)密度|費(fèi)米分布函數(shù)54.硅中天然地而易于破裂的面是()面。答案:{111}55.小外形封裝的簡(jiǎn)稱(chēng)是()。答案:SOP56.金屬封裝由于在最嚴(yán)酷的使用條件下具有杰出的可靠性而被廣泛用于軍事和()。答案:民用領(lǐng)域57.粗檢壓檢漏時(shí)|抽真空后充入()液體。答案:氟油58.不可見(jiàn)輪廓線采用()來(lái)繪制。答案:虛線59.半導(dǎo)體中的載流子復(fù)合可以有很多途徑|主要有兩大類(lèi):()的直接復(fù)合和通過(guò)禁帶內(nèi)的()進(jìn)行復(fù)合。答案:電子和空穴|復(fù)合中心60.通常把服從()的電子系統(tǒng)稱(chēng)為非簡(jiǎn)并性系統(tǒng)|服從()的電子系統(tǒng)稱(chēng)為簡(jiǎn)并性系統(tǒng)。答案:玻爾茲曼分布|費(fèi)米分布61.粗檢壓檢漏使用的氣體為()。答案:氮?dú)?2.載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)為()運(yùn)動(dòng)。答案:漂移63.半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子運(yùn)動(dòng)為()。答案:擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)64.在無(wú)電鍍鎳-磷制造中|最重要的兩個(gè)參數(shù)是()和()。答案:磷的含量|鍍鎳的速度65.在無(wú)電鍍鎳中的磷與回流焊中含()焊料之間會(huì)發(fā)生很強(qiáng)烈的界面反應(yīng)。答案:錫66.薄膜型CSP封裝主要結(jié)構(gòu)是()和焊料凸點(diǎn)。答案:LSI芯片、模塑樹(shù)脂67.在元器件與電路板完成焊接后|電路板表面會(huì)存在一些污染|包括非極性/非離子污染、極性/非離子污染、()、不溶解/粒狀污染4大類(lèi)。答案:離子污染68.半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)式多種多樣的|常見(jiàn)的Ge和Si材料|其原子均通過(guò)共價(jià)鍵四面體相互結(jié)合|屬于()結(jié)構(gòu);與Ge和Si晶格結(jié)構(gòu)類(lèi)似|兩種不同元素形成的化合物半導(dǎo)體通過(guò)共價(jià)鍵四面體還可以形成()和纖鋅礦等兩種晶格結(jié)構(gòu)。答案:金剛石|閃鋅礦69.對(duì)于焊料黏膠工藝|如果印刷黏膠()|()或者干化|PCB板就必須要被清潔。答案:重合不良|有油跡70.特種作業(yè)人員必須按照國(guó)家有關(guān)規(guī)定經(jīng)專(zhuān)門(mén)的()。答案:安全作業(yè)培訓(xùn)71.細(xì)檢壓檢漏使用的氣體為()。答案:氦氣72.對(duì)于連續(xù)生產(chǎn)流程|元件的包裝形式應(yīng)該方便拾取|且不需作調(diào)整就能夠應(yīng)用到()。答案:自動(dòng)貼片機(jī)上73.三視圖的投影規(guī)律()、()、()。答案:長(zhǎng)對(duì)正|高平齊|寬相等74.芯片封裝常用的材料包括金屬、陶瓷、玻璃、高分子等|其中金屬封裝能提供最好的()。答案:封裝氣密性75.凝膠時(shí)間是指塑封料由液相轉(zhuǎn)變?yōu)槟z所需的時(shí)間|凝膠態(tài)封裝材料屬于()|本身不再具有流動(dòng)性|無(wú)法涂覆成為薄層。答案:高黏度材料76.電學(xué)測(cè)試一般用于()或元件整體電學(xué)性能是否滿足要求。答案:核定待測(cè)系統(tǒng)77.在作焊接應(yīng)用時(shí)|如果在焊接料中金的重量超過(guò)()|則金的脆性是一個(gè)很重要的問(wèn)題。答案:3%78.雖然Ni能夠形成比Cu穩(wěn)定的多的焊料連接|但他容易被氧化|而()可以作為Ni的氧化勢(shì)壘層。答案:Au層79.對(duì)于Au-Au熱超聲引線鍵合|鍵合能力隨著表面Au的硬度的增加而()。答案:下降80.在()設(shè)備下可以觀察封帽空洞的大小。答案:X射線檢測(cè)81.雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用()。答案:兩性82.單一的聚合物體系通常表現(xiàn)為()。答案:菲克濕度擴(kuò)散行為83.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶()電|達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)()。答案:正|相等84.塑料封裝主要優(yōu)點(diǎn)在于()、()和()。答案:成本低廉|工藝簡(jiǎn)單|適宜于大規(guī)模生產(chǎn)85.對(duì)()來(lái)講|尤其是高引腳數(shù)目框架和微細(xì)間距框架器件|一個(gè)突出的問(wèn)題是引腳的非共面性。答案:SMT裝配86.狹義的集成電路芯片封裝是指利用()及膜技術(shù)|將芯片及其它要素在框架或基板上|經(jīng)過(guò)布置、粘貼及固定等形成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。答案:精細(xì)加工技術(shù)87.粘封工藝中|常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和熱固性橡膠型膠粘劑三大類(lèi)。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用()或膠粘劑。答案:橡膠型88.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央|其導(dǎo)帶極小值位于()方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處|因此屬于()半導(dǎo)體。答案:[100]|間接帶隙89.鑒定過(guò)程與產(chǎn)品的失效率特征相關(guān)|包括()_、()_、()__。答案:早期失效|隨機(jī)失效和|耗損失效90.塑料封裝注模工藝:轉(zhuǎn)移成型技術(shù)|噴射成型技術(shù)|()。答案:預(yù)成型技術(shù)91.()可以在兩種模式下工作:材料分析模式和厚度測(cè)量模式。答案:XRF分光計(jì)92.轉(zhuǎn)移鑄膜為塑料封裝最常使用的()|在實(shí)施此工藝過(guò)程中最常發(fā)生的封裝缺陷是倒線現(xiàn)象。答案:密封工藝技術(shù)93.PBGA采用塑料材料和塑封工藝制作|是最常用的()。答案:BGA封裝形式94.靜電敏感器件根據(jù)它們ESD失效的閾值電壓大小劃分為()級(jí)。答案:三95.塑料封裝基本流程:裸芯片制作→芯片貼裝→打線鍵合→()→烘烤成型→引腳鍍錫→引腳切割成型。答案:鑄模成型96.用于制造薄膜的技術(shù)包括蒸發(fā)、()、電鍍、光刻工藝。答案:濺射97.ASTMD_3123或SEMIG11_88試驗(yàn)是讓流動(dòng)的塑封料穿過(guò)橫截面為半圓形的()直到停止流動(dòng)。答案:螺旋管98..BGA的可返修性是其一大特點(diǎn)|但盡管如此|BGA的返修成本很高|通常只要有一個(gè)焊球出現(xiàn)缺陷|均需要卸下整個(gè)部件進(jìn)行返修:更換或()。答案:重新植球99.一張完整的零件圖應(yīng)包括下列四項(xiàng)內(nèi)容:()、()、()、()。答案:圖形|尺寸|技術(shù)要求|標(biāo)題欄100.載帶自動(dòng)鍵合與倒裝芯片鍵合共同的關(guān)鍵技術(shù)是芯片的制作工藝|這些工藝包括蒸發(fā)/濺射、電鍍、置球、化學(xué)鍍、激光法、()、疊層制作凸點(diǎn)法等。答案:移植法101.熔融合金的表面張力和潤(rùn)濕蔓延力與()有關(guān)。答案:溫度102.玻璃密封的主要缺點(diǎn)是:強(qiáng)度()、脆性高。答案:低103.平行縫焊工藝的焊法包括直焊和()。答案:圓焊104.芯片封裝所使用的材料有:()、()、()、()。答案:金屬|(zhì)陶瓷|玻璃|高分子塑料105.粗檢壓檢漏完畢后|將電路置于()中|觀察電路的漏氣情況。答案:高溫氟油106.BGA根據(jù)焊料球的排列方式分為:()、()、()。答案:周邊型|交錯(cuò)型|全陣列型107.二極管的主要特點(diǎn)是()。答案:?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦?08.從封裝的主體材料來(lái)分類(lèi)|半導(dǎo)體分立器件和集成電路封裝包括()、()、()和()。答案:金屬封裝|陶瓷封裝|金屬陶瓷封裝|塑料封裝109.如果電子從價(jià)帶頂躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)波矢k不發(fā)生變化|則具有這種能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為()禁帶半導(dǎo)體|否則稱(chēng)為()禁帶半導(dǎo)體。答案:直接|間接110.DIP是指()封裝。答案:雙列直插式111.影響超聲鍵合的質(zhì)量主要因素有()、()、()、()()等。答案:引線材料|劈刀|鍵壓面|質(zhì)量|外殼質(zhì)量112.BGA封裝的最大優(yōu)點(diǎn)是可最大限度地節(jié)約基板上的空間|BGA可分為四種類(lèi)型:塑料球柵陣列、陶瓷球柵陣列、()、載帶球柵陣列。答案:陶瓷圓柱柵格陣列113.晶圓級(jí)封裝以BGA技術(shù)為基礎(chǔ)|是一種特殊類(lèi)型的()|又稱(chēng)為圓片級(jí)芯片尺寸封裝。答案:CSP封裝型式114.將芯片及其他要素在框架和基板上布置|粘貼固定以及連接|引出接線端子并且通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定的過(guò)程是()_|在此基礎(chǔ)上|將封裝體與裝配成完整的系統(tǒng)和設(shè)備|這個(gè)過(guò)程為()。答案:狹義封裝|廣義封裝115.厚膜制造工藝包括絲網(wǎng)印刷、干燥、燒結(jié)|厚膜漿料的組分包括可揮發(fā)性組分和不揮發(fā)性組分|其中實(shí)施厚膜漿料干燥工藝的目的是去除()中的絕大部分揮發(fā)性物質(zhì)。答案:漿料116.鍍鋅的含碳量|氰化鋅的數(shù)量和()|都與錫須的生長(zhǎng)有關(guān)。答案:自由氰化物離子117.Puttlitz第一個(gè)報(bào)道了一個(gè)稱(chēng)為()的現(xiàn)象|他與缺陷連接相關(guān)|此時(shí)焊盤(pán)呈現(xiàn)黑灰到黑的顏色|而且焊盤(pán)只有部分濕化。答案:“黑焊盤(pán)”118.影響集成電路封裝的因素有()、()、()、()。答案:電路成本|適應(yīng)能力|環(huán)境要求|封裝選擇119.電子技術(shù)的核心是半導(dǎo)體|它的三個(gè)特性是:()、()、()。答案:摻雜特性|熱敏特性|光敏特性120.為了精確分析各個(gè)焊點(diǎn)內(nèi)部區(qū)域質(zhì)量|需采用()|可分為透射檢測(cè)和斷層檢測(cè)兩種。答案:X射線檢測(cè)技術(shù)121.塑料封裝的成型技術(shù)包括噴射成型技術(shù)、轉(zhuǎn)移成型技術(shù)、()。答案:預(yù)成型技術(shù)122.()雜質(zhì)可顯著改變載流子濃度;()雜質(zhì)可顯著改變非平衡載流子的壽命|是有效的復(fù)合中心。答案:淺能級(jí)|深能級(jí)123.塑料封裝具有低成本、()、工藝較為簡(jiǎn)單、適合自動(dòng)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。答案:薄型化124.再流焊分為()再流焊、()再流焊、()再流焊及()再流焊等。答案:熱板|紅外|氣相|激光125.調(diào)整厚膜電阻的阻止有改變電阻膜()和改變電阻膜()兩類(lèi)方法。答案:幾何圖形|結(jié)構(gòu)126.倒裝芯片技術(shù)(FCT)是直接通過(guò)芯片上呈陣列分布的凸點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與封裝襯底(基板)或()的技術(shù):裸芯片面朝下安裝。答案:PCB的互連127.分層或()是指在塑封料和其
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