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半導(dǎo)體閾值電壓修正若溝道長(zhǎng)度L短到與漏-源結(jié)深rj相當(dāng)時(shí)，閾值電壓VT與溝道長(zhǎng)度L有關(guān)，此時(shí)VT隨L的減少而減少半導(dǎo)體閾值電壓修正VT隨L的變化:ΔVT的計(jì)算閾值電壓修正

VT隨L的變化:關(guān)系曲線VDS>0VBS>0閾值電壓修正VT隨W的變化:表面電荷窄溝道效應(yīng)若溝道寬度W窄到與表面空間電荷區(qū)寬度xdT相當(dāng)時(shí)，閾值電壓VT與溝道寬度W有關(guān)，此時(shí)VT隨W的減少而增加閾值電壓修正VT隨W的變化:ΔVT的計(jì)算閾值電壓修正

VT隨W的變化:關(guān)系曲線閾值電壓修正離子注入調(diào)整VT:原理p型半導(dǎo)體表面注入受主雜質(zhì)Na（如B）→半導(dǎo)體表面凈摻雜濃度↑→表面更難以反型→VT↑受主注入劑量（單位面積注入的離子數(shù)）注入前的閾值電壓p型半導(dǎo)體表面注入施主雜質(zhì)Nd（如P）→半導(dǎo)體表面凈摻雜濃度↓→表面更容易反型→VT↓施主注入劑量（單位面積注入的離子數(shù)）注入前的閾值電壓閾值電壓修正離子注入調(diào)整VT:注入雜質(zhì)分布1、Delta函數(shù)型分布

2、階躍函數(shù)型分布

3、高斯函數(shù)型分布：更接近實(shí)際情況，分析較復(fù)雜。平均注入摻雜濃度注入前的摻雜濃度平均注入摻雜濃度注入前的摻雜濃度注入深度反型時(shí)，xdT<xI,VT由Ns決定；反型時(shí)，xdT>xI,VT由DI決定；閾值電壓修正短溝道效應(yīng)窄溝道效應(yīng)閾值電壓調(diào)整。漏源擊穿BVDS：漏pn結(jié)擊穿，與VDS、VGS均有關(guān)柵源擊穿BVGS：柵氧化層擊穿，只與VGS有關(guān)擊穿現(xiàn)象VGS↑＝BVGS→氧化層電場(chǎng)強(qiáng)度Eox>臨界電場(chǎng)強(qiáng)度EB＝(0.5~1)x107V/cm時(shí)，氧化層發(fā)生介電擊穿當(dāng)氧化層厚度50nm時(shí)，BVGS=30V，若EB＝6x106V/cm，則要求工作電壓VGS<10V（安全余量為3）擊穿過程針孔→凹坑→空洞→崩塌電流I↑→溫度T↑→電流I↑，形成熱電正反饋擊穿場(chǎng)強(qiáng)的來源柵壓VGS：Eox≈VGS/tox柵感應(yīng)電荷QI：Eox≈QI/toxCox發(fā)自S端的載流子（形成電流IS）受溝道電場(chǎng)的加速在D端附近發(fā)生雪崩倍增，產(chǎn)生的電子被漏極收集（加入ID），產(chǎn)生的空穴注入襯底（產(chǎn)生Isub）雪崩倍增形

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