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非均勻半導體中的自建場非均勻半導體中的自建場半導體中的靜電場和勢非均勻半導體和自建電場流密度和電流密度在漂移和擴散同時存在的情況下，空穴和電子的流密度分別為電流密度分別為在一維情況下，空穴和電子的電流分別為式中為電流垂直流過的面積。（1-135）

（1-132）

（1-133）

（1-134）

（1-136）

（1-137）

電場定義為電勢的負梯度電勢與電子勢能的關系為可以把電場表示為（一維）取表示靜電勢與此類似，定義為費米勢。(1-138)

（1-140）

（1-141）

（1-142）

于是式中稱為熱電勢.在熱平衡情況下，費米勢為常數(shù)，可以把它取為零基準，

（1-145）

（1-146）

（1-143）

（1-144）

非均勻的雜質(zhì)分布會在半導體中形成電場，稱為自建電場。在熱平衡情況下，由

有和同樣，對于型半導體，有

（1-145）（1-146）

（1-150）

（1-151）

（1-152）

（1-153）

1.6非平衡載流子在非平衡狀態(tài)下可以定義和兩個量以代替，使得式中和分別稱為電子和空穴的準費米能級，和分別為相應的準費米勢：（1-162）

（1-163）

修正的歐姆定律（1-166）式和（1-167）式稱為修正的歐姆定律，其中分別稱為電子和空穴的等效電導率。修正歐姆定律雖然在形式上和歐姆定律一致，但它包括了載流子的漂移和擴散的綜合效應。從修正歐姆定律可以看出，費米能級恒定（即）是電流為零的條件。處于熱平衡的半導體，費米能級恒定。或者說，熱平衡系統(tǒng)具有統(tǒng)一的費米能級。（1-166）

（1-167）

通過復合中心的復合:為簡單計，假設復合中心對電子和空穴的俘獲系數(shù)相等。凈復合率可寫成或表面復合（1-207）

（1-208）

（1-209）

（1-210）

0.1500.1250.1000.0750.0500.02504.004.104.204.304.40T/KR/Ω

典型超導合金高溫超導氧化物NbTi9.5YBa2Cu3O7-δ90NbZr11Bi2Sr2CaCu2O885PbIn3.4~7.3Tl2Ba2Ca2Cu3O10125PbBi8.5HgBa2Ca2Cu3O101361933年邁斯納和奧森菲爾德發(fā)現(xiàn)，無論是在磁場

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