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費米能級和載流子的統(tǒng)計分布2024/5/172費米能級和載流子的統(tǒng)計分布定義:導帶有效狀態(tài)密度熱平衡下,導帶電子濃度不是一個常數(shù),而是溫度的函數(shù)2024/5/173費米能級和載流子的統(tǒng)計分布價帶空穴濃度價帶有效狀態(tài)密度2024/5/174費米能級和載流子的統(tǒng)計分布載流子濃度的乘積只與mn*、mp*、Eg和T有關,與EF和摻雜濃度無關。材料參數(shù)無論本征半導體,還是雜質半導體,只要是熱平衡下的非簡并半導體,都適用。2024/5/175費米能級和載流子的統(tǒng)計分布兩個結論:1.當材料一定時,n0、p0隨EF和T而變化;2.當溫度T一定時,n0×p0僅僅與材料相關。2024/5/1761.本征載流子濃度ni沒有雜質、沒有缺陷的半導體,其費米能級和載流子濃度只由材料的本征性質決定,故稱為本征半導體。本征半導體的電中性條件將Nc、Nv代入2024/5/177ni與禁帶寬度Egni與溫度T測量值2024/5/178注意:對于某種特定半導體,T確定,ni也確定。室溫下:斜率極限工作溫度Si:520KGe:320KGaAs:720K“高溫”半導體2024/5/179本征載流子濃度的意義可作為判斷半導體材料的熱平衡條件。當半導體處于熱平衡時,載流子濃度的乘積n0×p0保持恒定,如果電子的濃度增加,則空穴的濃度要減少;反之亦然。

——針對非簡并半導體而言因此,若已知ni和一種載流子濃度,則可根據(jù)上式求出另一種載流子濃度。2024/5/1710本征半導體費米能級的位置由電中性條件本征半導體的費米能級Ei基本位于禁帶中線處2024/5/1711本征費米能級位于禁帶中線處,滿足n0=p0的關系。但是由于導帶有效狀態(tài)密度Nc和價帶有效狀態(tài)密度Nv中分別含有電子狀態(tài)密度有效質量mdn和價帶空穴狀態(tài)密度有效質量mdp。由于兩者數(shù)值上的差異,使本征半導體的費米能級偏離禁帶中央。如果費米能級偏離禁帶中線很小,可以認為費米能級基本上位于禁帶中央。2024/5/1712

雜質能級上的電子和空穴雜質能級的分布函數(shù):電子或空穴占據(jù)雜質能級的幾率能帶中

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