《半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（ddr3 sdram）測試方法GBT 36474-2018》詳細(xì)解讀

《半導(dǎo)體集成電路第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（ddr3sdram）測試方法GB/T36474-2018》詳細(xì)解讀contents目錄1范圍2規(guī)范性引用文件3術(shù)語和定義4一般要求4.1通則4.2功能驗證的一般要求4.3電參數(shù)測試的測試向量4.4電參數(shù)測試的示波器contents目錄4.5測試環(huán)境5詳細(xì)要求5.1功能驗證5.2時鐘5.3讀數(shù)據(jù)參數(shù)5.4寫數(shù)據(jù)參數(shù)5.5電源電流(IDD)/數(shù)據(jù)管腳的電源電流(IDDQ)011范圍涵蓋的產(chǎn)品類型本標(biāo)準(zhǔn)適用于第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（DDR3SDRAM）的測試。涵蓋不同封裝形式、容量、數(shù)據(jù)寬度和速度的DDR3SDRAM產(chǎn)品。驗證DDR3SDRAM的基本功能是否符合規(guī)范要求。功能性測試評估DDR3SDRAM的讀寫速度、功耗等性能指標(biāo)。性能測試檢驗DDR3SDRAM在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。可靠性測試規(guī)定的測試內(nèi)容010203適用的測試階段本標(biāo)準(zhǔn)適用于DDR3SDRAM產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)及質(zhì)量控制的各個階段。為生產(chǎn)廠商、用戶及第三方檢測機(jī)構(gòu)提供統(tǒng)一的測試依據(jù)和方法。022規(guī)范性引用文件確保測試方法的準(zhǔn)確性和可靠性通過引用相關(guān)的規(guī)范性文件，可以確保DDR3SDRAM的測試方法基于公認(rèn)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)規(guī)范，從而提高測試的準(zhǔn)確性和可靠性。促進(jìn)技術(shù)交流和協(xié)作規(guī)范性引用文件作為共同的技術(shù)語言，有助于測試人員、開發(fā)人員和相關(guān)利益方之間的技術(shù)交流和協(xié)作，推動DDR3SDRAM技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。引用文件的目的該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路測試的基本原則和方法，是DDR3SDRAM測試方法制定的重要參考依據(jù)。GB/TXXXX-XXXX在制定DDR3SDRAM測試方法時，還參考了其他與半導(dǎo)體集成電路測試相關(guān)的國家和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以確保測試方法的全面性和適用性。其他相關(guān)的國家和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)主要引用的規(guī)范性文件引用文件的應(yīng)用方式參照執(zhí)行對于某些非直接引用的規(guī)范性文件，DDR3SDRAM測試方法可能會參照其執(zhí)行，即參考其測試原理、方法或流程，以適應(yīng)DDR3SDRAM測試的實際需求。直接引用在DDR3SDRAM測試方法的標(biāo)準(zhǔn)文本中，直接引用相關(guān)規(guī)范性文件的特定條款或章節(jié)，以確保測試步驟和要求的明確性和可操作性。033術(shù)語和定義3.1半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路（SemiconductorIntegratedCircuit）：指采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。集成電路按功能可分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、混合信號集成電路等。半導(dǎo)體集成電路是電子設(shè)備中不可或缺的核心部件，具有體積小、重量輕、可靠性高等優(yōu)點。DDR3SDRAM（DoubleDataRateThirdGenerationSynchronousDynamicRandomAccessMemory）：即第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，是一種高性能、高帶寬的計算機(jī)內(nèi)存。DDR3SDRAM采用了雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)，即在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。與前代產(chǎn)品相比，DDR3SDRAM具有更高的工作頻率、更低的功耗和更大的容量，適用于各種高性能計算場景。3.2第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（DDR3SDRAM）3.3測試方法010203測試方法（TestMethod）：指對某一特定產(chǎn)品或技術(shù)性能進(jìn)行檢測、評估和驗證的一系列步驟和程序?！栋雽?dǎo)體集成電路第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（DDR3SDRAM）測試方法GB/T36474-2018》規(guī)定了DDR3SDRAM的詳細(xì)測試方法，包括功能測試、性能測試、可靠性測試等多個方面。通過遵循該測試方法，可以確保DDR3SDRAM產(chǎn)品的質(zhì)量和性能符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，為產(chǎn)品的設(shè)計、生產(chǎn)和使用提供有力支持。044一般要求4.1設(shè)備要求010203測試設(shè)備應(yīng)具備對DDR3SDRAM進(jìn)行準(zhǔn)確測試的能力，包括信號發(fā)生器、示波器、邏輯分析儀等。測試設(shè)備應(yīng)滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的要求，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。測試設(shè)備應(yīng)定期進(jìn)行校準(zhǔn)和維護(hù)，以保持其性能的穩(wěn)定和可靠。測試過程中應(yīng)避免外界干擾，如電磁干擾、噪聲干擾等，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。測試環(huán)境應(yīng)保持干凈、整潔，以減少塵埃等污染物對測試結(jié)果的影響。測試環(huán)境應(yīng)符合半導(dǎo)體集成電路測試的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，包括溫度、濕度、靜電保護(hù)等。4.2環(huán)境要求4.3測試人員要求測試人員應(yīng)具備相關(guān)的專業(yè)知識和技能，能夠熟練掌握測試設(shè)備的使用方法和測試流程。01測試人員應(yīng)嚴(yán)格遵守測試規(guī)范和操作規(guī)程，確保測試結(jié)果的客觀性和公正性。02測試人員應(yīng)具備良好的職業(yè)素養(yǎng)和團(tuán)隊協(xié)作精神，能夠高效地完成測試任務(wù)。03010203測試過程中應(yīng)嚴(yán)格遵守安全規(guī)范，確保測試人員和設(shè)備的安全。測試設(shè)備應(yīng)接地良好，以避免靜電等潛在的安全隱患。在測試過程中，測試人員應(yīng)注意觀察異常情況，及時采取措施以防止意外事故的發(fā)生。4.4安全要求054.1通則4.1.1測試目的驗證DDR3SDRAM的性能指標(biāo)是否符合規(guī)范要求。01確保DDR3SDRAM在各種環(huán)境條件下均能穩(wěn)定工作。02為DDR3SDRAM的生產(chǎn)、研發(fā)和應(yīng)用提供可靠的測試依據(jù)。03涵蓋DDR3SDRAM的電氣特性、時序特性、功能特性以及可靠性測試。適用于不同容量、不同速度等級的DDR3SDRAM產(chǎn)品。針對不同應(yīng)用場景，提供相應(yīng)的測試項和測試方法。4.1.2測試范圍0102034.1.3測試環(huán)境與條件0302規(guī)定了測試所需的硬件設(shè)備，包括測試儀器、測試板卡等。01設(shè)定了測試環(huán)境參數(shù)，如溫度、濕度、電源電壓等，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。明確了測試軟件的要求，如操作系統(tǒng)、測試程序等。詳細(xì)介紹了測試前的準(zhǔn)備工作，包括測試樣品的選取、測試設(shè)備的調(diào)試等。提供了測試過程中可能遇到的問題及解決方案，以確保測試的順利進(jìn)行。闡述了具體的測試流程，包括測試項的先后順序、測試數(shù)據(jù)的記錄方法等。4.1.4測試流程與步驟064.2功能驗證的一般要求驗證目的確保DDR3SDRAM各項功能正常通過功能驗證，檢測DDR3SDRAM的讀寫、刷新、預(yù)充電等基本操作是否按照預(yù)期工作。驗證性能參數(shù)達(dá)標(biāo)對DDR3SDRAM的性能參數(shù)，如數(shù)據(jù)傳輸速率、訪問時間等進(jìn)行驗證，確保其滿足設(shè)計規(guī)格書的要求。評估系統(tǒng)兼容性通過在不同系統(tǒng)環(huán)境下進(jìn)行功能驗證，評估DDR3SDRAM的兼容性和穩(wěn)定性。01基于測試平臺的自動化測試?yán)脤I(yè)的測試平臺，編寫自動化測試腳本，對DDR3SDRAM進(jìn)行批量、高效的測試。仿真模擬驗證通過搭建仿真環(huán)境，模擬DDR3SDRAM在各種工作條件下的運行情況，以驗證其功能的正確性。實際系統(tǒng)應(yīng)用驗證將DDR3SDRAM集成到實際系統(tǒng)中，通過運行典型應(yīng)用任務(wù)來驗證其實際性能表現(xiàn)。驗證方法0203基本功能驗證包括DDR3SDRAM的初始化、讀寫操作、自動刷新、自刷新、模式寄存器的設(shè)置與讀取等基本功能的驗證。驗證內(nèi)容性能參數(shù)驗證對DDR3SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率、時序參數(shù)（如CAS延遲、行選通周期等）進(jìn)行詳細(xì)的驗證，確保其滿足性能要求。錯誤處理與容錯能力驗證測試DDR3SDRAM在異常情況下的反應(yīng)和處理能力，如數(shù)據(jù)傳輸錯誤、地址線錯誤等，以評估其容錯性能。驗證結(jié)果分析與處理01根據(jù)驗證結(jié)果生成詳細(xì)的測試報告，包括測試項、測試條件、測試結(jié)果及問題分析等內(nèi)容。針對驗證過程中發(fā)現(xiàn)的問題，進(jìn)行深入的定位分析，并提出有效的解決方案。將驗證結(jié)果及時反饋給設(shè)計團(tuán)隊，以便對DDR3SDRAM的設(shè)計進(jìn)行針對性的改進(jìn)和優(yōu)化。同時，也為后續(xù)產(chǎn)品的設(shè)計和驗證提供寶貴的經(jīng)驗和參考。0203測試報告生成問題定位與解決驗證結(jié)果反饋與改進(jìn)074.3電參數(shù)測試的測試向量設(shè)計與生成依據(jù)DDR3SDRAM的規(guī)范要求和電特性，設(shè)計并生成具有代表性和全面性的測試向量。應(yīng)用范圍測試向量適用于DDR3SDRAM的各類電參數(shù)測試，包括但不限于供電電流、輸入輸出電壓等。定義與作用測試向量是指用于驗證DDR3SDRAM電參數(shù)性能的一組特定數(shù)據(jù)序列。測試向量概述讀寫測試向量通過讀寫操作來檢測DDR3SDRAM的讀寫性能，包括數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性和時序特性等。測試向量類型與特點功耗測試向量用于評估DDR3SDRAM在不同工作狀態(tài)下的功耗情況，有助于優(yōu)化系統(tǒng)能耗設(shè)計。兼容性測試向量確保DDR3SDRAM能夠與不同廠商、不同型號的處理器和芯片組等關(guān)鍵部件兼容工作。01測試環(huán)境搭建根據(jù)測試需求，搭建符合DDR3SDRAM電參數(shù)測試要求的硬件和軟件環(huán)境。測試向量應(yīng)用與實施02測試向量加載與執(zhí)行將設(shè)計好的測試向量加載到測試系統(tǒng)中，并按照預(yù)定的測試流程執(zhí)行測試。03測試結(jié)果分析與報告收集測試數(shù)據(jù)，運用統(tǒng)計分析方法對測試結(jié)果進(jìn)行量化評估，并形成詳細(xì)的測試報告。針對性優(yōu)化根據(jù)DDR3SDRAM的具體型號和應(yīng)用場景，對測試向量進(jìn)行針對性優(yōu)化，提高測試的準(zhǔn)確性和效率。持續(xù)改進(jìn)測試向量優(yōu)化與改進(jìn)隨著DDR3SDRAM技術(shù)的不斷發(fā)展和市場需求的變化，及時對測試向量進(jìn)行更新和升級，確保其始終與行業(yè)發(fā)展保持同步。0102084.4電參數(shù)測試的示波器帶寬和采樣率為準(zhǔn)確捕捉DDR3SDRAM信號中的高速變化，示波器應(yīng)具備足夠的帶寬和高速采樣率。靈敏度和精度示波器應(yīng)具備高靈敏度和精度，以確保微弱信號的準(zhǔn)確檢測和分析。穩(wěn)定性和可靠性在長時間連續(xù)工作中，示波器應(yīng)保持良好的穩(wěn)定性和可靠性，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。030201示波器選擇要求觸發(fā)設(shè)置根據(jù)DDR3SDRAM的信號特點，合理設(shè)置示波器的觸發(fā)條件，以確保信號的穩(wěn)定顯示和捕捉。通道配置根據(jù)測試需求，合理配置示波器的通道，包括通道數(shù)、通道耦合方式等。參數(shù)測量利用示波器的參數(shù)測量功能，對DDR3SDRAM的各項電參數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確測量和分析。示波器設(shè)置方法時序分析通過示波器捕捉DDR3SDRAM的時序信號，分析信號的穩(wěn)定性和時序關(guān)系，以評估其性能。噪聲和干擾分析利用示波器分析DDR3SDRAM信號中的噪聲和干擾成分，為優(yōu)化設(shè)計和改進(jìn)工藝提供依據(jù)。故障診斷和定位在DDR3SDRAM出現(xiàn)故障時，通過示波器對信號進(jìn)行實時監(jiān)測和分析，幫助診斷和定位故障原因。020301示波器在電參數(shù)測試中的應(yīng)用094.5測試環(huán)境測試設(shè)備應(yīng)使用符合規(guī)范要求的測試設(shè)備，包括信號發(fā)生器、示波器、電源供應(yīng)器等，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。環(huán)境要求測試環(huán)境應(yīng)滿足一定的溫度、濕度、電磁干擾等條件，以模擬產(chǎn)品實際工作場景，從而得到更真實的測試結(jié)果。4.5.1測試設(shè)備與環(huán)境要求VS根據(jù)測試需求，選擇合適的硬件和軟件，搭建穩(wěn)定可靠的測試平臺，以確保測試過程的順利進(jìn)行。測試接口連接正確連接測試設(shè)備與待測產(chǎn)品之間的接口，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和準(zhǔn)確性。搭建穩(wěn)定的測試平臺4.5.2測試平臺搭建在測試前應(yīng)對待測產(chǎn)品進(jìn)行全面的狀態(tài)檢查，包括外觀、功能等方面，以確保產(chǎn)品符合測試要求。產(chǎn)品狀態(tài)檢查根據(jù)測試需求，編寫或選擇合適的測試程序，以實現(xiàn)對產(chǎn)品各項性能的全面檢測。測試程序準(zhǔn)備4.5.3測試前的準(zhǔn)備工作安全操作在測試過程中，應(yīng)嚴(yán)格遵守安全操作規(guī)程，避免因操作不當(dāng)而導(dǎo)致設(shè)備損壞或人身傷害。數(shù)據(jù)記錄與分析詳細(xì)記錄測試過程中的各項數(shù)據(jù)，包括測試條件、測試結(jié)果等，以便后續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析與比對。同時，應(yīng)對異常數(shù)據(jù)進(jìn)行及時分析和處理，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。4.5.4測試過程中的注意事項105詳細(xì)要求測試儀器的精度應(yīng)滿足一定要求，以確保測試數(shù)據(jù)的可靠性。測試設(shè)備精度測試期間應(yīng)確保電源的穩(wěn)定供應(yīng)，避免異常波動對測試結(jié)果的影響。電源穩(wěn)定性應(yīng)保持在規(guī)定的范圍內(nèi)，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。測試環(huán)境溫度5.1環(huán)境和設(shè)備要求樣品檢查對待測DDR3SDRAM進(jìn)行外觀檢查，確保其完好無損且符合測試要求。測試軟件安裝安裝用于測試的專用軟件，確保軟件版本與測試要求相符。測試平臺搭建根據(jù)測試需求搭建合適的測試平臺，包括主板、處理器、內(nèi)存等關(guān)鍵部件。5.2測試前準(zhǔn)備工作初始化設(shè)置性能指標(biāo)測試數(shù)據(jù)讀寫測試穩(wěn)定性測試按照測試軟件的要求進(jìn)行初始化設(shè)置，包括參數(shù)配置、測試模式選擇等。測試DDR3SDRAM的關(guān)鍵性能指標(biāo)，如數(shù)據(jù)傳輸速率、延遲時間等。對DDR3SDRAM進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫測試，以驗證其存儲和讀取功能的正確性。在長時間運行和高負(fù)載情況下，測試DDR3SDRAM的穩(wěn)定性表現(xiàn)。5.3測試方法與步驟數(shù)據(jù)對比分析將測試得到的數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行對比分析，找出差異點并評估其影響程度。結(jié)果判定與報告編寫根據(jù)測試結(jié)果判定DDR3SDRAM是否合格，并編寫詳細(xì)的測試報告。故障診斷與定位針對測試中出現(xiàn)的異常情況，進(jìn)行故障診斷和定位，以便及時解決問題。5.4測試結(jié)果分析與判定115.1功能驗證驗證目標(biāo)確保DDR3SDRAM的各項功能正常，符合設(shè)計要求。01驗證在不同工作條件下，DDR3SDRAM的穩(wěn)定性和可靠性。02檢測潛在的功能缺陷或故障，為后續(xù)改進(jìn)提供依據(jù)。03初始化驗證對DDR3SDRAM進(jìn)行初始化操作，驗證其是否能夠正確完成初始化過程。刷新驗證驗證DDR3SDRAM的刷新功能是否正常。包括自動刷新和自刷新兩種模式的測試。讀寫驗證通過讀寫操作驗證DDR3SDRAM的存儲和讀取功能是否正常。包括對不同地址、不同數(shù)據(jù)以及不同時序的讀寫測試。功耗驗證在不同工作負(fù)載下，測試DDR3SDRAM的功耗表現(xiàn)，確保其滿足設(shè)計要求。驗證方法編寫驗證報告根據(jù)測試結(jié)果和分析，編寫詳細(xì)的驗證報告，為后續(xù)工作提供參考。搭建驗證環(huán)境根據(jù)驗證需求，搭建符合要求的驗證環(huán)境，包括測試平臺、測試工具等。分析測試結(jié)果對測試結(jié)果進(jìn)行詳細(xì)分析，找出可能存在的問題或缺陷，并提出改進(jìn)意見。執(zhí)行驗證測試按照驗證計劃和方法，對DDR3SDRAM進(jìn)行各項功能驗證測試。制定驗證計劃明確驗證目標(biāo)、方法、資源、時間等要素，制定詳細(xì)的驗證計劃。驗證流程125.2時鐘準(zhǔn)確穩(wěn)定的時鐘源為確保DDR3SDRAM的正常工作，必須提供一個準(zhǔn)確且穩(wěn)定的時鐘源。時鐘頻率要求DDR3SDRAM的時鐘頻率通常較高，以滿足高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆r鐘抖動與偏移在時鐘信號傳輸過程中，應(yīng)盡可能減小時鐘抖動與偏移，以確保信號的穩(wěn)定性。5.2.1時鐘源5.2.2時鐘分布時鐘樹設(shè)計采用合理的時鐘樹設(shè)計，以確保時鐘信號能夠均勻分布到各個DDR3SDRAM芯片。01時鐘延遲補(bǔ)償針對時鐘信號在傳輸過程中產(chǎn)生的延遲，需要進(jìn)行相應(yīng)的補(bǔ)償措施。02時鐘同步性確保所有DDR3SDRAM芯片在同一時鐘周期內(nèi)同步工作，以提高數(shù)據(jù)傳輸效率。03合理控制時鐘的啟動與關(guān)閉時序，以避免對DDR3SDRAM產(chǎn)生不必要的干擾。時鐘啟動與關(guān)閉根據(jù)實際需求，動態(tài)調(diào)整時鐘頻率，以實現(xiàn)功耗與性能的平衡。時鐘頻率調(diào)整實施對時鐘信號的實時監(jiān)控與故障檢測，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。時鐘監(jiān)控與故障檢測5.2.3時鐘控制135.3讀數(shù)據(jù)參數(shù)指讀數(shù)據(jù)信號在有效窗口內(nèi)的穩(wěn)定時間，即數(shù)據(jù)可被正確讀取的時間范圍。讀數(shù)據(jù)眼寬參數(shù)定義指從讀命令發(fā)出到讀數(shù)據(jù)信號穩(wěn)定并可被讀取所需的時間。讀數(shù)據(jù)建立時間指讀數(shù)據(jù)信號穩(wěn)定后，可保持被正確讀取狀態(tài)的時間。讀數(shù)據(jù)保持時間測試目的驗證存儲器在讀操作過程中的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性和可靠性。01確保存儲器在各種工作條件下（如溫度、電壓變化等）均能正確讀出數(shù)據(jù)。02為存儲器設(shè)計、生產(chǎn)及應(yīng)用提供重要參考依據(jù)。03使用專用測試設(shè)備或仿真平臺，向存儲器發(fā)送讀命令。監(jiān)測讀數(shù)據(jù)信號的有效窗口，記錄讀數(shù)據(jù)眼寬、建立時間及保持時間等關(guān)鍵參數(shù)。分析測試數(shù)據(jù)，評估存儲器讀數(shù)據(jù)性能是否滿足設(shè)計要求及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。測試方法010203測試過程中應(yīng)確保測試環(huán)境的穩(wěn)定，避免外部干擾對測試結(jié)果的影響。在進(jìn)行批量測試時，應(yīng)保證測試條件的一致性，以便準(zhǔn)確評估產(chǎn)品性能。根據(jù)不同型號的DDR3SDRAM，測試參數(shù)可能有所差異，需參照具體產(chǎn)品規(guī)格書進(jìn)行調(diào)整。注意事項145.4寫數(shù)據(jù)參數(shù)030201定義寫數(shù)據(jù)建立時間是指從寫命令發(fā)出到數(shù)據(jù)穩(wěn)定出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上的時間。影響因素該參數(shù)受到DDR3SDRAM內(nèi)部電路延遲、時鐘偏差以及外部電路等因素的影響。重要性合理的寫數(shù)據(jù)建立時間可以確保數(shù)據(jù)在正確的時鐘周期內(nèi)被準(zhǔn)確寫入。5.4.1寫數(shù)據(jù)建立時間寫數(shù)據(jù)保持時間是指數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)總線上保持穩(wěn)定的最短時間。定義作用調(diào)整方法該參數(shù)用于確保在寫操作完成后，數(shù)據(jù)能夠可靠地保持在數(shù)據(jù)總線上，以便DDR3SDRAM能夠正確讀取。通過調(diào)整時序控制信號或優(yōu)化電路設(shè)計來改善寫數(shù)據(jù)保持時間。5.4.2寫數(shù)據(jù)保持時間定義寫延遲是指從寫命令發(fā)出到數(shù)據(jù)實際寫入DDR3SDRAM的延遲時間。影響因素寫延遲受到DDR3SDRAM內(nèi)部處理速度、時鐘頻率以及外部電路延遲等因素的影響。優(yōu)化手段通過提高DDR3SDRAM的工作頻率、優(yōu)化內(nèi)部處理流程以及減少外部電路延遲來降低寫延遲。5.4.3寫延遲010203定義寫帶寬是指在單