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文檔簡介

半導體的極化激元

半導體的極化激元光與介質相互作用兩個層次:●弱耦合:電磁波與介質的激發(fā)作為獨立的體系處理.說明:①

仍是高反射區(qū)域.由于

很大(吸收系數(shù)

),界

面多次反射被抑制.

②在

區(qū)域.

(a)圖中不存在振蕩,這是因為(a)中平板的厚度

都沒有產生相干疊加.反射光以及透射光(b)圖中存在振蕩,這是因為平板的厚度

反射光以及透射光產生相干疊加,形成FP模.

區(qū)域內不存在傳播模,

因此,任何情況下平板都不可能形成FP模.③在

區(qū)域,隨

增加,減小.這是由于

增大,減弱了后界面光的反射.在

區(qū)域,隨

增加,增加.

這是由于

減弱,從而后界面光的反射增強.④

譜的變化相反.鄰近共振的相互作用考慮樣品存在兩個相鄰的共振頻率(如ZnO中設在這兩個相鄰的共振頻率處振子強度相同,且不考慮阻尼和空間色散,那么介電函數(shù)為激子),假其中ZnO非交叉原理:如果兩個能級

發(fā)生耦合,則兩個能級無交叉點.交叉點的分裂與兩個能級的耦合強度成正比.而介質(振子)的極化又產生電磁輻射,反作用于入射電磁波.光與介質強耦合導致極化激元的產生.●強耦合:入射電磁波使介質極化極化激元1.極化波●極化強度

上式表明:在

條件下,從

~半導體的最高本征頻率范圍內,

即介質的極化現(xiàn)象總是存在的,由此極化波總是存在的.固體中,從IR,VIS至UV,“力學”極化波與

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