貴金屬鍵合絲熱影響區(qū)長度測定 掃描電鏡法 征求意見稿_第1頁
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3貴金屬鍵合絲熱影響區(qū)長度的掃描電鏡測定方法本文件規(guī)定了各類貴金屬鍵合絲熱影響區(qū)長度的掃描電鏡測GB/T38783-2020貴金屬復合材料覆層厚度的掃描電GB/T40300微束分析分析電子），雙束電子顯微鏡dualbeamelectro4形態(tài)介于等軸晶粒與形變條帶組織之間的長條狀非等軸晶粒。通常其長徑比大于2且掃描電鏡：背散射電子像分辨率優(yōu)于20nm；設備需進行5通過雙束電子顯微鏡的大束流FIB切割并拋光試樣，制備出平整且滿足通道襯求的鍵合絲截面，再通過小束流FIB成像，獲得鍵合絲雙束電子顯微鏡：電子束分辨率優(yōu)于5nm；離子束分辨率優(yōu)于10nm；設備需進行長度為避免樣品在離子束加工時位置發(fā)生位移，必須將樣品進行固定。單根鍵上，可使用液體導電膠薄涂于芯片表面并自然晾干的方法來固定，將處理后的樣品粘平面樣品臺上。將貼有樣品的平面樣品臺置于樣品倉并抽真67將傾斜的樣品臺傾回水平，以截面位置為中心旋轉(zhuǎn)180°。微調(diào)樣品臺使鍵合絲截面在8像后獲得的圖像在高度方向是畸變的，因此需要對圖像進行矯正。計算方法見L=L′∕sinθo9獲得的圖像，測量HAZ長度。每張圖片至少進行三次測量，并取平均測量5根同批次樣品，再取平均值，作為該H=Σ1Hi…………（2）H——平

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