半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第 36 部分：MEMS 壓電薄膜的環(huán)境及介電耐受試驗(yàn)方法 征求意見(jiàn)稿

GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:4半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件第36部分：MEMS壓電薄膜的環(huán)境及介電耐受試驗(yàn)方法本文件規(guī)定了評(píng)估MEMS壓電薄膜材料在溫度和濕度本文件不包括可靠性評(píng)估，如基于威布爾分布預(yù)測(cè)壓電薄膜壽命IEC62047-30半導(dǎo)體器件微IEC60068-2-14:2009環(huán)境試驗(yàn)2-14部分:試驗(yàn)-試驗(yàn)N:溫度ISOOnlinebrowsingplatform:availableat4.1通則通過(guò)測(cè)試試驗(yàn)器件在施加溫度和濕度環(huán)境應(yīng)力前后的壓電性能來(lái)評(píng)價(jià)試驗(yàn)器件的退化GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:5試驗(yàn)4.2初始測(cè)試環(huán)境溫度25℃±3℃,相對(duì)濕度45%~75%，大氣壓力為86kpa~106kpa。4.3.1試驗(yàn)器件設(shè)置及環(huán)境條件其它因素進(jìn)行確定。如需進(jìn)行中間測(cè)試，可按下列時(shí)間表a)24h(+8h,-0h)；b)48h(+8h,-0h)；GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:6c)96h(+24h,-0h)；e)480h(+72h,-0h)。其中Ah(+Bh，-Ch)表示從(A-C)到(A+B)小時(shí)的時(shí)間范圍內(nèi)。移除試驗(yàn)器件和進(jìn)行中初始的測(cè)試值來(lái)評(píng)估試驗(yàn)器件的退化狀態(tài)。測(cè)試的環(huán)境條件b)相對(duì)濕度:45%~75%；通常，在確認(rèn)試驗(yàn)器件表面干燥后，最終測(cè)試應(yīng)5.1.1通則a）能夠滿足預(yù)設(shè)的試驗(yàn)溫度和濕度，且將溫度和濕度保持在允許的波動(dòng)范圍內(nèi)的試驗(yàn)b）用于產(chǎn)生預(yù)設(shè)交流電壓的電源；在試驗(yàn)期間，試驗(yàn)箱應(yīng)能夠?qū)⑵湔麄€(gè)內(nèi)部空間保持在設(shè)定的溫度±2℃和設(shè)定的濕度注1:通過(guò)測(cè)試試驗(yàn)器件在施加環(huán)境應(yīng)力(溫度、濕度)和電應(yīng)力前后的壓電性能來(lái)評(píng)價(jià)試驗(yàn)器件的退化GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:7注3:通過(guò)設(shè)計(jì)能夠同時(shí)測(cè)試多個(gè)器件的測(cè)試電路，使得試驗(yàn)期間某個(gè)器模式或非諧振模式)、輸入波形、頻率等，應(yīng)根據(jù)執(zhí)行器的預(yù)期應(yīng)用來(lái)確定。應(yīng)采用以下試5.1.3高溫高濕偏置試驗(yàn)壓電薄膜施加驅(qū)動(dòng)電壓，并評(píng)估這些條件對(duì)MEMS壓電薄膜b）輸入波形；溫度(℃)ABCGB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:8下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間貯存，并評(píng)估這些條件的影響溫度(℃)ABC265±5265±5GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:9時(shí)間（s）時(shí)間（s）10234GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:℃℃(任意刻度所對(duì)應(yīng)的電壓值稱(chēng)為耐壓值。以下試驗(yàn)參數(shù)和結(jié)果應(yīng)以耐壓值表GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:1GB/T42709.36—XXXX/IEC62047-36:1A.1概述A.2環(huán)境測(cè)試b)鉑下電極和鉑上電極的厚度分別為0.2μm和0.05μm。e)在環(huán)境試驗(yàn)前，根據(jù)IEC62047-30測(cè)試逆壓電系數(shù)(ec31,f)。g)在測(cè)試了初始?jí)弘娦阅芎?，將樣品置于環(huán)境試驗(yàn)裝置中。a)樣品是(100)單晶硅襯底上2c)將漏泄電流作為電壓的函數(shù)(I-GB/T42709.36—XXXX/I