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文檔簡介

柔性電子制造技術(shù)基礎(chǔ)柔性電子器件批量化制備技術(shù)1本講課程內(nèi)容鍵合技術(shù)精密視覺技術(shù)卷到卷傳輸控制技術(shù)

高速高精運動控制技術(shù)?小型化國際半導體技術(shù)發(fā)展趨勢?多樣性?

Moore’s

Law

and

More,

SIA,

2007?高密度2概述電子封裝始于IC晶片制成之

后,包括IC晶片的粘結(jié)固定、電

路連線、密封保護、與電路板之

接合、模組組裝到產(chǎn)品完成之間

的所有過程。電子封裝常見的連接方法有

引線鍵合(wire

bonding,WB)、載

帶自動焊(tape

automated

bonding,

TAB)與倒裝芯片(flip

chip,

FC)等

三種,倒裝芯片也稱為反轉(zhuǎn)式晶

片接合或可控制塌陷晶片互連

(controlled

collapse

chipconnection

,C4

)

。封裝技術(shù)發(fā)展趨勢?封裝尺寸

?芯片尺寸?需要采用倒裝鍵合?≈1?可能<1?可以實現(xiàn)更高密度的封裝3歷史和特點1957

年Bell實驗室采用的器件封裝技術(shù),目前特點如下:

?

已有適合批量生產(chǎn)的自動化機器;?

鍵合參數(shù)可精密控制,導線機械性能重復性高;?

速度可達100ms互連(兩個焊接和一個導線循環(huán)過程);

?

焊點直徑:100

μm↘

50

μm,↘

30

μm;?

節(jié)距:100

μm

55

μm,

35

μm

;?

劈刀(Wedge,楔頭)的改進解決了大多數(shù)的可靠性問題;

?

根據(jù)特定的要求,出現(xiàn)了各種工具和材料可供選擇;

?

已經(jīng)形成非常成熟的體系。什么是引線鍵合用金屬絲將芯片的I/O端(inner

lead

bonding

pad:

內(nèi)側(cè)引線端子)

與對應的封裝引腳或者基板上布線焊區(qū)(outer

lead

bonding

pad:

外側(cè)引

線端子)互連,實現(xiàn)固相焊接過程,采用加熱、加壓和超聲能,破壞表面氧化層和污染,產(chǎn)生塑性變形,

界面親密接觸產(chǎn)生電子共享和原子擴散形成焊點,鍵合區(qū)的焊盤金屬一般為Al或者Au等,金屬細絲是直徑通常為20~50微米的Au、Al或者Si-Al絲。4應用范圍低成本、高可靠、高產(chǎn)量等特點使得它成為芯片

互連的主要工藝方法,用于下列封裝:?

陶瓷和塑料BGA、單芯片或者多芯片?

陶瓷和塑料

(CerQuads

and

PQFPs)?

芯片尺寸封裝

(CSPs)?

板上芯片

(COB)芯片互連例子采用引線鍵合的芯片互連5芯片互連例子兩種鍵合焊盤球形鍵合楔形鍵合6三種鍵合(焊接、接合)方法引線鍵合為IC晶片與封裝結(jié)構(gòu)之間的電路連線中

最常使用的方法。主要的引線鍵合技術(shù)有超音波接合

(Ultrasonic

Bonding,

U/S

Bonding)、熱壓接合

(Thermocompression

Bonding,T/C

Bonding)、與熱超音

波接合(Thermosonic

Bonding,

T/S

Bonding)等三種。機理及特點超

(Wedge)引導金屬線使其

壓緊于

金屬焊

盤上,

再由楔

頭輸入

頻率2

0至6

0KHZ,振幅

2

0

200

μm,

,

使

發(fā)

,

。

使

區(qū)

,

發(fā)

,

2

5ms

內(nèi)

區(qū)

。

常用于Al絲的鍵合。鍵合點兩端都是楔形

。鋁

;

波接合,它的應用可以在微波元件的封裝中見到。7熱

結(jié)

結(jié)

。

結(jié)

,

使

結(jié)

。

結(jié)

結(jié)

結(jié)

1

00

1

50

結(jié)

(Intermetallic

Compounds)

,

產(chǎn)

結(jié)

結(jié)

。

線為熱超音波結(jié)合最常被使用的材料。3熱壓焊:金屬線過預熱至約300至400℃的氧化鋁(Al2O)或碳

WC)

(Bonding

Tool/Capillary,

也稱為瓷嘴或焊針),再

以電火

花或氫焰將金屬線燒斷并利用熔融金屬的表面張力效應使

2

,

再將金屬球下壓至已預熱至約150至250

℃的第一金屬焊盤

上進行球形結(jié)合(Ball

Bond)。在結(jié)合時,球點將因受壓

力而略為變形,此一壓力變形之目的在于增加結(jié)合面積、

減低結(jié)合面粗糙度對結(jié)合的影響、穿破表面氧化層及其他

可能阻礙結(jié)合之因素,以形成緊密之結(jié)合。8楔形鍵合楔形,

手工鍵合機劈

結(jié)

。

,

、

鈦來代替。楔形劈刀和毛細管劈刀用于球形鍵合的毛細管劈刀用于Al絲鍵合的楔形劈刀用于Au絲鍵合的楔形劈刀9鍵合材料引線

金絲?

廣泛用于熱壓和熱聲焊,?

絲線表面要光滑和清潔以保證強度和防止絲線堵塞,

?

純金具有很好的抗拉強度和延展率,?

高純金太軟,一般加入約

5-10

ppm

重量的

Be或者30-

100

ppm的

Cu,?

摻Be的引線強度一般要比摻Cu的高10-20%

。10鋁

絲?

純鋁太軟而難拉成絲,一般加入

1%

Si

或者1%

Mg以提

高強度。?

室溫下1%

的Si

超過了在鋁中的溶解度,導致Si的偏析,

偏析的尺寸和數(shù)量取決于冷卻數(shù)度,冷卻太慢導致更多

的Si顆粒結(jié)集。Si顆粒尺寸影響絲線的塑性,第二相是疲

勞開裂的萌生潛在位置。?

摻1%鎂的鋁絲強度和摻1%

硅的強度相當。?

抗疲勞強度更好,因為鎂在鋁中的均衡溶解度為2%,于

是沒有第二相析出。銅絲?

最近人們開始注意銅絲在IC鍵合中的應用;?

便宜,資源充足;?

在塑封中抗波動(在垂直長度方向平面內(nèi)晃動)能力

強;?

主要問題是鍵合性問題;?

比金和鋁硬導致出現(xiàn)彈坑和將金屬焊區(qū)破壞;?

由于易氧化,要在保護氣氛下鍵合。11???????未來的鍵合技術(shù)鍵合間距進一步減小,未來10年內(nèi),40微米的高可靠性

鍵合。鍵合弧度低于150mm以適應微型化的發(fā)展。高可靠的Cu鍵合??焖俚逆I合周期和低溫鍵合技術(shù)以適應BGA的嚴格要求。

高精度的攝像和位置反饋系統(tǒng)和伺服系統(tǒng)。多旋轉(zhuǎn)頭的鍵合設(shè)備。面臨極大的鍵合數(shù)量將導致生產(chǎn)設(shè)備的大量占地面積。什么是TAB?是芯片引腳框架的一種互連工藝,首先在高聚物上做

好元件引腳的導體圖樣,

然后將晶片按其鍵合區(qū)對應放在

上面,然后通過熱電極一次將所有的引線進行鍵合。TAB鍵合的晶片,裸芯片放在帶上并和內(nèi)部導體圖樣互連12電鍍金凸點TAB工藝步驟關(guān)鍵部分有:?芯片凸點制作?

TAB載帶制作?內(nèi)、外引線焊接13TAB薄膜載帶的制作普通TAB三層帶的起始材料是聚酰亞胺。用于操作的鏈輪齒洞,與

照相底片相類似,在底片的周邊打洞,作為Si芯片的窗口。銅箔被壓實

在聚酰亞胺的上面,中間是一層粘結(jié)劑。銅箔上的導電圖案是用光刻膠

技術(shù)來實現(xiàn)的,光透過一層有所需圖案的光掩膜照射到光刻膠上,從而

得到所需圖樣。然后對銅箔進行腐蝕。導電層圖案是鍍錫或者鍍金的。TAB技術(shù)所使用的載帶可區(qū)分為單層、雙層及三層等三種。載帶一般制成長帶狀再繞于一卷軸(Reel)上,其形狀與電影膠片十分相

似。標準的載帶寬度規(guī)格有35mm,48mm,及70mm三種,厚度有75um,

125um三種。例

子?

沖孔?

Cu

箔疊層?

照相

+

腐蝕形成

Cu圖樣?

導電圖樣Cu鍍錫帶有Cu圖樣的TAB膜,

薄膜中的孔便于電路的

刻蝕,齒輪孔則便于帶的傳送。14TAB的缺點1.

它要求非標準的的Si芯片工藝(沉積金凸點)。2.

它要求特殊的載帶與導體圖案之間的裝配,這很昂貴而

且費時。3.

PCB

設(shè)

。

/

僅浪費時間而且昂貴。4.

對印刷電路板進行修理(替換一個缺陷元件)要求很苛刻

。5.

TAB

基礎(chǔ)上提供產(chǎn)品。6.

有關(guān)尺寸與加工的標準很少,這就增加了成本。1.2.3.4.TAB的優(yōu)點半導體上芯片的鍵合只需較少的鍵合區(qū)域,比絲焊更小的焊區(qū)間距。

節(jié)

使

(最高可達到1000左右)。相對于普通的組裝而言,外引線鍵合對電路板的空間要求要少的多;

也要比絲焊芯片互連要求的空間小。組裝比絲焊更簡單也更快。

每個鍵合區(qū)域的金凸點給下面的Al金屬鍍層提供了一個密封的空間。

這降低了被腐蝕的可能性,提高了可靠性。因此,TAB

適用于不需要

另外包裝的場合。(上面提及的環(huán)氧樹脂滴注還是最常用的)。

引線鍵合(絲焊)每次只能鍵合一個焊點,而群體焊操作起來的效率

則高得多,并且有更高的產(chǎn)品收益。5.

TAB載帶還可以用作單獨的,靈活的(flexible)小印刷電路板,在小

印刷電路板上同樣可以組裝其它元件。(這可以用瑞士手表樣品來舉

例,在瑞士,所有的電子產(chǎn)品都是在TAB載帶上的。)15什么是倒裝芯片?倒裝芯片組裝就是通過芯片上的凸點直接將元器件朝

下互連到基板、載體或者電路板上。而導線鍵合是將芯片的

面朝上。倒裝芯片元件是主要用于半導體設(shè)備;而有些元件,

如無源濾波器,探測天線,存儲器裝備也開始使用倒裝芯片

技術(shù),由于芯片直接通過凸點直接連接基板和載體上,因此,

更確切的說,倒裝芯片也叫DCA

Direct

Chip

Attach

)。倒裝芯片示意圖在典型的倒裝芯片封裝中,

芯片通過3到5個密耳

(mil)厚的焊料凸點連接到芯片載體上,底部填

充材料用來保護焊料凸點.16優(yōu)

小尺寸:

小的IC引腳圖形

(只有扁平封裝的5%)減小了高

度和重量。

功能增強:

使用倒裝芯片能增加I/O

的數(shù)量。I/O

不像導線

鍵合中出于四周而收到數(shù)量的限制。面陣列使得在更小的空

間里進行更多信號、功率以及電源等地互連。一般的倒裝芯

片焊盤可達400個。

性能增加:

短的互連減小了電感、電阻以及電容,保證了

信號延遲減少、較好的高頻率、以及從晶片背面較好的熱通

道。

提高了可靠性:

大芯片的環(huán)氧填充確保了高可靠性。

倒裝

芯片可減少三分之二的互連引腳數(shù)。

提高了散熱熱能力:倒裝芯片沒有塑封,芯片背面可進行

有效的冷卻。

低成本:批量的凸點降低了成本。倒裝鍵合的優(yōu)勢:

、

,

傳輸速度快,頻率高;

,

發(fā)

優(yōu)

,耗散功率大;

,

術(shù);倒裝鍵合技術(shù)優(yōu)勢?塑封?環(huán)氧材料

填充?芯片?焊球?焊球?芯片?粘接?芯片?引線?鍵合?基板?塑封?基板17信號效果比較缺

裸芯片很難測試

凸點芯片適應性有限

隨著間距地減小和引腳數(shù)的增多導致PCB技術(shù)

面臨挑戰(zhàn)

必須使用X射線檢測設(shè)備檢測不可見的焊點

和SMT工藝相容性較差

操作夾持裸晶片比較困難

要求很高的組裝精度

目前使用底部填充要求一定的固化時間

有些基板可靠性較低

維修很困難或者不可能18球

網(wǎng)

,

接;金錫焊接主

領(lǐng)

,

劑的工藝應用熱壓焊接芯

,

料加熱到熔點溫度膠裝焊倒裝鍵合主要工藝(1)

共晶焊接(C4)采

,

?蘸?貼?回流?底部?填充?帶焊球芯片?帶焊盤芯片?芯片與焊盤自對準?共晶焊接過

程熱超聲焊接板

,

,

使

基板焊盤形成連接膠粘工藝種不同的方式應用于芯片

和基板之間,如:點膠,

絲網(wǎng)印刷或以膠膜形態(tài)使

兩者相互連接倒裝鍵合主要工藝(2)芯

?

粘性材料可以通過各?超聲能?加壓加熱?芯片?芯片?球狀或針狀金凸點?各向異性導電膠?非導電?加熱

?加壓加熱?基板?針狀凸點芯片?加熱膠?加熱?基板19倒裝芯片工藝—通過粘膠連接導電膠連接是取代鉛錫焊料連接的可行方法,導電膠連接既保持了封裝結(jié)構(gòu)的輕薄,成本也沒有顯著增加。該工

藝的優(yōu)點是:?

工藝簡單?

固化溫度低?

連接后無需清洗各向同性、各向異性導電膠各向異性導電膠是膏狀或者薄膜狀的熱塑性環(huán)氧樹脂,加入了一定含量的金屬顆?;蚪饘偻扛驳母叻肿宇w粒。在連接前,導電膠在各個方向上都是絕緣的,但是在連接后它在垂直方向上導電。金屬顆?;蚋叻肿宇w粒外的金屬涂層一般為金或者鎳。各向同性導電膠是一種膏狀的高分子樹脂,加入了一定含量的導電顆粒,因此在各個方向上都可以導電。通常高分子樹脂

為環(huán)氧樹脂,導電顆粒為銀。20倒裝芯片導電膠連接示意圖倒裝鍵

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