GB∕T 4937.20-2018 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

ICS31.080.01GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響Part20:ResistanceofplasticencapsulatedSMDstothecombinede(IEC60749-20:2008,IDT)國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008 Ⅲ 1 1 14試驗(yàn)設(shè)備和材料 14.1濕熱試驗(yàn)箱 14.2再流焊設(shè)備 14.3基板 24.4波峰焊設(shè)備 24.5氣相再流焊的溶劑 24.6助焊劑 24.7焊錫 2 25.1初測(cè) 25.1.1外觀檢查 25.1.2電測(cè)試 25.1.3聲學(xué)掃描內(nèi)部檢查 2 35.3水汽浸漬 35.3.1一般要求 35.3.2非干燥包裝的SMD試驗(yàn)條件 35.3.3干燥包裝的SMD水汽浸漬 35.4焊接熱 45.4.1概述 45.4.2紅外對(duì)流或?qū)α髟倭骱附拥募訜岱椒?55.4.3氣相再流焊接的加熱方法 65.4.4波峰焊的加熱方法 6 75.6最終檢測(cè) 75.6.1外觀檢查 75.6.2電特性測(cè)試 75.6.3聲學(xué)掃描檢查 76應(yīng)在相關(guān)文件中規(guī)定的細(xì)節(jié) 7附錄A(資料性附錄)塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響的試驗(yàn)方法描述及細(xì)節(jié) 9 9A.1.1水汽浸漬指南 9IⅡGB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008A.1.2基于水汽浸漬的考慮 9A.2水汽含量測(cè)量程序 A.3焊接熱方法 A.3.1紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊接的溫度曲線 A.3.2氣相焊接的溫度曲線 A.3.3波峰焊接的加熱方法 圖1樣品溫度曲線測(cè)量方法 2 7圖A.1溫度85℃、相對(duì)濕度85%下的水汽擴(kuò)散過程 圖A.385℃時(shí)的水汽浸漬到飽和所需時(shí)間與樹脂厚度的函數(shù)關(guān)系 圖A.4樹脂中水汽含量飽和度與溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系 圖A.5不同浸潤條件下第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系 圖A.6方法A水汽浸漬條件下的第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系 圖A.7方法B水汽浸漬條件下的第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系 圖A.8方法B條件B2水汽浸漬條件下第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系 圖A.9Sn-Pb共晶焊接的紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊溫度曲線 圖A.10無鉛焊接的紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊溫度曲線 圖A.11分段曲線 圖A.12氣相焊接的溫度曲線(條件IA) 圖A.13浸入焊槽的浸潤方法 圖A.14紅外對(duì)流再流焊接和波峰焊接的對(duì)應(yīng)關(guān)系 表1非干燥包裝SMD的水汽浸漬條件 3表2干燥包裝的SMD水汽浸漬條件(方法A) 3 4表4Sn-Pb共晶過程——再流焊溫度分類 表5無鉛過程——再流焊溫度分類 5表6氣相再流焊接的加熱條件 表7波峰焊的浸潤條件 7表A.1與實(shí)際貯存條件等效的焊接熱前水汽浸漬條件對(duì)照表 表A.2分段曲線 ⅢGB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008——第37部分：采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法；——第38部分：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法；——第39部分：半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量；——第40部分：采用張力儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法；——第41部分：非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法；——第42部分：溫度和濕度貯存；——第43部分：集成電路(IC)可靠性鑒定方案指南；——第44部分：半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法。本部分為GB/T4937的第20部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分使用翻譯法等同采用IEC60749-20:2008《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國文件如下：——GB/T4937.3—2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分：外部目檢(IEC60749-3:2002,IDT)請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。1GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響GB/T4937的本部分規(guī)定了塑封表面安裝半導(dǎo)體器件(SMD)的耐焊接熱評(píng)價(jià)方法。該試驗(yàn)為破IEC60068-2-20:2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2-20部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)T:帶引線器件的可焊性和耐焊接熱試驗(yàn)方法(Environmentaltesting—Part2-20:Tests—TestT:Testmethodsforsolder-abilityandresistancetosolderingheatofdeviceswithleads)IEC60749-3半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分：外部目檢(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part3:Externalvisualexamination)IEC60749-35半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第35部分：塑封電子元器件的掃描聲學(xué)顯微鏡檢查(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part35:Acousticmicroscopyforplasticencapsulatedelectroniccomponents)紅外對(duì)流和氣相再流焊設(shè)備提供的溫度曲線應(yīng)能夠符合5.4.2和5.4.3中規(guī)定的焊接熱條件。再如圖1所示。2GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008引線樹脂基板定在基板上，如圖1所示。如果按照?qǐng)D1放置需改變樣品引出端形狀，進(jìn)而造成其電參數(shù)異常時(shí)，應(yīng)選應(yīng)使用全碳氟化合物。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，助焊劑由質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%的乙醇和75%的異丙醇組成，詳見IEC60068-2-20:2008中附錄B的規(guī)定。采用IEC60068-2-20:2008中表1規(guī)定的焊錫組分。試驗(yàn)前應(yīng)在40倍顯微鏡下，按照IEC60749-3的規(guī)定進(jìn)行外觀檢查，應(yīng)特別注意外表面的裂紋和除相關(guān)文件另有規(guī)定外，按照IEC60749-35的規(guī)定，使用聲學(xué)掃描顯微鏡檢查樣品內(nèi)部裂紋和3GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008除相關(guān)文件另有規(guī)定外，樣品應(yīng)在125℃±5℃下烘焙至少24h。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，應(yīng)根據(jù)樣品的包裝方式選擇水汽浸漬的條件(參見A.1.1)。如果相關(guān)文應(yīng)依據(jù)實(shí)際允許的極限貯存條件，從表1選擇水汽浸漬條件(參見A.1.2.1)。表1非干燥包裝SMD的水汽浸漬條件條件溫度℃相對(duì)濕度%持續(xù)時(shí)間h實(shí)際允許的極限貯存A1或B1注：條件A1和B1為方法A或方法B中非干燥包裝的SMD水汽浸漬條件。干燥包裝的SMD水汽浸漬條件見表2或表3。干燥包裝的SMD水汽浸漬包括兩個(gè)步驟。步驟一是模擬SMD打開干燥包裝或干燥儲(chǔ)物柜之前的潮濕條件；步驟二是模擬SMD打開包裝至焊接期間的潮濕條件。干燥包裝的SMD水汽浸漬條件應(yīng)從方法A或方法B中選擇。當(dāng)承制方規(guī)定SMD干燥包裝或干燥儲(chǔ)物柜中的相對(duì)濕度在10%～30%之間時(shí)，選擇方法A,相對(duì)濕度低于10%時(shí)，選擇方法B。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，應(yīng)先進(jìn)行表2中條件A2的步驟一，隨后，在步驟一完成后的4h內(nèi)2中條件A2的步驟二(參見A.1.2.2)。步驟一的相對(duì)濕度條件應(yīng)與防潮袋內(nèi)相對(duì)濕度的上限一致。步驟二的相對(duì)濕度應(yīng)與車間壽命的條件一致。除防潮袋貯存和車間壽命的水汽浸漬條件在表2中進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)定外，其他試驗(yàn)條件需在相關(guān)表2干燥包裝的SMD水汽浸漬條件(方法A)條件水汽浸漬條件干燥包裝和干燥儲(chǔ)物柜中的允許貯存條件車間壽命條件A2步驟一條件(85±2)℃,(30±5)%RH30℃,30%RH,1年—A2步驟二條件(30±2)℃,(70±5)%RH<30℃,70%RH,168h4GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008注1:步驟一表征SMD干燥包裝或干燥儲(chǔ)物柜中的貯存條件，同時(shí)也表征分銷商或使用者檢查后重新包裝引起的干燥包裝中相對(duì)濕度增加的貯存條件。當(dāng)選用條件A2時(shí)，將SMD封裝在有IC卷盤和干燥劑的防潮袋中，進(jìn)行幾周的干燥。防潮袋可能會(huì)多次暫時(shí)開包(一次幾個(gè)小時(shí))。當(dāng)干燥包裝中的濕度指示卡顯示濕度低于30%時(shí)，重新包裝幾天后SMD會(huì)恢復(fù)到初始的潮氣吸收狀態(tài)，允許重新包裝和檢查SMD。在這種情況下，認(rèn)為干燥包裝中的潮氣得到控制，不必進(jìn)行SMD水汽含量的測(cè)量(參見A.2)。為控制濕度，需對(duì)濕度指示卡校正。注2:由于在干燥包裝或干燥儲(chǔ)物柜中存放的SMD在經(jīng)歷長期貯存后會(huì)逐漸達(dá)到水汽飽和，因此當(dāng)按步驟一條件進(jìn)行水汽浸漬沒有達(dá)到飽和，延長浸潤時(shí)間至336h。當(dāng)步驟一水汽浸漬已達(dá)到飽和，縮短浸潤時(shí)間。5.3.3.3方法B表3干燥包裝的SMD水汽浸漬條件(方法B)條件水汽浸漬條件從烘焙到干燥包裝及干燥包裝短時(shí)開封的條件車間壽命條件B2(85±2)℃,(60±5)%RH,<30℃,60%RH,24h<30℃,60%RH,1年B2a<30℃,60%RH,24h<30℃,60%RH,28dB3<30℃,60%RH,24h<30℃,60%RH,168hB4<30℃,60%RH,24h<30℃,60%RH,72hB5<30℃,60%RH,24h<30℃,60%RH,48hB5a<30℃,60%RH,24h<30℃,60%RH,24hB66±24h<30℃,60%RH,6h注1:條件B2到B6的水汽浸漬條件覆蓋了步驟一條件(30℃,60%RH,24h)和步驟二條件(車間壽命)。注2:由于受潮的材料和退化的干燥劑釋放水汽，導(dǎo)致干燥包裝中的相對(duì)濕度超過10%。因此，SMD干燥包裝中的物品、IC卷盤和其他材料，封裝進(jìn)防潮袋之前充分干燥。干燥包裝中的相對(duì)濕度通過濕度指示卡和SMD水汽含量測(cè)量予以標(biāo)定，參見A.2。注3:因?yàn)楦稍飪?chǔ)物柜中不能獲得非常低的相對(duì)濕度，不推薦將SMD貯存在干燥柜中來代替干燥包裝。注4:方法B的條件覆蓋從烘焙到焊接整個(gè)SMD貯存過程，包含SMD從烘焙到封裝進(jìn)干燥包裝中以及干燥包裝暫時(shí)開封和車間壽命的整個(gè)室溫貯存持續(xù)時(shí)間。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，樣品應(yīng)在水汽浸漬或高溫烘焙試驗(yàn)完成后的4h之內(nèi)進(jìn)行焊接熱試驗(yàn)。注：如果樣品在室溫下貯存超過4h不受水汽浸漬或烘焙的影響，則水汽浸漬或烘焙完成后超過4h的貯存時(shí)間可在相關(guān)文件中明確規(guī)定。5GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008除相關(guān)文件另有規(guī)定外，樣品應(yīng)置于再流焊設(shè)備中，按照A.3.1規(guī)定的溫度條件范圍預(yù)熱60s~預(yù)熱之后，樣品的溫度應(yīng)先提升到峰值溫度，然后降至室溫。依據(jù)實(shí)際焊接條件，從表4或表5中注1:在表4和表5中，A的試驗(yàn)條件用于實(shí)際焊接時(shí)間短的溫度曲線，B用于實(shí)際焊接時(shí)間長的溫度曲線。注3:依據(jù)上下文關(guān)聯(lián)，表4、表5中及文中紅外對(duì)流再流焊接的方法A、方法B表述為條件I-A、條件I-B更合適。表4Sn-Pb共晶過程——再流焊溫度分類封裝厚度條件規(guī)定的焊接溫s相應(yīng)體積的溫度350mm3~2000mm3A℃B℃A℃B℃封裝厚度條件規(guī)定的焊接溫度的試驗(yàn)時(shí)間s相應(yīng)體積的溫度350mm3~2000mm3ABABAB6GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:20085.4.3氣相再流焊接的加熱方法樣品應(yīng)安裝在基板上。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，樣品應(yīng)置于氣相再流焊設(shè)備中，在100℃到160℃溫度條件下預(yù)熱60s~預(yù)熱之后，樣品的溫度升高。當(dāng)樣品溫度達(dá)到215℃±5℃時(shí)，按照表6保持40s±4s,參見A.3.2。表6氣相再流焊接的加熱條件條件溫度℃時(shí)間s按照相關(guān)文件的規(guī)定，使用粘合劑將樣品底面安裝在基板上。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，在樣品和基板之間不得使用助焊劑。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，樣品應(yīng)置于焊接設(shè)備中在80℃~140℃下預(yù)熱30s～60s。預(yù)熱后，將樣品和基板一起浸入熔融的焊料中，如圖2所示。浸潤條件從表7中選擇。7GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008熔融焊料熔融焊料樣品方向a)浸潤開始b)浸潤結(jié)束條件焊接溫度℃浸潤時(shí)間s實(shí)際的焊接方法260±5單峰260±5雙峰注：波峰焊接并不是承制方普遍采用的焊接方式。如果承制方?jīng)]有此設(shè)備，相應(yīng)的焊接熱方法在承制方和用戶之間的協(xié)議中進(jìn)行規(guī)定。除相關(guān)文件另有規(guī)定外，按照IEC60749-35的規(guī)定，使用聲學(xué)掃描顯微鏡對(duì)樣品內(nèi)部的裂紋和分層進(jìn)行檢查。a)基板材料(見4.3);8GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008b)樣品在基板上的位置(見4.3);c)助焊劑組分(見4.6);d)試驗(yàn)樣品數(shù)量(見第5章);e)初始檢測(cè)的項(xiàng)目和失效判據(jù)(見5.1);f)預(yù)處理(見5.2);g)水汽浸漬的方法(見5.3);h)干燥條件(見5.2);i)烘焙替代水汽浸漬的條件(見5.3);j)干燥包裝的SMD水汽浸漬方法(見5.3.3);k)水汽浸漬條件的步驟間隔時(shí)間(見5.3.3.2);1)步驟一和步驟二的條件以及是否需要其他條件(見5.3.3.2);n)SMD貯存在完全干燥的包裝中的水汽浸漬條件(見5.3.3.3);o)非干燥包裝的水汽浸漬條件(見5.3.2);p)水汽浸漬結(jié)束與焊接熱的時(shí)間間隔(見5.4.1);q)焊接熱的方法和條件(見5.4.1);r)焊接熱的循環(huán)次數(shù)(見5.4.1);s)紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊接的預(yù)熱條件(見5.4.2.2);t)紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊接的加熱條件(見5.4.2.3);u)氣相再流焊接的預(yù)熱條件(見5.4.3.2);v)粘接方法(見5.4.4.1);w)波峰焊接的預(yù)熱條件(見5.4.4.2);y)恢復(fù)條件(見5.5);z)最終檢測(cè)的項(xiàng)目和失效判據(jù)(見5.6)。9GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008(資料性附錄)A.1水汽浸漬描述5.3中水汽浸漬試驗(yàn)的方法A和方法B適用于干燥包裝的SMD,而表1中的條件適用于常溫貯存如果按表1中條件進(jìn)行水汽浸漬后，焊接熱導(dǎo)致封裝出現(xiàn)裂紋，如果按方法A和方法B進(jìn)行水汽浸漬后，焊接熱導(dǎo)致封裝裂紋，SMD在焊接到PCB板之前推薦進(jìn)行預(yù)烘焙。SMD中的水汽是水蒸氣擴(kuò)散到樹脂中造成的。如果封裝出現(xiàn)接近芯片基座或芯片中心的裂紋，應(yīng)檢驗(yàn)樹脂中的水汽含量。溫度85℃、相對(duì)濕度85%時(shí)水汽含量的擴(kuò)散特性示例如圖A.1所示，此例定的參考意義。圖A.1和圖A.4～圖A.8表明了樹脂中的水汽含量特性。為了模擬長時(shí)間的貯存情況，例如SMD在干燥包裝或倉庫中貯存1年，焊接熱試驗(yàn)開始之前有必要使水汽達(dá)到飽和。水汽在樹脂中擴(kuò)散速度取決于溫度。圖A.2規(guī)定了樹脂厚度，圖A.3表示溫度85℃時(shí)，水汽達(dá)到飽和的時(shí)間取決于樹脂的厚度。通常，對(duì)于一個(gè)普通的SMD,樹脂厚度為0.5mm~樹脂中水汽含量的飽和依賴于溫度和相對(duì)濕度，如圖A.4所示。水汽飽和所必需的相對(duì)濕度可以通過圖A.4確定(例如，85℃下的樹脂中水汽含量可以做到與實(shí)際貯存環(huán)境溫度30℃時(shí)的水汽含量一致)。焊接熱試驗(yàn)的水汽浸漬條件由圖A.4確定，如表A.1所示。圖A.5給出了在實(shí)際貯存條件及水汽浸漬條件下第一層界面(即芯片上表面或芯片基座的底面)樹脂中的水汽含量。GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008424h芯片基座SMD背面268到SMD背面的距離/mm圖A.1溫度85℃、相對(duì)濕度85%下的水汽擴(kuò)散過程圖A.2樹脂厚度和第一層界面的定義2000圖A.385℃時(shí)的水汽浸漬到飽和所需時(shí)間與樹脂厚度的函數(shù)關(guān)系GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008圖A.4樹脂中水汽含量飽和度與溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系表A.1與實(shí)際貯存條件等效的焊接熱前條件實(shí)際貯存條件85℃時(shí)水汽浸漬的相對(duì)濕度%A2最大溫度：30℃,最大相對(duì)濕度：30%30±5表1最大溫度：30℃,最大相對(duì)濕度：85%85±5B2最大溫度：30℃,最大相對(duì)濕度：60%60±584230℃、30%RH,1年(干燥包裝貯存條件)006圖A.5不同浸潤條件下第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008A.1.2.2水汽浸漬條件——方法A水汽浸漬方法A見5.3.3.2,它針對(duì)在干燥包裝或干燥柜中長期貯存、在30℃、30%RH條件下貯存1年、或在可隨時(shí)開封的包裝或柜子中，并時(shí)常打開幾小時(shí)，但濕度指示卡始終顯示小于30%圖A.6顯示A3的步驟一條件和A2的步驟二條件能夠完全表征干燥包裝開封后，30℃、70%RH下168h車間壽命，即使干燥包裝的相對(duì)濕度降低至30%的情況。885℃、30%RH飽和后30℃、70%RH、168h水汽浸潤(條件A2后進(jìn)行A3)6打開干燥包裝后的30℃、70%RH、168h485℃、30%RH飽和狀態(tài)2%0.51.0樹脂厚度/mm圖A.6方法A水汽浸漬條件下的第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系A(chǔ).1.2.3水汽浸漬條件——方法B水汽浸漬方法B見5.3.3.3,適用于SMD、IC卷盤和其他材料充分烘焙并加入吸收水汽的干燥劑后直接干燥封裝的情況。干燥劑用于吸收透過密封包裝的水汽。a)使用水汽敏感的濕度指示卡，警示干燥劑是否喪失功能；b)SMD中水汽含量的測(cè)定如A.2所示。在環(huán)境中的暴露時(shí)間包括SMD烘焙到干燥包裝的時(shí)間、干燥包裝在分銷商處暫時(shí)開封的時(shí)間，以及車間壽命。圖A.7表示了方法B中條件與高濕環(huán)境中長期貯存的計(jì)算關(guān)系。計(jì)算圖表中的條件B3～B6顯示較厚SMD和貯存環(huán)境的內(nèi)在關(guān)系，且貯存環(huán)境中的相對(duì)濕度大于10%。針對(duì)封裝外表面到界面厚度超過1mm的SMD,條件B3～B6并不比30℃、10%RH下貯存1年嚴(yán)酷。如果相對(duì)濕度10%下界面水汽達(dá)飽和后的器件再流性能受到重要影響，那么,使用方法B條件評(píng)價(jià)的較厚封裝的SMD應(yīng)貯存在低于10%RH的環(huán)境中。圖A.8描述了一個(gè)如何計(jì)算經(jīng)歷方法B的試驗(yàn)樣品界面水汽含量的例子，但該界面水汽含量的計(jì)算方法可能并不適用于大多數(shù)的使用環(huán)境相對(duì)濕度大于10%的產(chǎn)品。GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008B3:完全烘焙后，30℃、60%RH、192hB4:完全烘焙后，30℃、60%RH、192hB5:完全烘焙后，30℃、60%RH、192hB6:完全烘焙后，30℃、60%RH、192h6428圖A.7方法B水汽浸漬條件下的第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖A.8方法B條件B2水汽浸漬條件下第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系A(chǔ).2水汽含量測(cè)量程序器件水汽含量(MCD)經(jīng)常用來指示SMD中的水汽含量。但是，由于下述原因，MCD的測(cè)量應(yīng)謹(jǐn)慎使用：——由于擴(kuò)散進(jìn)入SMD的水汽可能是變化的，當(dāng)水汽浸漬未達(dá)到飽和時(shí)，不能體現(xiàn)第一界面樹脂中的水汽含量。例如，SMD表面可能含有高的水汽，但內(nèi)部是干燥的，反之亦然；——盡管樹脂中的水汽含量是相同的，根據(jù)器件中樹脂所占的比率，MCD卻是不同的。器件的水汽含量測(cè)量程序符合以下描述：——對(duì)于每個(gè)器件的質(zhì)量(x),稱重精確到0.1mg;——若有關(guān)文件中規(guī)定的貯存溫度絕對(duì)最大額定值允許，器件可在150℃下干燥24h或125℃下干燥48h; 器件應(yīng)在30min±10min內(nèi)冷卻至室溫：——器件重新稱重(y);GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008——器件水汽含量(MCD)使用下列公式計(jì)算：A.3.1紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊接的溫度曲線A.3.1.1條件A時(shí)間-溫度曲線5.4.2中規(guī)定的條件A焊接時(shí)間較B短，焊接熱試驗(yàn)應(yīng)根據(jù)圖A.9和圖A.10的溫度曲線執(zhí)行(Tp指封裝本體的峰值溫度，它是水汽敏感度試驗(yàn)中獨(dú)立封裝本體的最高溫度，tp是溫度從Tp到Tp-5℃所需的時(shí)間)。在實(shí)際應(yīng)用中，為了實(shí)現(xiàn)良好的焊接效果，需要控制焊接點(diǎn)溫度。另外，由于半導(dǎo)體器件的熱損傷取決于器件本體的溫度，也需要對(duì)焊接試驗(yàn)中的溫度進(jìn)行控制。體積大的半導(dǎo)體器件熱容量較大，在實(shí)際焊接器件中本體溫度上升較慢，而體積小的半導(dǎo)體器件熱容量較小，本體溫度較易升高。因此，如表4和表5所示，有必要根據(jù)半導(dǎo)體器件體積大小改變溫度條件。Tp(±3)s圖A.9Sn-Pb共晶焊接的紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊溫度曲線Tp(±8)sTp-5℃_60s～120s圖A.10無鉛焊接的紅外對(duì)流和對(duì)流再流焊溫度曲線GB/T4937.20—2018/IEC60749-20:2008A.3.1.2條件B時(shí)間-溫度曲線表A.2分段曲線曲線特性Sn-Pb共晶焊接無鉛焊接升溫速率(Tsmax到Tp)最大值3℃/s最大值3℃/s預(yù)熱最低溫度(Tgmin)最高溫度(Tsmax)時(shí)間(Tgmin到Tgmax)(tg)保持時(shí)間溫度(T)時(shí)間(t)217℃封裝本體的峰值溫度(Tp)對(duì)于用戶，T。不允許超過表4中不同分類對(duì)應(yīng)的溫度。對(duì)于供應(yīng)商，T。應(yīng)大于或等于表4中不同分類對(duì)應(yīng)的溫度對(duì)于用戶，T,不允許超過表5中的不同分類對(duì)應(yīng)的溫度。對(duì)于供應(yīng)商，T,應(yīng)大于或等于表5中的不同分類對(duì)應(yīng)的溫度低于規(guī)定分類溫度T。不超過5℃的持續(xù)時(shí)間(tp)",見圖A.11降溫速率(T,到Tsmax)最大值6℃/s最大值6℃/s25℃到峰值溫度的時(shí)間最小值6min最大值8min注1:Tsmim是預(yù)熱開始時(shí)的溫度，Tsmx是預(yù)熱結(jié)束后開始變溫的溫度，t。是從Tsm到Tsmax的時(shí)間。注2:引出端向下(方向)是用來描述封裝置于引出端上方的專用語。引出端向上(方向)是用來描述引出端朝上的封裝方向的專用語。注3:所有的溫度