微組裝設(shè)計(jì)規(guī)范征求意見稿

PAGEPAGE2UDC中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)PGBXXXXX-XXXX微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì)規(guī)范Codeformicro-assemblingproductionlineprocessdesign（征求意見稿）××××—××—××發(fā)布××××—××—××實(shí)施中華人民共和國住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部聯(lián)合發(fā)布中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局PAGE中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì)規(guī)范Codeformicro-assemblingproductionlineprocessdesignGBXXXXX-XXXX主編部門：中華人民共和國工業(yè)和信息化部批準(zhǔn)部門：中華人民共和國住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部施行日期：XXXX年XX月XX日中國計(jì)劃出版社20XX北京PAGE4目次TOC\o"1-2"\h\z\u1總則 12術(shù)語 23微組裝基本工藝 43.1一般規(guī)定 43.2環(huán)氧貼裝 43.3再流焊 53.4共晶焊 63.5引線鍵合 73.6倒裝焊 93.7釬焊 103.8平行縫焊 123.9激光焊 143.10涂覆 153.11真空焙烤 163.12清洗 173.13測試 184微組裝生產(chǎn)線主要工藝設(shè)備配置 204.1一般規(guī)定 204.2環(huán)氧貼裝工藝設(shè)備配置 204.3再流焊工藝設(shè)備配置 214.4共晶焊工藝設(shè)備配置 214.5引線鍵合工藝設(shè)備配置 224.6倒裝焊工藝設(shè)備配置 234.7釬焊工藝設(shè)備配置 244.8平行縫焊工藝設(shè)備配置 244.9激光焊工藝設(shè)備配置 254.10涂覆工藝設(shè)備配置 254.11真空焙烤工藝設(shè)備配置 264.12清洗工藝設(shè)備配置 264.13測試設(shè)備配置 265微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì) 285.1總體規(guī)劃 285.2工藝區(qū)劃 286微組裝生產(chǎn)線廠房設(shè)施及環(huán)境 316.1一般要求 316.2廠房土建 316.3消防給水及滅火措施 326.4供配電系統(tǒng) 326.5照明 336.6空氣凈化系統(tǒng) 336.7信息與安全保護(hù) 346.8壓縮空氣系統(tǒng) 356.9工藝輔助系統(tǒng) 35附錄A微組裝基本工藝流程 38本規(guī)范用詞說明 40引用標(biāo)準(zhǔn)名錄 41附：條文說明……………………42ContentsTOC\o"1-2"\h\z\u1Generalprovisions 12Terms 23Micro-assemblingbasicprocess 43.1Generalrequirements 43.2Epoxydieattaching 43.3Reflowsoldering 53.4Eutecticsoldering 63.5Wirebonding 73.6Flipchipbonding 93.7Brazewelding 103.8Parallelseamsealing 123.9Laserbonding 143.10Coating 153.11Vacuumbaking 163.12Cleaning 173.13Testing 184Micro-assemblingproductionlinemainprocessequipmentdisposition 204.1Generalrequirements 204.2Epoxydieattachingprocessequipmentdisposition 204.3Reflowsolderingprocessequipmentdisposition 214.4Eutecticsolderingprocessequipmentdisposition 214.5Wirebondingprocessequipmentdisposition 224.6Flipchipbondingprocessequipmentdisposition 234.7Brazeweldingprocessequipmentdisposition 244.8Parallelseamsealingprocessequipmentdisposition 244.9Laserbondingprocessequipmentdisposition 254.10Coatingprocessequipmentdisposition 254.11Vacuumbakingprocessequipmentdisposition 264.12Cleaningprocessequipmentdisposition 264.13Testingequipmentdisposition 265Micro-assemblingproductionlineprocessdesign 285.1Entireprogramming 285.2Processcompartments 286Micro-assemblingproductionlineplantinstallatiosandenvironment 316.1Generalrequirements 316.2Plantbuilding 316.3Firewater-supplyandfireextinguishersystem 326.4Power-supplyanddistributionsystem 326.5Lighting 336.6Airpurificationsystem 336.7Informationandsafeguard 346.8Compressedairsystem 356.9Processassistedsystem 35AppendixAMicro-assemblingbasicprocesscircuit 38Explanationofwordinginthiscode 40Listofquotedstandards 41Addition：Explanationofprovisions……………42PAGE31總則1.0.1為規(guī)范微組裝生產(chǎn)線工程建設(shè)中工藝設(shè)計(jì)內(nèi)容、深度和廠房設(shè)施標(biāo)準(zhǔn)，保證微組裝生產(chǎn)線工程建設(shè)執(zhí)行國家現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范，做到技術(shù)先進(jìn)、安全適用、經(jīng)濟(jì)合理、確保質(zhì)量，制定本規(guī)范。1.0.2本規(guī)范適用于采用厚膜、薄膜、共燒陶瓷、等各類混合電路多層互連基板組裝封裝工藝的微組裝生產(chǎn)線新建、擴(kuò)建和改建工程。1.0.3微組裝生產(chǎn)2術(shù)語2.0.1微組裝micro-在高密度多層互連基板上，采用表面貼裝和互連工藝將構(gòu)成電子電路的集成電路芯片、片式元件及各種微型元器件組裝起來，并封裝在同一外殼內(nèi)，形成高密度、高速度、高可靠性的三維立體結(jié)構(gòu)的高級(jí)微電子組件。2.0.2環(huán)氧貼裝epoxydieattaching用導(dǎo)電或絕緣環(huán)氧樹脂膠將裸芯片和／或片式阻容元件貼裝在基板上，并通過加熱固化環(huán)氧樹脂實(shí)現(xiàn)芯片（元件）與基板間的物理連接。2.0.3再流焊reflowsoldering加熱待焊接件、使焊料再熔化或再流動(dòng)而實(shí)現(xiàn)接合的焊接工藝。2.0.4共晶焊eutectics是一種利用共晶合金所進(jìn)行的焊接工藝，即將二元或三元合金焊料加熱到等于或高于其共熔溫度（也即共晶溫度）而熔融，并經(jīng)冷卻直接從液態(tài)共熔合金凝固形成固態(tài)共晶合金，實(shí)現(xiàn)芯片等元件的焊接的工藝。2.0.5倒裝焊flipchipbonding，是IC裸芯片與基板直接安裝互連的一種方法，是將芯片面朝下放置，通過加熱、加壓、超聲等方法使芯片電極或基板焊區(qū)上預(yù)先制作的凸點(diǎn)變形（或熔融塌陷），實(shí)現(xiàn)芯片電極與基板焊區(qū)間的對(duì)應(yīng)互連焊接的工藝。2.0.6引線鍵合wireb使極細(xì)金屬絲的兩端分別附著在芯片和管腳上，使這些半導(dǎo)體器件相互連接起來或與外殼引腳連接起來形成電氣連接的工藝。2.0.7平行縫焊parallelseams借助于平行縫焊系統(tǒng)，由通過計(jì)算機(jī)程序控制的高頻大電流脈沖使外殼底座與蓋板在封裝界面縫隙處產(chǎn)生局部高熱而熔合，從而形成氣密性封裝的一種工藝手段。2.0.8激光焊laserb用激光束作熱源將兩種材料焊在一起實(shí)現(xiàn)兩種導(dǎo)體的金屬-金屬鍵合。2.0.9釬焊采用比焊件材料熔點(diǎn)低的金屬材料作為釬料，將焊件和釬料加熱到高于釬料熔點(diǎn)，低于焊件熔點(diǎn)的溫度，利用液態(tài)釬料潤濕焊件，通過釬料填充接頭間隙，將待焊金屬連接起來的工藝。2.0.10涂覆c在電路?表面施加塑性的或無機(jī)的非導(dǎo)電薄層涂料，起環(huán)境和/或機(jī)械保護(hù)作用。2.0.11清洗c利用溶劑清洗，或由施加高頻超聲振動(dòng)到清洗媒介（液體）上所產(chǎn)生的液體空蝕（或微攪動(dòng)），去除組裝件表面的殘留和沾污的工藝。PAGEPAGE493微組裝基本工藝3.1一般規(guī)定3.1.1微組裝主要生產(chǎn)3.1.2應(yīng)根據(jù)混合集成電路、多芯片組件等微組裝產(chǎn)品的性能指標(biāo)3.1.3微組裝工藝流程設(shè)計(jì)原則應(yīng)符合下列要求1應(yīng)按操作溫度從高逐步到低，降序排列各工藝的次序：共晶焊→→再流焊／表面組裝→→倒裝焊→→粘片→→引線鍵合；2應(yīng)在基板上安裝互連好芯片等元器件形成電路功能襯底后再環(huán)氧粘接裝入金屬外殼中，基板與金屬外殼再流焊或共晶焊后再裝連外貼元器件；3半導(dǎo)體器件尤其是MOS器件的貼裝，應(yīng)采取嚴(yán)格的防靜電措施；4應(yīng)符合電子元器件常規(guī)組裝封裝順序要求：1)先粘片后引線鍵合；2)先進(jìn)行內(nèi)引線鍵合后進(jìn)行外引線鍵合；3)完成器件裝連后應(yīng)進(jìn)行產(chǎn)品電性能測試等等；5共晶焊、再流焊、表面組裝后應(yīng)進(jìn)行清洗，芯片倒裝焊后應(yīng)進(jìn)行下填充；6完成每一種組裝或封裝工藝后，應(yīng)緊接著完成相應(yīng)的工序檢驗(yàn)。3.2環(huán)氧貼裝3.2.1環(huán)氧貼裝工藝采用應(yīng)符合下列原則1適用范圍應(yīng)為貼裝發(fā)熱量不高的中小功率器件、無引線倒裝器件、片式元器件、片狀電容，以及將基板貼裝到封裝外殼中；2適合于頻率不高和功率不大，對(duì)濕氣含量沒有嚴(yán)格要求的一般電路；3有歐姆接觸要求的器件應(yīng)采用摻銀或金的導(dǎo)電環(huán)氧進(jìn)行貼裝；4無歐姆接觸要求的集成電路，宜采用絕緣環(huán)氧貼裝；5有散熱要求的集成電路，應(yīng)采用導(dǎo)熱環(huán)氧膠貼裝。3.2.2環(huán)氧貼裝工藝的主要工序應(yīng)符合下列要求：1滴涂前應(yīng)按規(guī)定方法配制多組分漿料型環(huán)氧粘接劑，粘接劑使用前應(yīng)充分?jǐn)嚢杈鶆虿㈧o置除泡，環(huán)氧粘接劑在-40℃的冷凍環(huán)境下貯存時(shí)，使用前應(yīng)在室溫下放置至少45分鐘，充分解凍2基板和載體貼裝前應(yīng)進(jìn)行清洗；3采用滴注點(diǎn)涂、絲網(wǎng)印刷、模板印刷等方法將適量的環(huán)氧膠涂布在基板上元器件待安裝的相應(yīng)位置，或采用手工或機(jī)器將相應(yīng)尺寸的環(huán)氧膜片排布在外殼底座的既定位置上，環(huán)氧膜應(yīng)裁剪成與被安裝基板平面尺寸相當(dāng)（相同或略小于）的大?。?按正確的位置與方向，將待安裝的各元器件準(zhǔn)確放置在基板相應(yīng)的環(huán)氧膠上，或?qū)⒒寤螂娐饭δ芤r底壓著在外殼底座中已排布好的環(huán)氧膜上，應(yīng)在室溫或100℃~250℃5宜采用加熱、熱壓或紫外光照射的方法將粘接劑固化；6應(yīng)清除多余的環(huán)氧粘接劑；7應(yīng)用顯微鏡對(duì)芯片、器件的狀況和環(huán)氧貼裝情況進(jìn)行檢查；8應(yīng)對(duì)完成貼裝后的元器件進(jìn)行端頭通斷測試和抗剪切強(qiáng)度測試。3.2.3環(huán)氧貼裝的工程環(huán)境運(yùn)行條件應(yīng)符合下列要求1貼裝元器件操作應(yīng)在8級(jí)凈化區(qū)中完成；2固化工藝宜在惰性氣體保護(hù)氣氛中進(jìn)行；3稱量、混合、配膠、清洗過程應(yīng)在通風(fēng)柜內(nèi)進(jìn)行。3.3再流焊3.3.1再流焊工藝適用于表面組裝或?qū)⒒搴附釉谕鈿さ鬃小?.3.2再流焊工藝的主要工序應(yīng)符合下列要求：1應(yīng)采用軟合金焊料膏且使用前應(yīng)充分?jǐn)嚢杈鶆虿㈧o置排泡；2宜采用模板印刷、滴注點(diǎn)涂等方法將適量的焊料膏涂布在基板／外殼底座上待安裝的相應(yīng)位置上，焊料膏涂布后應(yīng)在10min～2h內(nèi)完成貼片；3應(yīng)借助于貼片機(jī)或采用手工方式將待安裝的各元器件／基板準(zhǔn)確地放置在焊膏圖形層上，貼片后應(yīng)在1h內(nèi)完成焊接；4應(yīng)使用再流焊爐或熱盤，通過適當(dāng)?shù)摹皽囟?時(shí)間”曲線完成焊膏再流焊接，禁止用手觸摸熱盤表面及已受熱產(chǎn)品。5應(yīng)采用清洗工藝除凈已焊接產(chǎn)品中的焊料、焊劑殘?jiān)⒑娓僧a(chǎn)品；6應(yīng)用顯微鏡對(duì)芯片、器件的狀況和再流焊貼裝情況進(jìn)行檢查；7應(yīng)對(duì)完成貼裝后的元器件進(jìn)行X射線檢測和抗剪切強(qiáng)度測試。3.3.3再流焊宜在氮?dú)?、氫氣或氮?dú)浠旌蠚怏w的氣氛中進(jìn)行3.4共晶焊3.4.1共晶焊工藝適用于要求散熱好的大功率混合電路、要求接觸電阻小的高頻電路以及要求濕氣含量非常低的電路芯片或3.4.2共晶焊的主要工1共晶焊前，應(yīng)對(duì)基板和載體進(jìn)行清洗；2應(yīng)選擇適當(dāng)?shù)墓簿Ш噶?，不?yīng)使用存放時(shí)間過長的焊料，選擇適當(dāng)?shù)暮附幽阁w表面粗糙度；3應(yīng)將合金預(yù)制焊片應(yīng)裁剪成相當(dāng)于被貼裝芯片面積80%的大小，焊料排布在基板／外殼底座的既定位置上，按正確的位置與方向，將待安裝的各元器件／基板準(zhǔn)確地放置在對(duì)應(yīng)的焊料片上，通過適當(dāng)?shù)摹皽囟?時(shí)間”曲線完成焊料共晶；4共晶焊可在二元或三元合金預(yù)制焊片的熔融溫度下進(jìn)行，也可直接將兩種金屬的界面加熱到高于或等于它們的共熔溫度進(jìn)行；5采用含金的合金焊料時(shí)，芯片背面應(yīng)淀積金層；采用以錫、銦為主要成分的低共熔溫度軟合金焊料時(shí)，芯片背面一般應(yīng)淀積鎳、銀或金層；6當(dāng)共晶焊料中含有助焊劑時(shí)，焊接后的器件應(yīng)及時(shí)進(jìn)行清洗去除焊料、焊劑的殘?jiān)?焊接完成后，應(yīng)對(duì)芯片、基板的狀況和焊接的空洞率使用顯微鏡或X射線檢測儀進(jìn)行檢查。3.4.31共晶焊應(yīng)在氮?dú)?、氫氣或氮?dú)浠旌蠚怏w的保護(hù)氣氛中進(jìn)行；2當(dāng)共晶焊與環(huán)氧貼裝用于同一電路時(shí)，必須先完成操作溫度高的共晶焊再進(jìn)行環(huán)氧貼裝；3多個(gè)工序采用共晶焊工藝時(shí)，前道工序選用焊料的共晶溫度應(yīng)高于后道工序。3.5引線鍵合3.5.1引線鍵合工藝應(yīng)按照下列1引線鍵合工藝適用于內(nèi)部芯片之間，基板之間以及芯片與基板、外部殼體、混合集成電路引腳上的金屬化鍵合區(qū)一一對(duì)應(yīng)互連形成電氣連接；2引線鍵合工藝主要可分為熱壓鍵合、超聲波鍵合、熱壓超聲波鍵合,引線鍵合工藝分類見表1；3引線鍵合的形式分為球形鍵合、楔形鍵合；常用鍵合引線的材料為金線、銅線、鋁線等；4熱壓鍵合適合在耐高溫的基板上鍵合；5超聲波鋁硅絲楔形鍵合適合在不耐高溫的基板上鍵合，由于焊點(diǎn)較小，也適合用于小焊盤間距的鍵合；6熱超聲波金絲球形鍵合適合在一些耐熱不高的外殼或基板，散熱好的腔體上的鍵合。表1引線鍵合的工藝分類鍵合工藝鍵合形式工具適用引線材料焊盤材料熱壓球鍵合毛細(xì)管劈刀金、銅金、鋁、銅熱壓超聲球、楔鍵合毛細(xì)管劈刀、楔形劈刀金、銅金、鋁、銅超聲波楔鍵合楔形劈刀金、鋁、銅金、鋁、銅3.5.21引線鍵合前宜先進(jìn)行引線鍵合規(guī)范校驗(yàn)，確認(rèn)工藝參數(shù)的穩(wěn)定性，并檢查基板材料可焊性；2鍵合前宜對(duì)待鍵合區(qū)域進(jìn)行清洗，清除雜物；3選擇所用引線的型號(hào)和尺寸以及合適的鍵合工具，并根據(jù)裝配圖紙要求確定具體的焊接材料，將其安置在鍵合工具上，安置過程應(yīng)保證焊接材料表面的清潔；4合理選擇鍵合溫度、鍵合時(shí)間、鍵合速度、劈刀壓力、超聲功率等鍵合工藝參數(shù)，嚴(yán)格遵照裝配圖紙要求，按正確的位置與方向要求將待鍵合的引線準(zhǔn)確鍵合在相應(yīng)的焊盤上；5熱超聲金絲球形鍵合，應(yīng)調(diào)整好EFO打火強(qiáng)度及絲尾端與打火桿的間隙大小，金球的直徑宜為銅絲直徑的2倍～3倍；采用銅絲進(jìn)行鋁鍵合區(qū)IC芯片的引線鍵合時(shí)，鍵合加熱溫度不宜高于150℃7加熱臺(tái)的溫度一般應(yīng)制在低于熔點(diǎn)或固化溫度20℃～308手動(dòng)鍵合應(yīng)優(yōu)化鍵合弧形，引線的弧度、高度要求應(yīng)基本保持一致，引線交叉時(shí)，引線間距應(yīng)大于等于引線直徑的2倍；9焊點(diǎn)應(yīng)落在焊盤中心，牢固、無虛焊、無短路，必要時(shí)可用導(dǎo)電膠保護(hù)焊點(diǎn)。10引線鍵合后應(yīng)在顯微鏡下對(duì)引線和鍵合質(zhì)量進(jìn)行目檢，并進(jìn)行鍵合拉力測試和鍵合剪切力測試。3.5.31引線鍵合操作應(yīng)在8級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行；2引線鍵合前應(yīng)對(duì)引線鍵合設(shè)備進(jìn)行檢查；3選用銅線進(jìn)行引線鍵合時(shí)一般應(yīng)在惰性氣體保護(hù)氣氛中進(jìn)行。3.6倒裝焊3.6.1倒裝焊工藝應(yīng)按照下列1芯片有源面朝下，以凸點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)與基板直接安裝互連實(shí)現(xiàn)電氣連接時(shí)應(yīng)采用倒裝焊工藝；2芯片焊盤采用面布局，輸入/輸出管腳數(shù)多的LSI、VLSI芯片裝焊時(shí)應(yīng)采用倒裝焊工藝；3倒裝焊工藝應(yīng)包括再流焊、超聲熱壓、聚合物互連粘接等，針對(duì)不同的凸點(diǎn)材料應(yīng)采用適當(dāng)?shù)牡寡b焊工藝；4凸點(diǎn)制作可采用蒸鍍焊料、電鍍焊料、印制焊料、釘頭凸點(diǎn)、化學(xué)鍍凸點(diǎn)、激光植球和凸點(diǎn)移植等方法，在芯片上制作凸點(diǎn)，可采用淀積金屬、機(jī)械焊接或者聚合物互連粘接等方法；5下填充材料填充方式應(yīng)包括毛細(xì)管底部填充、助焊（非流動(dòng)）型底部填充和四角/角-點(diǎn)底部填充，宜根據(jù)芯片尺寸與凸點(diǎn)密度選擇適當(dāng)?shù)奶畛浞椒ā?.6.2倒裝焊工藝1原芯片電極焊區(qū)應(yīng)制作金屬過渡層，成為UBM層，在UBM層上可制作金凸點(diǎn)、銦凸點(diǎn)、鍍金鎳凸點(diǎn)、錫鉛凸點(diǎn)和無鉛凸點(diǎn)等；2金凸點(diǎn)、鍍金焊盤的組合，可采用超聲熱壓焊實(shí)現(xiàn)焊接互連：倒裝設(shè)備焊頭吸附凸點(diǎn)電極面已被翻轉(zhuǎn)朝下的IC芯片向下移動(dòng)，使芯片的各凸點(diǎn)電極壓著在基板的對(duì)應(yīng)焊區(qū)上，同時(shí)施加超聲和加熱、加壓，完成芯片與基板的倒裝焊接（鍵合），芯片的放置應(yīng)控制好對(duì)位精度與裝焊間隙；3難熔凸點(diǎn)，可通過絲網(wǎng)印刷等方法將焊料或?qū)щ娔z涂布在基板焊區(qū)上，然后放置芯片進(jìn)行焊料再流或?qū)щ娔z固化，完成IC芯片與基板的互連粘接倒裝；4雙組分粘接劑在涂布前應(yīng)按比例配制、攪拌均勻并靜置排氣，單組分粘接劑宜貯存在-40℃5由焊料構(gòu)成的凸點(diǎn)，可在焊盤或凸點(diǎn)上涂敷助焊劑，然后將待安裝的芯片面朝下放置在基板上，按要求固化后通過適當(dāng)?shù)摹皽囟?時(shí)間”曲線進(jìn)行焊料再流，完成芯片與基板的倒裝焊接；6應(yīng)采用下填充和固化工藝，下填充操作時(shí)應(yīng)略微傾斜基板，下填充材料的特性應(yīng)與芯片和基板相匹配，填充膠量應(yīng)精確控制，填充后不應(yīng)有空洞；7倒裝焊后應(yīng)清洗除凈焊接產(chǎn)生的污染，再烘干或晾干產(chǎn)品；8芯片倒裝及下填充完成后，應(yīng)在顯微鏡下目檢倒裝焊質(zhì)量，采用X射線檢測芯片凸點(diǎn)電極與其基板焊區(qū)間的對(duì)準(zhǔn)精度，并測試所倒裝芯片的抗剪切強(qiáng)度。3.6.31倒裝焊工藝中，芯片的安裝、互連應(yīng)同時(shí)完成；2倒裝焊應(yīng)在氮?dú)?、氫氣或氮?dú)浠旌蠚怏w的保護(hù)氣氛中進(jìn)行。3.7釬焊3.7.1釬焊工藝采用應(yīng)符合下列1電路內(nèi)部濕氣、氧氣含量均較低，且有氣密性要求的電連接器與殼體組裝時(shí)應(yīng)采用；2可用于有大面積接地要求的電路基板與載體或殼體的焊接，以及接插件與封裝殼體不同組成部分之間的高精度拼裝；3在微電子產(chǎn)品的封裝過程中，對(duì)金屬或陶瓷腔體釬焊工藝可用于絕緣子、接頭或者蓋板的焊接；4釬焊封蓋用于小腔體的金屬及陶瓷封裝時(shí)，芯片及電路應(yīng)耐高溫；5待釬焊表面可采用化學(xué)鍍或電鍍來實(shí)現(xiàn)其表面可釬焊性；6釬焊工藝應(yīng)采用整體加熱，可采用二元或多元共晶焊料合金焊膏的形式，也可采用預(yù)制焊片的形式，蓋板與殼體熱膨脹系數(shù)應(yīng)匹配。3.7.21根據(jù)工藝要求選擇成分穩(wěn)定、無氧化、表面平整的焊料，高要求的焊接一般選用有鉛焊料，根據(jù)焊接溫度選用合適的焊料及使用量，焊接母體應(yīng)選擇適當(dāng)?shù)谋砻娲植诙龋?焊接前應(yīng)清洗除去待焊件及焊料片表面的油污及氧化層，并對(duì)待焊件真空烘焙；3應(yīng)牢靠放置焊料，并應(yīng)使焊料的填縫路程最短，根據(jù)工藝規(guī)定可涂敷適量的助焊劑或阻流劑，對(duì)釬焊縫外圍涂層和透氣孔周圍微電路線條實(shí)施阻焊；4根據(jù)焊料種類與工藝要求選擇適當(dāng)?shù)臍夥?、釬焊溫度、保溫時(shí)間或者溫度曲線，前道工藝焊料的熔化溫度應(yīng)高于后道工藝的操作溫度，蓋板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)合理，封蓋焊接過程中應(yīng)使焊料的流動(dòng)減至最低限度；5在二元或三元合金焊料熔融溫度下進(jìn)行釬焊密封時(shí)，釬焊峰值溫度應(yīng)高于焊料合金液相溫度20℃~506當(dāng)組件包含多道釬焊工步時(shí)，應(yīng)采用溫度梯度釬焊，相鄰兩道釬焊工步焊料液相溫度宜相差30℃以上7有焊透率要求的電路基板的組裝，需根據(jù)基板尺寸選擇焊膏進(jìn)行釬焊，基板應(yīng)包含透氣孔；8當(dāng)組件包含多個(gè)部件一體化釬焊時(shí)宜采用工裝夾具；9釬焊完成后應(yīng)清洗焊接件，去除焊料及助焊劑殘?jiān)?0使用顯微鏡目檢焊縫是否有裂紋、縫隙，如有缺陷應(yīng)重新補(bǔ)焊；11釬焊密封后應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏，測試其漏焊率。3.7.31釬焊封蓋必須在真空或者高純度、干燥的氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛中進(jìn)行；2釬焊工藝可采用紅外鏈?zhǔn)綘t實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)；3若在釬焊爐中進(jìn)行釬焊，應(yīng)在保護(hù)氣氛中進(jìn)行。3.8平行縫焊3.8.1平行縫焊工藝采用應(yīng)符合下列1對(duì)內(nèi)部濕氣、氧氣含量比較低且有密封性要求的電路，待焊接材料為阻熱高的材料，密封過程中采用局部加熱，封裝體的升溫較低、對(duì)溫度較敏感的電子元器件如集成電路、石英晶體振蕩器等的封裝時(shí)應(yīng)采用平行縫焊工藝；2對(duì)可伐合金、10號(hào)鋼等電阻率較高、導(dǎo)熱性能差的金屬或合金組件的氣密電阻熔焊時(shí)應(yīng)采用平行縫焊工藝；3對(duì)邊緣為矩形、圓形或較小的橢圓形等規(guī)則形狀蓋板的外殼進(jìn)行焊接，宜采用平行縫焊工藝。3.8.21檢查被焊件是否滿足焊接結(jié)構(gòu)和尺寸要求，并清洗被焊件表面；2根據(jù)腔體與蓋板的大小和厚度，散熱情況的差異選擇或編輯適用的平行縫焊封蓋程序，合理選擇延遲距離、功率、脈寬、周期時(shí)間、焊接速度、電極對(duì)蓋板壓力等平行縫焊工藝參數(shù)，蓋板焊接部位厚度宜控制在0.08mm~0.12mm范圍內(nèi)，新程序試封后宜進(jìn)行檢漏實(shí)驗(yàn)，合格后方進(jìn)行正式封裝；3平行縫焊材料體系的組成要求根據(jù)材料的熱膨脹系數(shù)決定，最常用的腔體材料是氧化鋁陶瓷、可伐合金和鐵鎳合金，陶瓷腔體需要金屬焊環(huán)，金屬腔體上可具有鎳或金鍍層，蓋板可選擇可伐材料或4J42鐵鎳合金。4組件內(nèi)部水汽含量要求嚴(yán)格時(shí)，可將焊接件及對(duì)應(yīng)的蓋板、夾具放入烘箱中，充入氮?dú)獠⒊檎婵?，真空度達(dá)到指定要求時(shí)開始加熱并保溫一段時(shí)間；5取出冷卻后的焊接件、蓋板、夾具放進(jìn)干燥箱內(nèi)，干燥后移入縫焊操作箱（手套箱），關(guān)嚴(yán)兩側(cè)箱門，應(yīng)盡快完成密封，最好在4h以內(nèi)，當(dāng)產(chǎn)品在操作箱內(nèi)滯留12小時(shí)以上未密封時(shí)，應(yīng)重新烘烤后才能進(jìn)行密封；6應(yīng)將蓋板按規(guī)定方位壓置在外殼底座上且二者邊緣精確對(duì)準(zhǔn)，再啟動(dòng)縫焊程序，應(yīng)先進(jìn)行分步封蓋操作，確認(rèn)程序無誤后方可進(jìn)行自動(dòng)封蓋操作，平行縫焊機(jī)的運(yùn)行速度不宜過快，不應(yīng)產(chǎn)生打火現(xiàn)象，待焊部位金屬應(yīng)充分熔合；7蓋板為矩形的外殼，宜先焊好長度方向上兩條對(duì)邊的平行焊道，再使殼體轉(zhuǎn)90°后焊好寬度方向上另兩條對(duì)邊的平行焊道，兩對(duì)焊道在起始點(diǎn)處應(yīng)相互重疊形成閉合的密封焊道，矩形蓋板的長、寬尺寸應(yīng)對(duì)應(yīng)小于殼體（底座）長、寬0.05mm～0.1mm；8蓋板為圓形的外殼，應(yīng)使兩個(gè)通有連續(xù)大電流脈沖的同軸縫焊電極壓在蓋板頂面的圓周邊沿上相對(duì)于殼體與蓋板完成≥180°的圓弧運(yùn)動(dòng)后實(shí)現(xiàn)縫焊密封，圓形蓋板直徑應(yīng)小于殼體直徑0.05mm～0.1mm；9封裝的最長尺寸不超過25mm時(shí)，宜選用厚度0.1mm～0.15mm的薄板形蓋板；封裝的最長尺寸大于25mm時(shí)，宜選用中心區(qū)域厚度0.25mm～0.4mm、四周邊緣區(qū)厚度0.1mm～0.15mm的臺(tái)階形蓋板；10將已熔焊密封的產(chǎn)品移入與縫焊操作箱相連的充有正壓氮?dú)獾拿芊庀渲?，關(guān)嚴(yán)操作箱側(cè)門，再從密封箱移出；11平行縫焊后在顯微鏡下對(duì)焊縫進(jìn)行目檢，焊縫應(yīng)連續(xù)，不應(yīng)有裂紋；12應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏，測試其漏焊率。3.8.31應(yīng)在濕氣含量≤40ppm的正壓氮?dú)饣蛘龎旱せ旌蠚怏w環(huán)境的縫焊操作箱內(nèi)完成平行縫焊；2縫焊操作箱應(yīng)在一定流量的氮?dú)獾せ旌蠚怏w吹掃8h以上后才能投入縫焊操作，且日常應(yīng)保持正壓環(huán)境；3封蓋時(shí)干燥箱內(nèi)氣體環(huán)境的壓力不應(yīng)高于常壓；4應(yīng)定期檢查并及時(shí)進(jìn)行更換縫焊電極及其支撐件的磨損、燒蝕情況。3.9激光焊3.9.1激光焊工藝采用應(yīng)符合下列1對(duì)內(nèi)部濕氣、氧氣含量比較低并有密封要求的電路，且待焊接材料為鋼、鎳、鋅、鋁時(shí)的氣密封裝時(shí)，應(yīng)采用激光焊工藝；2內(nèi)部氣氛要求嚴(yán)格的金屬或金屬基復(fù)合材料組件的氣密封裝時(shí)，應(yīng)采用激光焊工藝；3激光焊可分為脈沖激光焊和連續(xù)激光焊；4待焊接材料為金、銀、銅時(shí)不應(yīng)采用激光焊接。3.9.21焊接前對(duì)焊件及焊接材料表面做除銹、脫脂處理，嚴(yán)格要求的應(yīng)進(jìn)行酸洗和有機(jī)溶劑清洗；2對(duì)焊件真空烘焙，排除焊件內(nèi)部的水汽；3焊接過程中焊件應(yīng)該夾緊，激光光斑應(yīng)落在待焊件中間位置，光斑在垂直于焊接運(yùn)動(dòng)方向?qū)缚p中心的偏離量應(yīng)該小于光斑直徑；4脈沖激光焊時(shí)，合理設(shè)置脈沖能量、脈沖寬度、功率密度、離焦量（焊件表面到聚焦激光束最小光斑(焦點(diǎn))的距離，改變離焦量，可以改變激光加熱斑點(diǎn)的大小和光束入射狀況）等工藝參數(shù)；5連續(xù)激光焊時(shí)，合理設(shè)置激光功率、焊接速度、光斑直徑、離焦量、保護(hù)氣氛等工藝參數(shù)；6需要時(shí)，可添加金屬做輔助材料，焊接過程被焊金屬部位應(yīng)有充分的熔深，焊接能量不宜過大；7激光焊接后應(yīng)清除飛濺物落在焊件上形成的瘤狀物；8在顯微鏡下觀察焊縫，焊縫應(yīng)連續(xù)，裂紋較少；9激光焊接后應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏，測試其漏焊率。3.9.31激光焊接應(yīng)在氮?dú)?，氬氣等氣體氣氛中進(jìn)行；2激光系統(tǒng)價(jià)格昂貴，一次性投入較高，但是焊道靈活容易調(diào)整，可實(shí)現(xiàn)規(guī)模化自動(dòng)生產(chǎn)，焊接質(zhì)量也高。3.10涂覆3.10.1涂覆工藝采用應(yīng)符合下列1在使用、存儲(chǔ)過程中因受水汽鹽霧及周圍微生物侵蝕導(dǎo)致電路腐蝕，引起電路失效時(shí)應(yīng)采用表面涂覆工藝；2對(duì)表面焊接性能差及表面有非導(dǎo)電組分的封裝材料，在使用前可采用涂覆工藝，使其表面形成可焊性的金屬化涂覆層。3.10.2涂覆1進(jìn)行超聲清洗處理電路板表面的助焊劑、離子污染，不應(yīng)損傷已經(jīng)裝配好的敏感元件；2應(yīng)對(duì)所要涂覆材料進(jìn)行微蝕處理和活化處理；3應(yīng)對(duì)所要涂覆材料沉積適當(dāng)?shù)慕饘倌樱?電路中不需要涂覆的地方應(yīng)使用壓敏膠帶等進(jìn)行掩模保護(hù)并烘干；5應(yīng)選擇與電路浸潤性良好，能夠承受在涂覆工藝之后高溫存儲(chǔ)，溫度循環(huán)等后續(xù)的其他工藝所帶來的高溫條件的涂覆漆，按照合理的比例配方涂覆漆與二甲苯，配好后充分?jǐn)嚢璨㈧o置20分鐘；6應(yīng)遵循涂覆漆廠家提供的焙烤參數(shù)設(shè)置烘箱的焙烤溫度和焙烤時(shí)間，使電路充分固化，涂層應(yīng)均勻致密，無針孔，水汽透過率低，對(duì)基板附著力良好且收縮或張應(yīng)力較??；7涂覆后應(yīng)進(jìn)行熱處理去除應(yīng)力；8根據(jù)焊接溫度對(duì)涂覆層進(jìn)行相應(yīng)的溫度考核。3.10.31涂覆工作室必須保持潔凈干燥，溫度在20~25℃，相對(duì)濕度在40%~60%，凈化度在8級(jí)2涂覆宜采用涂覆機(jī)自動(dòng)完成。3.11真空焙烤3.11.1真空焙烤工藝采用應(yīng)符合下列1對(duì)分子污染高度敏感的器件焊接封裝時(shí)應(yīng)采用真空焙烤工藝；2在惰性氣體中微波器件的焊接封裝時(shí)應(yīng)采用真空焙烤工藝；3在惰性氣體中混合電路盒體的焊接封裝時(shí)應(yīng)采用真空焙烤工藝；4模塊進(jìn)行密封或者真空焊接前，去除內(nèi)部的水汽或其它吸附性氣體成分時(shí)可采用真空焙烤工藝。3.11.21真空焙烘系統(tǒng)在烘烤組件前應(yīng)進(jìn)行烘烤，以確認(rèn)系統(tǒng)正常；2抽真空至102Pa，根據(jù)需要設(shè)定一定的除氣溫度和時(shí)間，開始加熱除氣，加熱溫度不應(yīng)超過組件、器件的最高耐受溫度，但應(yīng)高于組件運(yùn)行溫度10℃3系統(tǒng)回溫，熱沉溫度應(yīng)低于組件和烘烤筒體溫度；4根據(jù)組件內(nèi)部水汽及氧氣含量要求，合理設(shè)置焙烤時(shí)間、焙烤溫度、艙內(nèi)壓力等工藝參數(shù)，保證不對(duì)模塊內(nèi)部電路造成影響；5根據(jù)組件封蓋后內(nèi)部保護(hù)氣氛的要求，真空焙烤后應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)保護(hù)氣體的回充。3.11.3真空焙烤工藝一般應(yīng)在氮?dú)饣蚱渌?.12清洗3.12.1清洗工藝采用應(yīng)符合下列1微組裝工藝宜采用汽相清洗、超聲清洗、等離子清洗三種方式；2對(duì)微組裝中基板、金屬腔體、組件、電路片上需要清除的顆粒、油污、助焊劑、氧化物、多余物進(jìn)行去除時(shí)，應(yīng)采用清洗工藝；3電路上、焊料上等殘留氧化物、引線鍵合焊盤上氧化物、多余的環(huán)氧粘接劑的清除宜采用等離子清洗；4焊接后殘余的助焊劑，毛發(fā)、油污、油脂等污染物的清除，在超聲振動(dòng)不影響待清洗件可靠性及使用性的情況下宜采取超聲清洗；否則應(yīng)采取汽相清洗；5含有晶體器件、陶瓷器件的組件的清洗，有裸芯片的、鍵合金絲后的清洗不宜采用超聲清洗；6不能采用超聲清洗方式的，宜采用手洗；7微組裝清洗工藝的工作媒介通常有化學(xué)溶劑、等離子體氣體、紫外臭氧氣氛、水等。3.12.21清洗過程宜包括初洗，漂洗，烘干，按清洗介質(zhì)不同可采用水洗、半水洗和溶劑洗，清洗應(yīng)在焊后及時(shí)進(jìn)行，保證不對(duì)焊點(diǎn)造成腐蝕；2根據(jù)助焊劑的成分選擇清洗劑，清洗劑的工作溫度應(yīng)小于閃點(diǎn)17℃以上3清洗電路片時(shí)，應(yīng)采用鉻酸加熱清洗或在異丙醇中超聲清洗脫水，然后烘干或用氮?dú)獯蹈桑?金屬腔體、蓋板及絕緣子的清洗可采用超聲氣相清洗，在加熱的清洗劑中超聲清洗，接著進(jìn)行冷卻漂洗，然后蒸汽清洗，最后氮?dú)獯蹈?。表面污染?yán)重或去除氧化物時(shí)，應(yīng)加入拋光劑；5等離子清洗工藝應(yīng)根據(jù)應(yīng)用范圍合理選用等離子氣體，合理設(shè)置等離子清洗的氣體的激發(fā)功率、清洗時(shí)間、真空度、溫度等工藝參數(shù)；6清洗完成后，應(yīng)按要求晾干或烘干洗后元器件及在制品，并應(yīng)在10倍～30倍放大的體視顯微鏡下目檢產(chǎn)品質(zhì)量。3.12.1清洗工藝應(yīng)在7級(jí)凈化間中進(jìn)行；2清洗工位應(yīng)建立強(qiáng)制排風(fēng)環(huán)境；3清洗用后的廢液必須及時(shí)、有效地回收處理；4必須嚴(yán)格遵守化學(xué)品、危險(xiǎn)品的使用安全操作規(guī)范，保證人身及廠房設(shè)施的安全。3.13測試3.13.11貼裝工藝后的測試一般應(yīng)包括：顯微鏡檢、萬用表測試接地電阻，是否短路、X射線檢查共晶界面的空洞以及芯片剪切強(qiáng)度測試；2引線鍵合后的測試一般應(yīng)包括顯微鏡檢、破壞以及引線鍵合強(qiáng)度的鍵合拉力測試；3倒裝焊后可進(jìn)行高溫和熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)，然后采用電測試、邊界掃描或功能測試的方法，檢查芯片的短路和開路；或者采用自動(dòng)光學(xué)檢測，自動(dòng)X射線檢測、聲學(xué)檢測等方法檢測芯片焊接界面的微觀特性；4基板釬焊后采用X射線方法進(jìn)行空洞率測試；5釬焊、平行縫焊、激光焊等工藝后應(yīng)進(jìn)行外觀檢查和腔體氣密性測試，有特殊要求的產(chǎn)品還應(yīng)進(jìn)行X射線檢查。3.13.21測試前應(yīng)按照?qǐng)D紙及相關(guān)要求對(duì)待測件進(jìn)行狀態(tài)檢查；2測試前應(yīng)檢查測試設(shè)備狀態(tài)，并按要求對(duì)測試設(shè)備相關(guān)參數(shù)進(jìn)行設(shè)置；3應(yīng)記錄各項(xiàng)測試項(xiàng)目測試參數(shù)；4測試之后應(yīng)按照要求對(duì)所測參數(shù)進(jìn)行核對(duì)；5用顯微鏡進(jìn)行外觀檢查時(shí)，一般電路可使用80倍顯微鏡，芯片檢查應(yīng)根據(jù)特征尺寸采用高倍顯微鏡；6芯片剪切強(qiáng)度測試、鍵合拉力測試、高溫和熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)為破壞性測試或者會(huì)對(duì)組件造成損傷，宜采用抽樣測試；7引線表面、引線下面或引線周圍有用于增加鍵合強(qiáng)度的任何粘接劑、密封劑或其他材料時(shí)，應(yīng)在使用這些材料以前進(jìn)行試驗(yàn)；8有氣密性要求的產(chǎn)品中，腔體上焊接有絕緣子或接頭的，應(yīng)在絕緣子釬焊清洗后先進(jìn)行檢漏測試，檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品方可進(jìn)行之后的組裝操作。4微組裝生產(chǎn)線主要工藝設(shè)備配置4.1一般規(guī)定4.1.1微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)備應(yīng)包括環(huán)氧貼裝設(shè)備、共晶焊設(shè)備、引線鍵合設(shè)備、密封設(shè)備；輔助設(shè)備應(yīng)包括涂覆設(shè)備、清洗設(shè)備、測試設(shè)備。4.1.2應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)線的組線方式、加工產(chǎn)品、生產(chǎn)規(guī)模、生產(chǎn)效率、運(yùn)行管理與成本控制目標(biāo)、節(jié)能環(huán)保要求等因素，合理配置微組裝生產(chǎn)線的加工設(shè)備與檢測儀器。4.1.31應(yīng)按照產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)型式、工藝途徑、所用材料、加工流程、加工精度等，確定所需工藝設(shè)備的種類，根據(jù)生產(chǎn)線的產(chǎn)能和產(chǎn)量需求，均衡配置各工藝的設(shè)備數(shù)量；2需保證高產(chǎn)能、高生產(chǎn)效率時(shí)，應(yīng)選用具有圖形自動(dòng)識(shí)別、產(chǎn)品數(shù)據(jù)文件接收、編程控制、學(xué)后認(rèn)知等能力的自動(dòng)化設(shè)備；3研制與小批量生產(chǎn)加工、依靠操作人員技能水平保障加工質(zhì)量時(shí)，可選用性能價(jià)格比高、投資較少的手動(dòng)型微組裝設(shè)備。4.2環(huán)氧貼裝工藝設(shè)備配置4.2.1環(huán)氧貼裝工藝可選用點(diǎn)膠機(jī)、絲網(wǎng)印刷機(jī)和粘片機(jī)，少量的元器件粘接可采用手動(dòng)點(diǎn)膠，批量生產(chǎn)可采用絲網(wǎng)印刷或半自動(dòng)和全自動(dòng)粘片。4.2.2環(huán)氧貼裝工藝設(shè)備的配置1點(diǎn)膠機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、顯微鏡、照明裝置和滴針,并配置壓縮空氣系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)環(huán)氧樹脂膠的滴注，通過調(diào)節(jié)壓空壓力、擠滴時(shí)間、滴針口徑、環(huán)氧粘度與觸變性等參數(shù)控制所滴注的膠量；2絲網(wǎng)印刷機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、視覺系統(tǒng)、刮板、網(wǎng)版或模板,通過改變網(wǎng)版目數(shù)、膜厚或模板厚度、刮板壓力、速度和硬度、環(huán)氧粘度與觸變性等參數(shù)控制所印涂的膠層厚度；3粘片機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、視覺與操作隨動(dòng)系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝置和吸嘴，并配置真空系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)粘片；4自動(dòng)粘片機(jī)應(yīng)具有通過程序控制實(shí)現(xiàn)圖形自動(dòng)識(shí)別、自動(dòng)滴注、自動(dòng)吸片、自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)、自動(dòng)貼片的功能。4.3再流焊工藝設(shè)備配置4.3.1再流焊型冶金貼裝工藝可選用模板印刷機(jī)、粘片機(jī)或再流焊爐、熱盤。4.3.2再流焊工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列要求：1模板印刷機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、視覺系統(tǒng)、刮板、模板，通過改變模板的厚度、刮板壓力、速度和硬度、焊膏粘度與觸變性等參數(shù)控制所印涂的焊膏層厚度；2粘片機(jī)的選用要求與第4.2.2條第33再流焊爐應(yīng)有至少5個(gè)溫區(qū)，宜配置有工藝參數(shù)與焊接曲線實(shí)時(shí)監(jiān)控與報(bào)警系統(tǒng)、出口接片裝置以及供應(yīng)保護(hù)氣氛的裝置，可使產(chǎn)品在爐膛內(nèi)隨網(wǎng)帶經(jīng)歷“加熱-焊膏熔融再流-冷卻”過程，并通過設(shè)置各溫區(qū)加熱溫度、網(wǎng)帶傳送速度、送排風(fēng)速率等參數(shù)來獲得適宜的再流焊接“溫度-時(shí)間”曲線；4熱盤宜配置供應(yīng)保護(hù)氣氛的裝置，可設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)加熱溫度，最高加熱溫度及熱功率，利用熱能使盤面上產(chǎn)品的焊膏熔融再流實(shí)現(xiàn)焊接。4.4共晶焊工藝設(shè)備配置4.4.1共晶焊工藝1被貼裝芯片的面積不大于2mm×2mm時(shí)應(yīng)選用手動(dòng)或自動(dòng)共晶機(jī)進(jìn)行逐一共晶焊，同一基板上同一溫度下使用同種焊料共晶焊的芯片一般不應(yīng)超過三個(gè)；2多芯片貼裝或被貼裝芯片的面積大于6mm×6mm時(shí)應(yīng)選用真空共晶爐進(jìn)行共晶焊，并設(shè)計(jì)合適的焊接工裝；3被貼裝芯片的面積在2mm×2mm到6mm×6mm之間時(shí)應(yīng)根據(jù)具體情況選擇合適的工藝設(shè)備；4不使用焊料，直接將兩種金屬的界面加熱到高于或等于它們的共熔溫度進(jìn)行共晶焊時(shí)，應(yīng)選用具有摩擦功能的共晶機(jī)。4.4.21真空共晶爐宜配置有工藝參數(shù)與焊接曲線、氣氛曲線實(shí)時(shí)監(jiān)控與報(bào)警系統(tǒng)、焊接工裝夾具，利用熱能與真空／氣氛相結(jié)合使焊料片共晶熔化實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的焊接，可通過設(shè)置加熱功率、加熱時(shí)間、加熱溫度、真空度與抽真空時(shí)間、氣體類別、充氣壓力與時(shí)間等參數(shù)來獲得適宜的共晶焊接“溫度-時(shí)間”曲線及“真空／氣氛”曲線，；2共晶粘片機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、操作隨動(dòng)系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝置和吸嘴／夾具，應(yīng)能設(shè)置和調(diào)節(jié)承片臺(tái)溫度、超聲摩擦能量等關(guān)鍵工藝參數(shù)，利用高溫摩擦能量形成共熔焊接，可通過改變真空度／夾持力、更換吸嘴／夾具規(guī)格等方法適應(yīng)不同規(guī)格元件的貼片。4.5引線鍵合工藝設(shè)備配置4.5.1引線鍵合工藝可選用手動(dòng)、半自動(dòng)或全自動(dòng)絲焊機(jī)1楔形鍵合可選用楔形鍵合機(jī)；球形鍵合可選用球形鍵合機(jī)；2鋁絲鍵合可選用鋁硅絲楔焊機(jī)和粗鋁絲楔焊機(jī)，金絲鍵合可選用金絲球焊機(jī)。4.5.2引線鍵合工藝設(shè)備的配置1金絲球焊機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、操作隨動(dòng)系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝置和針形劈刀，利用“熱能+超聲能”、使用針形劈刀和高純微細(xì)金絲實(shí)現(xiàn)第一、第二焊點(diǎn)分別為球形焊點(diǎn)、半月形楔形焊點(diǎn)的引線鍵合，應(yīng)能設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)承片臺(tái)溫度、超聲能量和施加時(shí)間、劈刀壓力、EFO（電子打火）強(qiáng)度等關(guān)鍵工藝參數(shù)；2鋁硅絲楔焊機(jī)和粗鋁絲楔焊機(jī)應(yīng)配置有合適的承片臺(tái)、操作隨動(dòng)系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝置和楔形劈刀，利用超聲能并輔助利用熱能、使用楔形劈刀和微細(xì)鋁硅絲／粗鋁絲實(shí)現(xiàn)第一、第二焊點(diǎn)均為高爾夫勺形楔形焊點(diǎn)的引線鍵合，也可實(shí)現(xiàn)微細(xì)金絲的楔形鍵合，應(yīng)能設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)超聲能量和施加時(shí)間、承片臺(tái)溫度、劈刀壓力、夾絲夾力等關(guān)鍵工藝參數(shù)。4.6倒裝焊工藝設(shè)備配置4.6.11超聲熱壓倒裝焊工藝可選用倒裝焊機(jī)和下填充機(jī)；2聚合物互連粘接倒裝工藝可選用點(diǎn)膠機(jī)、倒裝貼片機(jī)、倒裝焊機(jī)和下填充機(jī)。4.6.21倒裝貼片機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)、操作隨動(dòng)系統(tǒng)、照明裝置和吸嘴，利用真空實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)芯片的倒裝貼片，可通過吸嘴吸片、通過倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)與操作隨動(dòng)系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)粘片，并可通過改變真空度、更換吸嘴規(guī)格等方法適應(yīng)不同規(guī)格凸點(diǎn)IC芯片的貼片；2下填充機(jī)是一種用于下填充工藝的點(diǎn)膠機(jī)，可通過液態(tài)材料在縫隙中的毛細(xì)流效應(yīng)充填滿倒裝凸點(diǎn)芯片與基板間的空隙；3倒裝焊機(jī)應(yīng)配置合適的承片臺(tái)、倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)、操作隨動(dòng)系統(tǒng)、照明裝置、吸嘴以及供應(yīng)保護(hù)氣氛的裝置，應(yīng)能設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)承片臺(tái)溫度、超聲能量和施加時(shí)間、局部熱風(fēng)溫度及加熱時(shí)間、焊接壓力等關(guān)鍵工藝參數(shù)，利用“熱能+超聲能”實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)芯片的倒裝焊接，可通過吸嘴吸片、通過倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)與操作隨動(dòng)系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)并通過改變真空度、更換吸嘴規(guī)格等方法適應(yīng)不同規(guī)格凸點(diǎn)IC芯片的貼片。4.7釬焊工藝設(shè)備配置4.7.1釬焊工藝可選用熱臺(tái)、烘箱鏈?zhǔn)解F焊爐、紅外熱風(fēng)回流爐、1表面積小的腔體或要求不高可在熱臺(tái)上焊接，表面積大、散熱快或有特殊要求腔體可在烘箱或鏈?zhǔn)解F焊爐中進(jìn)行；2不需要使用助焊劑的焊料的釬焊，可采用回流焊進(jìn)行釬焊密封。3采用焊膏進(jìn)行釬焊時(shí)，應(yīng)選用紅外熱風(fēng)回流爐或氣相焊爐，帶速或傳遞速度設(shè)置應(yīng)合理，使得組件不同部位受熱均勻；4采用預(yù)制焊片進(jìn)行焊接時(shí)，應(yīng)選用鏈?zhǔn)解F焊爐，采用惰性氣氛或惰性加還原性氣氛，嚴(yán)格控制氧氣含量。4.7.2鏈?zhǔn)解F焊爐應(yīng)能使產(chǎn)品在爐膛內(nèi)隨網(wǎng)帶的運(yùn)行經(jīng)歷“加熱-焊料熔化-焊料冷卻共晶”過程實(shí)現(xiàn)焊接，應(yīng)有至少6個(gè)溫區(qū)，并應(yīng)通過設(shè)置各溫區(qū)的加熱溫度、網(wǎng)帶傳送速度、送排風(fēng)速率等主要工藝參數(shù)來獲得適宜的共晶焊接“4.8平行縫焊工藝設(shè)備配置4.8.1平行縫焊工藝主要4.8.2平行縫焊工藝設(shè)備的1平行縫焊機(jī)應(yīng)配置有合適的縫焊機(jī)電源、承片臺(tái)、定位夾具、縫焊電極及縫焊氣氛供應(yīng)與監(jiān)測系統(tǒng)，并配備有相應(yīng)的操作箱（手套箱）和真空烘焙設(shè)備，真空焙烤的烘箱應(yīng)與平行焊接設(shè)備手套箱連接。2對(duì)組件內(nèi)部氣氛有要求時(shí)，平行縫焊設(shè)備需配備具有氣體凈化和監(jiān)測功能的焊接手套箱及中轉(zhuǎn)箱；3平行縫焊機(jī)利用大電流脈沖在縫焊電極錐面與外殼蓋板邊緣的接觸點(diǎn)處產(chǎn)生極高密度的熱能實(shí)現(xiàn)金屬外殼蓋板與底座間的熔接焊合，可通過縫焊程序設(shè)置縫焊時(shí)電極移動(dòng)的速率、電流脈沖的強(qiáng)度和持續(xù)時(shí)間、脈沖之間的時(shí)間間隔、電極對(duì)蓋板的壓力、電極移動(dòng)的距離、手套箱的氮?dú)猓ǖせ旌蠚怏w）壓力及真空烘烤的真空度、烘烤時(shí)間等關(guān)鍵工藝參數(shù)。4.9激光焊工藝設(shè)備配置4.9.1激光焊工藝主要應(yīng)選擇激光焊接機(jī)，激光點(diǎn)焊時(shí)必須選用脈沖激光焊接機(jī)，激光縫焊時(shí)可選用脈沖激光焊接機(jī)或連續(xù)激光焊接機(jī)，4.9.2激光焊工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列要求：1激光焊機(jī)應(yīng)配置有合適的激光焊機(jī)電源、承片臺(tái)、定位夾具、激光器及激光焊氣氛供應(yīng)與監(jiān)測系統(tǒng)，并配備有相應(yīng)的操作箱（手套箱）和真空烘焙設(shè)備，真空焙烘設(shè)備應(yīng)與激光焊接設(shè)備手套箱連接；2連續(xù)激光焊所使用的焊接設(shè)備一般為CO2激光器；3當(dāng)對(duì)組件內(nèi)部氣氛有要求時(shí)，激光焊接設(shè)備需配備具有氣體凈化和監(jiān)測功能的焊接手套箱及組件中轉(zhuǎn)箱。4.10涂覆工藝設(shè)備配置4.10.14.10.2涂覆工藝設(shè)備的配置1前處理設(shè)備應(yīng)包含超聲清洗設(shè)備、帶通風(fēng)櫥的化學(xué)處理設(shè)備；2根據(jù)所要涂覆材料的屬性和膜層沉積的方式，選擇相應(yīng)的設(shè)備，如化學(xué)鍍?cè)O(shè)備、真空鍍膜設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備等；3應(yīng)具有涂覆膜層厚度的檢測設(shè)備，如X-RAY測厚儀。4.11真空焙烤工藝設(shè)備配置4.11.1真空焙烤工藝可選用4.11.2真空焙烤設(shè)備應(yīng)配置適宜的抽排風(fēng)裝置和機(jī)械泵，設(shè)備應(yīng)與組件封裝設(shè)備連接，4.12清洗工藝設(shè)備配置4.12.1清洗工藝可選用超聲波清洗設(shè)備1通常采用較為經(jīng)典的溶劑法清洗；2對(duì)于污染不嚴(yán)重而潔凈度要求較高的情況可采用間歇式汽相清洗；3對(duì)于大批量SMA清洗，可采用連續(xù)式汽相清洗工藝；4對(duì)于污染較嚴(yán)重的SMA清洗，可采用沸騰超聲清洗，但對(duì)于軍用及生命保障類電子產(chǎn)品不宜使用超聲；5對(duì)于大批量在線清洗系統(tǒng)，且對(duì)環(huán)境要求較高時(shí)，可采用水基清洗（皂化法或凈水法）或半水基清洗，但對(duì)于軍用及生命保障類電子產(chǎn)品應(yīng)慎用或不用；6超聲清洗設(shè)備不適用于電子元器件的清洗。4.12.2應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品需求，選擇一種和多種清洗設(shè)備的組合與配置。4.13測試設(shè)備配置4.13.1測試設(shè)備的最大測試量程、測試精度等指標(biāo)需滿足被測件所需測試要求，可根據(jù)不同測試參數(shù)選擇專用測試設(shè)備或通用測試設(shè)備進(jìn)行測試。4.131粗檢漏的方法有碳氟化合物粗檢漏、染料浸透粗檢漏、增重粗檢漏、光學(xué)粗檢漏等，根據(jù)情況選用合適的粗檢漏設(shè)備；2細(xì)檢漏方法有示蹤氣體氦細(xì)檢漏、放射性同位素細(xì)檢漏等，根據(jù)情況選用合適的細(xì)檢漏設(shè)備，所選用設(shè)備的靈敏度應(yīng)達(dá)到讀出小于或等于10-4（Pa·cm3）/s的漏率。4.13.31引線鍵合拉力測試可采用鍵合拉脫、單個(gè)鍵合點(diǎn)的引線拉力、雙鍵合點(diǎn)的引線拉力等測試方法；2設(shè)備能按規(guī)定要求，在鍵合點(diǎn)、引線或外引線上施加規(guī)定應(yīng)力；3設(shè)備能對(duì)外加應(yīng)力提供經(jīng)過校準(zhǔn)的測量和指示，測量應(yīng)力能達(dá)到規(guī)定極限值的兩倍，準(zhǔn)確度應(yīng)為±5%或±2.9×10-3N（0.3gf）（取其大值）；4.13.41應(yīng)配置一臺(tái)能施加負(fù)載的儀器，其準(zhǔn)確度應(yīng)達(dá)到滿刻度的±5%或0.5N（取其較大者）；2應(yīng)配置一臺(tái)用來施加測試所需力的帶有杠桿臂的圓形測力計(jì)或線性運(yùn)動(dòng)加力儀。4.13.54.13.6完成貼裝后元器件的端頭通斷測試可選用數(shù)字多用表，其配置應(yīng)符合下列要求：1應(yīng)有蜂鳴檔，當(dāng)測試電阻小于0.5Ω時(shí)，出現(xiàn)短路報(bào)警鳴叫；2應(yīng)有低、中、高阻電阻值檔，適于測試10mΩ～100MΩ的阻值；3宜配置四線測試功能及自檢校準(zhǔn)功能；4宜配置適用的表筆。4.13.7制品、元件、構(gòu)件等外觀質(zhì)量的放大檢查可選用體視顯微鏡，其配置1放大倍數(shù)宜配置為7倍～20倍、10倍～30倍、30倍～60倍等幾種；2應(yīng)配置光強(qiáng)可調(diào)節(jié)的頂視照明系統(tǒng)；3應(yīng)具有雙目鏡孔距調(diào)節(jié)、焦距粗調(diào)與微調(diào)、單目焦距復(fù)調(diào)等功能。

5微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì)5.1總體規(guī)劃5.1.1微組裝生產(chǎn)線規(guī)劃應(yīng)力求工藝流程合理，人流、物流通暢；并應(yīng)按工藝生產(chǎn)、動(dòng)力輔助、倉儲(chǔ)、辦公和管理等功能區(qū)進(jìn)行5.1.2生產(chǎn)線廠房應(yīng)布置在中心區(qū)域，廠房潔凈區(qū)位置應(yīng)符合1外部環(huán)境清潔；2遠(yuǎn)離強(qiáng)振源；3動(dòng)力供應(yīng)便捷。5.1.3微組裝生產(chǎn)線廠房人流、物流出入口應(yīng)分開設(shè)置5.1.4潔凈區(qū)宜設(shè)置人員凈化用室和物料凈化設(shè)施。5.1.5微組裝生產(chǎn)線布置在多層廠房內(nèi)時(shí)，電梯不宜5.1.6裝卸貨區(qū)5.1.7產(chǎn)品生產(chǎn)工藝允許時(shí)宜組合為多功能復(fù)合型5.2工藝區(qū)劃5.2.1微組裝生產(chǎn)線工藝區(qū)劃應(yīng)按照生產(chǎn)工藝流程為主線展開。核心生產(chǎn)區(qū)包括貼裝區(qū)、焊接區(qū)、封裝區(qū)等，生產(chǎn)支持區(qū)包括更衣區(qū)、物料凈化區(qū)、調(diào)試區(qū)、檢測區(qū)等。微組裝生產(chǎn)線工藝流程如圖厚膜基片厚膜基片薄膜基片共燒基片清洗用環(huán)氧或合金將基片貼到底座上用環(huán)氧將芯片貼到基片上用環(huán)氧或合金將芯片貼到基片上用環(huán)氧將基片貼到底座上清洗線焊、焊線拉力和清洗電測檢驗(yàn)真空烘烤蓋板焊縫密封其它篩選要求圖1微組裝生產(chǎn)線工藝流程圖5.2.2微組裝生產(chǎn)線廠房的工藝區(qū)劃1產(chǎn)品的工藝流程；2廠房建筑、結(jié)構(gòu)形式及內(nèi)部尺寸；3主要?jiǎng)恿┙o方向；4產(chǎn)品產(chǎn)量、生產(chǎn)線種類和設(shè)備選型數(shù)量；5清洗、電磁屏蔽等特別工作間的安排；6二次配管配線接入方便。5.2.3潔凈區(qū)1人員凈化用室應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求和空氣潔凈度等級(jí)設(shè)置；2人員凈化用室宜包括雨具存放、換鞋、存外衣、盥洗間、更換潔凈工作服、空氣吹淋室等；3潔凈工作服洗滌間、干燥間等用室，可根據(jù)需要設(shè)置。5.2.41人員凈化用室入口處，應(yīng)設(shè)置凈鞋設(shè)施；2存外衣和更換潔凈工作服的設(shè)施應(yīng)分別設(shè)置；3外衣存衣柜應(yīng)按設(shè)計(jì)人數(shù)每人一柜設(shè)置；4廁所不得設(shè)置在潔凈區(qū)內(nèi)，宜設(shè)置在更換潔凈工作服前；5人員凈化用室和生活用室的建筑面積，宜按潔凈室內(nèi)設(shè)計(jì)人數(shù)平均小于等于4m25.2.5潔凈區(qū)內(nèi)的設(shè)備和物料出入口應(yīng)獨(dú)立設(shè)置，并應(yīng)根據(jù)設(shè)備和物料的特征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈5.3工藝設(shè)備布置5.3.15.3.2微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)備布置應(yīng)預(yù)留人流、物流通道，設(shè)備安裝入5.3.5.35.3.5微組裝生產(chǎn)線廠房內(nèi)，靠近生產(chǎn)區(qū)宜5.3.6清洗、（含助焊劑的）焊接和返修工藝應(yīng)設(shè)立

6微組裝生產(chǎn)線廠房設(shè)施及環(huán)境6.1一般要求6.1.1微組裝生產(chǎn)線廠房公用動(dòng)力應(yīng)包括電力變／配電、冷熱源、潔凈壓縮空氣6.1.26.1.3微組裝生產(chǎn)線廠房應(yīng)設(shè)置消防及生產(chǎn)聯(lián)合給水系統(tǒng)、生活給水系統(tǒng)、純水系統(tǒng)、工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)、廢水處理系統(tǒng)、空氣凈化系統(tǒng)、工藝輔助系統(tǒng)、工藝排風(fēng)系統(tǒng)、壓縮空氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、能耗計(jì)量與監(jiān)測系統(tǒng)、防靜電系統(tǒng)6.1.4微組裝生產(chǎn)線廠房6.1.5微組裝生產(chǎn)線廠房應(yīng)有300Ｌｘ～400Ｌｘ的照度6.1.6微組裝生產(chǎn)線廠房應(yīng)設(shè)置良好的安全接地和防雷接地。6.1.7微組裝生產(chǎn)線廠房應(yīng)有良好的電磁兼容環(huán)境6.1.8微組裝生產(chǎn)線廠房應(yīng)按一級(jí)防靜電工作區(qū)設(shè)置防靜電6.2廠房土建6.2.16.2.26.2.36.2.41應(yīng)有兩個(gè)或兩個(gè)以上直通地面樓層的疏散通路；2樓面荷載應(yīng)大于等于5kN∕㎡；3應(yīng)設(shè)置生產(chǎn)物料垂直運(yùn)輸?shù)碾娞荩?層高應(yīng)滿足6.2.2條的規(guī)定。6.2.56.2.66.2.6.2.8發(fā)射模塊等功率器件生產(chǎn)線個(gè)別工序宜采取電磁屏蔽措施6.2.9微組裝生產(chǎn)線廠房四周宜設(shè)環(huán)形消防通道，若有困難時(shí)可沿廠房長邊的兩側(cè)設(shè)消防通道。消防通道的設(shè)置應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB6.3消防給水及滅火措施6.3.1微組裝廠房內(nèi)、外應(yīng)設(shè)置消火栓箱和地上式6.3.2微組裝生產(chǎn)線廠房內(nèi)、外消火栓用水量、水槍數(shù)的布置應(yīng)6.3.3室外消火栓宜采用地上式消火栓，其距房屋外墻不宜小于5m，地上式消火栓間距不應(yīng)大于120m6.3.4室內(nèi)消火栓應(yīng)保證可采用兩支水槍充實(shí)水柱到達(dá)室內(nèi)任何部位，6.3.5當(dāng)采用氣體滅火系統(tǒng)時(shí)，宜選用二氧化碳等滅火器6.4供配電系統(tǒng)6.4.16.4.2微組裝生產(chǎn)線6.4.3微組裝6.4.4設(shè)備配電引入線應(yīng)6.4.56.4.6潔凈室6.5照明6.5.16.5.2室內(nèi)照明燈具的選擇與布置應(yīng)符合下列1潔凈室內(nèi)宜采用吸頂明裝、不易積塵、便于清潔的潔凈燈具；2當(dāng)采用嵌入式燈具時(shí)，其安裝縫隙應(yīng)采取密封措施；3潔凈室內(nèi)燈具的布置，不應(yīng)影響氣流組織，并應(yīng)與送風(fēng)口協(xié)調(diào)布置。6.5.3室內(nèi)的主要生產(chǎn)用房間一般照明的照度值宜為300lx6.5.4輔助工作間、人員凈化用室、走廊等的照度值宜為200lx～300lx。6.5.4潔凈廠房6.5.56.6空氣凈化系統(tǒng)6.6.1微組裝生產(chǎn)線潔凈區(qū)空氣潔凈度等級(jí)應(yīng)為8級(jí)或6.66.6.3微組裝生產(chǎn)廠房室內(nèi)溫度宜為22℃±3℃6.6.4潔凈區(qū)壓差控制應(yīng)按照6.7信息與安全保護(hù)6.7.1微組裝生產(chǎn)線廠房內(nèi)通信設(shè)施應(yīng)符合下列要求：1廠房內(nèi)電話/數(shù)據(jù)布線應(yīng)采用綜合布線系統(tǒng)，綜合布線系統(tǒng)的配線間或配線柜不應(yīng)設(shè)置在布置工藝設(shè)備的潔凈區(qū)內(nèi)。2應(yīng)設(shè)置生產(chǎn)、辦公及動(dòng)力區(qū)之間聯(lián)系的語音通信系統(tǒng)；3根據(jù)管理及工藝的需要應(yīng)設(shè)置數(shù)據(jù)通信局域網(wǎng)及與因特網(wǎng)連接的接入網(wǎng)；4宜設(shè)置集中式數(shù)據(jù)中心。6.7.2微組裝生產(chǎn)線廠房的生產(chǎn)區(qū)、站房等均應(yīng)設(shè)置火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警及消防聯(lián)動(dòng)控制系統(tǒng)，控制設(shè)備的控制及顯示功能應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016及《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472的規(guī)定。6.7.3潔凈廠房應(yīng)設(shè)置消防值班室或控制室，其位置不應(yīng)設(shè)在潔凈區(qū)內(nèi)。消防控制室應(yīng)設(shè)置消防專用電話總機(jī)。6.7.4微組裝生產(chǎn)線廠房應(yīng)按照現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《特種氣體統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50646的規(guī)定設(shè)置氣體泄漏報(bào)警裝置6.7.5生產(chǎn)廠房應(yīng)按照現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工廠化學(xué)品系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50781的規(guī)定設(shè)置化學(xué)品液體泄漏報(bào)警裝置6.7.6生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)置廣播系統(tǒng)，潔凈區(qū)內(nèi)應(yīng)采用潔凈室型揚(yáng)聲器。當(dāng)廣播系統(tǒng)兼事故應(yīng)急廣播系統(tǒng)時(shí)應(yīng)滿足現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)6.7.7微組裝廠房內(nèi)宜6.7.6.7.96.8壓縮空氣系統(tǒng)6.8.11壓縮空氣系統(tǒng)的供氣規(guī)模應(yīng)按生產(chǎn)工藝所需實(shí)際用氣量及系統(tǒng)損耗量確定；2供氣品質(zhì)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝對(duì)含水量、含油量、微粒粒徑要求確定；6.8.1壓縮空氣主管道的直徑應(yīng)按照全系統(tǒng)實(shí)際用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；支管道的直徑應(yīng)按照設(shè)備最大用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；2干燥壓縮空氣輸送露點(diǎn)低于-40℃時(shí)，用于管道連接的密封材料宜選用金屬墊片或聚四氟乙烯墊片；3設(shè)計(jì)軟管連接時(shí)宜選用金屬軟管。6.9工藝輔助系統(tǒng)6.9.11微組裝生產(chǎn)線宜有氮?dú)?、氧氣、氦氣和氬氣供給；2潔凈室內(nèi)的氣體管道的干管，應(yīng)敷設(shè)在技術(shù)夾層或技術(shù)夾道內(nèi)。3氣體過濾器應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝對(duì)氣體潔凈度的要求進(jìn)行選擇和配置，終端氣體過濾器應(yīng)設(shè)置在靠近用氣點(diǎn)處；4氮系統(tǒng)宜采用外購液氮經(jīng)氣化后經(jīng)管道供至設(shè)備；5氧氣、氦氣和氬氣宜采用外購瓶裝氣體在設(shè)備旁或技術(shù)夾道內(nèi)就近供應(yīng)；6.9.2微組裝生產(chǎn)線工藝排風(fēng)系統(tǒng)1潔凈室內(nèi)產(chǎn)生粉塵和有害氣體的工藝設(shè)備，應(yīng)設(shè)局部排風(fēng)裝置；2潔凈室的排風(fēng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，應(yīng)采取下列措施：1)防止室外氣流倒灌；2)對(duì)排風(fēng)介質(zhì)中有害物應(yīng)進(jìn)行處理；3)對(duì)含有水蒸氣和凝結(jié)性物質(zhì)的排風(fēng)系統(tǒng)，應(yīng)設(shè)坡度；3根據(jù)生產(chǎn)工藝要求設(shè)置事故排風(fēng)系統(tǒng)，事故排風(fēng)系統(tǒng)區(qū)域的換氣次數(shù)不應(yīng)小于12次/h；事故排風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)設(shè)自動(dòng)和手動(dòng)控制開關(guān)，且應(yīng)設(shè)置不間斷電源（UPS）。6.9.3微組裝生產(chǎn)線純水系統(tǒng)應(yīng)符合下列規(guī)定1純水系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝確定純水制備系統(tǒng)的規(guī)模、純水指標(biāo)；2純水系統(tǒng)流程應(yīng)根據(jù)純水供水水質(zhì)的要求、原水的來源及水質(zhì)、節(jié)水節(jié)能及環(huán)保要求及設(shè)備供應(yīng)等因素確定；3純水系統(tǒng)的輸送干管應(yīng)敷設(shè)在技術(shù)夾層或技術(shù)夾道內(nèi)，管道的敷設(shè)應(yīng)滿足密封的要求；4純水系統(tǒng)應(yīng)采用循環(huán)供水方式，宜采用單管式循環(huán)供水系統(tǒng)或設(shè)有獨(dú)立回水管的雙管式循環(huán)供水系統(tǒng)；6.9.4微組裝生產(chǎn)線工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)應(yīng)符合下列規(guī)定1系統(tǒng)的水溫、水壓及水質(zhì)要求應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝條件確定，對(duì)于水溫、水壓、運(yùn)行等要求差別較大的設(shè)備，工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)宜分開設(shè)置；2系統(tǒng)的循環(huán)水泵的供電形式宜采用雙回路供電；3系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置過濾器，過濾器宜考慮備用。過濾器的過濾精度應(yīng)根據(jù)工藝設(shè)備對(duì)水質(zhì)的要求確定；6.9.5微組裝生產(chǎn)線的化學(xué)品宜采用日用量瓶裝方式在設(shè)備旁就近供應(yīng)。6.9.6微組裝生產(chǎn)線宜設(shè)置真空吹掃系統(tǒng)6.9.7微組裝生產(chǎn)區(qū)應(yīng)為一級(jí)防靜電工作區(qū)，其設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)電子工程防靜電設(shè)計(jì)規(guī)范GB50611的有關(guān)規(guī)定。6.9.8微組裝生產(chǎn)線廢水處理系統(tǒng)應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)電子工業(yè)環(huán)境保護(hù)設(shè)計(jì)規(guī)范GB50XＸ的規(guī)定。

附錄A微組裝基本工藝流程圖A.0.1基板與外殼粘接型微組裝基本工藝流程1檢驗(yàn)表面組裝清洗粘片芯片共晶焊清洗芯片再流焊圖A.0.1基板與外殼粘接型微組裝基本工藝流程檢驗(yàn)表面組裝清洗粘片芯片共晶焊清洗芯片再流焊清洗檢驗(yàn)內(nèi)引線鍵合ACA粘接倒裝超聲熱壓倒裝ICA粘接倒裝檢驗(yàn)下填充基板與金屬外殼粘接檢驗(yàn)有源微調(diào)檢驗(yàn)外引線鍵合檢驗(yàn)中間測試檢驗(yàn)檢驗(yàn)成品測試氣密封焊檢驗(yàn)移交出線

檢驗(yàn)檢驗(yàn)有源微調(diào)檢驗(yàn)外引線鍵合檢驗(yàn)中間測試檢驗(yàn)檢驗(yàn)成品測試氣密封焊檢驗(yàn)移交出線檢驗(yàn)超聲熱壓倒裝ICA粘接倒裝芯片再流焊表面組裝基板與金屬外殼焊接清洗檢驗(yàn)清洗芯片共晶焊檢驗(yàn)檢驗(yàn)粘片內(nèi)引線鍵合ACA粘接倒裝下填充內(nèi)引線鍵合圖A.0.2本規(guī)范用詞說明1為便于在執(zhí)行本規(guī)范條文時(shí)區(qū)別對(duì)待，對(duì)要求嚴(yán)格程度不同的用詞說明如下：1)表示很嚴(yán)格，非這樣做不可的用詞：正面詞采用“必須”，反面詞采用“嚴(yán)禁”；2)表示嚴(yán)格，在正常情況下均應(yīng)這樣做的用詞：正面詞采用“應(yīng)”，反面詞采用“不應(yīng)”或“不得”；3)表示允許稍有選擇，在條件許可時(shí)首先應(yīng)這樣做的用詞：正面詞采用“宜”，反面詞采用“不宜”；4)表示有選擇，在一定條件下可以這樣做的用詞，采用“可”。2本規(guī)范條文中指明應(yīng)按其他有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范執(zhí)行的用詞，寫法為“應(yīng)符合……的規(guī)定”或“應(yīng)按……執(zhí)行”。

引用標(biāo)準(zhǔn)名錄《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》GB12348《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50073《火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系列規(guī)范》GB50116《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472《電子工業(yè)防靜電設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50611《特種氣體系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50646《電子工廠化學(xué)品系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50781《電子工業(yè)環(huán)境保護(hù)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50XXX中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì)規(guī)范GBXXXXX-XXXX條文說明（征求意見稿）目錄1總則 443微組裝基本工藝流程 463.1一般規(guī)定 463.2環(huán)氧貼裝 473.4共晶焊 483.5引線鍵合 493.6倒裝焊 513.7釬焊 513.8平行縫焊 523.9激光焊 533.10涂覆 533.11真空焙烤 543.12清洗 553.13測試 554微組裝生產(chǎn)線主要工藝設(shè)備配置 564.1一般規(guī)定 564.2環(huán)氧貼裝工藝設(shè)備配置 564.4共晶焊工藝設(shè)備配置 564.5引線鍵合工藝設(shè)備配置 564.6倒裝焊工藝設(shè)備配置 564.13測試設(shè)備配置 575微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì) 585.1總體規(guī)劃 585.2工藝區(qū)劃 586微組裝生產(chǎn)線廠房設(shè)施及環(huán)境 606.2廠房土建 606.3消防給水及滅火措施 606.6空氣凈化系統(tǒng) 616.7信息與安全保護(hù) 616.9工藝輔助系統(tǒng) 611總則1.0.1目前，微組裝技術(shù)已經(jīng)成為國內(nèi)微電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)和投資熱點(diǎn)，“十一五”到“十二五”期間國內(nèi)投資建設(shè)了多條微組裝生產(chǎn)線，由于缺乏統(tǒng)一的專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，微組裝生產(chǎn)制造工藝技術(shù)和產(chǎn)品檢測方法不統(tǒng)一，一定程度上制約了微組裝技術(shù)的推廣應(yīng)用，影響了微組裝工藝線的建設(shè)成效。本規(guī)范的制定，旨在為提供微組裝生產(chǎn)線的建線較為全面和系統(tǒng)的技術(shù)指導(dǎo)和依據(jù)，推動(dòng)國內(nèi)微組裝技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展。微組裝生產(chǎn)線的設(shè)計(jì)必須遵守工程建設(shè)的基本原則，應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品的質(zhì)量要求、功能和應(yīng)用領(lǐng)域，生產(chǎn)線的運(yùn)行管理水平，成本控制和節(jié)能、環(huán)保等因素，經(jīng)技術(shù)和經(jīng)濟(jì)比較后合理選擇微組裝工藝流程和設(shè)備。要作到技術(shù)先進(jìn)、安全適用、經(jīng)濟(jì)合理、操作方便、確保質(zhì)量。微組裝生產(chǎn)線的的設(shè)計(jì)“技術(shù)先進(jìn)”，是要求微組裝生產(chǎn)線的設(shè)計(jì)科學(xué)，采用的微組裝工藝和設(shè)備先進(jìn)、高效、成熟?！鞍踩m用”，是要求微組裝設(shè)備和工藝穩(wěn)定可靠，滿足生產(chǎn)需求。“經(jīng)濟(jì)合理”，則是要在保證安全可靠、技術(shù)先進(jìn)的前提下，節(jié)省工程投資費(fèi)用和日常運(yùn)行維護(hù)成本。“操作方便”，是要滿足日常操作運(yùn)行、檢修維護(hù)的便利和快捷的需求。“確保質(zhì)量”，是要求微組裝生產(chǎn)線生產(chǎn)出的產(chǎn)品一致好，合格率高。微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì)應(yīng)為施工安裝、調(diào)試檢測、安全運(yùn)行、維護(hù)管理提供必要條件。1.0.2在軍事方面，微組裝技術(shù)已成為相控陣?yán)走_(dá)T/R（發(fā)射/接收）組件制造、電子戰(zhàn)設(shè)備微波集成組件制造、多芯片組件技術(shù)的核心技術(shù)，廣泛應(yīng)用雷達(dá)、通信、電子對(duì)抗、制導(dǎo)等產(chǎn)品領(lǐng)域；在民用方面，微組裝技術(shù)及其應(yīng)用產(chǎn)品廣泛涉及計(jì)算機(jī)、無線通信、汽車電子、醫(yī)藥電子、娛樂信息等應(yīng)用領(lǐng)域。本規(guī)范中所指的微組裝包括組裝、封裝兩部分工藝，組裝是在基板上貼裝芯片等元器件并完成各元器件與基板間的電學(xué)互連的工藝操作與檢驗(yàn)，封裝則是將基板或在基板上已完成元器件組裝的電路功能襯底安裝到封裝外殼中并實(shí)現(xiàn)氣密封蓋的工藝操作與檢驗(yàn)。3微組裝基本工藝流程3.1一般規(guī)定3.1.21)環(huán)氧粘片：用環(huán)氧樹脂膠將芯片、片式電阻器、片式電容器、微型元器件等粘貼在基板的表面上；2)基板粘接：用絕緣環(huán)氧樹脂膜或絕緣環(huán)氧樹脂膠將基板或在基板上已完成元器件組裝的電路功能襯底安裝到封裝外殼中；3)再流焊：用軟合金焊料膏（如Sn63Pb37焊膏）將元器件焊接在基板上（表面組裝）或?qū)⒒搴附釉谕鈿さ鬃校?)共晶焊：用合金焊料片（如Au80Sn20焊片）將元器件焊接在基板上或?qū)⒒搴附釉谕鈿さ鬃校?)引線鍵合：芯片與基板間的內(nèi)引線鍵合及基板與外殼引腳間的外引線鍵合；6)倒裝焊：將凸點(diǎn)IC芯片功能面朝下倒扣裝連在基板上；7)平行縫焊：利用大電流脈沖熔封外殼蓋板到底座上，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的氣密封裝；8)激光封焊：利用高能量激光束熔封外殼蓋板到底座上，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的氣密封裝；9)涂覆：用絕緣或聚合物膠保護(hù)元器件或?qū)崿F(xiàn)加固；10)固化（烘干）：作為粘接、涂覆等工藝的一部分，加熱環(huán)氧膠、環(huán)氧膜或涂覆料，使其形成固體而實(shí)現(xiàn)連接或使其獲得目標(biāo)功效；11)清洗：作為輔助工藝，用于元器件、外殼、基板、半成品電路的表面附著污染物、氧化層的去除；12)檢驗(yàn)：作為上述各工藝的一部分或持續(xù)工作，通過顯微鏡目檢、電學(xué)力學(xué)性能測試等方法，考核工藝加工質(zhì)量是否達(dá)到要求。3.2環(huán)氧貼裝3.2.1環(huán)氧貼裝是使用環(huán)氧粘接劑將器件或基板固定于裝配圖紙要求的位置上，形成牢固的、傳導(dǎo)性或絕緣性的連接。環(huán)氧貼裝具有良好的連接強(qiáng)度，工藝設(shè)備簡單，更換方便，經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。環(huán)氧貼裝工藝可分為以下三種：1)導(dǎo)電環(huán)氧粘片：采用摻銀或金（大多數(shù)是摻銀）的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂膠將元器件貼裝在基板上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與基板的機(jī)械與電學(xué)連接；2)絕緣環(huán)氧粘片：采用絕緣環(huán)氧樹脂膠將元器件貼裝在基板上，僅實(shí)現(xiàn)與基板的機(jī)械連接；3)基板粘接：采用絕緣環(huán)氧樹脂膜或絕緣環(huán)氧樹脂膠將基板或在基板上已完成元器件組裝的電路功能襯底貼裝到封裝外殼中，僅實(shí)現(xiàn)基板與外殼的機(jī)械連接。3.2.2環(huán)氧貼裝的主要工序。1常用環(huán)氧粘接劑的主要性能與工藝參數(shù)見表1；5固化的目的是實(shí)現(xiàn)元器件在基板上或基板／電路功能襯底在外殼中的安裝連接。3.2.33為避免吸入有毒氣體，稱量、混合、配膠、清洗過程應(yīng)在通風(fēng)柜內(nèi)進(jìn)行。表1常用環(huán)氧粘接劑的主要性能與工藝參數(shù)型號(hào)性能EPO-TEKH20EEPO-TEKH37MPEPO-TEKH77ABLEBOND84-3JABLEFILM5020-1-.005備注環(huán)氧類型雙組份導(dǎo)電膠單組份導(dǎo)電膠雙組份絕緣膠單組份絕緣膠厚5mil絕緣環(huán)氧膠典型固化條件150℃5min~10min150℃150℃150℃150℃體電阻率0.0004Ω-cm0.0005Ω-cm1.0×1010Ω-cm3.5×1015Ω-cm5×1014Ω-cm熱導(dǎo)率2.0W/(m·K)1.7W/(m·K)0.9W/(m·K)0.83W/(m·K)0.24W/(m·K)玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg＞80＞90＞8085100最高連續(xù)工作溫度200175160————芯片剪切強(qiáng)度3400psi6000psi3400psi6800psi4000psi25℃時(shí)，2mm×室溫粘度2200cps~3200cps(@100rpm)22000cps~26000cps(@10rpm)6000cps~12000cps(@20rpm)20000cps——熱膨脹系數(shù)CTE(Tg以下時(shí))31ppm/℃45ppm/℃30ppm/℃40ppm/℃60ppm/℃熱膨脹系數(shù)CTE(Tg以上時(shí))120ppm/℃124ppm/℃110ppm/℃100ppm/℃200ppm/℃TGA退化溫度410＞350445（300℃（300℃TGA：熱失重分析試驗(yàn)適用期室溫，4天室溫，3個(gè)月室溫，24h25℃25℃儲(chǔ)存期室溫，1年-40℃室溫，1年-40℃-40℃3.4共晶焊3.4.1共晶焊是使用二元或三元合金片作為焊料將芯片或基板貼裝在載體上，實(shí)現(xiàn)高熱導(dǎo)、低電阻、高可靠性的傳導(dǎo)性連接。共晶焊工藝具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱阻小、穩(wěn)定性好、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，但是其操作過程較為復(fù)雜，需要調(diào)試的參數(shù)多，成本較高。共晶焊工藝可分為以下兩種：1)使用合金焊料片（如Au80Sn20焊片）將元器件焊接在基板上或?qū)⒒搴附釉谕鈿さ鬃校?)不使用預(yù)制片或焊膏，在AuSi共熔溫度以上的某溫度（400℃～500℃）下，將硅芯片的背面（表面一般應(yīng)淀積Au層）對(duì)著基板上的金屬化（一般為3.4.2共晶焊的主要工序。2合理選擇焊料種類與使用順序，能夠有效地減少空洞缺陷的發(fā)生率，焊料存放時(shí)間過長，焊料與鍍層的氧化將影響到共晶質(zhì)量，焊接母體表面具有一定粗糙度，有利于獲得良好的潤濕。3.5引線鍵合3.5.1引線鍵合工藝應(yīng)按照下列原則采用：1引線鍵合是使用金屬絲，利用熱壓或超聲等能源，實(shí)現(xiàn)電子組件中電路內(nèi)部的電氣連接。引線鍵合工藝實(shí)現(xiàn)簡單、成本低廉、適合多種組裝形式而在連接方式中占主導(dǎo)地位。微組裝引線鍵合工藝根據(jù)所利用的主要能量方式不同可分為以下三種方法：1)熱壓鍵合：通過加熱和加壓，使焊接區(qū)金屬發(fā)生塑性變形，破壞壓焊界面上的氧化層，在高溫?cái)U(kuò)散和塑性流動(dòng)的作用下，使固體金屬擴(kuò)散鍵合；2)超聲波鍵合：在室溫下，由鍵合工具引導(dǎo)金屬引線與待焊金屬表面相接觸，在高頻震動(dòng)與壓力的共同作用下，破壞界面氧化層并產(chǎn)生熱量，使兩種金屬牢固鍵合；3)熱壓超聲波鍵合：焊接時(shí)需要提供外加熱源，通過超聲磨蝕掉焊接面表面氧化層，在一定壓力下實(shí)現(xiàn)兩種金屬的有效連接和金屬間化合物的擴(kuò)散，從而形成焊點(diǎn)。2常用鍵合工具（劈刀）有兩種不同的基本外形，即從針尖斜下方背面送絲的楔形劈刀和中空垂直向下送絲的針形劈刀（焊針）；根據(jù)鍵合絲材料的不同，可分為金絲鍵合、鋁絲鍵合、鋁硅絲鍵合等；由于劈刀針尖形狀、鍵合絲材料及斷絲方式等的不同，所得到的鍵合點(diǎn)（焊點(diǎn)）形狀將不同，常見的三種焊點(diǎn)有球形焊點(diǎn)、半月形楔形焊點(diǎn)和高爾夫勺形楔形焊點(diǎn)。最通用、最成熟、最傳統(tǒng)的微組裝引線鍵合類型有以下兩種：1)熱超聲金絲球形鍵合（金絲球焊）：采用高純金絲、針形劈刀、同時(shí)施加超聲與熱能實(shí)現(xiàn)引線與鍵合區(qū)間的焊接，鍵合線的第一、第二焊點(diǎn)分別為球形焊點(diǎn)、半月形楔形焊點(diǎn)，在前一鍵合線焊好、線夾拔絲斷線后，電子打火（EFO）桿將劈刀針尖下端伸出的絲尾熔化成金球用于下一鍵合線的第一焊點(diǎn)。因其可降低加熱溫度、提高鍵合強(qiáng)度與可靠