SJ-T 11848-2022 半導(dǎo)體分立器件3DG2484型NPN硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范

半導(dǎo)體分立器件3DG2484型NPN硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范of3DG2484I本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC78)半導(dǎo)體分立器件3DG2484型NPN硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范本文件規(guī)定了3DG2484型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡稱器件)的詳細(xì)要求。僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不期的引文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本GB/T4587—1994半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589/1大2006半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電絡(luò)總規(guī)范GB/T4937^4-2018半導(dǎo)體器、機(jī)械和氣候試驗方法第14部分：引出端強(qiáng)度(引線牢固度)GB/T193716-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法第15部分通孔安裝器件的耐焊接熱GB/T/4937.21-2018半導(dǎo)體器件機(jī)娥和氣候試驗方法第21部分：可焊性GB/58-l987半導(dǎo)體分立器件外形尺寸GBt2560+1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范3術(shù)語和定義4要求4.1總則質(zhì)量評定類別符合GB/N4589.1—2006和GB/T125604.2.1器件設(shè)計、結(jié)構(gòu)芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)，封裝采用金屬氣密式封裝外形符合GB/T7581—1987中A3—01B型的規(guī)定。外形圖見圖1,外形尺寸見表1。2圖1外形圖最小A—jKLL一℃℃℃℃V3表2(續(xù))V6V ℃電特性見表3。除非另有規(guī)定,25正向電流傳輸比正向電流傳輸比5正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比A5VcE=5V2VcE=45V52電流正向電流傳輸比CE=5V,C小信號共發(fā)射極短路正向電流傳輸比幅值3 小信號共發(fā)射極短路正向電流傳輸比幅值27共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納共發(fā)射極小信號開路反向電壓傳輸比阻抗共發(fā)射極小信號短路正向電流傳輸比噪聲系數(shù)F噪聲系數(shù)34噪聲系數(shù)2一5 6 引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，Ta=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)傷、破損5正向電流傳輸比短路：Icpo?≥10μA一一一5252nA55引用標(biāo)準(zhǔn)正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比正向電流傳輸比hFE2hFE3hFEs115向電壓傳輸比共發(fā)射極小信號短路正向電流傳輸比噪聲系數(shù)噪聲系數(shù)噪聲系數(shù)heheFIF2F337注：全部賦驗都是非破壞性的(見GB在006的3.6.6)引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃t5℃(見GB/T4589.1—2006的41)見圖1引線彎曲(D)6引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T?=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)位正向電流傳輸比65℃~200℃:15個循環(huán)試驗Qk,方法1試驗Qc,方法35正向電流傳輸比試驗Qk,方法1試驗Qc,方法35電耐久性正向電流傳輸比電壓—5V同B8分組最后測試注：標(biāo)明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1-2006的3.6.6)?！鱤rE/hFEa=(hFE4sa-hrEA初mm)/hFE4初引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T.=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)見表1見圖1小信號共發(fā)射極短路正向電流傳輸比幅值2757表6(續(xù))引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃引出端強(qiáng)度(D)拉力發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月耐焊接熱(D)同B5分組最后測試一正向電流傳輸比-65℃~200℃;15個循環(huán)試驗Qk,方法15同B5分組最后測試 穩(wěn)態(tài)濕熱(D)同B8分組最后測試一電耐久性附錄B同B8分組最后測試高溫貯存(D)同B8分組最后測試提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的記數(shù)檢查結(jié)果及C8前后的測試數(shù)注1:標(biāo)明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6注2:CRRL為放行批證明記錄。8表7D組(僅供鑒定)引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，Ta=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)溫度循環(huán)(D)-65℃~200℃;500次試驗Qk,方法1同B6分組最后測試Ic額定值的驗證(D)注：標(biāo)明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4689.1—2006的3,6.6)——SJAM848-2022_9(規(guī)范性)B.2電路圖B.3電路脫明B.4試驗程序率至少為75%的額定功率。調(diào)節(jié)環(huán)境溫度至少為2