GB∕T 18802.351-2019 低壓電涌保護(hù)器元件 第351部分：電信和信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的電涌隔離變壓器(SIT)的性能要求和試驗(yàn)方法

低壓電涌保護(hù)器元件第351部分：電信和信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的電涌隔離變壓器(SIT)的性能要求和試驗(yàn)方法Componentsforlow-voltagesurgeprotectivedevices—Part351:Performancerequirementsandtestmethodsfortelecommunicationsand2019-12-10發(fā)布2020-07-01實(shí)施國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016前言 Ⅲ V 12規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義、符號(hào)和縮略語(yǔ) 13.1術(shù)語(yǔ)和定義 13.2符號(hào) 33.3縮略語(yǔ) 54使用條件 54.1溫度范圍 54.2相對(duì)濕度 54.3海拔 54.4微氣候 55SIT電涌環(huán)境 65.1SIT電涌抑制 65.2共模電涌 75.3差模電涌 76特性 76.1特性測(cè)量 76.2輸入繞組與輸出繞組之間的電容 86.3絕緣電阻(IR) 96.4信號(hào)SIT電壓-時(shí)間乘積 117額定值 127.1額定沖擊耐受電壓 127.2信號(hào)SIT繞組額定直流電流 15 16 168.2參數(shù)表 168.3標(biāo)志 16附錄A(資料性附錄)1.2/50沖擊 17參考文獻(xiàn) 18 4ⅡGB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016圖2有極性指示的雙繞組SIT符號(hào) 4圖3有電屏蔽體的雙繞組SIT符號(hào) 4圖4繞組有中間抽頭的SIT符號(hào) 5圖5SIT共模電涌環(huán)境 6圖6有電屏蔽體的SIT共模電涌環(huán)境 7圖7測(cè)量SIT內(nèi)部繞組電容的試驗(yàn)電路 8圖8測(cè)量有電屏蔽體的SIT內(nèi)部繞組電容的試驗(yàn)電路 9圖9測(cè)量SIT絕緣電阻的試驗(yàn)電路 10圖10測(cè)量有電屏蔽體的SIT絕緣電阻的試驗(yàn)電路 10圖11測(cè)量SIT電壓-時(shí)間乘積的試驗(yàn)電路 圖12發(fā)生器和SIT次級(jí)電壓波形 11圖13SIT額定沖擊耐受電壓的試驗(yàn)電路 12圖14有電屏蔽體的SIT額定沖擊耐受電壓的試驗(yàn)電路 13圖151.2/50開(kāi)路波形創(chuàng)建的合格/不合格模型 13圖16合格/不合格模型和試驗(yàn)波形 14圖17繞組導(dǎo)體溫升的試驗(yàn)電路 16圖A.11.2/50時(shí)間參數(shù)和電壓幅值 17表1微氣候環(huán)境的分類(lèi) 5表2額定沖擊耐受電壓對(duì)應(yīng)的沖擊耐受試驗(yàn)電壓 14表A.11.2/50沖擊電壓發(fā)生器參數(shù) 17ⅢGB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016GB/T18802由以下部分組成：—GB/T18802.1和試驗(yàn)方法； -GB/T18802.12使用導(dǎo)則； 求和試驗(yàn)方法； 低壓電涌保護(hù)器(SPD)第1部分：低壓配電系統(tǒng)的電涌保護(hù)器性能要求低壓電涌保護(hù)器(SPD)第12部分：低壓配電系統(tǒng)的電涌保護(hù)器選擇和低壓電涌保護(hù)器第21部分：電信和信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的電涌保護(hù)器(SPD)性能要低壓電涌保護(hù)器第22部分：電信和信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的電涌保護(hù)器選擇和使用 -GB/T18802.31低壓電涌保護(hù)器特殊應(yīng)用(含直流)的電涌保護(hù)器第31部分：用于光伏系統(tǒng)的電涌保護(hù)器(SPD)性能要求和試驗(yàn)方法； -GB/T18802.311試回路；低壓電涌保護(hù)器元件第311部分：氣體放電管(GDT)的性能要求和測(cè) 低壓電涌保護(hù)器元件第312部分：氣體放電管(GDT)的選擇和使用——GB/T18802.321低壓電涌保護(hù)器元件第321部分：雪崩擊穿二極管(ABD)規(guī)范；——GB/T18802.331低壓電涌保護(hù)器元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻(MOV)規(guī)范；——GB/T18802.341低壓電涌保護(hù)器元件第341部分：電涌抑制晶閘管(TSS)規(guī)范；——GB/T18802.3511低壓電涌保護(hù)器元件第351部分：電信和信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的電涌隔離變壓器(SIT)的性能要求和試驗(yàn)方法。本部分為GB/T18802的第351部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分使用翻譯法等同采用IEC61643-351:2016《低壓電涌保護(hù)器元件第351部分：電信和信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的電涌隔離變壓器(SIT)的性能要求和試驗(yàn)方法》。與本部分中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下：——GB/T4728.6—2008電氣簡(jiǎn)圖用圖形符號(hào)第6部分：電能的發(fā)生與轉(zhuǎn)換(IEC60617data-base:2007,IDT);-GB/T4798.3—2007電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件第3部分：有氣候防護(hù)場(chǎng)所固定使用本部分做了下列編輯性修改：——在7.1a)中增加了注，對(duì)耐受試驗(yàn)電壓施加的次數(shù)和間隔時(shí)間進(jìn)行了補(bǔ)充說(shuō)明；——?jiǎng)h除了表2中與我國(guó)無(wú)關(guān)的注2。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任。本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本部分由全國(guó)避雷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC81)歸口。本部分起草單位：四川中光防雷科技股份有限公司、西安高壓電器研究院有限責(zé)任公司、上海大學(xué)、廣州中光電氣科技有限公司、上海雷迅防雷技術(shù)有限公司、菲尼克斯亞太電氣(南京)有限公司、深圳市INGB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016鐵創(chuàng)科技發(fā)展有限公司、西安神電電器有限公司、上海優(yōu)泰歐申機(jī)電有限公司、萊茵技術(shù)(上海)有限公司。本部分主要起草人：雷成勇、謝晉、黃勇、周歧斌、郭亞平、潘挺、徐祝勤、何亨文、賈東旭、王炯琪、施兵。VGB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016GB/T18802的本部分適用于額定沖擊耐受電壓與安裝處預(yù)期電涌環(huán)境相適應(yīng)的電涌隔離變壓器。這種電涌保護(hù)元器件(SPC)可與電流泄放元件(如：GDT,MOV等)或電涌保護(hù)器(SPD)相配合來(lái)隔離和衰減瞬態(tài)電壓，也可用在SPD中。1GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016低壓電涌保護(hù)器元件第351部分：電信和信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的電涌隔離變壓器(SIT)的性能要求和試驗(yàn)方法GB/T18802的本部分詳細(xì)說(shuō)明了用于確定和驗(yàn)證SIT電涌參數(shù)的試驗(yàn)電路和試驗(yàn)方法，并給出了關(guān)鍵性能的參數(shù)優(yōu)選值。電涌隔離變壓器(SIT)用作信號(hào)電壓峰峰值不大于400V的信號(hào)變壓器。SIT是內(nèi)部繞組有或沒(méi)有屏蔽的變壓器，其額定沖擊耐受電壓大于預(yù)期共模電涌環(huán)境的峰值電壓。SIT是適用于對(duì)雷電的間接和直接效應(yīng)或其他瞬態(tài)過(guò)電壓的電涌進(jìn)行防護(hù)的元器件。SIT用于抑制共模電壓電涌向前傳播。本部分內(nèi)容不包括工作在差模雷電電涌環(huán)境下的SIT。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T16935.1—2008低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分：原理、要求和試驗(yàn)(IEC60664-1:2007,IDT)GB/Z16935.2—2013低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第2-1部分：應(yīng)用指南GB/T16935系列應(yīng)用解釋?zhuān)ǔ叽缡纠敖殡娫囼?yàn)(IEC/TR60664-2-1:2011,IDT)IEC60617datebase簡(jiǎn)圖用圖形符號(hào)(Graphicalsymbolsfordiagrams)IEC60721-3-3環(huán)境條件分類(lèi)第3部分：環(huán)境參數(shù)組及其嚴(yán)酷程度的分類(lèi)第3節(jié)：在有氣候防護(hù)場(chǎng)所固定使用(Classificationofenvironmentalconditions—Part3:Classificationofgroupsofenvi-ronmentalparametersandtheirseverities—Section3:Stationaryuseatweatherprotectedlocations)3術(shù)語(yǔ)和定義、符號(hào)和縮略語(yǔ)3.1術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。電涌隔離變壓器surgeisolationtransformer;SIT具有高沖擊耐受電壓，輸入和輸出繞組間有或沒(méi)有電屏蔽體的隔離變壓器。由導(dǎo)電材料制成的，用來(lái)減弱電場(chǎng)透入給定區(qū)域的屏蔽體。[GB/T2900.83—2008,定義151-13-10]擊穿breakdown當(dāng)放電完全跨接絕緣時(shí)在電應(yīng)力下絕緣失效，導(dǎo)致電極間的電壓下降至接近零。2GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016[GB/Z16935.2—2013,定義3.9]元件類(lèi)型componenttype制造商的元件類(lèi)別。兩導(dǎo)電部件之間在空氣中的最短距離。[GB/T16935.1—2008,定義3.2]爬電距離creepagedistance兩導(dǎo)電部件之間沿固體絕緣材料表面的最短距離。[GB/T16935.1—2008,定義3.3]屏蔽測(cè)量guardedmeasurement用于三端網(wǎng)絡(luò)的測(cè)量技術(shù)，該技術(shù)為了正確測(cè)量其他兩個(gè)端子之間直接阻抗，通過(guò)在第三端施加補(bǔ)償電壓以消除連接到第三端任意阻抗引發(fā)的分流效應(yīng)。在規(guī)定的條件下，被絕緣材料隔離的兩導(dǎo)電部件之間的電阻。[IEC/TS61994-4-2:2011,定義3.10]在規(guī)定的條件下，不造成絕緣擊穿、具有一定形狀和極性的沖擊電壓最高峰值。[GB/T16935.1—2008,定義3.8.1]隔離變壓器isolatingtransformer輸入繞組與輸出繞組之間具有保護(hù)隔離的變壓器。[IEC60065:2014,定義2.7.1]電工產(chǎn)品中用于分離具有不同電勢(shì)的導(dǎo)電部件的途徑。絕緣配合insulationcoordination考慮了預(yù)期微觀環(huán)境及其他影響作用的情況下電氣設(shè)備絕緣特性的相互關(guān)系。[GB/Z16935.2—2013,定義3.18]過(guò)電壓overvoltage峰值大于在正常運(yùn)行下最大穩(wěn)態(tài)電壓的相應(yīng)峰值的任何電壓。[GB/T16935.1—2008,定義3.7]雷電過(guò)電壓lightningovervoltage因特定的雷電放電，在系統(tǒng)中的任何位置上出現(xiàn)的瞬時(shí)過(guò)電壓。3GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016[GB/T16935.1—2008,定義3.7.4]熱平衡thermalequilibrium連續(xù)測(cè)量三次，每次間隔5min,任意兩次之間的溫度變化小于1K。[IEC61810-1:2015,定義3.3.13]在熱平衡條件下，兩個(gè)規(guī)定點(diǎn)或區(qū)域間的溫差與這兩點(diǎn)或區(qū)域間的熱流量之比。[IEC62590:2010,定義3.9.1]微氣候microclimate產(chǎn)品內(nèi)部安裝元件處的氣候條件。注1:只考慮產(chǎn)品內(nèi)部最大空氣溫度(等級(jí)X1～X7)或者包括最大空氣濕度等級(jí)(等級(jí)Y1～Y4)。注2:改寫(xiě)GB/T4798.9—2012,定義3.1。視在波前時(shí)間virtualfronttimeT?沖擊電壓波形中，電壓峰值的30%和90%之間時(shí)間間隔T的1/0.6倍。注1:參見(jiàn)附錄A的圖A.1。注2:改寫(xiě)IEC60060-1:2010,定義7.1.18。視在原點(diǎn)virtualorigin沖擊電壓波形中，通過(guò)電壓幅值的30%和90%的點(diǎn)所畫(huà)直線與時(shí)間軸的交點(diǎn)。注1:參見(jiàn)圖A.1。T2從視在原點(diǎn)O?到電壓或電流下降到峰值一半時(shí)的時(shí)間間隔。注：參見(jiàn)圖A.1。沖擊波形表示designationofanimpulseshape視在波前時(shí)間(T?)和視在半峰值時(shí)間(T?)的組合。[IEC60099-4:2014,定義3.13]3.2符號(hào)下列符號(hào)適用于本文件。圖1為雙繞組SIT符號(hào)。4GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016P1——初級(jí)繞組1端；S1——次級(jí)繞組1端；P2——初級(jí)繞組2端；S2——次級(jí)繞組2端。圖1雙繞組SIT符號(hào)圖2為有瞬時(shí)電壓極性指示的雙繞組SIT符號(hào)，與IEC60617中S00843符號(hào)帶終端連接時(shí)相似。P1——初級(jí)繞組1端；S1——次級(jí)繞組1端；P2——初級(jí)繞組2端；S2——次級(jí)繞組2端。圖2有極性指示的雙繞組SIT符號(hào)圖3為繞組之間有電屏蔽體的雙繞組SIT符號(hào)，與IEC60617中S00853符號(hào)帶終端連接時(shí)相似。EEP1——初級(jí)繞組1端；S1——次級(jí)繞組1端；P2——次級(jí)繞組2端；S2——次級(jí)繞組2端；E——接地端(電屏蔽體端)。圖3有電屏蔽體的雙繞組SIT符號(hào)圖4為繞組有中間抽頭的SIT符號(hào)，與IEC60617中S00855符號(hào)兩個(gè)繞組有中間抽頭和終端連接時(shí)相似。當(dāng)試驗(yàn)需要短路繞組時(shí)，中間抽頭也連接到短路繞組；進(jìn)行其他試驗(yàn)時(shí)，中間抽頭端不做任何連接。5GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016圖4繞組有中間抽頭的SIT符號(hào)3.3縮略語(yǔ)下列縮略語(yǔ)適用于本文件。ES電屏蔽[體](electricscreen)ICT信息通信技術(shù)(informationandcommunicationstechnology)IR絕緣電阻(insulationresistance)rms有效值(rootmeansquare)SIT電涌隔離變壓器(surgeisolationtransformer)SPD電涌保護(hù)器(surgeprotectivedevice)4使用條件4.1溫度范圍擴(kuò)展范圍：由制造商與用戶(hù)協(xié)商決定。4.2相對(duì)濕度不超過(guò)90%。4.3海拔正常范圍：不超過(guò)1000m。擴(kuò)展范圍：由制造商與用戶(hù)協(xié)商決定。4.4微氣候當(dāng)應(yīng)用于微氣候環(huán)境時(shí)，采用表1中的一個(gè)等級(jí)。表1微氣候環(huán)境的分類(lèi)℃℃產(chǎn)品應(yīng)用0～706GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016℃℃產(chǎn)品應(yīng)用-40～85-55～125—65～150貯存"額定貯存溫度的驗(yàn)證不屬于本部分范圍。參見(jiàn)GB/T2423.1—2008和GB/T2423.5SIT電涌環(huán)境5.1SIT電涌抑制SIT通過(guò)磁感應(yīng)穿過(guò)變壓器絕緣，初次級(jí)繞組相互耦合工作。在輸入側(cè)出現(xiàn)共模電涌時(shí)，SIT的絕緣承受電壓應(yīng)力。絕緣有三種物理途徑：a)固體絕緣——介于兩繞組間的絕緣材料；b)爬電距離；c)電氣間隙。固體絕緣厚度的設(shè)置應(yīng)保證最大預(yù)期電位差不引起擊穿。爬電距離的設(shè)置應(yīng)保證最大預(yù)期電位差和污染等級(jí)不造成表面閃絡(luò)或擊穿(電痕化)。電氣間隙距離的設(shè)置應(yīng)保證最大預(yù)期電位差不擊穿間隙。電涌脈沖中的較高頻率分量通過(guò)SIT內(nèi)部繞組電容(如：CrsA+Crs)從一個(gè)繞組耦合到另一個(gè)繞組(見(jiàn)圖5)。Zs——源阻抗；R——參考面或點(diǎn)。圖5SIT共模電涌環(huán)境7為了減小內(nèi)部繞組電容，可在繞組之間使用導(dǎo)電屏蔽體(見(jiàn)圖6)。電屏蔽體能夠去耦大部分繞組電容(如：CpsA,CrSrcmg,CsSercnA和Cssrcnt),留下非常小的內(nèi)部繞組電容值(如：CpsA+Cps)。圖6有電屏蔽體的SIT共模電涌環(huán)境5.2共模電涌圖6給出了共模電涌環(huán)境下的SIT。為了達(dá)到絕緣配合，其額定沖擊耐受電壓應(yīng)大于或等于共模電涌電壓峰值(見(jiàn)7.1)。初級(jí)繞組到次級(jí)繞組間的電容(如：Cps?+Cps),如果沒(méi)有被電屏蔽體(ES)去耦，就會(huì)形成從初級(jí)電路到次級(jí)電路的容性電流通路(見(jiàn)6.2)。對(duì)于共模電涌，其主要參數(shù)是額定沖擊耐受電壓和內(nèi)部繞組電容，以及試驗(yàn)后檢查絕緣完整性的絕緣電阻。5.3差模電涌SIT帶寬會(huì)過(guò)濾輸出電涌的頻譜而對(duì)差模電涌起抑制作用，但是SIT的作用很小。信號(hào)SIT可能由于初級(jí)繞組電流過(guò)大導(dǎo)致磁芯飽和而截?cái)啻渭?jí)電壓。一些標(biāo)準(zhǔn)要求SIT具有初級(jí)繞組額定電流參數(shù)，用于進(jìn)行電源差模故障測(cè)試。特性是元器件可測(cè)量的參數(shù)，這些參數(shù)值用于元器件驗(yàn)證。特性的典型值、最大值、最小值或這些值的組合由制造商規(guī)定。8GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016測(cè)量特性的環(huán)境溫度和濕度按IEC60721-3-3,3K1級(jí)：a)低溫20℃±2℃;b)高溫25℃±2℃;c)低相對(duì)濕度20%;d)高相對(duì)濕度75%。6.2輸入繞組與輸出繞組之間的電容本試驗(yàn)測(cè)量SIT內(nèi)部繞組有效電容：a)試驗(yàn)方法圖7給出了測(cè)量SIT內(nèi)部繞組電容的試驗(yàn)電路。在圖7中，只顯示了SIT的容性分量。初級(jí)繞組Wp和次級(jí)繞組Ws均短路。在兩個(gè)短路繞組之間測(cè)量?jī)?nèi)部繞組電容。圖7測(cè)量SIT內(nèi)部繞組電容的試驗(yàn)電路圖8給出了測(cè)量有電屏蔽體的SIT內(nèi)部繞組電容的試驗(yàn)電路。在圖8中，只顯示了SIT的容性分量。初級(jí)繞組Wp和次級(jí)繞組Ws均短路。在兩個(gè)短路繞組之間測(cè)量?jī)?nèi)部繞組電容。應(yīng)采用屏蔽測(cè)量方法測(cè)量?jī)?nèi)部繞組電容，以消除繞組到電屏蔽體的電容。使用三線方法(Hi,Lo,Guard)或六線方法(Hi,Lo,Guardfeed和Hi,Lo,Guardsense)進(jìn)行屏蔽測(cè)量。圖8中使用了Blumlein三線變壓器比例臂電橋。使用同軸電纜消除了測(cè)量中連接電纜的并聯(lián)電容。9GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016Cpsn——初級(jí)到電屏蔽體的電容；Cssen——次級(jí)到電屏蔽體的電容；Cps——初級(jí)到次級(jí)的剩余電容；G——屏蔽連接(同軸電纜屏蔽層);F——屏蔽測(cè)量電容電橋。圖8測(cè)量有電屏蔽體的SIT內(nèi)部繞組電容的試驗(yàn)電路屏蔽端G連接到初級(jí)，測(cè)量?jī)x連接到剩下兩端，測(cè)量次級(jí)到電屏蔽體的電容Css。類(lèi)似地，屏蔽端G連接到次級(jí)，測(cè)量?jī)x連接到剩下兩端，測(cè)量初級(jí)到電屏蔽體的電容Crsc…。b)優(yōu)選值本部分包含AC低頻電源，各種尺寸和結(jié)構(gòu)的高頻開(kāi)關(guān)電源。由于這些參數(shù)存在較大的差異，無(wú)法給出優(yōu)選值列表。內(nèi)部繞組電容值可用于預(yù)測(cè)傳遞到后級(jí)電路的容性電涌電流水平。c)合格判據(jù)內(nèi)部繞組電容的測(cè)量值應(yīng)在制造商規(guī)定的范圍之內(nèi)。如果制造商只給了典型值，而測(cè)量值超出典型值的±30%,應(yīng)聯(lián)系制造商核實(shí)測(cè)量方法及產(chǎn)品分布參數(shù)。6.3絕緣電阻(IR)本試驗(yàn)測(cè)量規(guī)定DC電壓下的絕緣電阻：a)試驗(yàn)方法絕緣電阻測(cè)試儀應(yīng)設(shè)置為規(guī)定的DC試驗(yàn)電壓值，見(jiàn)6.3b)。應(yīng)施加至少60s的試驗(yàn)電壓后再讀取絕緣電阻值。圖9給出了測(cè)量SIT絕緣電阻的試驗(yàn)電路。初級(jí)繞組Wp和次級(jí)繞組Ws均短路。在兩個(gè)短路繞組之間測(cè)量絕緣電阻。GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016圖9測(cè)量SIT絕緣電阻的試驗(yàn)電路圖10給出了測(cè)量有電屏蔽體的SIT絕緣電阻的試驗(yàn)電路。初級(jí)繞組Wp和次級(jí)繞組Ws均短路。在兩個(gè)短路繞組之間測(cè)量絕緣電阻。除非另有規(guī)定，應(yīng)測(cè)量?jī)纱危阂淮斡棉D(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)SW把電屏蔽體ES連接到初級(jí)繞組Wp后測(cè)量，另一次用轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)SW把電屏蔽體ES連接到次級(jí)繞組Ws后測(cè)量。Ws——次級(jí)繞組；ES——電屏蔽體。SW——雙位轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)；圖10測(cè)量有電屏蔽體的SIT絕緣電阻的試驗(yàn)電路b)優(yōu)選值DC試驗(yàn)電壓值優(yōu)選500V,施加DC試驗(yàn)電壓至少60s后讀取電阻值。c)合格判據(jù)在500VDC下測(cè)量的絕緣電阻值應(yīng)大于或等于2MΩ。GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016本試驗(yàn)測(cè)量SIT的電壓-時(shí)間乘積，一種衡量流過(guò)次級(jí)繞組的差模電涌的方法：a)試驗(yàn)方法圖11所示為測(cè)量電壓-時(shí)間乘積的試驗(yàn)電路。脈沖發(fā)生器G具有可調(diào)的電壓幅值和脈沖持續(xù)時(shí)間。Ws——次級(jí)繞組圖12給出了發(fā)生器的開(kāi)路輸出電壓和生成的次級(jí)繞組電壓。調(diào)整發(fā)生器的脈沖電壓幅值Vc和持續(xù)時(shí)間使SIT磁芯飽和。若次級(jí)繞組脈沖電壓被截?cái)?，則表明磁芯飽和，其持續(xù)時(shí)間ts比發(fā)生器脈沖的持續(xù)時(shí)間短。為了測(cè)量精確，應(yīng)調(diào)整發(fā)生器電壓幅值，使磁芯飽和的時(shí)間ts圖12發(fā)生器和SIT次級(jí)電壓波形在次級(jí)繞組瞬時(shí)電壓Vs上，測(cè)量幅值Vs和50%Vs的持續(xù)時(shí)間ts。SIT電壓-時(shí)間乘積由Vs×ts給出，用μV·sb)優(yōu)選值SIT的電壓-時(shí)間乘積取決于SIT的尺寸、結(jié)構(gòu)與信息通信技術(shù)(ICT)系統(tǒng)。由于這些參數(shù)存在較大的差異，無(wú)法給出優(yōu)選值列表。例如，以太網(wǎng)SIT的電壓-時(shí)間乘積通常在50μV·s范圍內(nèi)。當(dāng)次級(jí)沒(méi)有限制電壓的元件時(shí)，電壓-時(shí)間乘積值可用于預(yù)測(cè)規(guī)定的電涌波形產(chǎn)生的次級(jí)電壓截?cái)嗲暗姆逯邓健)合格判據(jù)電壓-時(shí)間乘積的測(cè)量值應(yīng)在制造商規(guī)定的范圍之內(nèi)。如果制造商只給出了典型值時(shí)，而測(cè)量值超出典型值的±30%,應(yīng)聯(lián)系制造商核實(shí)測(cè)量方法及產(chǎn)品分布參數(shù)。GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:20167額定值7.1額定沖擊耐受電壓本試驗(yàn)用于驗(yàn)證由SIT制造商給出的元件類(lèi)型規(guī)定的額定沖擊耐受電壓：a)試驗(yàn)方法額定沖擊耐受電壓通常用1.2/50沖擊電壓來(lái)測(cè)試，參見(jiàn)附錄A。由于這是測(cè)試元器件、裝置和設(shè)備端口的一種通用方法，因此本部分僅規(guī)定了絕緣沖擊耐受測(cè)試。圖13所示的試驗(yàn)電路用于SIT絕緣的額定沖擊耐受電壓試驗(yàn)。1.2/50沖擊發(fā)生器的沖擊電壓施加在絕緣隔離的繞組Wp和Ws上，其電壓波形用示波器O監(jiān)測(cè)。初級(jí)繞組Wp和次級(jí)繞組Ws均短路。圖13SIT額定沖擊耐受電壓的試驗(yàn)電路圖14給出了有電屏蔽體的SIT的額定沖擊耐受電壓試驗(yàn)的試驗(yàn)電路。1.2/50沖擊發(fā)生器的沖擊電壓施加在絕緣隔離的繞組Wp和Ws上，其電壓波形用示波器O監(jiān)測(cè)。初級(jí)繞組Wp和次級(jí)繞組Ws均短路。除非另有規(guī)定，應(yīng)測(cè)量?jī)纱危阂淮斡棉D(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)SW把電屏蔽體ES連接到初級(jí)繞組Wp后測(cè)量，另一次用轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)SW把電屏蔽體ES連接到次級(jí)繞組Ws后測(cè)量。GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016Wp——初級(jí)繞組；G——1.2/50沖擊發(fā)生器；Ws——次級(jí)繞組；O——示波器或等效的沖擊電壓監(jiān)測(cè)儀；ES——電屏蔽體；SW雙位轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)。圖14有電屏蔽體的SIT額定沖擊耐受電壓的試驗(yàn)電路在測(cè)試絕緣之前，應(yīng)確定一個(gè)試驗(yàn)合格/不合格的模型。首先將發(fā)生器G的電壓按表2設(shè)置為SIT額定沖擊耐受電壓對(duì)應(yīng)的沖擊耐受試驗(yàn)電壓。記錄發(fā)生器G的電壓波形。由發(fā)生器G的1.2/50開(kāi)路電壓波形創(chuàng)建一個(gè)模型，包含將波形向上移動(dòng)幅值的10%形成的上限和將波形向下移動(dòng)幅值的10%形成的下限(見(jiàn)圖15)。d——1.2/50開(kāi)路電壓波形的正、負(fù)垂直波形位移；位移d等于開(kāi)路電壓峰值的10%。圖151.2/50開(kāi)路波形創(chuàng)建的合格/不合格模型圖16所示為使用模型的一個(gè)案例，在圖中模型顯示為陰影區(qū)域。為了通過(guò)絕緣試驗(yàn)，絕緣試驗(yàn)期間的任何波形畸變不應(yīng)在模型區(qū)域外(見(jiàn)圖16a)]。任何絕緣擊穿引起的畸變?nèi)玟忼X狀波形(圖16b)]和截?cái)嗟牟ㄐ?圖16c)]在模型區(qū)域外，均為試驗(yàn)不合格。GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016圖16合格/不合格模型和試驗(yàn)波形使用圖13或圖14的試驗(yàn)電路，將沖擊發(fā)生器G產(chǎn)生的SIT額定沖擊耐受電壓對(duì)應(yīng)的沖擊耐受試驗(yàn)電壓施加到絕緣體上，同時(shí)在示波器O上記錄沖擊波形。檢查記錄的電壓波形是否符合圖16a)。對(duì)于有電屏蔽體的SIT,見(jiàn)圖14,將轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)SW設(shè)置在兩個(gè)不同位置上重復(fù)試驗(yàn)，并且檢查記錄的電壓波形是否符合圖16a)。在沖擊耐受試驗(yàn)后，按6.3測(cè)量絕緣電阻。b)優(yōu)選值表2列出了SIT額定沖擊耐受電壓和相對(duì)應(yīng)的沖擊耐受試驗(yàn)電壓的優(yōu)選值。為確保額定沖GB/T16935.1—2008和GB/Z16935.2—2013,表2中額定沖擊耐受電壓小于4kV時(shí)，沖擊耐受試驗(yàn)電壓與額定沖擊耐受電壓之比為1.17,4kV及以上時(shí)為1.23。本試驗(yàn)測(cè)量元器件按規(guī)定安裝時(shí)的爬電距離、電氣間隙和絕緣層的綜合耐受能力。c)合格判據(jù)試驗(yàn)過(guò)程中的波形應(yīng)符合圖16a)的要求，試驗(yàn)后絕緣電阻應(yīng)符合6.3。表2額定沖擊耐受電壓對(duì)應(yīng)的沖擊耐受試驗(yàn)電壓額定沖擊耐受電壓kV沖擊耐受試驗(yàn)電壓kV0.80.942.1°2.42.52.9244.9267.3989.852530.836.94049.2GB/T18802.351—2019/IEC61643-351:2016表2(續(xù))注：額定沖擊耐受電壓值10kV來(lái)自于ITU-TK.21和ITU-T根據(jù)GB/Z16935.2—2013,1.2/50電壓幅值允修訂的額定沖擊耐受電壓對(duì)應(yīng)ISO/IEC/IEEE8802-3:2014中1.2/502.47.2信號(hào)SIT繞組額定直流電流本試驗(yàn)驗(yàn)證SIT在額定直流電流下的繞組導(dǎo)體溫升，不應(yīng)超過(guò)元件類(lèi)型的規(guī)定值。當(dāng)安裝在裝置和設(shè)備端口的SIT要求在交流電源差模故障條件下進(jìn)行測(cè)試時(shí)，才需要額定直流電流：a)試驗(yàn)方法本試驗(yàn)適用于銅導(dǎo)體SIT繞組，并假定SIT熱阻恒定。圖17給出了兩個(gè)測(cè)量電路。圖17a)電路是測(cè)量試驗(yàn)前的繞組電阻和環(huán)境溫度。圖17b)電路是SIT達(dá)到熱平衡后測(cè)量在額定直流電流下的繞組電壓和該點(diǎn)環(huán)境溫度。由于不能直接測(cè)量繞組溫度，連續(xù)測(cè)量三次繞組電壓，每次間隔5min,任意兩次之間的變化小于0.4%為熱平衡。通常，大多數(shù)信號(hào)SIT在15min內(nèi)達(dá)到熱平衡。試驗(yàn)時(shí)，SIT應(yīng)置于空氣不流通的環(huán)境中。應(yīng)記錄按照?qǐng)D17a)試驗(yàn)電路預(yù)先測(cè)試的繞組電阻R,和環(huán)境溫度T。